JP2004361507A - フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム - Google Patents
フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】設計データに対し図形演算を行うことによって第1と第2描画データ7,8a,8bをそれぞれ作成する。第1フォトマスク描画装置を用いて第1描画データ7に従ってフォトマスク上の第1領域に第1パターンを形成する。第1フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2フォトマスク描画装置を用いて第2描画データ8a,8bに従って上記フォトマスク上の第2領域に第2パターンを形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システムに関し、特に、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD:Charge−Coupled Device)や薄膜磁気ヘッドなどのマイクロデバイスを製造する際に行われるフォトリソグラフィ工程で使用可能なフォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システムに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体素子を製造する際に、投影光学系を介してフォトマスクのパターン像をフォトレジストが塗布されたウェハやガラスプレートなどの上に投影する投影露光装置が使用されている。
【0003】
これまで露光装置では露光領域の大面積化が求められてきた。それは、一度にn個のチップを露光できれば露光工程のスループットがn倍に向上し、最終的にチップコストの削減になるからである。
【0004】
また、大規模集積回路(LSI)を設計する際には、チップ面積の縮小が求められてきた。それは、1枚のウェハから製造できる製品の数を増やすことができるため、チップコストの削減になるからである。
【0005】
このような開発スタイルは、少品種大量生産を特徴とするメモリ製品では有効である。メモリ製品では、初期投資であるフォトマスクコストよりも、維持費であるウェハコストの比率の方が圧倒的に高いので、フォトマスクコストよりもウェハコストを下げて大量生産する方が経済的に有益となるからである。
【0006】
しかし、多品種少量生産が特徴であるASIC(Application Specific Integrated Circuit)製品では状況が異なる。製品を大量生産するわけではないので、量産効果をあまり期待できない。平均的なASIC製品のコスト構造を見ると、初期投資であるフォトマスクコストと維持費であるウェハコストの比率がほぼ同等である。このように初期投資であるフォトマスクコストを無視できないのがASIC製品の特徴である。そこで、フォトマスクプロセスの加工精度を維持または向上させるとともに、フォトマスクコストを削減する技術が必要である。
【0007】
フォトマスクプロセスのコスト構造を見ると、圧倒的に大きな比率を占めるのは、回路パターンの描画工程と検査工程である。遮光膜の成膜工程やフォトレジスト膜の塗布・現像工程はフォトマスク全体で一括して行える。しかし、描画工程と検査工程は微細パターンの一つ一つを描画あるいは検査する必要がある。また、フォトマスク上の微細パターンは、近年のLSIの高集積化に伴い指数関数的に増加しているので、上記の傾向がさらに顕著となる。
【0008】
さらに、フォトマスク描画装置やフォトマスク検査装置自体の価格も高いので、原価償却の済んでいない新しい装置を使う場合に必要な償却費も決して無視できない。
【0009】
フォトマスク描画装置で集積回路装置の原版パターンを透明基板上に形成する際には、一般に、設計データに基づいて描画データを作成し、該描画データに従って透明基板上にパターンを形成する。このとき、同一のフォトマスク上のパターンは、微細パターンであっても大きいパターンであっても同一のフォトマスク描画装置で描画される。なお、描画図形を発生させる手法の一例が、たとえば特開平1−111325号公報に記載されている。
【0010】
【特許文献1】
特開平1−111325号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように微細パターンと大きいパターンとを同一のフォトマスク描画装置で描画する場合、描画精度は高い精度が必要とされる微細パターンに合わせて決定される。そのため、あまり高い精度が要求されない大きなパターンやダミーパターンであっても、同一のフォトマスク上に形成される限り、高い精度で描画されてしまう。このことが、フォトマスクの納期を遅延させたり、フォトマスクコストを増大させる一因となっていた。
【0012】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、フォトマスク上に形成される各種パターンに要求される精度を確保しながら、フォトマスクの工期短縮やコスト削減を行なうことが可能となるフォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システムを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、次の各工程を備える。設計データに対し図形演算を行なうことによって第1と第2描画データをそれぞれ作成する。第1フォトマスク描画装置を用いて第1描画データに従ってフォトマスク上の第1領域に第1パターンを形成する。第1フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2フォトマスク描画装置を用いて第2描画データに従って上記フォトマスク上の第2領域に第2パターンを形成する。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図38を用いて、本発明の実施の形態におけるフォトマスクの製造方法とフォトマスク描画システムについて説明する。
【0015】
本発明の実施の形態におけるフォトマスクの製造方法では、設計データに対し図形演算を行なうことによって複数の描画データを作成し、該描画データの大きさ、形状、用途などによって必要とされる加工精度に応じて加工精度の異なるフォトマスク描画装置を使い分けている。
【0016】
より詳しくは、設計データに対し図形演算を行なうことによって第1と第2描画データを作成し、第1フォトマスク描画装置を用いて第1描画データに従ってフォトマスク上の第1領域に第1描画パターンを形成し、該第1描画パターンに従ってエッチングなどを行なうことでフォトマスク上に第1遮光パターンを形成し、上記第1フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2フォトマスク描画装置を用いて第2描画データに従って上記フォトマスク上の第2領域に第2描画パターンを形成し、該第2描画パターンに従ってエッチングなどを行なうことでフォトマスク上に第2遮光パターンを形成する。
【0017】
上記の製造方法を採用することにより、たとえば最小寸法の小さい微細パターンや輪郭パターンのように高い寸法精度が要求されるパターンについては高精度のフォトマスク描画装置を使用してパターンを形成し、精度があまり要求されないたとえば大面積のパターン(最小寸法が所定値以上のパターン)については低精度のフォトマスク描画装置を使用してパターンを形成することができる。
【0018】
それにより、全てのパターンを高精度のフォトマスク描画装置を使用して形成する場合と比較して、各パターンに要求される精度を維持しながら、フォトマスクへのパターンの描画時間を短縮し、かつ安価にフォトマスクへのパターンの描画を行える。したがって、フォトマスクの工期を短縮し、またフォトマスクのコストを削減することができる。
【0019】
ところで、電子の帯電現象は、大面積のパターンにおいて顕在化するので、微細パターンや輪郭パターンの描画を、大面積のパターンよりも先に行っておくことが好ましい。それにより、加工精度に敏感な微細パターンや輪郭パターンが、大面積のパターンに帯電した電荷からのクーロン反発力の影響を受けるのを抑制することができる。その結果、微細パターンや輪郭パターンの寸法精度を向上することができる。
【0020】
また、フォトマスク描画装置を適切に選択することにより、描画時間を短縮することができるので、フォトマスク描画装置におけるドリフトの影響も低減することができる。それにより、大面積のパターンの寸法精度をも向上することができる。
【0021】
以下、図面を用いて本発明の各実施の形態について、より具体的に説明する。
(実施の形態1)
まず、図1〜図10を用いて、本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造方法について説明する。本実施の形態1では、遮光膜を選択的に除去することで所望の回路パターンを形成した、いわゆる抜きパターンを有するフォトマスクの製造方法について説明する。
【0022】
図1には、フォトマスク上に形成される回路パターンの図形データである、黒地に白抜きの描画データ(パターンデータ)を模式的に示し、図2〜図4には、図形処理後の各種描画データを示す。
【0023】
なお図1〜図4において、斜線を施した領域が黒色領域であり、それ以外の領域が白色領域である。また、本実施の形態1を含む全ての実施の形態において、説明の便宜上、描画データとして単純な矩形パターンのみを図示している。
【0024】
図1に示す描画データ6が、集積回路のオリジナルの図形データである設計データであり、該設計データに対し図形演算を行なうことで図2〜図4に示す各種のデータが得られる。
【0025】
図1に示すように、描画データ6内に、相対的に小さい寸法の図形データである第1描画データ7と、相対的に大きい寸法の図形データである第2描画データ8a,8bとが含まれる。より詳しくは、第1描画データ7は、最小寸法が所定値よりも小さい図形データであり、第2描画データ8a,8bは、最小寸法が所定値よりも大きい図形データである。
【0026】
まず、図1に示す描画データ6に所定量だけアンダーサイズ処理を行なう。つまり、各図形データを縮小する処理を行なう。それにより、サイジング量の2倍以下の寸法を有する図形データは消去される。本例では、図2に示すように、第1描画データ7が消去される。このとき、第2描画データ8a,8bは、縮小された状態で残余する。
【0027】
次に、上記のアンダーサイズ処理の後に、該アンダーサイズ処理の時の縮小量と同じ量だけオーバーサイズ処理を行なう。つまり、各図形データを拡大する処理を行なう。それにより、図3に示すように、第2描画データ8a,8bを元の大きさ(設計データの大きさ)に戻すことができ、最小寸法が相対的に大きい図形データである第2描画データ8a,8bのみのファイルを作成することができる。
【0028】
次に、図1に示す設計データと第2描画データ8a,8bとの重複部分を除去する処理を行なう。それにより、図4に示すように、最小寸法が所定値以下である第1描画データ7のみを残すことができ、最小寸法が相対的に小さい図形データである第1描画データ7のみのファイルを作成することができる。
【0029】
上記のように、図形演算によって最小寸法が相対的に大きい描画データと最小寸法が相対的に小さい描画データの2種類(3種類以上でもよい)のファイルを作成し、加工精度の異なるフォトマスク描画装置を用いて両者に順次描画を行なう。
【0030】
本実施の形態1では、相対的に加工精度の高いフォトマスク描画装置を使用して最小寸法が相対的に小さい描画データに従ったパターンの描画を行い、相対的に加工精度の低いフォトマスク描画装置を使用して最小寸法が相対的に大きい描画データに従ったパターンの描画を行なう。
【0031】
具体的には、50〜100keVの高加速電圧の高精度の電子線描画装置により第1描画データ7の描画を行い、その後、10〜20keVの低加速電圧の低精度の電子線描画装置により第2描画データ8a,8bの描画を行なう。
【0032】
高加速電圧の電子線描画装置は、加速電圧が高いので加工精度も高いが価格も高い。それに対し、低加速電圧の電子線描画装置は、加速電圧が低いので加工精度も低いが価格も低い。
【0033】
そこで、真に加工精度が求められる微細パターンについては相対的に加工精度の高いフォトマスク描画装置を使用し、あまり高い加工精度が求められない大型のパターンやダミーパターンなどについては相対的に加工精度の低いフォトマスク描画装置を使用することにより、真に加工精度が求められる微細パターンについては高精度でパターンの形成を行なうことができ、あまり高い加工精度が求められないパターンについては安価にパターンの形成を行なうことができる。つまり、フォトマスク上に形成される各種パターンの要求精度に応じたパターンを低コストで形成することができる。
【0034】
次に、図5〜図10を用いて、本実施の形態1におけるフォトマスクの製造方法についてより具体的に説明する。
【0035】
まず、前述の手法で図形演算によって描画データを作成した後、図5に示すように、スパッタリング法などを用いて、石英基板などの透明基板9上にCr膜などの遮光膜10aを形成する。この遮光膜10a上にフォトレジスト11aを塗布する。
【0036】
次に、50〜100keVの高加速電圧の電子線描画装置を用いて、フォトレジスト11aに第1描画データ7に従った微細パターンの描画を行なう。そして、現像を行い、図6に示すように、レジストパターン11を形成する。該レジストパターン11をマスクとして遮光膜10aの第1領域をエッチングする。それにより、図7に示すように、第1描画データ7に従った微細パターンを形成することができる。つまり、遮光パターン10の一部が形成されることとなる。
【0037】
次に、図8に示すように、遮光パターン10を覆うようにフォトレジスト12aを塗布する。該フォトレジスト12aに、10〜20keVの低加速電圧の電子線描画装置を用いて第2描画データ8a,8bに従ったパターンの描画を行った後、現像を行なう。それにより、図9に示すように、レジストパターン12を形成する。
【0038】
次に、レジストパターン12をマスクとして遮光膜の第2領域をエッチングする。それにより、図9に示すように、第2描画データ8a,8bに従ったパターンを形成することができ、遮光パターン10のパターニングが終了する。その後、図10に示すようにレジストパターン12を除去し、所定の処理を行なう。以上の工程を経て、本実施の形態1におけるフォトマスクを作製することができる。
【0039】
(実施の形態2)
次に、図11〜図21を用いて、本発明の実施の形態2におけるフォトマスクの製造方法について説明する。
【0040】
本実施の形態2では、遮光膜を選択的に残すことで所望の回路パターンを形成した、いわゆる残しパターンを有するフォトマスクの製造方法について説明する。
【0041】
図11には、フォトマスク上に形成される回路パターンの図形データである、白地に黒抜きの描画データ(パターンデータ)を模式的に示し、図12〜図16には、図形処理後の各種描画データを示す。図11〜図16に示すデータおいて、斜線を施した領域が黒色領域であり、それ以外の領域が白色領域である。
【0042】
本実施の形態2では、図11に示すように、設計データである描画データ6には、相対的に小さい寸法の図形データである第1描画データ7と、相対的に大きい寸法の図形データである第2描画データ8a,8bとが含まれる。
【0043】
この図11に示す設計データに所定量だけアンダーサイズ処理を行なう。それにより、サイジング量の2倍以下の寸法を有する図形データは消去される。本例では、図12に示すように、第1描画データ7が消去される。このとき、第2描画データ8a,8bは、縮小された状態で残余する。
【0044】
次に、上記のアンダーサイズ処理の後に、該アンダーサイズ処理の時の縮小量と同じ量だけデータを拡大するオーバーサイズ処理を行なう。それにより、図13に示すように、第2描画データ8a,8bを元の大きさ(設計データの大きさ)に戻すことができ、第2描画データ8a,8bのみのファイル(第1中間データのファイル)を作成することができる。
【0045】
次に、図11に示す設計データと、図13に示す第2描画データ8a,8b(第1中間データ)との重複部分を除去する処理を行なう。それにより、図14に示すように、第1描画データ7のみを残すことができ、該第1描画データ7のみのファイル(第2中間データのファイル)を作成することができる。
【0046】
次に、図13に示す第2描画データ8a,8b(第1中間データ)にオーバーサイズ処理を施して作成した描画データと、図14に示す第1描画データ7(第2中間データ)にオーバーサイズ処理を施して作成した描画データとを組合せる(加える)ことにより、図15に示すように、最小寸法が相対的に大きい描画データで構成される第2描画データ8a,8b,13のファイルを作成することができる。
【0047】
また、図14に示す第1描画データ7(第2中間データ)にオーバーサイズ処理を施して作成した描画データにさらに白黒反転処理を施したものと、図14に示す第1描画データ7(第2中間データ)とを組合せる(加える)ことにより、図16に示すように、第1描画データ7を取り囲む幅の狭い第1描画データ14を作成することができる。つまり、パターンの輪郭部分を規定する描画データ(輪郭パターンデータ)を作成することができる。その結果、最小寸法が相対的に小さい描画データで構成される第1描画データ7,14のファイルを作成することができる。
【0048】
上記のように、図形演算によって最小寸法が相対的に大きい描画データと最小寸法が相対的に小さい描画データの2種類(3種類以上でもよい)のファイルを作成し、実施の形態1の場合と同様に、各パターンに適した加工精度のフォトマスク描画装置を用いて各種パターンの描画を順次行なう。それにより、実施の形態1の場合と同様の効果が得られる。
【0049】
次に、図17〜図21を用いて、本実施の形態2におけるフォトマスクの製造方法についてより具体的に説明する。
【0050】
まず、前述の手法で図形演算によって描画データを作成した後、図5に示すように、実施の形態1と同様の手法で透明基板9上に遮光膜10aを形成する。この遮光膜10a上にフォトレジストを塗布する。
【0051】
次に、50〜100keVの高加速電圧の電子線描画装置を用いて、フォトレジスト11aに第1描画データ7,14に従った微細パターンの描画を行なう。そして、現像を行い、図17に示すように、レジストパターン11を形成する。該レジストパターン11をマスクとして遮光膜10aの第1領域をエッチングする。それにより、図18に示すように、第1描画データ7,14に従った微細パターンを形成することができる。つまり、遮光パターン10の一部が形成されることとなる。
【0052】
次に、図19に示すように、遮光パターン10を覆うようにフォトレジスト12aを塗布する。該フォトレジスト12aに、10〜20keVの低加速電圧の電子線描画装置を用いて第2描画データ8a,8b,13に従ったパターンの描画を行った後、現像を行なう。それにより、図20に示すように、レジストパターン12を形成することができる。
【0053】
このレジストパターン12をマスクとして遮光膜の第2領域をエッチングすることにより、図21に示すように、第2描画データ8a,8b,13に従ったパターンを形成することができ、遮光パターン10のパターニングが終了する。その後、レジストパターン12を除去し、所定の処理を行なう。以上の工程を経て,本実施の形態2におけるフォトマスクを作製することができる。
【0054】
(実施の形態3)
次に、図22〜図26を用いて、本発明の実施の形態3におけるフォトマスクの製造方法について説明する。本実施の形態3では、抜きパターンを有するフォトマスクの製造方法について説明する。
【0055】
図22には、フォトマスク上に形成される回路パターンの図形データの一部である、黒地に白抜きの描画データ(パターンデータ)を模式的に示している。この図22において、斜線を施した領域が黒色領域であり、それ以外の領域が白色領域である。
【0056】
集積回路のオリジナルの図形データである設計データは、図1に示す描画データ6と同様であり、該設計データに対し図形演算を行なうことで図22に示すデータが得られる。
【0057】
まず、図1に示す設計データにアンダーサイズ処理を施して設計データから第1描画データ7を削除する。それにより、図2に示す第2描画データ8a,8bが残余し、最小寸法が相対的に大きい描画データで構成される第2描画データ8a,8bのファイルを作成することができる。
【0058】
次に、設計データと上記の第2描画データ8a,8bとの重複部分を除去する処理を行なう。それにより、第1描画データ7と輪郭パターンデータである第1描画データ15a,15bを作成することができる。つまり、最小寸法が相対的に小さい描画データのみで構成される第1描画データ7,15a,15bのファイルを作成することができる。
【0059】
上記のように、図形演算によって最小寸法が相対的に大きい描画データと最小寸法が相対的に小さい描画データの2種類(3種類以上でもよい)のファイルを作成し、実施の形態1の場合と同様に、各パターンに適した加工精度のフォトマスク描画装置を用いて各種パターンの描画を順次行なう。
【0060】
それにより、実施の形態1の場合と同様の効果が得られる。それに加え、最小寸法が相対的に大きいパターンの輪郭部分をも加工精度の高い描画装置で描画することができるので、該大型パターンの外形精度をも向上することができる。
【0061】
次に、図23〜図26を用いて、本実施の形態3におけるフォトマスクの製造方法についてより具体的に説明する。
【0062】
まず、前述の手法で図形演算によって描画データを作成した後、図5に示すように、実施の形態1と同様の手法で透明基板9上に遮光膜10aを形成する。この遮光膜10a上にフォトレジストを塗布する。
【0063】
次に、50〜100keVの高加速電圧の電子線描画装置を用いて、フォトレジスト11aに第1描画データ7,15a,15bに従った微細パターンの描画を行なう。そして、現像を行い、図23に示すように、レジストパターン11を形成する。該レジストパターン11をマスクとして遮光膜10aの第1領域をエッチングする。それにより、図24に示すように、第1描画データ7,15a,15bに従った微細パターンと輪郭パターンとを形成することができる。つまり、遮光パターン10の一部が形成されることとなる。
【0064】
次に、図25に示すように、遮光パターン10を覆うようにフォトレジスト12aを塗布する。該フォトレジスト12aに、10〜20keVの低加速電圧の電子線描画装置を用いて図2に示す第2描画データ8a,8bに従ったパターンの描画を行った後、現像を行なう。それにより、図26に示すように、レジストパターン12を形成することができる。
【0065】
このレジストパターン12をマスクとして遮光膜の第2領域をエッチングすることにより、第2描画データ8a,8bに従ったパターンを形成することができる。それにより、遮光パターン10のパターニングが終了する。その後、レジストパターン12を除去し、所定の処理を行なう。以上の工程を経て、本実施の形態3におけるフォトマスクを作製することができる。
【0066】
(実施の形態4)
次に、図27〜図33を用いて、本発明の実施の形態4におけるフォトマスクの製造方法について説明する。本実施の形態4では、残しパターンを有するフォトマスクの製造方法について説明する。
【0067】
図27〜図29には、フォトマスク上に形成される回路パターンの図形データの一部または図形演算後のデータである、白地に黒抜きの描画データ(パターンデータ)を模式的に示している。図27〜図29に示すデータおいて、斜線を施した領域が黒色領域であり、それ以外の領域が白色領域である。なお、設計データは図11の場合と同様である。
【0068】
図11に示す設計データにオーバーサイズ処理を施す。それにより、図11に示す第1描画データ7と、第2描画データ8a,8bとがそれぞれ拡大されてマージ(組合せ)される。その結果、図27に示すように、一体の大きな描画データを作成することができ、最小寸法が相対的に大きい描画データのみで構成される第2描画データ16のファイルを作成することができる。
【0069】
次に、図11に示す設計データと上記の第2描画データ16との重複部分を除去する処理を行なうことにより、図28に示す描画データ(中間データ)を作成することができる。具体的には、図28に示すように、第1描画データ7および第2描画データ8a,8bの周囲に幅の狭い輪郭パターン領域が残余した描画データを作成することができる。
【0070】
該中間データに白黒反転処理を施すことにより、図29に示すように、第1描画データ7の周囲に幅の狭い輪郭パターンデータである第1描画データ17a、第2描画データ8a,8bの周囲に幅の狭い輪郭パターンデータである第1描画データ17b,17cをそれぞれ作成することができる。その結果、最小寸法が相対的に小さい描画データのみで構成される第1描画データ17a,17b,17cのファイルを作成することができる。
【0071】
上記のように、図形演算によって最小寸法が相対的に大きい描画データと最小寸法が相対的に小さい描画データの2種類(3種類以上でもよい)のファイルを作成し、実施の形態1の場合と同様に、各パターンに適した加工精度のフォトマスク描画装置を用いて各種パターンの描画を順次行なう。
【0072】
それにより、実施の形態1の場合と同様の効果が得られる。また、本実施の形態4の場合も、最小寸法が相対的に大きいパターンの輪郭部分をも加工精度の高い描画装置で描画することができるので、該大型パターンの外形精度をも向上することができる。
【0073】
次に、図30〜図33を用いて、本実施の形態4におけるフォトマスクの製造方法についてより具体的に説明する。
【0074】
まず、前述の手法で図形演算によって描画データを作成した後、図5に示すように実施の形態1と同様の手法で透明基板9上に遮光膜10aを形成する。この遮光膜10a上にフォトレジストを塗布する。
【0075】
次に、50〜100keVの高加速電圧の電子線描画装置を用いて、フォトレジスト11aに第1描画データ17a,17b,17cに従った微細パターンの描画を行なう。そして、現像を行い、図30に示すように、レジストパターン11を形成する。該レジストパターン11をマスクとして遮光膜10aの第1領域をエッチングする。それにより、図31に示すように、第1描画データ17a,17b,17cに従った微細パターンを形成することができる。つまり、遮光パターン10の一部が形成されることとなる。
【0076】
次に、図32に示すように、遮光パターン10を覆うようにフォトレジスト12aを塗布する。該フォトレジスト12aに、10〜20keVの低加速電圧の電子線描画装置を用いて第2描画データ16に従ったパターンの描画を行った後、現像を行なう。それにより、図33に示すように、レジストパターン12を形成することができる。
【0077】
このレジストパターン12をマスクとして遮光膜の第2領域をエッチングすることにより、第2描画データ16に従ったパターンを形成することができ、遮光パターン10のパターニングが終了する。その後、レジストパターン12を除去し、所定の処理を行なう。以上の工程を経て、本実施の形態4におけるフォトマスクを作製することができる。
【0078】
(実施の形態5)
次に、本発明の実施の形態5について図34〜図38を用いて説明する。本実施の形態5では、フォトマスク描画システムについて説明する。
【0079】
図38に、本実施の形態におけるフォトマスク描画システム1のブロック図を示す。図38に示すように、本実施の形態におけるフォトマスク描画システム1は、第1描画データと第2描画データとを含む描画データに従ってフォトマスク上にパターンの描画を行なうものであり、第1フォトマスク描画装置2と、第2フォトマスク描画装置3と、搬送手段4と、演算・制御部5とを備える。なお、3種類以上の描画装置を使用することも当然に可能である。
【0080】
第1フォトマスク描画装置2は、第1描画データに従ってフォトマスク上の第1領域にパターンの描画を行なう。第1描画データが最小寸法の相対的に小さい描画データである場合には、第1フォトマスク描画装置2として加工精度の高い描画装置を使用する。
【0081】
たとえばレーザ描画装置を使用する場合には、図37に示すような位相シフタ26を備えたビーム成形機23を設けた超解像レーザ描画装置を使用することができる。このように位相シフタ26を設けることにより、ビームが通過する領域の周辺部のみ位相を反転させることができ、微細なパターンを描画することができる。
【0082】
ここで、図34を用いてレーザ描画装置20の概略構成例について説明する。図34に示すように、レーザ描画装置20は、レーザ発振機21と、拡大レンズ系22と、ビーム成形機23と、縮小レンズ系24とを備える。
【0083】
レーザ発振機21から出射されたレーザ光は、拡大レンズ系22で拡大された後、ビーム成形機23で形状を制御される。該ビーム成形機23は、同時に不要な迷光がフォトマスク(被露光基板)25に照射されるのを抑制する機能をも有する。ビーム成形機23で形状を制御されたレーザ光は、縮小レンズ系24で縮小された後、フォトマスク25に照射される。該レーザ光によりフォトマスク25上においてパターンの描画を行なうことができる。
【0084】
なお、図34に示すレーザ描画装置20は、図35に示すように位相シフタを有しないビーム成形機23を備えるものであり、加工精度は比較的低いものであるといえる。それに対し、上述の超解像レーザ描画装置は、図34に示すレーザ描画装置20と基本的に同様の構成を有するが、ビーム成形機23に位相シフタ26を設けているので加工精度は高いものとなる。
【0085】
第1フォトマスク描画装置2としては、電子ビーム(EB)描画装置を使用することもできる。
【0086】
電子ビーム描画装置の構造例を図36に示す。図36に示すように、電子ビーム描画装置30は、可変成形レンズ部と、集束偏向レンズ部とを備える。より詳しくは、電子ビーム描画装置30は、LaB6電子銃31と、第1成形アパーチャ32と、第1成形レンズ33と、第1成形偏向器34と、第2成形レンズ35と、第2成形アパーチャ36と、縮小レンズ37と、ブランキング電極38と、偏向器39と、集束レンズ40とを備える。
【0087】
LaB6電子銃31で形成される電子ビームは、可変成形レンズ部で成形された後、集束偏向レンズ部で集束および/または偏向され、フォトマスク42の描画フィールド41に照射される。
【0088】
電子ビーム描画装置では、加速電圧によって加工精度が決定される。たとえば加速電圧が低いと加工精度が低くなり、加速電圧が高いと加工精度が高くなる。したがって、第1フォトマスク描画装置2としては、たとえば50〜100keV程度の高い加速電圧の電子ビーム描画装置を使用すればよい。
【0089】
第2フォトマスク描画装置3は、上記の第1描画データとは異なる第2描画データに従ってフォトマスク上の第2領域にパターンの描画を行なう。第2描画データが最小寸法の相対的に大きい描画データである場合には、第2フォトマスク描画装置3として第1フォトマスク描画装置2よりも加工精度の低い描画装置を使用する。
【0090】
たとえば、レーザ描画装置を使用する場合には、図35に示すようなビーム成形機23を有するレーザ描画装置を使用することができる。このレーザ描画装置の加工精度は、上述の超解像レーザ描画装置よりも低いが、安価で高速に描画することができる。よって、大きなパターンのように高い加工精度があまり要求されないパターンの描画には、このような加工精度の低いレーザ描画装置を使用することで、要求される精度を維持しながら安価かつ高速でパターンを描画することができる。また、レーザ描画装置は、大気中での描画が可能であるので、真空チャンバが必要な電子ビーム描画装置よりも安価にパターンの描画を行なうことができる。
【0091】
第2フォトマスク描画装置3として電子ビーム描画装置を使用することもできるが、この場合には、加工精度が低い電子ビーム描画装置を使用すればよい。たとえば、20keV程度の加速電圧の電子ビーム描画装置を使用することが考えられる。それにより、50keV程度の加速電圧の電子ビーム描画装置を使用する場合と比較して、高速かつ安価にパターンの描画を行なうことができる。
【0092】
搬送手段4は、第1フォトマスク描画装置2と第2フォトマスク描画装置3間でフォトマスクを搬送する。より詳しくは、搬送手段は、第1と第2フォトマスク描画装置2,3のいずれか一方でパターンの描画が完了したフォトマスクを、他方に搬送する。
【0093】
演算・制御部5は、主に、描画データの作成と、第1と第2フォトマスク描画装置の動作制御とを行なう。該演算・制御部5は、たとえば設計データに図形演算を行って複数の描画データを作成する図形演算部と、設計データや、図形演算部によって作成された描画データなどの各種データや様々なソフトを格納する記憶部と、描画データの種類に応じてフォトマスク描画装置を選択する描画装置選択部と、描画データを転送するとともにフォトマスク描画装置の動作制御を行なう動作制御部とを備える。
【0094】
次に、上記のフォトマスク描画システムを用いたフォトマスクの描画方法について説明する。
【0095】
まず、演算・制御部5により、設計データに対し図形演算を行って複数の描画データを作成する。たとえば、前述のいずれかの図形演算を行い、最小寸法の相対的に小さい描画データである第1描画データと、最小寸法の相対的に大きい描画データである第2描画データとを作成する。
【0096】
次に、演算・制御部5により、第1描画データを第1フォトマスク描画装置2に転送し、第1フォトマスク描画装置2の動作制御を行ない、第1描画データに基づくパターンをフォトマスク上に描画する。その後、該描画パターンに従ってエッチングなどを行い、フォトマスク上に所望のパターンを形成する。
【0097】
該パターンの形成後、搬送手段4により第2フォトマスク描画装置3にフォトマスクを搬送する。そして、演算・制御部5により、第2描画データを第2フォトマスク描画装置3に転送し、第2フォトマスク描画装置3の動作制御を行なって第2描画データに基づくパターンをフォトマスク上に描画する。その後、該描画パターンに従ってエッチングなどを行い、所望のパターンを形成する。
【0098】
このように各種描画データに応じたフォトマスク描画装置によりフォトマスク上にパターンを描画することにより、フォトマスク上へのパターンの描画を短時間かつ安価に行なうことができる。その結果、フォトマスクの工期を短縮し、またフォトマスクのコストを削減することができる。
【0099】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、各実施の形態の特徴を適宜組合せることも当初から予定されている。
【0100】
また、今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【0101】
【発明の効果】
本発明によれば、描画データの要求特性に応じた適切な加工精度のフォトマスク描画装置によってフォトマスク上にパターンを描画することができるので、全てのパターンを高精度のフォトマスク描画装置を使用して形成する場合と比較して、各パターンに要求される精度を維持しながら、フォトマスクへのパターンの描画時間を短縮し、かつ安価にフォトマスクへのパターンの描画を行える。したがって、フォトマスクの工期を短縮し、またフォトマスクのコストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクに描画される描画データ(設計データ)例を示す図である。
【図2】図1に示す描画データに対しアンダーサイズ処理を行った後の状態を示す図である。
【図3】図2に示す描画データに対しオーバーサイズ処理を行った後の状態を示す図である。
【図4】図1と図3に示す描画データの重複部分を除去する処理を行った後の状態を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造工程の第1工程を示す断面図である。
【図6】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図7】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図8】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図9】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図10】本発明の実施の形態1におけるフォトマスクの製造工程の第6工程を示す断面図である。
【図11】本発明の実施の形態2におけるフォトマスクに描画される描画データ(設計データ)例を示す図である。
【図12】図11に示す描画データに対しアンダーサイズ処理を行った後の状態を示す図である。
【図13】図12に示す描画データに対しオーバーサイズ処理を行った後の状態を示す図である。
【図14】図11と図13に示す描画データの重複部分を除去する処理を行った後の状態を示す図である。
【図15】図13と図14に示す描画データに対しオーバーサイズ処理を行った後にそれぞれのデータを加えた状態を示す図である。
【図16】図14に示す描画データに対しオーバーサイズ処理を行った後に白黒反転処理を行ったデータに、図14に示す描画データを加えた状態を示す図である。
【図17】本発明の実施の形態2におけるフォトマスクの製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図18】本発明の実施の形態2におけるフォトマスクの製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図19】本発明の実施の形態2におけるフォトマスクの製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図20】本発明の実施の形態2におけるフォトマスクの製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図21】本発明の実施の形態2におけるフォトマスクの製造工程の第6工程を示す断面図である。
【図22】図1と図2に示す描画データの重複部分を除去する処理を行った後の状態を示す図である。
【図23】本発明の実施の形態3におけるフォトマスクの製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図24】本発明の実施の形態3におけるフォトマスクの製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図25】本発明の実施の形態3におけるフォトマスクの製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図26】本発明の実施の形態3におけるフォトマスクの製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図27】図11に示す描画データに対しオーバーサイズ処理を行った後の状態を示す図である。
【図28】図11と図27に示す描画データの重複部分を除去する処理を行った後の状態を示す図である。
【図29】図27に示す描画データに対し白黒反転処理を行った後の状態を示す図である。
【図30】本発明の実施の形態4におけるフォトマスクの製造工程の第2工程を示す断面図である。
【図31】本発明の実施の形態4におけるフォトマスクの製造工程の第3工程を示す断面図である。
【図32】本発明の実施の形態4におけるフォトマスクの製造工程の第4工程を示す断面図である。
【図33】本発明の実施の形態4におけるフォトマスクの製造工程の第5工程を示す断面図である。
【図34】レーザ描画装置の概略構成図である。
【図35】ビーム成形機の一例を示す平面図である。
【図36】電子ビーム描画装置の概略構成図である。
【図37】ビーム成形機の他の例を示す平面図である。
【図38】本発明の実施の形態5におけるフォトマスク描画システムのブロック図である。
【符号の説明】
1 フォトマスク描画システム、2 第1フォトマスク描画装置、3 第2フォトマスク描画装置、4 搬送手段、5 演算・制御部、6 描画データ、7,7a,14,15a,15b,17a,17b,17c 第1描画データ、8a,8b,13,16 第2描画データ、9 透明基板、10 遮光パターン、10a 遮光膜、11,12 レジストパターン、11a,12a フォトレジスト、20 レーザ描画装置、21 レーザ発振機、22 格大レンズ系、23 ビーム成形機、24 縮小レンズ系、25,42 フォトマスク、26 位相シフタ、30 電子ビーム描画装置、31 LaB6電子銃、32 第1成形アパーチャ、33 第1成形レンズ、34 第1成形偏向器、35 第2成形レンズ、36 第2成形アパーチャ、37 縮小レンズ、38 ブランキング電極、39 偏向器、40 集束レンズ、41 描画フィールド。
Claims (7)
- 設計データに対し図形演算を行なうことによって第1と第2描画データをそれぞれ作成する工程と、
第1フォトマスク描画装置を用いて、前記第1描画データに従ってフォトマスク上の第1領域に第1パターンを形成する工程と、
前記第1フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2フォトマスク描画装置を用いて、前記第2描画データに従って前記フォトマスク上の第2領域に第2パターンを形成する工程と、
を備えたフォトマスクの製造方法。 - 前記第1描画データは、前記第2描画データよりも最小寸法の小さいパターンデータであり、
前記第1フォトマスク描画装置の加工精度は、前記第2フォトマスク描画装置の加工精度よりも高い、請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記第2描画データの作成工程は、前記設計データにアンダーサイズ処理を施して前記設計データから前記第1描画データを削除した後に、オーバーサイズ処理を行って前記第2描画データを作成する工程を含み、
前記第1描画データの作成工程は、前記設計データと前記第2描画データとの重複部分を除去する処理を行なうことにより前記第1描画データを作成する工程を含む、請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記第2描画データの作成工程は、前記設計データにアンダーサイズ処理を施して前記設計データから前記第1描画データを削除した後に、オーバーサイズ処理を行って第1中間データを作成する工程と、
前記設計データと前記第1中間データとの重複部分を除去する処理を行なうことにより第2中間データを作成する工程と、
前記第1中間データと前記第2中間データにオーバーサイズ処理を施した後に前記第1中間データと前記第2中間データとを組合せることにより第2描画データを作成する工程とを含み、
前記第1描画データの作成工程は、前記第2中間データにオーバーサイズ処理を施した後に白黒反転処理を施して作成したデータと、前記第2中間データとを組合せることにより前記第1描画データを作成する工程を含む、請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記第2描画データの作成工程は、前記設計データにアンダーサイズ処理を施して前記設計データから前記第1描画データを削除することにより前記第2描画データを作成する工程を含み、
前記第1描画データの作成工程は、前記設計データと前記第2描画データとの重複部分を除去する処理を行なうことにより前記第1描画データを作成する工程を含む、請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。 - 前記第2描画データの作成工程は、前記設計データにオーバーサイズ処理を施すことにより前記第2描画データを作成する工程を含み、
前記第1描画データの作成工程は、前記設計データと前記第2描画データとの重複部分を除去する処理を行なうことにより中間データを作成する工程と、
前記中間データに白黒反転処理を施すことにより前記第1描画データを作成する工程を含む、請求項2に記載のフォトマスクの製造方法。 - 第1描画データと第2描画データとを含む描画データに従ってフォトマスク上にパターンの描画を行なうフォトマスク描画システムであって、
前記第1描画データに従って前記フォトマスク上の第1領域にパターンの描画を行なう第1フォトマスク描画装置と、
前記第2描画データに従って前記フォトマスク上の第2領域にパターンの描画を行なう第2フォトマスク描画装置と、
前記第1フォトマスク描画装置と前記第2フォトマスク描画装置間で前記フォトマスクを搬送する搬送手段と、
前記描画データの作成と、前記第1と第2フォトマスク描画装置の動作制御とを行なう演算・制御部と、
を備えた、フォトマスク描画システム。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008233355A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Renesas Technology Corp | フォトマスクの製造方法 |
JP2010019989A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | データ作成方法、データ作成装置、及びパターン描画方法 |
JP2013120290A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Canon Inc | パターン決定方法およびパターン決定装置ならびにプログラム |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619053A (en) * | 1979-07-26 | 1981-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of photomask |
JPS57161857A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
JPS59117116A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 描画装置 |
JPS59150422A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-28 | Fujitsu Ltd | 露光処理方法 |
JPH01111325A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法 |
JPH05234862A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JPH10209000A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Sony Corp | 電子ビーム描画装置及びパターン描画方法 |
JPH10301255A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 電子線マスク描画方法 |
JPH11204407A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | パターンデータ作成方法 |
JPH11329939A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001035766A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン描画方法 |
JP2001109128A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | リソグラフィ用パターンデータ生成方法、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2001318455A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002203777A (ja) * | 2001-01-04 | 2002-07-19 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画システム |
JP2004212482A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
-
2003
- 2003-06-02 JP JP2003156999A patent/JP2004361507A/ja active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619053A (en) * | 1979-07-26 | 1981-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of photomask |
JPS57161857A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask blank plate |
JPS59117116A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 描画装置 |
JPS59150422A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-28 | Fujitsu Ltd | 露光処理方法 |
JPH01111325A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法 |
JPH05234862A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-09-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JPH10209000A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Sony Corp | 電子ビーム描画装置及びパターン描画方法 |
JPH10301255A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | 電子線マスク描画方法 |
JPH11204407A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Toshiba Corp | パターンデータ作成方法 |
JPH11329939A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001035766A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン描画方法 |
JP2001109128A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | リソグラフィ用パターンデータ生成方法、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2001318455A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002203777A (ja) * | 2001-01-04 | 2002-07-19 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画システム |
JP2004212482A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Fujitsu Ltd | フォトマスクの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008233355A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Renesas Technology Corp | フォトマスクの製造方法 |
JP2010019989A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Fujitsu Microelectronics Ltd | データ作成方法、データ作成装置、及びパターン描画方法 |
JP2013120290A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Canon Inc | パターン決定方法およびパターン決定装置ならびにプログラム |
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A521 | Written amendment |
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