JP2004212482A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004212482A JP2004212482A JP2002379643A JP2002379643A JP2004212482A JP 2004212482 A JP2004212482 A JP 2004212482A JP 2002379643 A JP2002379643 A JP 2002379643A JP 2002379643 A JP2002379643 A JP 2002379643A JP 2004212482 A JP2004212482 A JP 2004212482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- drawing data
- photomask
- mask
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造しうるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンを描画するための描画データＤ０を、所定の描画条件ごとに、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に分割し、複数の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に基づくパターンのそれぞれを、描画条件Ｃ１，Ｃ２、Ｃ３で互いに独立に描画する。
【選択図】図１
【解決手段】マスクパターンを描画するための描画データＤ０を、所定の描画条件ごとに、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に分割し、複数の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に基づくパターンのそれぞれを、描画条件Ｃ１，Ｃ２、Ｃ３で互いに独立に描画する。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や液晶装置等の製造工程における露光工程に用いられるフォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や、液晶装置等の画像表示用デバイス等を製造する際に用いられるフォトマスクに対しては、その面内の寸法均一性やパターンのリニアリティーについて極めて高い精度が要求されている。かかる要求に応えるべく、フォトマスクのマスクパターンを描画するマスク描画装置として、ｉ線等を用いたレーザ描画装置、電子線（ＥＢ）描画装置、さらには高加速電圧を用いたＥＢ描画装置等が用いられている。
【０００３】
最新式のＥＢマスク描画装置には、描画すべきパターンの疎密差を考慮して光近接効果補正やリニアリティー補正等を行うものがある。さらには、マスク基板からの反射の影響を考慮し、その補正を行うプログラムを用いているものもある。
【０００４】
また、マスク用エッチング装置においては、高い精度でのマスクのパターン形成を実現するため、その方式が、ウェットエッチング方式から反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等によるドライエッチング方式に移行している。さらに、最近では、制御性の高い高密度プラズマを用いた誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）方式と呼ばれるエッチング装置により、マスクパターンの加工が行われている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−４４０９２号公報
【特許文献２】
特開２００１−３１９８７４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、フォトマスクのマスクパターンに要求される寸法やピッチの微小化が急速に進行している。このため、上記従来のマスク描画装置等では、最新式のものであっても、マスクユーザー側で必要とされるスペックに到達することが困難な場合もある。例えば、ラインパターン、トレンチパターン、ホールパターン等が１枚のマスクに混在するような場合である。
【０００７】
また、大きいパターンと非常に微細なパターンとを含むフォトマスクを高い精度で製造することは極めて困難であることが知られている。マスク描画装置で行われている光近接効果補正は、マスクの描画領域をある微小な領域に分割し、その一つの領域に含まれる描画密度を計算した上で、どの程度の補正を行うかを計算して描画条件が決定されている。この補正値は、マスクの製造に携わるオペレータが、一つのパラメータを入力し、その値をもとに各領域について決定される。このような補正の手法の場合、異なるサイズのパターンであっても描画密度が同じであると、全く同じ条件で描画されることとなる。例えば、１０μｍ□の領域に、０．１μｍ幅の１対１のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が存在する場合と、１μｍ幅の１対１のＬ／Ｓが存在する場合とは、全く同じ条件で描画されることとなる。この結果、実際に描画された後のパターンを測定すると、それぞれの寸法が目標値から乖離するという現象が起きてしまう。
【０００８】
また、エッチングによりマスクパターンを形成する際、通常、ローディング効果の影響により、対象となるパターンによって適したエッチング条件が変化する。このため、たとえマスク描画の時点で所望のレジスト寸法を描画することができた場合であっても、エッチングを行うことにより、あるパターンについては所望の寸法を得ることができても、他のパターンについては所望の寸法から乖離してしまうという現象が起きることがある。
【０００９】
本発明の目的は、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造しうるフォトマスクの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、前記マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１１】
また、上記目的は、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、前記マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、前記複数の小領域描画データのそれぞれを、前記小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
［本発明の原理］
本発明によるフォトマスクの製造方法は、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法の大小、疎密等に応じて、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、分割された複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、互いに独立にマスクブランクに描画することに主たる特徴の一つがある。
【００１３】
以下、本発明の原理について図１を用いて説明する。図１は本発明の原理を説明する図である。
【００１４】
まず、本発明によるフォトマスクの製造方法では、マスクパターンの描画に先立って、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法の大小、疎密等に基づいて、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割する。例えば、図１に示すように、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を、３種類の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に分割する。
【００１５】
次いで、分割された複数の領域描画データに基づくパターンを、それぞれ適宜所定の描画条件で互いに独立に描画する。例えば、図１に示すように、複数の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に基づくパターンを、描画条件Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３で描画する。
【００１６】
以上のようにして、分割された複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを適宜所定の描画条件で互いに独立に描画することにより、描画データの全部がマスクブランクに描画されることになる。続いて、マスクパターンが描画されたマスクブランクに対して、露光後焼きしめ（ＰＥＢ）処理工程、現像工程、及びエッチング工程等を行うことにより、所望のマスクパターンを有するフォトマスクが得られる。
【００１７】
上述のように、本発明によるフォトマスクの製造方法では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを複数の領域描画データに分割するので、分割された複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、適宜所定の描画条件を設定して描画することが可能となる。このため、種類、寸法の大小、疎密等が異なるパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合等に、各パターンを形成するために最適な描画条件で描画することが可能となる。したがって、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することが可能となる。
【００１８】
例えばラインパターン、トレンチパターン、ホールパターン等の複数種類のパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合には、１枚のフォトマスクに描画するための描画データを、パターンの種類に応じて複数の領域描画データに分割する。これにより、複数種類のパターンのそれぞれを、最適な描画条件を設定して描画することができる。
【００１９】
また、寸法の大きいパターンと非常に微細なパターンとが１枚のフォトマスクに混在する場合には、１枚のフォトマスクに描画するための描画データを、パターンの寸法の大小に応じて複数の領域描画データに分割する。これにより、寸法が異なる複数のパターンのそれぞれを、最適な描画条件を設定して描画することができる。
【００２０】
１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データは、例えば以下に述べる第１乃至第３の分割方法のような方法を用いて、複数の領域描画データに分割することができる。
【００２１】
まず、第１の分割方法では、１枚のフォトマスクのマスクパターンにおける各パターンの種類や、ターゲットとなる寸法、ピッチ等が異なる場合に、パターンの種類や疎密等の差違を考慮して描画データを複数の領域描画データに分割する。図２は、例えば、１枚のフォトマスクのマスクパターンが、ＳＲＡＭエリア、ＤＲＡＭエリア、フラッシュメモリエリア、ロジック回路エリア等に分けられている場合の描画データの分割を示す概略図である。この場合は、図２（ａ）に示す１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を、ＳＲＡＭエリア等のエリアごとに、図２（ｂ）に示すように、複数の領域描画データｄ１〜ｄ７に分割する。
【００２２】
また、第２の分割方法では、マスク描画装置によるマスクパターンの描画における光近接効果補正の最小補正単位であるグリッドの大きさ違いに基づき、描画データを複数の領域描画データに分割する。図３は、例えば、光近接効果補正のグリッドとして０．５ｎｍグリッド、１ｎｍグリッド、２．５ｎｍグリッドの３種類の最小グリッド値を用いる場合の描画データの分割を示す概略図である。この場合、図３（ａ）に示す１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を、図３（ｂ）に示すように、０．５ｎｍグリッドを用いる領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３と、１ｎｍグリッドを用いる領域描画データｄ４、ｄ５と、２．５ｎｍグリッドを用いる領域描画データｄ６、ｄ７とに分割する。
【００２３】
また、第３の分割方法では、まず、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを任意の小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割する。続いて、分割された複数の小領域描画データを、小領域データに設計されているパターンの種類、寸法の大小、疎密等を考慮して、描画条件ごとに、領域描画データ群に振り分ける。例えば、図４に示すように、まず、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を格子状に複数の小領域データに分割する。続いて、例えば密集ラインパターン、孤立ラインパターン、コンタクトホールパターン等のパターンの種類、寸法、疎密に応じて、複数の小領域描画データのそれぞれを所定の描画条件で描画される３種類の領域描画データ群ｄ１、ｄ２、ｄ３に振り分ける。
【００２４】
なお、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを描画するごとに、ＰＥＢ処理工程、現像工程、エッチング工程等、パターンをマスクブランクに形成するための工程を行ってもよい。こうして、複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれをマスクブランクに形成するための工程を、互いに独立に行うことにより、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、最適な条件でマスクブランクに形成することができる。これにより、例えばエッチングにおけるローディング効果の影響を低減することができる。したがって、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを更に高い精度で形成することができ、更に寸法均一性やリニアリティーに優れ高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【００２５】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるフォトマスクの製造方法について図５を用いて説明する。図５は本実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図である。
【００２６】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割しておく。なお、説明の便宜上、本実施形態では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０をパターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割してフォトマスクを製造する場合について説明する。領域描画データｄ１が密なパターンの領域描画データ、領域描画データｄ２が疎のパターンの領域描画データとなっている。
【００２７】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上にポジレジストを塗布し、ポジレジストからなるレジスト膜１４をマスクブランク１６上に形成する（図５（ａ）を参照）。
【００２８】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ１に基づくパターンを描画条件Ｃ１で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光される（図５（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。なお、マスク描画装置はＥＢ描画装置に限定されるものではなく、レーザ式の描画装置、高密度プラズマを用いた描画装置等の種々のマスク描画装置を用いることができる。
【００２９】
次いで、領域描画データｄ１に基づくパターンの描画に用いたマスク描画装置と同一のマスク描画装置を用いて、分割した２つのデータのうちの領域描画データｄ２に基づくパターンを描画条件Ｃ２で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光される（図５（ｃ）を参照）。描画条件Ｃ２は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００３０】
こうして、領域描画データｄ１と領域描画データｄ２とを互いに独立に描画することにより、描画データＤ０の全部が描画されたことになる。領域描画データｄ１と領域描画データｄ２とを互いに独立に描画することにより、それぞれに最適化された描画条件で描画することが可能となる。これにより、描画データＤ０に基づくマスクパターンを高い寸法精度、高いリニアリティーで露光することができる。
【００３１】
次いで、レジスト膜１４のＰＥＢ処理を行った後、現像液を用いて、レジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、描画データＤ０に基づくマスクパターンにパターニングされる（図５（ｄ）を参照）。
【００３２】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、描画データＤ０に基づくマスクパターンが形成される（図５（ｅ）を参照）。
【００３３】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図５（ｆ）を参照）。
【００３４】
こうして、描画データＤ０に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、描画条件ごとに、複数の領域描画データに分割するので、各パターンを形成するために最適な描画条件で描画することができる。これにより、種類、寸法、疎密等が異なるパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合等であっても、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することが可能となる。
【００３６】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態によるフォトマスクの製造方法について図６を用いて説明する。なお、第１実施形態によるフォトマスクの製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡略にする。
【００３７】
本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、第１実施形態による場合とほぼ同様である。本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、描画データを分割した複数の領域描画データに基づくパターンの描画に、異なるマスク描画装置を用いる点で、第１実施形態による場合と異なっている。
【００３８】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、マスクパターンを描画するための描画データＤ０を、例えばパターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割する。
【００３９】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストからなるレジスト膜１４を形成する（図６（ａ）を参照）。
【００４０】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、領域描画データｄ１を描画条件Ｃ１で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光される（図６（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００４１】
次いで、領域描画データｄ１の描画に用いたマスク描画装置とは別のマスク描画装置を用いて、領域描画データｄ２を描画条件Ｃ２で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光される（図６（ｃ）を参照）。描画条件Ｃ２は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００４２】
こうして、異なるマスク描画装置を用いて、領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンを互いに独立に描画することにより、描画データＤ０に基づくマスクパターンの全部が描画されたことになる。領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンを互いに独立に描画することにより、それぞれのパターンの描画に適した描画装置を用いて最適化された描画条件で描画することができるので、描画データＤ０に基づくマスクパターンを高い寸法均一性、高いリニアリティーで露光することができる。
次いで、ＰＥＢ処理を行った後、現像液を用いて、描画データＤ０に基づくマスクパターンが露光されたレジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、描画データＤ０に基づくマスクパターンにパターニングされる（図６（ｄ）を参照）。
【００４３】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、描画データＤ０に基づくマスクパターンが形成される（図６（ｅ）を参照）。
【００４４】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図６（ｆ）を参照）。
【００４５】
こうして、描画データＤ０に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００４６】
このように、本実施形態によれば、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、描画条件ごとに、複数の領域描画データに分割するので、描画するパターンに要求される精度に応じて、高性能の高価なマスク描画装置と、通常の性能のマスク描画装置とを適宜使い分けることができる。また、パターンの種類等に応じて、各パターンの描画に好適なマスク描画装置を適宜選択することができる。これにより、種類、寸法、疎密等が異なるパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合等であっても、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを安価に製造することが可能となる。
【００４７】
なお、本実施形態では、２つの領域描画データに対して２つの異なるマスク描画装置を用いる場合を例に説明したが、領域描画データが２以上の場合には、２以上の異なるマスク描画装置を用いることができる。
【００４８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態によるフォトマスクの製造方法について図７及び図８を用いて説明する。なお、第１実施形態によるフォトマスクの製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡略にする。
【００４９】
本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを分割し、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを描画するごとに、描画したパターンをマスクブランクに形成するためのプロセスを行うことに主たる特徴がある。
【００５０】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、マスクパターンを描画するための描画データＤ０を、例えばパターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割する。
【００５１】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストからなるレジスト膜１４を形成する（図７（ａ）を参照）。
【００５２】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ１を描画条件Ｃ１で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光される（図７（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００５３】
次いで、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００５４】
レジスト膜１４のＰＥＢ処理後、現像液を用いて、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、領域描画データｄ１に基づくパターンにパターニングされる（図７（ｃ）を参照）。現像液の種類、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００５５】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ１に基づくパターンが形成される（図７（ｄ）を参照）。エッチングガスの種類、エッチング時間等エッチング条件は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００５６】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図７（ｅ）を参照）。
【００５７】
次いで、領域描画データｄ１に基づくパターンが遮光膜１２に形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストを塗布し、ポジレジストよりなるレジスト膜１８を形成する（図８（ａ）を参照）。
【００５８】
次いで、マスク描画装置を用いて、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ２を描画条件Ｃ２で描画する。これにより、マスクブランク１６のレジスト膜１８に、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光される（図８（ｂ）を参照）。このとき、マスク描画装置は、領域描画データｄ１に基づくパターンの描画に用いたマスク描画装置と同一のものでも異なるものでもよい。描画条件Ｃ２は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００５９】
次いで、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光されたレジスト膜１８のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００６０】
レジスト膜１８のＰＥＢ処理後、現像液を用いて、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光されたレジスト膜１８を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１８の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１８は、領域描画データｄ２に基づくパターンにパターニングされる。（図８（ｃ）を参照）。現像液の種類、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００６１】
次いで、パターニングされたレジスト膜１８をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ２に基づくパターンが形成される（図８（ｄ）を参照）。エッチングガスの種類、エッチング時間等のエッチング条件は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００６２】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１８を除去する（図８（ｅ）を参照）。
【００６３】
上述のように、本実施形態によるフォトマスクの製造方法では、まず、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割する。次いで、まず、領域描画データｄ１に基づくパターンの描画及びこのパターンをマスクブランク１６に形成するためのプロセスを行う。その後に、領域描画データｄ２に基づくパターンの描画及びこのパターンをマスクブランク１２に形成するためのプロセスを行う。これにより、領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンをマスクブランク１６に形成するためのＰＥＢ処理工程、現像工程、及びエッチング工程をそれぞれ最適化された条件で行うことが可能となる。したがって、領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンのそれぞれを、寸法均一性やリニアリティーについて更に高い精度で形成することができる。
【００６４】
こうして、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンが互いに独立に遮光膜１２に形成され、描画データＤ０に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００６５】
このように、本実施形態によれば、描画した領域描画データに基づくパターンに応じて、ＰＥＢ処理工程、現像工程、エッチング工程等のパターンをマスクブランクに形成するためのプロセスについても、最適な条件で行うことが可能となる。これにより、例えばエッチングにおけるローディング効果の影響を低減することができる。したがって、寸法均一性やリニアリティーに更に優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【００６６】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態によるフォトマスクの製造方法について図９及び図１０を用いて説明する。なお、第３実施形態によるフォトマスクの製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００６７】
本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、第３実施形態による場合とほぼ同様である。本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、描画データを分割した複数の領域描画データに基づくパターンが、ポジレジストよりなるレジスト膜とネガレジストよりなるレジスト膜とに露光される点で、第３実施形態による場合と異なっている。
【００６８】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、複数の領域描画データに分割しておく。なお、説明の便宜上、本実施形態では、マスクパターンを描画するための描画データＤ０′を、パターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１′、ｄ２′に分割する場合について説明する。領域描画データｄ１′が密なパターンの領域描画データ、領域描画データｄ２′が疎のパターンの領域描画データとなっている。
【００６９】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストからなるレジスト膜１４を形成する（図９（ａ）を参照）。
【００７０】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、描画データＤ０′を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ１′を描画条件Ｃ１′で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１′に基づくパターンが露光される（図９（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１′は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００７１】
次いで、領域描画データｄ１′に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００７２】
レジスト膜１４のＰＥＢ処理後、現像液を用いて、領域描画データｄ１′に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、領域描画データｄ１′に基づくパターンにパターニングされる（図９（ｃ）を参照）。現像液の種類、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００７３】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ１′に基づくパターンが形成される（図９（ｄ）を参照）。エッチング条件は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００７４】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図９（ｅ）を参照）。
【００７５】
次いで、領域描画データｄ１′に基づくパターンが遮光膜１２に形成されたマスクブランク１６上に、ネガレジストを塗布し、ネガレジストからなるレジスト膜２０を形成する（図１０（ａ）を参照）。
【００７６】
次いで、マスク描画装置を用いて、描画データＤ０′を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ２′を描画条件Ｃ２′で描画する。これにより、マスクブランク１６のレジスト膜２０に、領域描画データｄ２′に基づくパターンが露光される（図１０（ｂ）を参照）。このとき、マスク描画装置は、領域描画データｄ１′の描画に用いたマスク描画装置と同一のものでも異なるものでもよい。描画条件Ｃ２′は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００７７】
次いで、領域描画データｄ２′に基づくパターンが露光されたレジスト膜２０のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００７８】
次いで、レジスト膜２０のＰＥＢ処理を行った後、現像液を用いて、領域描画データｄ２′に基づくパターンが露光されたレジスト膜２０を現像する。これにより、ネガレジストよりなるレジスト膜２０の露光されていない部分が現像液により除去され、レジスト膜２０は、領域描画データｄ２′に基づくパターンにパターニングされる。（図１０（ｃ）を参照）。現像液の種類や、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００７９】
次いで、パターニングされたレジスト膜２０をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ２′に基づくパターンが形成される（図１０（ｄ）を参照）。エッチングガスの種類、エッチング時間等のエッチング条件は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００８０】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜２０を除去する（図１０（ｅ）を参照）。
【００８１】
こうして、描画データＤ０′を分割した２つの領域描画データｄ１′、ｄ２′に基づくパターンが互いに独立に遮光膜１２に形成され、描画データＤ０′に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００８２】
このように、分割した複数の描画領域データに基づくパターンが露光されるレジスト膜は、露光されるパターンに応じて、ポジレジストとネガレジストとを適宜用いればよい。
【００８３】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００８４】
例えば、上記実施形態では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを２分割する場合を例に説明したが、分割数はこれに限定されるものではなく、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて分割数を適宜設定することができる。
【００８５】
また、上記実施形態では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの疎密に応じて分割する場合を例に説明したが、パターンの種類、寸法の大小等に応じて、描画データを分割してもよい。また、描画装置による描画の際に行う光近接効果補正の最小グリッド値の違いに応じて、描画データを分割してもよい。
【００８６】
また、上記実施形態では、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２を形成されたマスクブランク１６を用いる場合を例に説明したが、マスクブランク１６の材質はこれに限定されるものではなく、種々の材質のマスクブランクを用いることができる。
【００８７】
また、上記実施形態では、遮光膜１２のエッチングが行われているが、このエッチングには、形成するパターンに応じて、ウェットエッチング又はドライエッチングを適宜選択して適用することができる。
【００８８】
（付記１） マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、前記マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００８９】
（付記２） 付記１記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、前記マスクパターンにおけるパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて定めることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９０】
（付記３） 付記１記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、前記描画装置による描画の際に行う光近接効果補正の最小グリッド値に応じて定めることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９１】
（付記４） 付記１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、互いに異なっていることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９２】
（付記５） 付記１乃至４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、２以上の異なる前記描画装置を用いて描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９３】
（付記６） 付記１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域描画データに基づくパターンを描画するごとに、異なる条件のプロセスにより、前記マスクブランク上のレジスト膜に対する処理を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９４】
（付記７） 付記６記載のフォトマスクの製造方法において、前記プロセスは、前記レジスト膜のＰＥＢ処理工程、前記レジスト膜の現像工程、又は前記レジスト膜をマスクとするエッチング工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９５】
（付記８） マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、前記マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、前記複数の小領域描画データのそれぞれを、前記小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９６】
（付記９） 付記８記載のフォトマスクの製造方法において、前記小領域データは、前記マスクパターンを格子状に分割した小領域のパターンを描画するためのものであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９７】
（付記１０） 付記８又は９記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、互いに異なっていることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９８】
（付記１１） 付記８乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、２以上の前記描画装置を用いて描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９９】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、描画装置を用いて互いに独立に描画するので、各領域描画データに基づくパターンを形成するために最適な描画条件で描画することができる。これにより、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【０１００】
また、本発明によれば、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、マスクパターンを描画するための描画データを、マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、複数の小領域描画データのそれぞれを、小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、描画装置を用いて互いに独立に描画するので、各領域描画データ群に基づくパターンを形成するために最適な描画条件で描画することができる。これにより、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を説明する図である。
【図２】本発明によるフォトマスクの製造方法におけるマスクパターンの描画データの分割方法の一例を説明する図（その１）である。
【図３】本発明によるフォトマスクの製造方法におけるマスクパターンの描画データの分割方法の一例を説明する図（その２）である。
【図４】本発明によるフォトマスクの製造方法におけるマスクパターンの描画データの分割方法の一例を説明する図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図８】本発明の第３実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図９】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１０】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
１０…石英基板
１２…遮光膜
１４…レジスト膜
１６…マスクブランク
１８…レジスト膜
２０…レジスト膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や液晶装置等の製造工程における露光工程に用いられるフォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や、液晶装置等の画像表示用デバイス等を製造する際に用いられるフォトマスクに対しては、その面内の寸法均一性やパターンのリニアリティーについて極めて高い精度が要求されている。かかる要求に応えるべく、フォトマスクのマスクパターンを描画するマスク描画装置として、ｉ線等を用いたレーザ描画装置、電子線（ＥＢ）描画装置、さらには高加速電圧を用いたＥＢ描画装置等が用いられている。
【０００３】
最新式のＥＢマスク描画装置には、描画すべきパターンの疎密差を考慮して光近接効果補正やリニアリティー補正等を行うものがある。さらには、マスク基板からの反射の影響を考慮し、その補正を行うプログラムを用いているものもある。
【０００４】
また、マスク用エッチング装置においては、高い精度でのマスクのパターン形成を実現するため、その方式が、ウェットエッチング方式から反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等によるドライエッチング方式に移行している。さらに、最近では、制御性の高い高密度プラズマを用いた誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）方式と呼ばれるエッチング装置により、マスクパターンの加工が行われている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−４４０９２号公報
【特許文献２】
特開２００１−３１９８７４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、フォトマスクのマスクパターンに要求される寸法やピッチの微小化が急速に進行している。このため、上記従来のマスク描画装置等では、最新式のものであっても、マスクユーザー側で必要とされるスペックに到達することが困難な場合もある。例えば、ラインパターン、トレンチパターン、ホールパターン等が１枚のマスクに混在するような場合である。
【０００７】
また、大きいパターンと非常に微細なパターンとを含むフォトマスクを高い精度で製造することは極めて困難であることが知られている。マスク描画装置で行われている光近接効果補正は、マスクの描画領域をある微小な領域に分割し、その一つの領域に含まれる描画密度を計算した上で、どの程度の補正を行うかを計算して描画条件が決定されている。この補正値は、マスクの製造に携わるオペレータが、一つのパラメータを入力し、その値をもとに各領域について決定される。このような補正の手法の場合、異なるサイズのパターンであっても描画密度が同じであると、全く同じ条件で描画されることとなる。例えば、１０μｍ□の領域に、０．１μｍ幅の１対１のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）が存在する場合と、１μｍ幅の１対１のＬ／Ｓが存在する場合とは、全く同じ条件で描画されることとなる。この結果、実際に描画された後のパターンを測定すると、それぞれの寸法が目標値から乖離するという現象が起きてしまう。
【０００８】
また、エッチングによりマスクパターンを形成する際、通常、ローディング効果の影響により、対象となるパターンによって適したエッチング条件が変化する。このため、たとえマスク描画の時点で所望のレジスト寸法を描画することができた場合であっても、エッチングを行うことにより、あるパターンについては所望の寸法を得ることができても、他のパターンについては所望の寸法から乖離してしまうという現象が起きることがある。
【０００９】
本発明の目的は、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造しうるフォトマスクの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、前記マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１１】
また、上記目的は、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、前記マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、前記複数の小領域描画データのそれぞれを、前記小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
［本発明の原理］
本発明によるフォトマスクの製造方法は、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法の大小、疎密等に応じて、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、分割された複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、互いに独立にマスクブランクに描画することに主たる特徴の一つがある。
【００１３】
以下、本発明の原理について図１を用いて説明する。図１は本発明の原理を説明する図である。
【００１４】
まず、本発明によるフォトマスクの製造方法では、マスクパターンの描画に先立って、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法の大小、疎密等に基づいて、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割する。例えば、図１に示すように、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を、３種類の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に分割する。
【００１５】
次いで、分割された複数の領域描画データに基づくパターンを、それぞれ適宜所定の描画条件で互いに独立に描画する。例えば、図１に示すように、複数の領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３に基づくパターンを、描画条件Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３で描画する。
【００１６】
以上のようにして、分割された複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを適宜所定の描画条件で互いに独立に描画することにより、描画データの全部がマスクブランクに描画されることになる。続いて、マスクパターンが描画されたマスクブランクに対して、露光後焼きしめ（ＰＥＢ）処理工程、現像工程、及びエッチング工程等を行うことにより、所望のマスクパターンを有するフォトマスクが得られる。
【００１７】
上述のように、本発明によるフォトマスクの製造方法では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを複数の領域描画データに分割するので、分割された複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、適宜所定の描画条件を設定して描画することが可能となる。このため、種類、寸法の大小、疎密等が異なるパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合等に、各パターンを形成するために最適な描画条件で描画することが可能となる。したがって、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することが可能となる。
【００１８】
例えばラインパターン、トレンチパターン、ホールパターン等の複数種類のパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合には、１枚のフォトマスクに描画するための描画データを、パターンの種類に応じて複数の領域描画データに分割する。これにより、複数種類のパターンのそれぞれを、最適な描画条件を設定して描画することができる。
【００１９】
また、寸法の大きいパターンと非常に微細なパターンとが１枚のフォトマスクに混在する場合には、１枚のフォトマスクに描画するための描画データを、パターンの寸法の大小に応じて複数の領域描画データに分割する。これにより、寸法が異なる複数のパターンのそれぞれを、最適な描画条件を設定して描画することができる。
【００２０】
１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データは、例えば以下に述べる第１乃至第３の分割方法のような方法を用いて、複数の領域描画データに分割することができる。
【００２１】
まず、第１の分割方法では、１枚のフォトマスクのマスクパターンにおける各パターンの種類や、ターゲットとなる寸法、ピッチ等が異なる場合に、パターンの種類や疎密等の差違を考慮して描画データを複数の領域描画データに分割する。図２は、例えば、１枚のフォトマスクのマスクパターンが、ＳＲＡＭエリア、ＤＲＡＭエリア、フラッシュメモリエリア、ロジック回路エリア等に分けられている場合の描画データの分割を示す概略図である。この場合は、図２（ａ）に示す１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を、ＳＲＡＭエリア等のエリアごとに、図２（ｂ）に示すように、複数の領域描画データｄ１〜ｄ７に分割する。
【００２２】
また、第２の分割方法では、マスク描画装置によるマスクパターンの描画における光近接効果補正の最小補正単位であるグリッドの大きさ違いに基づき、描画データを複数の領域描画データに分割する。図３は、例えば、光近接効果補正のグリッドとして０．５ｎｍグリッド、１ｎｍグリッド、２．５ｎｍグリッドの３種類の最小グリッド値を用いる場合の描画データの分割を示す概略図である。この場合、図３（ａ）に示す１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を、図３（ｂ）に示すように、０．５ｎｍグリッドを用いる領域描画データｄ１、ｄ２、ｄ３と、１ｎｍグリッドを用いる領域描画データｄ４、ｄ５と、２．５ｎｍグリッドを用いる領域描画データｄ６、ｄ７とに分割する。
【００２３】
また、第３の分割方法では、まず、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを任意の小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割する。続いて、分割された複数の小領域描画データを、小領域データに設計されているパターンの種類、寸法の大小、疎密等を考慮して、描画条件ごとに、領域描画データ群に振り分ける。例えば、図４に示すように、まず、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を格子状に複数の小領域データに分割する。続いて、例えば密集ラインパターン、孤立ラインパターン、コンタクトホールパターン等のパターンの種類、寸法、疎密に応じて、複数の小領域描画データのそれぞれを所定の描画条件で描画される３種類の領域描画データ群ｄ１、ｄ２、ｄ３に振り分ける。
【００２４】
なお、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを描画するごとに、ＰＥＢ処理工程、現像工程、エッチング工程等、パターンをマスクブランクに形成するための工程を行ってもよい。こうして、複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれをマスクブランクに形成するための工程を、互いに独立に行うことにより、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、最適な条件でマスクブランクに形成することができる。これにより、例えばエッチングにおけるローディング効果の影響を低減することができる。したがって、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを更に高い精度で形成することができ、更に寸法均一性やリニアリティーに優れ高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【００２５】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるフォトマスクの製造方法について図５を用いて説明する。図５は本実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図である。
【００２６】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割しておく。なお、説明の便宜上、本実施形態では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０をパターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割してフォトマスクを製造する場合について説明する。領域描画データｄ１が密なパターンの領域描画データ、領域描画データｄ２が疎のパターンの領域描画データとなっている。
【００２７】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上にポジレジストを塗布し、ポジレジストからなるレジスト膜１４をマスクブランク１６上に形成する（図５（ａ）を参照）。
【００２８】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ１に基づくパターンを描画条件Ｃ１で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光される（図５（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。なお、マスク描画装置はＥＢ描画装置に限定されるものではなく、レーザ式の描画装置、高密度プラズマを用いた描画装置等の種々のマスク描画装置を用いることができる。
【００２９】
次いで、領域描画データｄ１に基づくパターンの描画に用いたマスク描画装置と同一のマスク描画装置を用いて、分割した２つのデータのうちの領域描画データｄ２に基づくパターンを描画条件Ｃ２で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光される（図５（ｃ）を参照）。描画条件Ｃ２は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００３０】
こうして、領域描画データｄ１と領域描画データｄ２とを互いに独立に描画することにより、描画データＤ０の全部が描画されたことになる。領域描画データｄ１と領域描画データｄ２とを互いに独立に描画することにより、それぞれに最適化された描画条件で描画することが可能となる。これにより、描画データＤ０に基づくマスクパターンを高い寸法精度、高いリニアリティーで露光することができる。
【００３１】
次いで、レジスト膜１４のＰＥＢ処理を行った後、現像液を用いて、レジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、描画データＤ０に基づくマスクパターンにパターニングされる（図５（ｄ）を参照）。
【００３２】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、描画データＤ０に基づくマスクパターンが形成される（図５（ｅ）を参照）。
【００３３】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図５（ｆ）を参照）。
【００３４】
こうして、描画データＤ０に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、描画条件ごとに、複数の領域描画データに分割するので、各パターンを形成するために最適な描画条件で描画することができる。これにより、種類、寸法、疎密等が異なるパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合等であっても、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することが可能となる。
【００３６】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態によるフォトマスクの製造方法について図６を用いて説明する。なお、第１実施形態によるフォトマスクの製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡略にする。
【００３７】
本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、第１実施形態による場合とほぼ同様である。本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、描画データを分割した複数の領域描画データに基づくパターンの描画に、異なるマスク描画装置を用いる点で、第１実施形態による場合と異なっている。
【００３８】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、マスクパターンを描画するための描画データＤ０を、例えばパターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割する。
【００３９】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストからなるレジスト膜１４を形成する（図６（ａ）を参照）。
【００４０】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、領域描画データｄ１を描画条件Ｃ１で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光される（図６（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００４１】
次いで、領域描画データｄ１の描画に用いたマスク描画装置とは別のマスク描画装置を用いて、領域描画データｄ２を描画条件Ｃ２で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光される（図６（ｃ）を参照）。描画条件Ｃ２は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００４２】
こうして、異なるマスク描画装置を用いて、領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンを互いに独立に描画することにより、描画データＤ０に基づくマスクパターンの全部が描画されたことになる。領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンを互いに独立に描画することにより、それぞれのパターンの描画に適した描画装置を用いて最適化された描画条件で描画することができるので、描画データＤ０に基づくマスクパターンを高い寸法均一性、高いリニアリティーで露光することができる。
次いで、ＰＥＢ処理を行った後、現像液を用いて、描画データＤ０に基づくマスクパターンが露光されたレジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、描画データＤ０に基づくマスクパターンにパターニングされる（図６（ｄ）を参照）。
【００４３】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、描画データＤ０に基づくマスクパターンが形成される（図６（ｅ）を参照）。
【００４４】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図６（ｆ）を参照）。
【００４５】
こうして、描画データＤ０に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００４６】
このように、本実施形態によれば、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、描画条件ごとに、複数の領域描画データに分割するので、描画するパターンに要求される精度に応じて、高性能の高価なマスク描画装置と、通常の性能のマスク描画装置とを適宜使い分けることができる。また、パターンの種類等に応じて、各パターンの描画に好適なマスク描画装置を適宜選択することができる。これにより、種類、寸法、疎密等が異なるパターンが１枚のフォトマスクに混在する場合等であっても、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを安価に製造することが可能となる。
【００４７】
なお、本実施形態では、２つの領域描画データに対して２つの異なるマスク描画装置を用いる場合を例に説明したが、領域描画データが２以上の場合には、２以上の異なるマスク描画装置を用いることができる。
【００４８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態によるフォトマスクの製造方法について図７及び図８を用いて説明する。なお、第１実施形態によるフォトマスクの製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡略にする。
【００４９】
本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを分割し、分割した複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを描画するごとに、描画したパターンをマスクブランクに形成するためのプロセスを行うことに主たる特徴がある。
【００５０】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、マスクパターンを描画するための描画データＤ０を、例えばパターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割する。
【００５１】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストからなるレジスト膜１４を形成する（図７（ａ）を参照）。
【００５２】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ１を描画条件Ｃ１で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光される（図７（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００５３】
次いで、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００５４】
レジスト膜１４のＰＥＢ処理後、現像液を用いて、領域描画データｄ１に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、領域描画データｄ１に基づくパターンにパターニングされる（図７（ｃ）を参照）。現像液の種類、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００５５】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ１に基づくパターンが形成される（図７（ｄ）を参照）。エッチングガスの種類、エッチング時間等エッチング条件は、例えば、領域描画データｄ１に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００５６】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図７（ｅ）を参照）。
【００５７】
次いで、領域描画データｄ１に基づくパターンが遮光膜１２に形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストを塗布し、ポジレジストよりなるレジスト膜１８を形成する（図８（ａ）を参照）。
【００５８】
次いで、マスク描画装置を用いて、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ２を描画条件Ｃ２で描画する。これにより、マスクブランク１６のレジスト膜１８に、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光される（図８（ｂ）を参照）。このとき、マスク描画装置は、領域描画データｄ１に基づくパターンの描画に用いたマスク描画装置と同一のものでも異なるものでもよい。描画条件Ｃ２は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００５９】
次いで、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光されたレジスト膜１８のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００６０】
レジスト膜１８のＰＥＢ処理後、現像液を用いて、領域描画データｄ２に基づくパターンが露光されたレジスト膜１８を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１８の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１８は、領域描画データｄ２に基づくパターンにパターニングされる。（図８（ｃ）を参照）。現像液の種類、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００６１】
次いで、パターニングされたレジスト膜１８をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ２に基づくパターンが形成される（図８（ｄ）を参照）。エッチングガスの種類、エッチング時間等のエッチング条件は、例えば、領域描画データｄ２に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００６２】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１８を除去する（図８（ｅ）を参照）。
【００６３】
上述のように、本実施形態によるフォトマスクの製造方法では、まず、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データＤ０を２つの領域描画データｄ１、ｄ２に分割する。次いで、まず、領域描画データｄ１に基づくパターンの描画及びこのパターンをマスクブランク１６に形成するためのプロセスを行う。その後に、領域描画データｄ２に基づくパターンの描画及びこのパターンをマスクブランク１２に形成するためのプロセスを行う。これにより、領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンをマスクブランク１６に形成するためのＰＥＢ処理工程、現像工程、及びエッチング工程をそれぞれ最適化された条件で行うことが可能となる。したがって、領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンのそれぞれを、寸法均一性やリニアリティーについて更に高い精度で形成することができる。
【００６４】
こうして、描画データＤ０を分割した２つの領域描画データｄ１、ｄ２に基づくパターンが互いに独立に遮光膜１２に形成され、描画データＤ０に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００６５】
このように、本実施形態によれば、描画した領域描画データに基づくパターンに応じて、ＰＥＢ処理工程、現像工程、エッチング工程等のパターンをマスクブランクに形成するためのプロセスについても、最適な条件で行うことが可能となる。これにより、例えばエッチングにおけるローディング効果の影響を低減することができる。したがって、寸法均一性やリニアリティーに更に優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【００６６】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態によるフォトマスクの製造方法について図９及び図１０を用いて説明する。なお、第３実施形態によるフォトマスクの製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００６７】
本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、第３実施形態による場合とほぼ同様である。本実施形態によるフォトマスクの製造方法は、描画データを分割した複数の領域描画データに基づくパターンが、ポジレジストよりなるレジスト膜とネガレジストよりなるレジスト膜とに露光される点で、第３実施形態による場合と異なっている。
【００６８】
まず、マスク描画装置によるマスクブランクへのマスクパターンの描画に先立って、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて、複数の領域描画データに分割しておく。なお、説明の便宜上、本実施形態では、マスクパターンを描画するための描画データＤ０′を、パターンの疎密に応じて、２つの領域描画データｄ１′、ｄ２′に分割する場合について説明する。領域描画データｄ１′が密なパターンの領域描画データ、領域描画データｄ２′が疎のパターンの領域描画データとなっている。
【００６９】
次いで、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２が形成されたマスクブランク１６上に、ポジレジストからなるレジスト膜１４を形成する（図９（ａ）を参照）。
【００７０】
次いで、マスク描画装置として例えばＥＢ描画装置を用いて、描画データＤ０′を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ１′を描画条件Ｃ１′で描画する。これにより、マスクブランク１６上のレジスト膜１４に、領域描画データｄ１′に基づくパターンが露光される（図９（ｂ）を参照）。描画条件Ｃ１′は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００７１】
次いで、領域描画データｄ１′に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００７２】
レジスト膜１４のＰＥＢ処理後、現像液を用いて、領域描画データｄ１′に基づくパターンが露光されたレジスト膜１４を現像する。これにより、ポジレジストよりなるレジスト膜１４の露光された部分が現像液により除去され、レジスト膜１４は、領域描画データｄ１′に基づくパターンにパターニングされる（図９（ｃ）を参照）。現像液の種類、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００７３】
次いで、パターニングされたレジスト膜１４をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ１′に基づくパターンが形成される（図９（ｄ）を参照）。エッチング条件は、例えば、領域描画データｄ１′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００７４】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜１４を除去する（図９（ｅ）を参照）。
【００７５】
次いで、領域描画データｄ１′に基づくパターンが遮光膜１２に形成されたマスクブランク１６上に、ネガレジストを塗布し、ネガレジストからなるレジスト膜２０を形成する（図１０（ａ）を参照）。
【００７６】
次いで、マスク描画装置を用いて、描画データＤ０′を分割した２つの領域描画データのうちの領域描画データｄ２′を描画条件Ｃ２′で描画する。これにより、マスクブランク１６のレジスト膜２０に、領域描画データｄ２′に基づくパターンが露光される（図１０（ｂ）を参照）。このとき、マスク描画装置は、領域描画データｄ１′の描画に用いたマスク描画装置と同一のものでも異なるものでもよい。描画条件Ｃ２′は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化された描画条件とする。
【００７７】
次いで、領域描画データｄ２′に基づくパターンが露光されたレジスト膜２０のＰＥＢ処理を行う。加熱温度、加熱時間等のＰＥＢ処理の条件は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化された条件とする。
【００７８】
次いで、レジスト膜２０のＰＥＢ処理を行った後、現像液を用いて、領域描画データｄ２′に基づくパターンが露光されたレジスト膜２０を現像する。これにより、ネガレジストよりなるレジスト膜２０の露光されていない部分が現像液により除去され、レジスト膜２０は、領域描画データｄ２′に基づくパターンにパターニングされる。（図１０（ｃ）を参照）。現像液の種類や、現像時間、現像温度等の現像条件は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００７９】
次いで、パターニングされたレジスト膜２０をマスクとして、遮光膜１２のエッチングを行う。これにより、石英基板１０上の遮光膜１２に、領域描画データｄ２′に基づくパターンが形成される（図１０（ｄ）を参照）。エッチングガスの種類、エッチング時間等のエッチング条件は、例えば、領域描画データｄ２′に基づくパターンを形成するために最適化されたものとする。
【００８０】
次いで、遮光膜１２をエッチングするためのマスクとして用いたレジスト膜２０を除去する（図１０（ｅ）を参照）。
【００８１】
こうして、描画データＤ０′を分割した２つの領域描画データｄ１′、ｄ２′に基づくパターンが互いに独立に遮光膜１２に形成され、描画データＤ０′に基づくマスクパターンを有するフォトマスクが製造される。
【００８２】
このように、分割した複数の描画領域データに基づくパターンが露光されるレジスト膜は、露光されるパターンに応じて、ポジレジストとネガレジストとを適宜用いればよい。
【００８３】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００８４】
例えば、上記実施形態では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを２分割する場合を例に説明したが、分割数はこれに限定されるものではなく、パターンの種類、寸法、疎密等に応じて分割数を適宜設定することができる。
【００８５】
また、上記実施形態では、１枚のフォトマスクのマスクパターンを描画するための描画データを、パターンの疎密に応じて分割する場合を例に説明したが、パターンの種類、寸法の大小等に応じて、描画データを分割してもよい。また、描画装置による描画の際に行う光近接効果補正の最小グリッド値の違いに応じて、描画データを分割してもよい。
【００８６】
また、上記実施形態では、石英基板１０上にクロム膜よりなる遮光膜１２を形成されたマスクブランク１６を用いる場合を例に説明したが、マスクブランク１６の材質はこれに限定されるものではなく、種々の材質のマスクブランクを用いることができる。
【００８７】
また、上記実施形態では、遮光膜１２のエッチングが行われているが、このエッチングには、形成するパターンに応じて、ウェットエッチング又はドライエッチングを適宜選択して適用することができる。
【００８８】
（付記１） マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、前記マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００８９】
（付記２） 付記１記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、前記マスクパターンにおけるパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて定めることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９０】
（付記３） 付記１記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、前記描画装置による描画の際に行う光近接効果補正の最小グリッド値に応じて定めることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９１】
（付記４） 付記１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、互いに異なっていることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９２】
（付記５） 付記１乃至４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、２以上の異なる前記描画装置を用いて描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９３】
（付記６） 付記１乃至５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域描画データに基づくパターンを描画するごとに、異なる条件のプロセスにより、前記マスクブランク上のレジスト膜に対する処理を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９４】
（付記７） 付記６記載のフォトマスクの製造方法において、前記プロセスは、前記レジスト膜のＰＥＢ処理工程、前記レジスト膜の現像工程、又は前記レジスト膜をマスクとするエッチング工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９５】
（付記８） マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、前記マスクパターンを描画するための描画データを、前記マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、前記複数の小領域描画データのそれぞれを、前記小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９６】
（付記９） 付記８記載のフォトマスクの製造方法において、前記小領域データは、前記マスクパターンを格子状に分割した小領域のパターンを描画するためのものであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９７】
（付記１０） 付記８又は９記載のフォトマスクの製造方法において、前記所定の描画条件は、互いに異なっていることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９８】
（付記１１） 付記８乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、２以上の前記描画装置を用いて描画することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【００９９】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、描画装置を用いて互いに独立に描画するので、各領域描画データに基づくパターンを形成するために最適な描画条件で描画することができる。これにより、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【０１００】
また、本発明によれば、マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、マスクパターンを描画するための描画データを、マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、複数の小領域描画データのそれぞれを、小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、描画装置を用いて互いに独立に描画するので、各領域描画データ群に基づくパターンを形成するために最適な描画条件で描画することができる。これにより、寸法均一性やリニアリティーに優れた高精度かつ高信頼性のマスクパターンを有するフォトマスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を説明する図である。
【図２】本発明によるフォトマスクの製造方法におけるマスクパターンの描画データの分割方法の一例を説明する図（その１）である。
【図３】本発明によるフォトマスクの製造方法におけるマスクパターンの描画データの分割方法の一例を説明する図（その２）である。
【図４】本発明によるフォトマスクの製造方法におけるマスクパターンの描画データの分割方法の一例を説明する図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図８】本発明の第３実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図９】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１０】本発明の第４実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
１０…石英基板
１２…遮光膜
１４…レジスト膜
１６…マスクブランク
１８…レジスト膜
２０…レジスト膜
Claims (5)
- マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、
前記マスクパターンを描画するための描画データを、所定の描画条件ごとに、前記マスクパターンの所定の領域のパターンを描画するための複数の領域描画データに分割し、
前記複数の領域描画データに基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画する
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、
前記所定の描画条件は、前記マスクパターンにおけるパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて定める
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、
前記所定の描画条件は、前記描画装置による描画の際に行う光近接効果補正の最小グリッド値に応じて定める
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造方法において、
前記複数の領域描画データに基づくパターンを描画するごとに、異なる条件のプロセスにより、前記マスクブランク上のレジスト膜に対する処理を行う
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - マスクブランクに描画装置を用いてマスクパターンを描画してフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、
前記マスクパターンを描画するための描画データを、前記マスクパターンの小領域のパターンを描画するための複数の小領域描画データに分割し、
前記複数の小領域描画データのそれぞれを、前記小領域描画データに基づくパターンの種類、寸法の大小、又は疎密に応じて、所定の描画条件ごとに、複数の領域描画データ群に振り分け、
前記複数の領域描画データ群に基づくパターンのそれぞれを、前記描画装置を用いて互いに独立に描画する
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002379643A JP2004212482A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002379643A JP2004212482A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004212482A true JP2004212482A (ja) | 2004-07-29 |
Family
ID=32816087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002379643A Pending JP2004212482A (ja) | 2002-12-27 | 2002-12-27 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004212482A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361507A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Renesas Technology Corp | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム |
| KR100782489B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-12-05 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 디바이스의 제조 방법 및포토마스크의 모니터 방법 |
| JP2008265028A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールドの製造方法 |
| JP2011243805A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Nuflare Technology Inc | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2014092655A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujitsu Semiconductor Ltd | レイアウトパターンの補正方法 |
| JP2018116266A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-12-27 JP JP2002379643A patent/JP2004212482A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004361507A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Renesas Technology Corp | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム |
| KR100782489B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-12-05 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 포토마스크의 제조 방법, 디바이스의 제조 방법 및포토마스크의 모니터 방법 |
| US7666553B2 (en) | 2005-12-14 | 2010-02-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Fabrication method for photomask, fabrication method for device and monitoring method for photomask |
| JP2008265028A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールドの製造方法 |
| JP2011243805A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Nuflare Technology Inc | 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2014092655A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujitsu Semiconductor Ltd | レイアウトパターンの補正方法 |
| JP2018116266A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7172838B2 (en) | Chromeless phase mask layout generation | |
| CN101278233B (zh) | 使用离散的辅助特征而改善的工艺范围 | |
| JP2002122977A (ja) | フォトマスクの作成法、フォトマスク、並びに露光方法 | |
| KR100374635B1 (ko) | 포토마스크의 식각시 발생하는 로딩효과로 인한선폭변화를 보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한기록매체 | |
| JP2010016044A (ja) | 設計レイアウトデータ作成方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20080320435A1 (en) | Optical proximity correction improvement by fracturing after pre-optical proximity correction | |
| JP2010048860A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4190227B2 (ja) | フォトマスク、その設計方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2004212482A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP4804802B2 (ja) | フォトマスク及びこれを用いたパターン製造方法 | |
| JP2011028120A (ja) | パタン作成方法、パタン作成プログラムおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2004279950A (ja) | フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 | |
| JP2004040039A (ja) | 露光方法の選択方法 | |
| KR101096979B1 (ko) | 반도체 소자의 패턴 균일도 조절 방법 | |
| US6413685B1 (en) | Method of reducing optical proximity effect | |
| US7669173B2 (en) | Semiconductor mask and method of making same | |
| JP2003248296A (ja) | 露光マスクおよびその製造方法、ならびに転写パターンの形成方法 | |
| US8742546B2 (en) | Semiconductor device with a plurality of dot patterns and a line pattern having a projection part | |
| JPH11133585A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
| KR20090108268A (ko) | 바이너리 마스크의 패턴 선폭 보정방법 | |
| KR100854464B1 (ko) | 패턴 크기가 보정된 위상반전 마스크의 제조방법 | |
| JP4563101B2 (ja) | マスクパターンデータ補正方法 | |
| JP2004029482A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR20040093528A (ko) | 스테이지 기울어짐과 포토마스크 표면의 불균일에 의한선폭변화 보정방법 | |
| KR20070069994A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성용 마스크 제작 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050328 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080321 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080415 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080515 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080728 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081009 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20081031 |