JPH0544171B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0544171B2 JPH0544171B2 JP57105519A JP10551982A JPH0544171B2 JP H0544171 B2 JPH0544171 B2 JP H0544171B2 JP 57105519 A JP57105519 A JP 57105519A JP 10551982 A JP10551982 A JP 10551982A JP H0544171 B2 JPH0544171 B2 JP H0544171B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scaling value
- stage
- input
- pattern
- start position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビームもしくはイオンビームを用
いた描画装置に関する。
いた描画装置に関する。
ICマスク基板等を電子ビーム描画装置で作成
する場合に於いて、ICの集積度を可能な限り上
げるために、同一基板上に異つたスケーリング値
をもつICパタン群を描画し、プロセスの評価と
集積度の限界検査を行うことがある。
する場合に於いて、ICの集積度を可能な限り上
げるために、同一基板上に異つたスケーリング値
をもつICパタン群を描画し、プロセスの評価と
集積度の限界検査を行うことがある。
この場合、従来はICパタン設計段階に於いて
異つたスケーリング値を持つパタンを作成し基板
上に配置するか、または異つた基板上に異つたス
ケーリング値を持つパタンを描画するかしてい
た。
異つたスケーリング値を持つパタンを作成し基板
上に配置するか、または異つた基板上に異つたス
ケーリング値を持つパタンを描画するかしてい
た。
これらの方法は、前者はパタン設計時に於ける
処理時間の増大をもたらし、後者は異つたプロセ
ス条件を与えるため、ICマスク生産性を下げる
ものであつた。
処理時間の増大をもたらし、後者は異つたプロセ
ス条件を与えるため、ICマスク生産性を下げる
ものであつた。
本発明の目的は、プロセス評価と集積度の限界
検査のための描画を操作者が現場で容易にこれら
の作業を行うことができ、この検査の結果、最適
と判断されたスケーリング値で目的とするマスク
の描画を行いマスクを生産することのできる描画
装置を提供するにある。
検査のための描画を操作者が現場で容易にこれら
の作業を行うことができ、この検査の結果、最適
と判断されたスケーリング値で目的とするマスク
の描画を行いマスクを生産することのできる描画
装置を提供するにある。
本発明は、ステージに載置された試料に対し、
予め用意されたパターンの描画を所望の位置から
開始する描画装置において、パターンのスケーリ
ング値及び描画開始位置を入力する入力手段と、
この入力手段から入力された描画開始位置を、ス
ケーリング値とステージの所定の基準位置とに基
づいて変換する変換手段と、この変換手段により
変換された描画開始位置とステージの現在位置と
比較する比較手段と、この比較手段による比較結
果が一致した時点からパターンの描画をスケーリ
ング値に基づいて開始する描画手段と、入力手段
によりスケーリング値と描画開始位置を変更する
際に、入力された変更後のスケーリング値と、変
更時のステージの位置と、変更前のスケーリング
値とから、ステージの新たな基準位置を求める演
算手段とを備え、この演算手段により求められた
新たな基準位置と変更後のスケーリング値とに基
づいて、入力された変更後の描画開始位置の座標
を変換手段により変換し、変換されたこの描画開
始位置とステージの現在位置とを比較手段により
比較し、比較結果が一致した時から新たなパター
ンの描画を描画手段により開始することを特徴と
するものである。
予め用意されたパターンの描画を所望の位置から
開始する描画装置において、パターンのスケーリ
ング値及び描画開始位置を入力する入力手段と、
この入力手段から入力された描画開始位置を、ス
ケーリング値とステージの所定の基準位置とに基
づいて変換する変換手段と、この変換手段により
変換された描画開始位置とステージの現在位置と
比較する比較手段と、この比較手段による比較結
果が一致した時点からパターンの描画をスケーリ
ング値に基づいて開始する描画手段と、入力手段
によりスケーリング値と描画開始位置を変更する
際に、入力された変更後のスケーリング値と、変
更時のステージの位置と、変更前のスケーリング
値とから、ステージの新たな基準位置を求める演
算手段とを備え、この演算手段により求められた
新たな基準位置と変更後のスケーリング値とに基
づいて、入力された変更後の描画開始位置の座標
を変換手段により変換し、変換されたこの描画開
始位置とステージの現在位置とを比較手段により
比較し、比較結果が一致した時から新たなパター
ンの描画を描画手段により開始することを特徴と
するものである。
本発明によれば、測長器よりのパルスを間引く
ことにより拡大・縮小描画を行う電子ビーム描画
装置に於て、描くべくICパタン群を同一基板上
に任意のスケーリングを任意回ほどこした描画を
行うことが可能となる。
ことにより拡大・縮小描画を行う電子ビーム描画
装置に於て、描くべくICパタン群を同一基板上
に任意のスケーリングを任意回ほどこした描画を
行うことが可能となる。
このため、ICパタン等の集積度上限検査が作
業現場に於ける操作員の手で容易に行えるように
なり作業効率を向上させる。
業現場に於ける操作員の手で容易に行えるように
なり作業効率を向上させる。
まず、第１図及び第２図を用いて本発明の原理
を説明する。
を説明する。
第１図に於いて座標系Q0，Q1があり、それぞ
れのスケーリング値はS0，S1であるとする。ま
た、以下の説明において、QQ及びXXはベクト
ルを表すものとし、S0＝１のとき、Q0系の原点
位置カウント値QQ0＝（Ｏ，Ｏ）とする。
れのスケーリング値はS0，S1であるとする。ま
た、以下の説明において、QQ及びXXはベクト
ルを表すものとし、S0＝１のとき、Q0系の原点
位置カウント値QQ0＝（Ｏ，Ｏ）とする。
この時、点ＡのQ0系、Q1系での位置をそれぞ
れXXA0，XXA1とし、Q1の原点のQ0系での位置
をQQ1とすると、これらは、(1)の関係を満す。
れXXA0，XXA1とし、Q1の原点のQ0系での位置
をQQ1とすると、これらは、(1)の関係を満す。
XXA0＝S1・XXA1＋QQ1 ……(1)
次に第２図において、任意の点Ｂでスケーリン
グ値をS1からS2に変更したとする。この変更後も
(1)式が成立するためには、QQ2の位置を求める必
要がある。そのために、次の準備をする。
グ値をS1からS2に変更したとする。この変更後も
(1)式が成立するためには、QQ2の位置を求める必
要がある。そのために、次の準備をする。
この変更を行つた時点で、次の式が成立する。
XXB0＝S2・XXB2＋QQ2 ……(2)
一方、
XXB0＝S1・XXB1＋QQ1 ……(3)
この２式(2)，(3)において、Ｂ点での位置カウン
タの値はQ1系、Q2系ともに等しい。即ち、 XXB2＝XXB1 ……(4) 従つて、以上の３式(2)，(3)，(4)より、変更後
の原点の位置QQ2は、 QQ2＝（S1−S2）・XXB2＋QQ1 ……(5) で与えられる。このQQ2を新しいQQ1とすれば、
この新しいQ2系とQ0系との関係は、常に(1)式で
与えられることになる。
タの値はQ1系、Q2系ともに等しい。即ち、 XXB2＝XXB1 ……(4) 従つて、以上の３式(2)，(3)，(4)より、変更後
の原点の位置QQ2は、 QQ2＝（S1−S2）・XXB2＋QQ1 ……(5) で与えられる。このQQ2を新しいQQ1とすれば、
この新しいQ2系とQ0系との関係は、常に(1)式で
与えられることになる。
以下、本発明の明細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第３図は本発明の一実施例に用いたステージ連
続移動形の電子ビーム描画装置を示す概略構成図
である。図中４１は電子銃、４２は第１コンデン
サレンズ、４３は第２コンデンサレンズ、４４は
対物レンズ、４５はブランキング電極、４６は偏
向電極であり、以上のサブシステムから電子光学
系が構成されている。また、４７は試料室、４８
は予備室、４９はＸ−Ｙステージ、５０は防振架
台、５１は電子光学系の電源、５２はレーザ測長
系、５３は駆動系、５４はＸ−Ｙステージ制御回
路、５６は偏向制御回路である。５７はデータ読
出回路、５８はドツトパターンメモリ、５９は電
子ビーム描画装置固有の入力パターンデータをド
ツトパターンに変換するためのフアクシヨンジエ
ネレータ、６０はパターンデータメモリ、６１は
制御回路であり、これら５７，〜，６１から描画
回路６２が構成されている。また、６３はダイレ
クトメモリアクセス（DMA）、６４は計算機、
６５はオペレーテイングシステム制御プログラ
ム、６６はCADで作られたチツプデータを電子
ビーム描画装置固有のデータフオーマツト（EB
フオーマツトデータ）に変換するためのフオーマ
ツト変換プログラムであり、これらのプログラム
はいずれも計算機６４の主メモリにストアされて
いる。６７はインタフエース、６８はEBフオー
マツトデータを格納するための磁気デイスク、７
０はCADシステム、７１はコンソールユニツト、
７２は同期信号発生回路（パルサ）である。
続移動形の電子ビーム描画装置を示す概略構成図
である。図中４１は電子銃、４２は第１コンデン
サレンズ、４３は第２コンデンサレンズ、４４は
対物レンズ、４５はブランキング電極、４６は偏
向電極であり、以上のサブシステムから電子光学
系が構成されている。また、４７は試料室、４８
は予備室、４９はＸ−Ｙステージ、５０は防振架
台、５１は電子光学系の電源、５２はレーザ測長
系、５３は駆動系、５４はＸ−Ｙステージ制御回
路、５６は偏向制御回路である。５７はデータ読
出回路、５８はドツトパターンメモリ、５９は電
子ビーム描画装置固有の入力パターンデータをド
ツトパターンに変換するためのフアクシヨンジエ
ネレータ、６０はパターンデータメモリ、６１は
制御回路であり、これら５７，〜，６１から描画
回路６２が構成されている。また、６３はダイレ
クトメモリアクセス（DMA）、６４は計算機、
６５はオペレーテイングシステム制御プログラ
ム、６６はCADで作られたチツプデータを電子
ビーム描画装置固有のデータフオーマツト（EB
フオーマツトデータ）に変換するためのフオーマ
ツト変換プログラムであり、これらのプログラム
はいずれも計算機６４の主メモリにストアされて
いる。６７はインタフエース、６８はEBフオー
マツトデータを格納するための磁気デイスク、７
０はCADシステム、７１はコンソールユニツト、
７２は同期信号発生回路（パルサ）である。
この装置では、CADシステム７０で設計され
磁気テープに記録されたパターンデータが磁気テ
ープ装置により読み取られる。そして、このパタ
ーンデータがフオーマツト変換プログラム６６に
よりEBフオーマツトデータに変換され、磁気デ
イスク装置６８に貯えられる。EBフオーマツト
データは、通常の電子ビーム露光に固有な台形表
現形式の要素の集合体からなるものである。コン
ソールユニツト７１からスケーリング値Ｓ、チツ
プパターン描画開始位置X1，Y1およびビーム照
射量を入力すると、計算機６４およびその制御プ
ログラム６５により電子ビームの直径、ビーム電
流、偏向振り幅、ステージ移動速度、分周率がそ
れぞれ制御され、しかるのちに描画が開始され
る。
磁気テープに記録されたパターンデータが磁気テ
ープ装置により読み取られる。そして、このパタ
ーンデータがフオーマツト変換プログラム６６に
よりEBフオーマツトデータに変換され、磁気デ
イスク装置６８に貯えられる。EBフオーマツト
データは、通常の電子ビーム露光に固有な台形表
現形式の要素の集合体からなるものである。コン
ソールユニツト７１からスケーリング値Ｓ、チツ
プパターン描画開始位置X1，Y1およびビーム照
射量を入力すると、計算機６４およびその制御プ
ログラム６５により電子ビームの直径、ビーム電
流、偏向振り幅、ステージ移動速度、分周率がそ
れぞれ制御され、しかるのちに描画が開始され
る。
Ｘ−Ｙステージ４９が位置X1，Y1に達する直
前に、制御プログラム６５により一定量のEDフ
オーマツトデータが磁気デイスク６８からDMA
６３を通り、パターンデータメモリ６０に伝達さ
れ貯えられ、さらにフアンクシヨンジエネレータ
５９により台形要素の集合体からなるEBフオー
マツトデータがドツトパターンデータに変換さ
れ、ドツトパターンメモリ５８に格納される。そ
して、このドツトパターンがデータ読出回路５７
により読み出され、ブランキング電極４５に順次
伝達されるものとなつている。
前に、制御プログラム６５により一定量のEDフ
オーマツトデータが磁気デイスク６８からDMA
６３を通り、パターンデータメモリ６０に伝達さ
れ貯えられ、さらにフアンクシヨンジエネレータ
５９により台形要素の集合体からなるEBフオー
マツトデータがドツトパターンデータに変換さ
れ、ドツトパターンメモリ５８に格納される。そ
して、このドツトパターンがデータ読出回路５７
により読み出され、ブランキング電極４５に順次
伝達されるものとなつている。
第４図に、上記原理に従つて動作するパルサ７
２の構成例を示す。
２の構成例を示す。
レーザ測長系５２はＸ−Ｙステージ４９の移動
量に応じてパルスを発生する。間引き回路８４は
スケーリングレジスタ８１の値Ｓに対応して測長
系５２の出力パルスを間引く。これによりカウン
タ８５に保持されたステージの現在位置XM，YM
はレジスタ８１内のスケーリング値Ｓによつて変
化させることができる。チツプパタンを描画する
ビームのビーム制御装置９０は、このカウンタ８
５の値によつてデータ読出回路５７、偏向制御回
路５６を制御し、ビーム掃引開始位置、終了位置
がスケーリング値により変化する。従つてスケー
リング値によりチツプパターンの拡大・縮小描画
を行なうことができる。
量に応じてパルスを発生する。間引き回路８４は
スケーリングレジスタ８１の値Ｓに対応して測長
系５２の出力パルスを間引く。これによりカウン
タ８５に保持されたステージの現在位置XM，YM
はレジスタ８１内のスケーリング値Ｓによつて変
化させることができる。チツプパタンを描画する
ビームのビーム制御装置９０は、このカウンタ８
５の値によつてデータ読出回路５７、偏向制御回
路５６を制御し、ビーム掃引開始位置、終了位置
がスケーリング値により変化する。従つてスケー
リング値によりチツプパターンの拡大・縮小描画
を行なうことができる。
この場合、従来の間引き回路のみを用いた装置
では描画しようとするICパタン群の基板上での
絶対位置をカウンタ８５を用いるのみでは、２回
以上のスケーリング値変更に対してビーム掃引開
始位置、終了位置を求めることができない。
では描画しようとするICパタン群の基板上での
絶対位置をカウンタ８５を用いるのみでは、２回
以上のスケーリング値変更に対してビーム掃引開
始位置、終了位置を求めることができない。
従つて、基板のプロセス条件等の制約による限
界検査を行うために、任意のスケーリング値によ
つて拡大・縮小されたパタン群を任意の位置に任
意回描くといつた目的には適さない。
界検査を行うために、任意のスケーリング値によ
つて拡大・縮小されたパタン群を任意の位置に任
意回描くといつた目的には適さない。
第４図において初期値を設定する場合、Ｘ−Ｙ
ステージ４９を機械的原点の位置に設定するとと
もに一時レジスタ８０に初期スケーリング値S0を
セツトし、座標開始位置レジスタ８２に座標値
X1，Y1をセツトする。初期スケーリング値S0及
び座標X1，Y1はコンソール７１から入力されて
もよくまた予じめ制御プラグ６５に記述されてい
てもよい。いずれにしても、計算機６４がインタ
フエース６７を介してレジスタ８０，８２にこれ
らの値をセツトするとともに、同様にインタフエ
ース６７を介して初期値設定制御信号９４を演算
装置８６に与えると、演算装置８６はレジスタ８
０の値S0をスケーリングレジスタ８１にセツトす
る（Ｓ＝S0）とともに原点座標保持メモリ８７に
原点座標値X0，Y0をセツトする。
ステージ４９を機械的原点の位置に設定するとと
もに一時レジスタ８０に初期スケーリング値S0を
セツトし、座標開始位置レジスタ８２に座標値
X1，Y1をセツトする。初期スケーリング値S0及
び座標X1，Y1はコンソール７１から入力されて
もよくまた予じめ制御プラグ６５に記述されてい
てもよい。いずれにしても、計算機６４がインタ
フエース６７を介してレジスタ８０，８２にこれ
らの値をセツトするとともに、同様にインタフエ
ース６７を介して初期値設定制御信号９４を演算
装置８６に与えると、演算装置８６はレジスタ８
０の値S0をスケーリングレジスタ８１にセツトす
る（Ｓ＝S0）とともに原点座標保持メモリ８７に
原点座標値X0，Y0をセツトする。
通常の描画時は、座標カウンタ８８に与える座
標値X2，Y2を、演算装置８６が上記(1)式に対応
する次式に従つてこれを求める。
標値X2，Y2を、演算装置８６が上記(1)式に対応
する次式に従つてこれを求める。
X2＝Ｓ・X1＋X0
Y2＝Ｓ・Y1＋Y0
これらの値と現在のステージの座標位置を与え
るカウンタ８５の値XM，YMとを比較器８９によ
り比較すれば、一致した時が描画（グランキン
グ）の開始位置となる。比較器８９の一致信号と
ビーム制御信号９５とをビーム制御装置９０に与
えられることにより任意のスケーリング値Ｓによ
る拡大・縮小描画が可能である。
るカウンタ８５の値XM，YMとを比較器８９によ
り比較すれば、一致した時が描画（グランキン
グ）の開始位置となる。比較器８９の一致信号と
ビーム制御信号９５とをビーム制御装置９０に与
えられることにより任意のスケーリング値Ｓによ
る拡大・縮小描画が可能である。
さて、任意の位置X3，Y3においてスケーリン
グ値をＳ（＝S0）からS′（Ｓ＝S1）に変更する場合
を説明する。
グ値をＳ（＝S0）からS′（Ｓ＝S1）に変更する場合
を説明する。
まず計算機６４からインタフエース６７を介し
て新しいスケーリング値S1と、その開始位置X3，
Y3を入力しそれぞれレジスタ８０，８２にセツ
トする。この状態でスケーリング変更制御信号９
３が演算装置８６に与えられると、演算装置８６
は新しいスケーリング値S1をスケーリングレジス
タ８１にセツトするとともに、新しい座標系での
原点座標X4，Y4を求め原点座標レジスタ８７に
セツトする。
て新しいスケーリング値S1と、その開始位置X3，
Y3を入力しそれぞれレジスタ８０，８２にセツ
トする。この状態でスケーリング変更制御信号９
３が演算装置８６に与えられると、演算装置８６
は新しいスケーリング値S1をスケーリングレジス
タ８１にセツトするとともに、新しい座標系での
原点座標X4，Y4を求め原点座標レジスタ８７に
セツトする。
新しい原点座標X4，Y4は、上記(5)式に対応す
る次式で示される。
る次式で示される。
X4＝（Ｓ−S′）・X3＋X0
Y4＝（Ｓ−S′）・Y3＋Y0
以後このX4，Y4をX0，Y0として扱えばスケー
リング値S′（＝S1）での描画を行なうことができ
る。
リング値S′（＝S1）での描画を行なうことができ
る。
上記実施例ではパルサ７２中に演算装置等を設
けることにより、任意位置から任意スケーリング
値での拡大・縮小描画を実現しているが、計算機
６４の制御プログラム６５内の１ルーチンとして
上記演算機能を持たせるとともに各レジスタの内
容を計算機の主メモリ内に保持することにより実
現することもできる。
けることにより、任意位置から任意スケーリング
値での拡大・縮小描画を実現しているが、計算機
６４の制御プログラム６５内の１ルーチンとして
上記演算機能を持たせるとともに各レジスタの内
容を計算機の主メモリ内に保持することにより実
現することもできる。
第１図及び第２図は本発明の原理を説明するた
めの図、第３図は本発明の実施例を示す図、第４
図は本発明の一実施例の主要部を示す図である。 ８１……スケーリングレジスタ、８２……座標
位置レジスタ、８３……測長器、８４……間引き
回路、８５……座標カウンタ、８６……演算装
置、８７……原点座標保持メモリ、８８……座標
カウンタ、８９……比較器。
めの図、第３図は本発明の実施例を示す図、第４
図は本発明の一実施例の主要部を示す図である。 ８１……スケーリングレジスタ、８２……座標
位置レジスタ、８３……測長器、８４……間引き
回路、８５……座標カウンタ、８６……演算装
置、８７……原点座標保持メモリ、８８……座標
カウンタ、８９……比較器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ステージに載置された試料に対し、予め用意
されたパターンの描画を所望の位置から開始する
描画装置において、 前記パターンのスケーリング値及び描画開始位
置を入力する入力手段と、 この入力手段から入力された描画開始位置を、
前記スケーリング値とを前記ステージの所定の基
準位置とに基づいて変換する変換手段と、 この変換手段により変換された描画開始位置と
前記ステージの現在位置とを比較する比較手段
と、 この比較手段による比較結果が一致した時点か
ら前記パターンの描画を前記スケーリング値に基
づいて開始する描画手段と、 前記入力手段により前記スケーリング値と前記
描画開始位置を変更する際に、入力された変更後
のスケーリング値と、変更時の前記ステージの位
置と、変更前のスケーリング値とから、前記ステ
ージの新たな基準位置を求める演算手段とを備
え、 この演算手段により求められた新たな基準位置
と前記変更後のスケーリング値とに基づいて、入
力された変更後の描画開始位置の座標を前記変換
手段により変換し、変換されたこの描画開始位置
と前記ステージの現在位置とを前記比較手段によ
り比較し、比較結果が一致した時から新たなパタ
ーンの描画を前記描画手段により開始することを
特徴とする描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551982A JPS58223324A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551982A JPS58223324A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223324A JPS58223324A (ja) | 1983-12-24 |
| JPH0544171B2 true JPH0544171B2 (ja) | 1993-07-05 |
Family
ID=14409843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10551982A Granted JPS58223324A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223324A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0282513A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-23 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107035A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Toshiba Mach Co Ltd | Drawing system by electron ray |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10551982A patent/JPS58223324A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107035A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Toshiba Mach Co Ltd | Drawing system by electron ray |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58223324A (ja) | 1983-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5958586A (ja) | マスクの検査方法および装置 | |
| JPH0544171B2 (ja) | ||
| JPH074492Y2 (ja) | 走査型トンネル顕微鏡 | |
| JPS6316771B2 (ja) | ||
| JPS6066427A (ja) | 二次元パタ−ン発生装置 | |
| JPS59139640A (ja) | 集積回路測定装置 | |
| JPH0519164B2 (ja) | ||
| JPH0644362A (ja) | パターンマッチング方法 | |
| JP2577970B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPS58108741A (ja) | 電子ビ−ム描画装置 | |
| JPS61226793A (ja) | カ−ソル移動制御装置 | |
| JPH01108549A (ja) | 印刷配線板原画の作画装置 | |
| SU596934A1 (ru) | Генератор элементарных функций | |
| JPS62120940A (ja) | 工作機械の加工情報作成装置 | |
| JPS6038288Y2 (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH02146681A (ja) | 等高線抽出方式 | |
| JPS5844714A (ja) | 図形変換器 | |
| JPS6252350B2 (ja) | ||
| JPS6042758A (ja) | プリント板原画の作画装置 | |
| JPS5820038B2 (ja) | 直線発生装置 | |
| JPH0434949A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPH0231413A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPS59117116A (ja) | 描画装置 | |
| JPH03108712A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JPH1091806A (ja) | 曲線入力方式 |