JPS6066427A - 二次元パタ−ン発生装置 - Google Patents

二次元パタ−ン発生装置

Info

Publication number
JPS6066427A
JPS6066427A JP58175895A JP17589583A JPS6066427A JP S6066427 A JPS6066427 A JP S6066427A JP 58175895 A JP58175895 A JP 58175895A JP 17589583 A JP17589583 A JP 17589583A JP S6066427 A JPS6066427 A JP S6066427A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
counter
terminal
outputs
converter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58175895A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Morimoto
森本 博明
Yaichiro Watakabe
渡壁 弥一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58175895A priority Critical patent/JPS6066427A/ja
Publication of JPS6066427A publication Critical patent/JPS6066427A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は比較的低速のD/Aコンバータニヨッても、
高速・高精度なパターンを発生することができる二次元
パターン発生装置に関するものである。
〔従来技術〕
近年・半導体デバイスなどの製造において、光学的限界
を超えた微細なパターンを発生する手段として、電子ビ
ーム露光やイオンビーム露光などの荷電ビーム露光が用
いられる。このような露光方法においては所望のパター
ンデータに応じて荷電ビームを静電力または電磁力によ
り曲げ(偏向)たり、オン・オフ(ブランキング)を行
なって、二次元パターンを発生している。
しかしながら、従来の二次元パターン発生装置ではこの
パターン発生を高速かつ高精度に行なうため、高速・高
精度のD/Aコンバータが必要である。このため、電子
回路も複雑で、かつ高価なものになる欠点があった。
〔発明の概要〕
したがって、この発明の目的は比較的低速なり/Aコン
バータを用いて、簡単かつ安価に、高速・高精度なパタ
ーン発生を可能にする二次元パターン発生装置を提供す
るものである。
このような目的を達成するため、この発明は所定の形状
を複数本の線分に分割し、各線分の始点および終点の位
置を算出する演算回路と、その始点と終点の位置に見合
うだけのディジタル−量の範囲でカウントアツプまたは
カウントダウンを行なうカウンタと、このカウンタがカ
ウント動作している間だけビーム・オン信号を発生する
タイミング回路と、前記カウンタの出力信号を荷電ビー
ム偏向用アナログ信号に変換するD/Aコンバータトを
備えるものであり、以下実施例を用いて詳細に説明する
〔発明の実施例〕
第1図はこの発明に係る二次元パターン発生装置の一実
施例を示すブロック図である。同図において、1は例え
ば第2゛図に示す台形を露光するため、所定の座標デー
タを出力する制御用コンピュータ、2はクロック周波数
データFQを出力する端子2a、スタート信号STを出
力する端子2b。
Y方向の位置データDYを出力する端子2C,X方向の
スキャン終了位置データDXEを出力する端子2d、X
方向のスキャン開始位置データDX8を出力する端子2
e、スキャン方向信号DIRDCを出力する端子2fを
備え、前記制御用コンピュータ1から送られてくる座標
データから上記各端子から偏向・ブランキングに必要な
信号を発生する演算回路、3はスキャン方向信号DIR
ECの入力によりアップ/ダウン動作し、X方向のディ
ジタル・スキャン信号を発生するカウンタ、4はX方向
のD/Aコンバータ、5はX方向の偏向信号増幅器、6
はX方向の偏向装置、TはY方向のD/Aコンバータ、
8はY方向の偏向信号増幅器、9はY方向の偏向装置、
10はX方向のディジタル・スキャン信号とスキャン終
了位置データDXEとを比較する比較回路、11は演算
回路2から入力するスタート信号により、クロック信号
CLKを出力する端子11a1ビーム・オン信号を出力
する端子11b、1スキャン分が終了した旨の終了信号
ENを出力する端子11bを備えたタイミング回路、1
2はブランキング信号を増幅するブランキング増幅器、
13はブランキング装置である。
なお、パターンデータは所望の形状、例えば第2図に示
すように台形に分割しており、左下の頂点の座標を(x
、y)、底辺の幅をW、高さをHとし、上底と下底の左
側の差をXI、右側の差をX2とする。したがって、こ
の台形を露光する際の手順を第3図に示す。この場合、
第2図に示された各データをもとこ、ビームを位置PI
にもっていき、ビームをオンすると同時に指定された速
度でX方向lこ偏向を開始し、終点P2において、偏向
を停止すると同時にビームをオフする。次に、始点P3
まで移動し、反射方向に同様の要領で終点P4までビー
ムスキャンを行なう。この動作を順次くりかえしするこ
とにより、1つの台形の露光が行なわれる。すなわち、
1つの台形をX方向に1スキャン分ず°つ分解して順次
露光を行う。
次1こ、上記構成による二次元パターン発生装置の動作
について説明する。まず、制御用コンピュータ1から露
光すべき台形(第2図参照)のデータ(座標データX、
Y、W、H,Xl、X2およびクロック周波数など)を
演算回路2に出力する。
したがって、この演算回路2は端子2aからクロック周
波数データFQを出力し、そして、各スキャンに対応し
て、端子20〜端子2fからそれぞれ 。
Y方向の位置データDY、X方向のスキャン終了位置デ
ータDXE、X方向のスキャン開始位置データDX8.
スキャン方向信号DIREICを出力する。したがって
、カウンタ3はこのX方向のスキャン開始位置データD
XSの入力により、プリセットされると共に、スキャン
方向信号DIRECの入力により、アップカウントにセ
ットされる。また、比較回路10はその図示せぬレジス
タに、このX方向のスキャン終了位置データDXEがセ
ットされる。
また、Y方向のD/AコンバータTはY方向の位置デー
タDYの入力により動作する。このため、このD/Aコ
ンバータTの出力信号はY方向の偏向信号増幅器8によ
り増幅されたのち、Y方向の偏向装置9に入力するので
、ビームはY方向Jこ所望の偏向が行なわれる。一方、
X方向に対しては、カウンタ3にプリセットされたX方
向のスキャン開始信号データDI8はD/Aコンバータ
4によりアナログ信号に変換される。そして、このアナ
ログ信号はX方向の偏向信号増幅器5により増幅された
のち、X方向の偏向装置6により、ビームは偏向を受け
、スキャン開始位置まで移動する。そして、これらのデ
ータが演算回路2にセットされると、端子2bからスタ
ート信号STがタイミング回路11に出力される。この
ため、タイミング回路11はこのスタート信号STの入
力Iこより動作し、端子11aから定められた周波数の
クロック信号CLKをカウンタ3に出力すると共に、端
子11bからビーム・オン信号を出力する。このため、
このカウンタ3はこのクロック信号CLKの入力によっ
て動作し、予め設定されたX方向のスキャン開始位置デ
ータDXSからカウントアツプ(またはカウントダウン
)する。このため、ビームはスキャンを開始する。そし
て、このカウンタ3の出力値が比較回路10にプリセッ
トされたX方向のスキャン終了位置データDXBと等し
くなると、この比較回路10は一致信号BQを出力する
。したがって、タイミング回路11はこの一致信号IQ
の入力によって直ちにビーム・オフ信号を出力し、クロ
ック信号CLKを止め、演算回路2に終了信号ENを出
力する。この演算回路2はこの終了信号BNの入力によ
ってスキャン方向を逆(スキャン方向信号DIRBCを
変え)#こし、次のスキャンデータを計算して、次のス
キャンを開始する。したがって、上述の動作を順次くり
返すことによって、第2図に示す台形を露光することが
できる。なお、上記X方向のD/人コンバータ4および
Y方向のD/AコンバータTの入力データは露光時には
必ず1ビツトずつしか変化しないために、動作周波数に
比し、比較的低動作のD/Aコンバータを用いろことが
可能である。例えば、IMHzで回路を動作させ、かつ
1ビツトの1710の精度を必要とするときlこは、一
般的にフル・スケール10 r) n5ecの変換時間
を持つD/Aコンバータを必要とするが、第1図の実施
例では上述したよう4こ、D/Aコンバータの入力値が
1ビツトずつしか変化しないために、1ビット当りの変
換時間が100 n5ecあるD/Aコンバータを用い
れば同等の性能を出ずことができる。
すなわち、フル・スケール当りの変換時間が200ns
ec以上の比較的低速のD/Aコンバータでも十分性能
を保証できる。このため、回路が簡単で、かつ安価な高
速・高精度の二次元パターンを発生することができる。
〔発明の効果〕
以上、詳細に説明したように、この発明に係る二次元パ
ターン発生装置によれば動作周波数に比し1.比較的低
速動作のD/Aコンバータを用いても、高速・高精度の
パターン発生・)S可能iこなるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る二次元パターン発生装置の一実
施例を示むブロク・り図、第2図は第1図1こおける露
光すべき台形およびその座標データを示す図、第3図は
第1図におけるビームスキャンの方向を示す図である。 1・・・・制御用コンピュータ、2・・・・演算回路、
2a〜2f・・・・端子、3・・・・カウンタ、4・・
・・D/Aコンバータ、5・・・・偏向信号増幅器、6
・・・・偏向装置、7・・・−D/Aコンバータ、8・
・・・偏向信号増幅器、9・・・・偏向装置、10・・
・・比較回路、11・・・・タイミング回路。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増堆

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所定の形状を複数本の線分に分割し、各線分の始点およ
    び終点の位置を算出する演算回路と、その始点と終点の
    位置に見合うだけのディジタル量の範囲でカウントアツ
    プまたはカウントダウンを行なうカウンタと、このカウ
    ンタがカウント動作している間だけビーム・オン信号を
    発生するタイミング回路と、前記カウンタの出力信号を
    荷電ビーム偏向用アナログ信号に変換するD/Aコンバ
    ータとを備えたことを特徴とする二次元パターン発生装
    置。
JP58175895A 1983-09-21 1983-09-21 二次元パタ−ン発生装置 Pending JPS6066427A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58175895A JPS6066427A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 二次元パタ−ン発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58175895A JPS6066427A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 二次元パタ−ン発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6066427A true JPS6066427A (ja) 1985-04-16

Family

ID=16004099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58175895A Pending JPS6066427A (ja) 1983-09-21 1983-09-21 二次元パタ−ン発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6066427A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016076654A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JP2019117961A (ja) * 2019-04-25 2019-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016076654A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JP2019117961A (ja) * 2019-04-25 2019-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3666267B2 (ja) 荷電粒子ビーム走査式自動検査装置
KR900004052B1 (ko) 전자비임 노출시스템
JPH0513037A (ja) 荷電粒子ビーム装置及びその制御方法
US3506875A (en) Pen-tracking system in cathode-ray tube display equipment
JPH0888160A (ja) マスク並びにこれを用いる荷電粒子ビーム露光方法及び装置
JPS6066427A (ja) 二次元パタ−ン発生装置
JPS6219047B2 (ja)
GB1452348A (en) Device for the accurate positioning of an object holder in relation to the elements of an electron optical system
JPS6038288Y2 (ja) 電子ビ−ム露光装置
SU1418905A1 (ru) Преобразователь временного интервала в код
JPH0544171B2 (ja)
JPS5914082A (ja) 座標検知装置
JPH09161715A (ja) 電子線描画装置
JPS5933969B2 (ja) 電子線露光方法
CN117471869A (zh) 一种图形发生器
SU682918A1 (ru) Устройство дл отображени информации на экране электроннолучевой трубки
SU938930A1 (ru) Векторкардиограф
JPS58200536A (ja) 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式
JP2000228342A (ja) 露光装置
CN116415392A (zh) 基于System Generator的运动目标仿真实现装置、系统及光刻设备
CN117331875A (zh) 一种基于vpx总线的图形发生器电路系统
SU1292020A1 (ru) Устройство дл считывани графической информации
JP3468604B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JPS62213255A (ja) 電子線描画制御方式
JPS60206134A (ja) 微細加工方法