JP2000066366A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びその製造方法Info
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- JP2000066366A JP2000066366A JP23241498A JP23241498A JP2000066366A JP 2000066366 A JP2000066366 A JP 2000066366A JP 23241498 A JP23241498 A JP 23241498A JP 23241498 A JP23241498 A JP 23241498A JP 2000066366 A JP2000066366 A JP 2000066366A
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- JP
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- pattern
- resist
- photomask
- circular
- mask
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- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】微細なホールパターンを寸法のばらつきがな
く、精度よく形成することができるフォトマスク及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のフォトマスク１は、露光により微
細なホールパターンを形成するための円形のマスクパタ
ーン２を備えている。
く、精度よく形成することができるフォトマスク及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のフォトマスク１は、露光により微
細なホールパターンを形成するための円形のマスクパタ
ーン２を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク及び
その製造方法に関し、例えば、直径０．１μｍ〜０．２
μｍ程度の微細なホールパターンを半導体基板等の被露
光部材に形成するために用いられるフォトマスク及びそ
の製造方法に関する。
その製造方法に関し、例えば、直径０．１μｍ〜０．２
μｍ程度の微細なホールパターンを半導体基板等の被露
光部材に形成するために用いられるフォトマスク及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化、微細
化に伴い、半導体基板上に形成される回路パターンの線
幅は非常に小さいものとなってきている。これに伴い、
半導体基板上に回路パターンを形成するリソグラフィ工
程ではさらに微細なパターンの転写が要求されている。
化に伴い、半導体基板上に形成される回路パターンの線
幅は非常に小さいものとなってきている。これに伴い、
半導体基板上に回路パターンを形成するリソグラフィ工
程ではさらに微細なパターンの転写が要求されている。
【０００３】従来、微細なコンタクトホールパターンを
レジストに転写する際に使用するフォトマスクには、図
４（Ａ）に示すように、正方形のマスクパターン５０が
形成されていた。そして、この正方形のマスクパターン
５０を介して紫外線を照射してレジストに形成されたレ
ジストパターン５１は、図４（Ｂ）に示すようにほぼ円
形となる。これは、正方形のマスクパターン５０の角部
は光の回折が起こりにくく、転写性が悪いためである。
レジストに転写する際に使用するフォトマスクには、図
４（Ａ）に示すように、正方形のマスクパターン５０が
形成されていた。そして、この正方形のマスクパターン
５０を介して紫外線を照射してレジストに形成されたレ
ジストパターン５１は、図４（Ｂ）に示すようにほぼ円
形となる。これは、正方形のマスクパターン５０の角部
は光の回折が起こりにくく、転写性が悪いためである。
【０００４】しかし、正方形のマスクパターン５０の場
合、パターンを転写する際の焦点ずれ等によってホール
パターンの寸法がばらつき、精度よく仕上げるのは困難
である。また、フォトマスクの作成においては、電子線
描画装置を用いてＣｒ遮光膜上にレジストパターンを形
成した後、ウェットエッチング又はドライエッチングに
よって所望のマスクパターンを形成する方法が一般的に
行われているが、マスクパターン５０の角部のエッチン
グが十分ではなく、面内で不均一になることが多い（図
４（Ｃ）参照）。これは、ウェットエッチングの場合に
は、レジストパターンの端から等距離だけ（等方的に）
エッチングされるため角部が丸くなりやすく、ドライエ
ッチングの場合にも、マスクパターン５０の角部に堆積
物（デポ）がたまる影響で角部が丸くなりやすいためで
ある。
合、パターンを転写する際の焦点ずれ等によってホール
パターンの寸法がばらつき、精度よく仕上げるのは困難
である。また、フォトマスクの作成においては、電子線
描画装置を用いてＣｒ遮光膜上にレジストパターンを形
成した後、ウェットエッチング又はドライエッチングに
よって所望のマスクパターンを形成する方法が一般的に
行われているが、マスクパターン５０の角部のエッチン
グが十分ではなく、面内で不均一になることが多い（図
４（Ｃ）参照）。これは、ウェットエッチングの場合に
は、レジストパターンの端から等距離だけ（等方的に）
エッチングされるため角部が丸くなりやすく、ドライエ
ッチングの場合にも、マスクパターン５０の角部に堆積
物（デポ）がたまる影響で角部が丸くなりやすいためで
ある。
【０００５】そこで、例えば特開平４ー６７６１３号公
報（以下、従来例という）には、図４（Ｄ）に示すよう
に、８角形のマスクパターン５２が形成されたフォトマ
スクが開示されている。この従来例のフォトマスクのマ
スクパターン５２を介して紫外線を照射してパターンを
転写すると、焦点がずれても、図４（Ｅ）に示すように
ほぼ円形のレジストパターン５３を形成できる、として
いる。
報（以下、従来例という）には、図４（Ｄ）に示すよう
に、８角形のマスクパターン５２が形成されたフォトマ
スクが開示されている。この従来例のフォトマスクのマ
スクパターン５２を介して紫外線を照射してパターンを
転写すると、焦点がずれても、図４（Ｅ）に示すように
ほぼ円形のレジストパターン５３を形成できる、として
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例のフォ
トマスクは、電子線描画装置のビームの径を絞り、これ
を一筆書きの要領でスキャンすることによって所望のマ
スクパターンを描画して作成されるが、８角形の斜辺部
の形成は極めて困難であり、８角形のマスクパターン５
２をフォトマスクに形成することは事実上不可能であ
る。
トマスクは、電子線描画装置のビームの径を絞り、これ
を一筆書きの要領でスキャンすることによって所望のマ
スクパターンを描画して作成されるが、８角形の斜辺部
の形成は極めて困難であり、８角形のマスクパターン５
２をフォトマスクに形成することは事実上不可能であ
る。
【０００７】また、従来例のフォトマスクのマスクパタ
ーン５２には角部が多く存在するため、かえってホール
パターンの寸法のばらつきが大きくなる。
ーン５２には角部が多く存在するため、かえってホール
パターンの寸法のばらつきが大きくなる。
【０００８】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、微細なホールパターンを寸法のばらつ
きがなく、精度よく形成することができるフォトマスク
及びその製造方法を提供することを目的とする。
れたものであり、微細なホールパターンを寸法のばらつ
きがなく、精度よく形成することができるフォトマスク
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク
は、露光により微細なホールパターンを形成するための
円形のマスクパターンを備えていることを特徴とするも
のである。
は、露光により微細なホールパターンを形成するための
円形のマスクパターンを備えていることを特徴とするも
のである。
【００１０】上記マスクパターンは、ネガ型であって
も、ポジ型であってもよい。
も、ポジ型であってもよい。
【００１１】本発明のフォトマスクの製造方法は、マス
ク基板上にレジストを塗布する工程と、円形のパターン
が形成されたアパーチャを用いて、部分一括露光法によ
りマスク基板上のレジストにレジストパターンを形成す
る工程と、レジストをエッチングしてマスク基板上に円
形のマスクパターンを形成する工程と、を有することを
特徴とするものである。
ク基板上にレジストを塗布する工程と、円形のパターン
が形成されたアパーチャを用いて、部分一括露光法によ
りマスク基板上のレジストにレジストパターンを形成す
る工程と、レジストをエッチングしてマスク基板上に円
形のマスクパターンを形成する工程と、を有することを
特徴とするものである。
【００１２】上記マスク基板上に塗布するレジストはポ
ジ型であっても、ネガ型であってもよい。
ジ型であっても、ネガ型であってもよい。
【００１３】上記アパーチャに形成される円形のパター
ンは、径を広げた円形断面の電子ビームを、アパーチャ
基板上に塗布されたレジストに照射する工程を経て形成
されるのが好ましい。
ンは、径を広げた円形断面の電子ビームを、アパーチャ
基板上に塗布されたレジストに照射する工程を経て形成
されるのが好ましい。
【００１４】本発明によれば、マスクパターンが円形で
あるので、従来のフォトマスクのように角の部分のエッ
チング不良に伴う形状の歪みは起こらない。
あるので、従来のフォトマスクのように角の部分のエッ
チング不良に伴う形状の歪みは起こらない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。図１は、本発明のフォトマスク
を説明するための図である。本発明のフォトマスク１
は、露光により微細なホールパターンを形成するための
円形のマスクパターン２を備えている。図１（Ａ）に示
すように、マスクパターン２の部分が透明で、その他の
部分が不透明であるネガ型のマスクパターン２を備えた
場合（ネガ型フォトマスク）と、図１（Ｂ）に示すよう
に、マスクパターン２の部分が不透明で、その他の部分
が透明であるポジ型のマスクパターン２を備えた場合
（ポジ型フォトマスク）とがある。なお、本発明のフォ
トマスク１には、円形のマスクパターン２以外の形状の
マスクパターンが形成されていてもよい。
面を参照して説明する。図１は、本発明のフォトマスク
を説明するための図である。本発明のフォトマスク１
は、露光により微細なホールパターンを形成するための
円形のマスクパターン２を備えている。図１（Ａ）に示
すように、マスクパターン２の部分が透明で、その他の
部分が不透明であるネガ型のマスクパターン２を備えた
場合（ネガ型フォトマスク）と、図１（Ｂ）に示すよう
に、マスクパターン２の部分が不透明で、その他の部分
が透明であるポジ型のマスクパターン２を備えた場合
（ポジ型フォトマスク）とがある。なお、本発明のフォ
トマスク１には、円形のマスクパターン２以外の形状の
マスクパターンが形成されていてもよい。
【００１６】図２は、本発明のフォトマスク１の製造方
法を説明するための斜視図である。まず、マスク基板１
ａ上にポジ型のレジスト３を塗布する。
法を説明するための斜視図である。まず、マスク基板１
ａ上にポジ型のレジスト３を塗布する。
【００１７】次いで、部分一括露光法により、マスク基
板１ａ上のレジスト３にレジストパターン４を形成す
る。部分一括露光を行なう場合、図２に示すように、電
子銃５から出射された電子ビーム６は、アパーチャ７に
形成された円形パターン８（ネガ型）に照射される。そ
して、円形パターン８の形状に成形された電子ビーム
は、縮小レンズ９により縮小され、偏向器１０によりマ
スク基板１ａ上のレジスト３の所定位置に照射される。
板１ａ上のレジスト３にレジストパターン４を形成す
る。部分一括露光を行なう場合、図２に示すように、電
子銃５から出射された電子ビーム６は、アパーチャ７に
形成された円形パターン８（ネガ型）に照射される。そ
して、円形パターン８の形状に成形された電子ビーム
は、縮小レンズ９により縮小され、偏向器１０によりマ
スク基板１ａ上のレジスト３の所定位置に照射される。
【００１８】次いで、レジスト３をドライエッチング又
はウェットエッチングによりエッチングして、マスク基
板１ａ上に円形のマスクパターン２を形成する。以上の
工程により、図１（Ａ）に示すようなネガ型のフォトマ
スク１が得られる。
はウェットエッチングによりエッチングして、マスク基
板１ａ上に円形のマスクパターン２を形成する。以上の
工程により、図１（Ａ）に示すようなネガ型のフォトマ
スク１が得られる。
【００１９】また、図１（Ｂ）に示すようなポジ型フォ
トマスク１を製造する場合には、マスク基板１ａ上にネ
ガ型のレジスト３を塗布するか、アパーチャ７に形成さ
れた円形パターン８をポジ型にする。
トマスク１を製造する場合には、マスク基板１ａ上にネ
ガ型のレジスト３を塗布するか、アパーチャ７に形成さ
れた円形パターン８をポジ型にする。
【００２０】本発明のフォトマスク１によれば、図１
（Ｃ）に示すように、マスクパターン２が円形であるの
で、従来のフォトマスクのように角の部分のエッチング
不良に伴う形状の歪みは起こらない。従って、マスクパ
ターン２の形状の不均一性が低減され、微細なレジスト
パターン４及びホールパターンを寸法のばらつきがな
く、精度よく形成することができる（図１（Ｄ）参
照）。
（Ｃ）に示すように、マスクパターン２が円形であるの
で、従来のフォトマスクのように角の部分のエッチング
不良に伴う形状の歪みは起こらない。従って、マスクパ
ターン２の形状の不均一性が低減され、微細なレジスト
パターン４及びホールパターンを寸法のばらつきがな
く、精度よく形成することができる（図１（Ｄ）参
照）。
【００２１】図３は、本発明のフォトマスク１の製造方
法に用いられるアパーチャ７の円形パターン８を形成す
るための方法を説明するための説明図である。
法に用いられるアパーチャ７の円形パターン８を形成す
るための方法を説明するための説明図である。
【００２２】アパーチャ７に形成される円形パターン８
は、図３に示すように、可変成形電子線描画装置におけ
る電子銃１１の出射口径を直径数μｍ程度に広げて円形
断面の電子ビーム１２を出射し、その電子ビーム１２を
アパーチャ基板上に塗布されたレジスト１３に照射する
工程を経て形成される。
は、図３に示すように、可変成形電子線描画装置におけ
る電子銃１１の出射口径を直径数μｍ程度に広げて円形
断面の電子ビーム１２を出射し、その電子ビーム１２を
アパーチャ基板上に塗布されたレジスト１３に照射する
工程を経て形成される。
【００２３】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
【００２４】
【発明の効果】本発明のフォトマスクによれば、マスク
パターンが円形であるので、従来のフォトマスクのよう
に角の部分のエッチング不良に伴う形状の歪みは起こら
ない。従って、マスクパターンの形状の不均一性が低減
され、微細なホールパターンを寸法のばらつきがなく、
精度よく形成することができる。
パターンが円形であるので、従来のフォトマスクのよう
に角の部分のエッチング不良に伴う形状の歪みは起こら
ない。従って、マスクパターンの形状の不均一性が低減
され、微細なホールパターンを寸法のばらつきがなく、
精度よく形成することができる。
【００２５】また、本発明のフォトマスクの製造方法に
よれば、上記の効果を有するフォトマスクを得ることが
できる。
よれば、上記の効果を有するフォトマスクを得ることが
できる。
【図１】（Ａ）は本発明のネガ型のフォトマスクを示す
平面図、（Ｂ）は本発明のポジ型のフォトマスクを示す
平面図、（Ｃ）は本発明のフォトマスクのマスクパター
ンを示す平面図、（Ｄ）は本発明のフォトマスクのマス
クパターンにより形成されたレジストパターンを示す平
面図である。
平面図、（Ｂ）は本発明のポジ型のフォトマスクを示す
平面図、（Ｃ）は本発明のフォトマスクのマスクパター
ンを示す平面図、（Ｄ）は本発明のフォトマスクのマス
クパターンにより形成されたレジストパターンを示す平
面図である。
【図２】本発明のフォトマスクの製造方法を説明するた
めの斜視図である。
めの斜視図である。
【図３】本発明のフォトマスクの製造方法に用いられる
アパーチャの円形パターンを形成するための方法を説明
するための説明図である。
アパーチャの円形パターンを形成するための方法を説明
するための説明図である。
【図４】（Ａ）は従来のマスクパターンを示す平面図、
（Ｂ）は従来のマスクパターンにより形成されたレジス
トパターンを示す平面図、（Ｃ）は角部が丸くなった従
来のマスクパターンを示す平面図、（Ｄ）は従来の他の
マスクパターンを示す平面図、（Ｅ）は従来の他のマス
クパターンにより形成されたレジストパターンを示す平
面図である。
（Ｂ）は従来のマスクパターンにより形成されたレジス
トパターンを示す平面図、（Ｃ）は角部が丸くなった従
来のマスクパターンを示す平面図、（Ｄ）は従来の他の
マスクパターンを示す平面図、（Ｅ）は従来の他のマス
クパターンにより形成されたレジストパターンを示す平
面図である。
１：フォトマスク ２：マスクパターン ３：レジスト ４：レジストパターン ５：電子銃 ６：電子ビーム ７：アパーチャ ８：円形パターン ９：縮小レンズ １０：偏向器 １１：電子銃 １２：電子ビーム １３：レジスト
Claims (7)
- 【請求項１】露光により微細なホールパターンを形成す
るための円形のマスクパターンを備えていることを特徴
とするフォトマスク。 - 【請求項２】ネガ型のマスクパターンを備えていること
を特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。 - 【請求項３】ポジ型のマスクパターンを備えていること
を特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。 - 【請求項４】マスク基板上にレジストを塗布する工程
と、 円形のパターンが形成されたアパーチャを用いて、部分
一括露光法により前記マスク基板上のレジストにレジス
トパターンを形成する工程と、 前記レジストをエッチングして前記マスク基板上に円形
のマスクパターンを形成する工程と、 を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項５】前記マスク基板上に塗布するレジストはポ
ジ型レジストであることを特徴とする請求項４に記載の
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項６】前記マスク基板上に塗布するレジストはネ
ガ型レジストであることを特徴とする請求項４に記載の
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項７】前記アパーチャに形成される円形のパター
ンは、径を広げた円形断面の電子ビームを、アパーチャ
基板上に塗布されたレジストに照射する工程を経て形成
されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１つ
の項に記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23241498A JP2000066366A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | フォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23241498A JP2000066366A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | フォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000066366A true JP2000066366A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=16938889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23241498A Pending JP2000066366A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000066366A (ja) |
Cited By (20)
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-
1998
- 1998-08-19 JP JP23241498A patent/JP2000066366A/ja active Pending
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