JPS58223324A - 描画装置 - Google Patents
描画装置Info
- Publication number
- JPS58223324A JPS58223324A JP10551982A JP10551982A JPS58223324A JP S58223324 A JPS58223324 A JP S58223324A JP 10551982 A JP10551982 A JP 10551982A JP 10551982 A JP10551982 A JP 10551982A JP S58223324 A JPS58223324 A JP S58223324A
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- Japan
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- scaling value
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビームもしくはイオンビームを用いた描画
装置に関する。
装置に関する。
ＩＣマスク基板等を電子ビーム描画装置で作成する場合
に於いて、ＩＣの集積度を可能な限り上げるために、同
一基板上に異ったスケーリング値をもつＩＣバタン群を
描画し、プロセスの評価と集積度の限界検査を行うこと
がある。
に於いて、ＩＣの集積度を可能な限り上げるために、同
一基板上に異ったスケーリング値をもつＩＣバタン群を
描画し、プロセスの評価と集積度の限界検査を行うこと
がある。
この場合、従来はＩＣＣパタンＵ［段階に於いて異った
スケーリング値を持つバタンを作成し基板上に配置する
か、または異った基板上に異ったスケーリング値を持つ
バタンを描画するかしていた。
スケーリング値を持つバタンを作成し基板上に配置する
か、または異った基板上に異ったスケーリング値を持つ
バタンを描画するかしていた。
これらの方法は、前者はバタン設り４°時に於ける処理
時間の増大をもたらし、後者は異ったプロセス条件を与
えるため、ＩＣマスク生肱性を下げるものであった。
時間の増大をもたらし、後者は異ったプロセス条件を与
えるため、ＩＣマスク生肱性を下げるものであった。
本発明の目的は、プロセス計画と集積度の限界検査のた
めの描画を操作者が現場で容易にこれらの作業を行うこ
とができ、この検査の結果、最適と判断されたスケーリ
ング値で目的とするマスクの描画を行いマスクを生産す
ることのできる描画装置を提供するにある。
めの描画を操作者が現場で容易にこれらの作業を行うこ
とができ、この検査の結果、最適と判断されたスケーリ
ング値で目的とするマスクの描画を行いマスクを生産す
ることのできる描画装置を提供するにある。
本発明は、パターンが描画される試料を載置したステー
ジの移動を制御する手段、前記ステージの移動に応じた
パルスを発生する手段、前記パルスをスケーリング値に
従って間引くことによりパターンを拡大・縮小して試別
に描画する手段とを備えだ描画装置において、ステージ
の原点座標値を保持する原点座標保持手段と、スケーリ
ング饋を変更時に、前記原点座標保持手段の内容と変更
前後のスケーリング値及び描画開始位置とから変更後の
原点座標値を演算する手段と、この手段により得られｆ
Ｃ原点座標値を前記原点座標保持手段へ収容する手段ど
な備えたことを特徴とする。。
ジの移動を制御する手段、前記ステージの移動に応じた
パルスを発生する手段、前記パルスをスケーリング値に
従って間引くことによりパターンを拡大・縮小して試別
に描画する手段とを備えだ描画装置において、ステージ
の原点座標値を保持する原点座標保持手段と、スケーリ
ング饋を変更時に、前記原点座標保持手段の内容と変更
前後のスケーリング値及び描画開始位置とから変更後の
原点座標値を演算する手段と、この手段により得られｆ
Ｃ原点座標値を前記原点座標保持手段へ収容する手段ど
な備えたことを特徴とする。。
本発明によれば、測長器よりのパルスを間引くことによ
り拡大・縮小描画を行う電子ビーム描画装置に於て、描
くべｆｉ ＩＣバタン群を同一基板上に任意のスケーリ
ングを任意回はどこした描画を行うことがｖＪ’能とな
る。
り拡大・縮小描画を行う電子ビーム描画装置に於て、描
くべｆｉ ＩＣバタン群を同一基板上に任意のスケーリ
ングを任意回はどこした描画を行うことがｖＪ’能とな
る。
このために、ＩＣバタン等の集積度上限検査が作業現場
に於ける操作員の手で容易に行えるようになり作業効率
を向−１ニさせる。
に於ける操作員の手で容易に行えるようになり作業効率
を向−１ニさせる。
まず、第１図及び第２図を用いて本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図に於いて座標系ＱＯ，Ｑｌがあり、それぞれのス
ケーリング値はｓｏ、ｓｉであるとする。また、以下の
説明において、ＱＱ及びｘＸはベクトルを表すものとし
、５Ｏ＝１のとき、ＱＱ系の原点位置カウント値ＱＱＯ
−（０，０）とする。
ケーリング値はｓｏ、ｓｉであるとする。また、以下の
説明において、ＱＱ及びｘＸはベクトルを表すものとし
、５Ｏ＝１のとき、ＱＱ系の原点位置カウント値ＱＱＯ
−（０，０）とする。
この時、点ＡのＱＱ糸、 Ｑｌ系での位置をそれぞれＸ
ＸＡＯ，ＸＸＡｌとし、Ｑｌの原点のＱＱ系での位置を
ＱＱｌとすると、これらは、（１）の関係を満す３゜Ｘ
ＸＡＯ＝ ８１・ＸＸＡｌ ＋ＱＱＩ ・・・・・・
・・・・ （１）次に第２図において、任意の点Ｂでス
ケーリング値を８１から８２に変更したとする。この変
更後も（１）式が成立するためには、ＱＱ２の位置を求
める必要がある。そのために、次の準備をする。
ＸＡＯ，ＸＸＡｌとし、Ｑｌの原点のＱＱ系での位置を
ＱＱｌとすると、これらは、（１）の関係を満す３゜Ｘ
ＸＡＯ＝ ８１・ＸＸＡｌ ＋ＱＱＩ ・・・・・・
・・・・ （１）次に第２図において、任意の点Ｂでス
ケーリング値を８１から８２に変更したとする。この変
更後も（１）式が成立するためには、ＱＱ２の位置を求
める必要がある。そのために、次の準備をする。
この変更を行った時点で、次の式が成立する。
ＸＸＢＯ＝ ８２・ＸＸＢ２ ＋ＱＱ２ ・・・・・
・・・・・・ （２）一方、 ＸＸＢＯ＝ ８１・ＸＸＢＩ ＋ＱＱＩ ・・・・・
・・・・ （３）この２式＋２） 、 （３）において
、Ｂ点での位置カウンタの値はＱｌ系、Ｑ２系ともに等
しい。即ち、ＸＸＢ２ ＝ ＸＸＢＩ ・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （４）従
って、以上の３弐（２）、 （３）、 （４）より、変
更後の原点の位置ｆＱＱ２は、 ＱＱ２ ＝ （８１−８２）・ＸＸＢ２ ＋ＱＱＩ・・
・・・（５）で与えられる。このＱＱ２を新しいＱＱｌ
とすれば、この新しいＱ２系とＱＱ系との関係は、常に
（１）式で与えられることになる１゜ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
・・・・・・ （２）一方、 ＸＸＢＯ＝ ８１・ＸＸＢＩ ＋ＱＱＩ ・・・・・
・・・・ （３）この２式＋２） 、 （３）において
、Ｂ点での位置カウンタの値はＱｌ系、Ｑ２系ともに等
しい。即ち、ＸＸＢ２ ＝ ＸＸＢＩ ・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （４）従
って、以上の３弐（２）、 （３）、 （４）より、変
更後の原点の位置ｆＱＱ２は、 ＱＱ２ ＝ （８１−８２）・ＸＸＢ２ ＋ＱＱＩ・・
・・・（５）で与えられる。このＱＱ２を新しいＱＱｌ
とすれば、この新しいＱ２系とＱＱ系との関係は、常に
（１）式で与えられることになる１゜ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第３図は本発明の一実施例に用いたステージ連続移動形
の電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。図中４
１は電子銃、４２は第１コンデンサレンズ、４３は第２
コンデンサレンズ、ａは対物レンズ、４５はブランキン
グ電極、４６は偏向電極であり、以上のサブシステムか
ら電子光学系が構成されている。１だ、４７は試料室、
４８は予備室、４９はＸ−Ｙステージ、５０は防振架台
、５１は電子光学系の電源、５２はレーザ測長系、５３
は駆動系、５４はＸ−Ｙステージ制御回路、５６は偏向
制御回路である。５７はデータ続出回路、５８はドツト
パターンメモリ、５９は電子ビーム描画装置固有の入カ
バターンデータをドツトパターンに変換するだめのファ
ンクションジェネレータ、（イ）はバクーンデータメモ
リ、６１ハ制御回路であり、これら５７．〜，６１から
描画回路６２が構成されている。また、６３はダイレク
トメモリアクセス（ＤＭＡ、）、６４は計算機、６５は
オペレーティングシステム制御プログラム、６６はＣＡ
Ｄで作られたチッグデータを電子ビーム描画装置固有の
データフォーマット（ＦＩＢフォーマットデータ）に変
換するだめのフォーマット変換プログラムであり、これ
らのプログラムはいずれも計算機６４の主メモリにスト
アされている。６７はインタフェース、６８はＥＢフォ
ーマットデータを格納するための磁気ディスク、７０ハ
ＣＡＤシステム、７１ハコンソールユニツト、７２は同
期信号発生回路（バルサ）である。
の電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。図中４
１は電子銃、４２は第１コンデンサレンズ、４３は第２
コンデンサレンズ、ａは対物レンズ、４５はブランキン
グ電極、４６は偏向電極であり、以上のサブシステムか
ら電子光学系が構成されている。１だ、４７は試料室、
４８は予備室、４９はＸ−Ｙステージ、５０は防振架台
、５１は電子光学系の電源、５２はレーザ測長系、５３
は駆動系、５４はＸ−Ｙステージ制御回路、５６は偏向
制御回路である。５７はデータ続出回路、５８はドツト
パターンメモリ、５９は電子ビーム描画装置固有の入カ
バターンデータをドツトパターンに変換するだめのファ
ンクションジェネレータ、（イ）はバクーンデータメモ
リ、６１ハ制御回路であり、これら５７．〜，６１から
描画回路６２が構成されている。また、６３はダイレク
トメモリアクセス（ＤＭＡ、）、６４は計算機、６５は
オペレーティングシステム制御プログラム、６６はＣＡ
Ｄで作られたチッグデータを電子ビーム描画装置固有の
データフォーマット（ＦＩＢフォーマットデータ）に変
換するだめのフォーマット変換プログラムであり、これ
らのプログラムはいずれも計算機６４の主メモリにスト
アされている。６７はインタフェース、６８はＥＢフォ
ーマットデータを格納するための磁気ディスク、７０ハ
ＣＡＤシステム、７１ハコンソールユニツト、７２は同
期信号発生回路（バルサ）である。
この装置では、ＣＡＤシステム７０で設計され磁気テー
プに記録されたパターンデータが磁気テープ装置により
読み取られる。そして、このパターンデータがフォーマ
ット変換プログラム６６によりＥＢフォーマットデータ
に変換され、磁気ディスク装置６８に貯えられる。ＥＢ
フォーマットデータは、通常の電子ビーム露光に同右な
台形表現形式の要素の集合体からなるものである。コン
ソールユニット７１からスケーリング値Ｓ、チップパタ
ーン描画開始位置（Ｘ＋ 、 Ｙ＋ ）およびビーム照
射量を入力すると、計算機６４およびその制御プログラ
ム６５ニより電子ビームの直径、ビーム電流、偏向振り
幅、ステージ移動速度、分局率がそれぞれ制御され、し
かるのちに描画が開始される。
プに記録されたパターンデータが磁気テープ装置により
読み取られる。そして、このパターンデータがフォーマ
ット変換プログラム６６によりＥＢフォーマットデータ
に変換され、磁気ディスク装置６８に貯えられる。ＥＢ
フォーマットデータは、通常の電子ビーム露光に同右な
台形表現形式の要素の集合体からなるものである。コン
ソールユニット７１からスケーリング値Ｓ、チップパタ
ーン描画開始位置（Ｘ＋ 、 Ｙ＋ ）およびビーム照
射量を入力すると、計算機６４およびその制御プログラ
ム６５ニより電子ビームの直径、ビーム電流、偏向振り
幅、ステージ移動速度、分局率がそれぞれ制御され、し
かるのちに描画が開始される。
Ｘ−Ｙステージ４９が位置（Ｘｌ、 Ｙ＋ ＞に達する
直前に、制御プログラム６５により一定量のＥＤフォー
マットデータが磁気ディスク６８からＤＭＡ ６３を通
り、フォーマントデータメモリ６０に伝達され貯えられ
、さらにファンクシ冒ンジェネレータ５９により台形要
素の集合体からなるＥＢフォーマットデータがドットパ
ターンデータに変換され、トンドパターンメモリ５８に
格納される。、そして、このドツトパターンがデータ読
出回路５７により絖み出され、ブランキング電極４５に
順次伝達されるものとなっている。
直前に、制御プログラム６５により一定量のＥＤフォー
マットデータが磁気ディスク６８からＤＭＡ ６３を通
り、フォーマントデータメモリ６０に伝達され貯えられ
、さらにファンクシ冒ンジェネレータ５９により台形要
素の集合体からなるＥＢフォーマットデータがドットパ
ターンデータに変換され、トンドパターンメモリ５８に
格納される。、そして、このドツトパターンがデータ読
出回路５７により絖み出され、ブランキング電極４５に
順次伝達されるものとなっている。
第４図に、上記原理に従って動作するバルサ７２の構成
例を示す。。
例を示す。。
レーザ測長系５２けＸ−Ｙステージ４９の移動量に応じ
てパルスを発生する。間引き回路あはスケーリングレジ
スタ８１の値Ｓに対応して測長系５２の出力パルスを間
引く。これによりカウンタ８５に保持されたステージの
現在位値ＸＭ、ＹＭけレジスタ８１内のスケーリング値
Ｓによって変化させることができる１、テップパタンを
描画するビームのビーム制御装置９０は、このカウンタ
８５の値によってデーク読出回路５７．偏向制御回路５
６を制御し、ビーム掃引開始位置、終了位置がスケーリ
ング値により変化する。従ってスケーリング値によりチ
ップパターンの拡大・縮小描画を行なうことができる。
てパルスを発生する。間引き回路あはスケーリングレジ
スタ８１の値Ｓに対応して測長系５２の出力パルスを間
引く。これによりカウンタ８５に保持されたステージの
現在位値ＸＭ、ＹＭけレジスタ８１内のスケーリング値
Ｓによって変化させることができる１、テップパタンを
描画するビームのビーム制御装置９０は、このカウンタ
８５の値によってデーク読出回路５７．偏向制御回路５
６を制御し、ビーム掃引開始位置、終了位置がスケーリ
ング値により変化する。従ってスケーリング値によりチ
ップパターンの拡大・縮小描画を行なうことができる。
この場合、従来の間引き回路のみを用いた装置では描画
しようとするＩＣバタン群の基板上での絶対位置をカウ
ンタ８５を用いるのみでは、２回収−ヒのスケーリング
値変更に対してビーム掃引開始位置、終了位置を求める
ことができない。
しようとするＩＣバタン群の基板上での絶対位置をカウ
ンタ８５を用いるのみでは、２回収−ヒのスケーリング
値変更に対してビーム掃引開始位置、終了位置を求める
ことができない。
従って、基板のプロセス条件等の制約による限界検査を
行うために、任意のスケーリング値に」二って拡大・縮
小されたパタン群を任意の位置に任意回描くといっだ目
的には適さない。
行うために、任意のスケーリング値に」二って拡大・縮
小されたパタン群を任意の位置に任意回描くといっだ目
的には適さない。
第４図において初期値を設定する場合、Ｘ−Ｙステージ
４９を機械的原点の位置に設定するとともニ一時レジス
タ８０に初期スケーリング値Ｓｒｄをセットし、座標開
始位置レジスタ８２に座標値Ｘ１．Ｙｌをセットする３
、初期スケーリング値Ｓｖ及び座標値Ｘ１゜￥１はコン
ソール７１から入力されてもよくまた予じめ制御プラグ
６５に記述されていてもよい。いずれにしても、計算機
６４がインクフェース６７を介してレジスタ８０．８２
にこれらの値をセットするとともに、同様にインタフェ
ース６７を介して初期値設定制御信号９４を演算装置８
６に与えると、演算装置８６はレジスタ韻の値Ｓｏをス
ケーリングレジスタ８１にセットする（Ｓ＝Ｓｏ）とと
もに原点座標保持メモリ８７に原点座標値Ｘ。、Ｙｏを
セットする１゜通常の描画時は、座標カウンタ８８に与
える座標値Ｘ、、Ｙ、を、演算装置８６が上記（１）式
に対応する次式に従ってこれを求める１、 Ｘ、−８−Ｘ、十Ｘ。
４９を機械的原点の位置に設定するとともニ一時レジス
タ８０に初期スケーリング値Ｓｒｄをセットし、座標開
始位置レジスタ８２に座標値Ｘ１．Ｙｌをセットする３
、初期スケーリング値Ｓｖ及び座標値Ｘ１゜￥１はコン
ソール７１から入力されてもよくまた予じめ制御プラグ
６５に記述されていてもよい。いずれにしても、計算機
６４がインクフェース６７を介してレジスタ８０．８２
にこれらの値をセットするとともに、同様にインタフェ
ース６７を介して初期値設定制御信号９４を演算装置８
６に与えると、演算装置８６はレジスタ韻の値Ｓｏをス
ケーリングレジスタ８１にセットする（Ｓ＝Ｓｏ）とと
もに原点座標保持メモリ８７に原点座標値Ｘ。、Ｙｏを
セットする１゜通常の描画時は、座標カウンタ８８に与
える座標値Ｘ、、Ｙ、を、演算装置８６が上記（１）式
に対応する次式に従ってこれを求める１、 Ｘ、−８−Ｘ、十Ｘ。
Ｙｔ＝ Ｓ −Ｙ、−１−’Ｙ。
これらの値と現在のステージの座標位置を与えるカウン
タ８５の値ＸＭ、ＹＭとを比較器８９により比較すれば
、一致した時が描画（ブランキング）の開始位置と々る
１、比較器８９の一致信号とビーム制御信号９５とをビ
ーム制御装置間に与えることにより任意のスケーリング
値Ｓによる拡大・縮小描画が可能である。
タ８５の値ＸＭ、ＹＭとを比較器８９により比較すれば
、一致した時が描画（ブランキング）の開始位置と々る
１、比較器８９の一致信号とビーム制御信号９５とをビ
ーム制御装置間に与えることにより任意のスケーリング
値Ｓによる拡大・縮小描画が可能である。
さて、任意の位置（Ｘ８． Ｙ、 ）においてスケーリ
ング値を８（”’Ｓｏ）から８（＝８１）に変更する場
合を説明する。
ング値を８（”’Ｓｏ）から８（＝８１）に変更する場
合を説明する。
まず計算機６４からインクフェース６７を介して新しい
スケーリング値Ｓ１と、その開始位置Ｘ、、Ｙ、を入力
しそれぞれレジスタ８０ 、８２にセ、・１・する１、
この状態でスケーリング変更制御信号９３が演算装置８
６に与えられると、演算装置８６は新しいスケーリング
値Ｓ１をスケーリングレジスタ８１にセットするととも
に、新しい座標系での原点座標Ｘ４．Ｙ、を求め原点座
標レジスタ８７にセットする。
スケーリング値Ｓ１と、その開始位置Ｘ、、Ｙ、を入力
しそれぞれレジスタ８０ 、８２にセ、・１・する１、
この状態でスケーリング変更制御信号９３が演算装置８
６に与えられると、演算装置８６は新しいスケーリング
値Ｓ１をスケーリングレジスタ８１にセットするととも
に、新しい座標系での原点座標Ｘ４．Ｙ、を求め原点座
標レジスタ８７にセットする。
新しい原点座標Ｘ、、Ｙ、は、」二記（５）式に対応す
る次式で示される１３ Ｘ４−（Ｓ−８） −Ｘｓ＋Ｘ。
る次式で示される１３ Ｘ４−（Ｓ−８） −Ｘｓ＋Ｘ。
Ｙ４−（Ｓ−８） −Ｙ、−１−Ｙ。
以後このＸ、、Ｙ、をＸｏ、Ｙｏとして扱えばスケーリ
ング値Ｓ（””Ｓ＋）での描画を行なうことができる。
ング値Ｓ（””Ｓ＋）での描画を行なうことができる。
〔発明の変形例〕
上記実施例ではパルサ７２中に演算装置等を設けること
により、任意位置から任意スケーリング値での拡大・縮
小描画を実現しているが、計算機６４０制御プログラム
６５内の１ルーチンとして上記演算機能を持たせるとと
もに各レジスタの内容を計算機の主メモリ内に保持する
ことにより実現することもできる。
により、任意位置から任意スケーリング値での拡大・縮
小描画を実現しているが、計算機６４０制御プログラム
６５内の１ルーチンとして上記演算機能を持たせるとと
もに各レジスタの内容を計算機の主メモリ内に保持する
ことにより実現することもできる。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための図、
第３図は本発明の実施例を示す図、第４図は本発明の一
実施例の主要部を示す図である。 ８１・・・スケーリングレジスタ、 ８２・・・座標位置レジスタ、 ８３・・・副長器、 ８４・・・間引き回路、 ８５・・・座標カウンタ、 ８６・・・演算装置、 ８７・・・原点座標保持メモリ、 ８８・・・座標カウンタ、 ８９・・・比較器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
第３図は本発明の実施例を示す図、第４図は本発明の一
実施例の主要部を示す図である。 ８１・・・スケーリングレジスタ、 ８２・・・座標位置レジスタ、 ８３・・・副長器、 ８４・・・間引き回路、 ８５・・・座標カウンタ、 ８６・・・演算装置、 ８７・・・原点座標保持メモリ、 ８８・・・座標カウンタ、 ８９・・・比較器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）
Claims (1)
- パターンが描画される試料を載置したステージの移動を
制御する手段、前記ステージの移動に応じたパルスを発
生する手段、前記パルスをスケーリング値に従って間引
くことによりパターンを拡大・縮小して試料に描画する
手段とを備えた描画装置において、ステージの原点座標
値を保持する原点座標保持手段と、スケーリング値を変
更時に、前記原点座標保持手段の内容と変更前後のスケ
ーリング値及び描画開始位置とから変更後の１点座標値
を演算する手段と、この手段によ）得られた原点座標値
を前記原点座標保持手段へ収容する手段とを備えたこと
を特徴とする描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551982A JPS58223324A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551982A JPS58223324A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223324A true JPS58223324A (ja) | 1983-12-24 |
| JPH0544171B2 JPH0544171B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=14409843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10551982A Granted JPS58223324A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282513A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107035A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Toshiba Mach Co Ltd | Drawing system by electron ray |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10551982A patent/JPS58223324A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107035A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Toshiba Mach Co Ltd | Drawing system by electron ray |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282513A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544171B2 (ja) | 1993-07-05 |
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