JPS6234134B2 - - Google Patents
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- JPS6234134B2 JPS6234134B2 JP56209762A JP20976281A JPS6234134B2 JP S6234134 B2 JPS6234134 B2 JP S6234134B2 JP 56209762 A JP56209762 A JP 56209762A JP 20976281 A JP20976281 A JP 20976281A JP S6234134 B2 JPS6234134 B2 JP S6234134B2
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- Japan
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- exposure
- deflection
- sub
- main field
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- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 27
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は走査形電子ビーム露光装置における電
子ビーム露光方法に関する。
子ビーム露光方法に関する。
(2) 技術の背景
近年、半導体製造技術においては、光によるリ
ソグラフイに代り、より微細パターン加工に有利
な電子ビームによるリソグラフイが実用化されつ
つある。特に、走査形電子ビーム露光装置を用い
ると、パターンの作成にマスクを使用せず且つコ
ンピユータ制御で行うので、マスク製造の時間が
不要になると共に、マスクによる誤差や欠陥が減
少し、しかもパターンに対する融通性が高くな
る。
ソグラフイに代り、より微細パターン加工に有利
な電子ビームによるリソグラフイが実用化されつ
つある。特に、走査形電子ビーム露光装置を用い
ると、パターンの作成にマスクを使用せず且つコ
ンピユータ制御で行うので、マスク製造の時間が
不要になると共に、マスクによる誤差や欠陥が減
少し、しかもパターンに対する融通性が高くな
る。
(3) 従来技術と問題点
電子ビーム露光装置においては、電子ビームの
偏向角が大きくなると、パターンに生ずる歪が大
きくなる。このため、従来、電子ビームの露光範
囲は２〜５mm角に限定され、従つて、マスクパタ
ーン設計データを予め露光範囲毎に分割し、試料
たとえばウエーハ受け台（ステージ）を移動させ
ながら部分毎に露光し、これらをつなぎ合わせて
いた。
偏向角が大きくなると、パターンに生ずる歪が大
きくなる。このため、従来、電子ビームの露光範
囲は２〜５mm角に限定され、従つて、マスクパタ
ーン設計データを予め露光範囲毎に分割し、試料
たとえばウエーハ受け台（ステージ）を移動させ
ながら部分毎に露光し、これらをつなぎ合わせて
いた。
しかしながら、上述の従来方法においては、露
光範囲が小さいためにステージの移動回数が多く
なり、従つて、それに伴う試料位置合わせ（補
正）回数も多くなり、この結果、露光処理時間が
長くなるという問題点があつた。
光範囲が小さいためにステージの移動回数が多く
なり、従つて、それに伴う試料位置合わせ（補
正）回数も多くなり、この結果、露光処理時間が
長くなるという問題点があつた。
(4) 発明の目的
本発明の目的は、一露光範囲（以下、メインフ
イールドとする）を複数のサブ露光範囲（以下、
サブフイールドとする）に分割し、メインフイー
ルド内の電子ビーム偏向と各サブフイールド内の
電子ビーム偏向とを相異なる偏向手段、たとえば
速度の小さい電磁偏向手段および速度の大きい電
磁偏向手段を用いるという構想にもとづき、露光
範囲を大きくし、従つて、ステージの移動毎に行
う試料位置合わせ回数を少なくして露光処理時間
を短縮し、前述の従来方法における問題点を解決
することにある。
イールドとする）を複数のサブ露光範囲（以下、
サブフイールドとする）に分割し、メインフイー
ルド内の電子ビーム偏向と各サブフイールド内の
電子ビーム偏向とを相異なる偏向手段、たとえば
速度の小さい電磁偏向手段および速度の大きい電
磁偏向手段を用いるという構想にもとづき、露光
範囲を大きくし、従つて、ステージの移動毎に行
う試料位置合わせ回数を少なくして露光処理時間
を短縮し、前述の従来方法における問題点を解決
することにある。
(5) 発明の実施例
以下、図面により本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明の電子ビーム露光方法に係る基
本メツシユを示す図である。第１図において、１
はメインフイールド、２はサブフイールドを示
す。メインフイールド１はたとえば10mm角、サブ
フイールド２はたとえば100μｍ角である。従つ
て、この場合、メインフイールド１は10000個の
サブフイールド２から構成される。第１図に示す
基本メツシユには、フイールド１全体における座
標系（X′，Y′）、および各サブフイールド２にお
ける座標系（x′，y′）が与えられている。これら
の座標値は、電子ビーム露光装置の電子ビーム歪
のために、設計データとして与える座標値と異な
る。すなわち、設計データとして与えるフイール
ド１全体における座標系を（Ｘ，Ｙ）とすれば、
（X′，Y′）は、 で表わされる。ただし、ＧnX，ＧnY，ＲnX，ＲnY
は伸縮率あるいは回転を示す補正係数である。ま
た、設計データとして与える各サブフイールド２
における座標系を（ｘ，ｙ）とすれば、（x′，
y′）は で表わせる。ただし、ＧSX，ＧSY，ＲSX，ＲSYも
同様な補正係数である。(1)における補正係数Ｇn
Ｘ，ＧnY，ＲnX，ＲnY，および各10000個の(2)式
における補正係数ＧSX，ＧSY，ＲSX，ＲSYは電子
ビーム露光装置固有の値であつて、予め演算して
ROM等に記憶されている。
本メツシユを示す図である。第１図において、１
はメインフイールド、２はサブフイールドを示
す。メインフイールド１はたとえば10mm角、サブ
フイールド２はたとえば100μｍ角である。従つ
て、この場合、メインフイールド１は10000個の
サブフイールド２から構成される。第１図に示す
基本メツシユには、フイールド１全体における座
標系（X′，Y′）、および各サブフイールド２にお
ける座標系（x′，y′）が与えられている。これら
の座標値は、電子ビーム露光装置の電子ビーム歪
のために、設計データとして与える座標値と異な
る。すなわち、設計データとして与えるフイール
ド１全体における座標系を（Ｘ，Ｙ）とすれば、
（X′，Y′）は、 で表わされる。ただし、ＧnX，ＧnY，ＲnX，ＲnY
は伸縮率あるいは回転を示す補正係数である。ま
た、設計データとして与える各サブフイールド２
における座標系を（ｘ，ｙ）とすれば、（x′，
y′）は で表わせる。ただし、ＧSX，ＧSY，ＲSX，ＲSYも
同様な補正係数である。(1)における補正係数Ｇn
Ｘ，ＧnY，ＲnX，ＲnY，および各10000個の(2)式
における補正係数ＧSX，ＧSY，ＲSX，ＲSYは電子
ビーム露光装置固有の値であつて、予め演算して
ROM等に記憶されている。
第２図は本発明に係る複数の露光範囲に分割さ
れた試料を示す図である。第２図においては、３
は試料たとえばウエーハを示す。ウエーハ３はス
テージ（図示せず）に装着され、メインフイール
ド１の大きさ毎にＸ―あるいはＹ―方向に移動さ
れる。位置合わせは各メインフイールド１毎に行
われる。すなわち、ウエーハは製造中に発生する
反り、伸縮、回転等により、メインフイールドが
下パターンに必ずしも一致しないので、ステージ
の移動毎に下パターンに含まれる基準位置マーク
を用いてウエーハ位置補正係数を求める必要があ
る。この場合のウエーハ位置補正係数をＧWX，Ｇ
WY，ＲWX，ＲWYとすれば、(1)式は、 に置換される。また、同様に、各サブフイールド
２に対してもウエーハ位置補正係数を必要とする
が、サブフイールド２の数は１個のメインフイー
ルド１当りたとえば10000個と膨大であり、各サ
ブフイールド２に対するウエーハ位置補正係数を
求めることは処理時間を長くすることになる。従
つて、これを避けるために、メインフイールド１
の電子ビーム歪補正係数（ＧnX，ＧnY，ＲnX，Ｒ
nY）とウエーハ位置補正係数（ＧWX，ＧWY，ＲW
Ｘ，ＲWYとの差（正確には(2)′に示す）を全サブ
フイールド２に対して共通の補正係数として付加
している。すなわち、この場合、(2)式は、 に置換される。
れた試料を示す図である。第２図においては、３
は試料たとえばウエーハを示す。ウエーハ３はス
テージ（図示せず）に装着され、メインフイール
ド１の大きさ毎にＸ―あるいはＹ―方向に移動さ
れる。位置合わせは各メインフイールド１毎に行
われる。すなわち、ウエーハは製造中に発生する
反り、伸縮、回転等により、メインフイールドが
下パターンに必ずしも一致しないので、ステージ
の移動毎に下パターンに含まれる基準位置マーク
を用いてウエーハ位置補正係数を求める必要があ
る。この場合のウエーハ位置補正係数をＧWX，Ｇ
WY，ＲWX，ＲWYとすれば、(1)式は、 に置換される。また、同様に、各サブフイールド
２に対してもウエーハ位置補正係数を必要とする
が、サブフイールド２の数は１個のメインフイー
ルド１当りたとえば10000個と膨大であり、各サ
ブフイールド２に対するウエーハ位置補正係数を
求めることは処理時間を長くすることになる。従
つて、これを避けるために、メインフイールド１
の電子ビーム歪補正係数（ＧnX，ＧnY，ＲnX，Ｒ
nY）とウエーハ位置補正係数（ＧWX，ＧWY，ＲW
Ｘ，ＲWYとの差（正確には(2)′に示す）を全サブ
フイールド２に対して共通の補正係数として付加
している。すなわち、この場合、(2)式は、 に置換される。
第３図は本発明の一実施例としての電子ビーム
露光方法を実行する装置を示すブロツク回路図で
ある。第３図において、１１はCPU，１２はバ
ツフアメモリ，１３はパターン発生部であり、
CPU１１はバツフアメモリ１２、パターン発生
部１３を介して設計データとしての、メインフイ
ールド１内の座標値（Ｘ，Ｙ）、該座標値（Ｘ，
Ｙ）によつて指定されたサブフイールド２内の座
標値（ｘ，ｙ）を発生させる。メイン偏向補正部
１４は、座標値（Ｘ，Ｙ）、予め計算されたメイ
ンフイールド１の電子ビーム歪補正係数（ＧnX，
ＧnY，ＲnX，ＲnY）およびステージの移動毎に計
算されたウエーハ位置補正係数（ＧWX，ＧWY，Ｒ
WX，ＲWY）を用いて(1)′式にもとづく演算を行う
ものであり、その各出力座標値（X′，Y′）は
Ｄ／Ａ変換器１５によつてアナログ電圧に変換さ
れ、増幅器１６を介して偏向手段１７を駆動させ
る。この偏向手段１７はたとえば比較的動作速度
が小さい電磁偏向コイルである。また、サブ偏向
補正部１８は、各サブフイールド２に対して予め
計算された電子ビーム歪補正係数ＧSX，ＧSY，Ｒ
SX，ＲSYおよびステージの移動毎に計算された補
正係数（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を用いて(2)′式にもと
づく計算を行うものである。この場合、補正係数
（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）は(2)′式における第２項の補正
係数を示しており、近似的に、 Ａ＝ＧWX−ＧnX Ｂ＝ＲWX−ＲnX Ｃ＝ＧWY−ＧnY Ｄ＝ＲWY−ＲWY と表わしたものであつて、従つて、(2)′式を、 と表わしたものである。もちろん、(2)′式自身を
直接用いて計算する方が正確であることは言うま
でもない。この結果、サブ偏向補正部１８の出力
座標値（x′，y′）はＤ／Ａ変換器１９によつてア
ナログ電圧に変換され、増幅器２０を介して偏向
手段たとえば動作速度の大きい静電偏向コンデン
サ２１を駆動させる。なお各要素15〜17、および
各要素19〜21は、X′，Y′座標あるいはx′，y′座標
に従つて２系列存在するが、簡略化のために１系
列のみを図示してある。
露光方法を実行する装置を示すブロツク回路図で
ある。第３図において、１１はCPU，１２はバ
ツフアメモリ，１３はパターン発生部であり、
CPU１１はバツフアメモリ１２、パターン発生
部１３を介して設計データとしての、メインフイ
ールド１内の座標値（Ｘ，Ｙ）、該座標値（Ｘ，
Ｙ）によつて指定されたサブフイールド２内の座
標値（ｘ，ｙ）を発生させる。メイン偏向補正部
１４は、座標値（Ｘ，Ｙ）、予め計算されたメイ
ンフイールド１の電子ビーム歪補正係数（ＧnX，
ＧnY，ＲnX，ＲnY）およびステージの移動毎に計
算されたウエーハ位置補正係数（ＧWX，ＧWY，Ｒ
WX，ＲWY）を用いて(1)′式にもとづく演算を行う
ものであり、その各出力座標値（X′，Y′）は
Ｄ／Ａ変換器１５によつてアナログ電圧に変換さ
れ、増幅器１６を介して偏向手段１７を駆動させ
る。この偏向手段１７はたとえば比較的動作速度
が小さい電磁偏向コイルである。また、サブ偏向
補正部１８は、各サブフイールド２に対して予め
計算された電子ビーム歪補正係数ＧSX，ＧSY，Ｒ
SX，ＲSYおよびステージの移動毎に計算された補
正係数（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を用いて(2)′式にもと
づく計算を行うものである。この場合、補正係数
（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）は(2)′式における第２項の補正
係数を示しており、近似的に、 Ａ＝ＧWX−ＧnX Ｂ＝ＲWX−ＲnX Ｃ＝ＧWY−ＧnY Ｄ＝ＲWY−ＲWY と表わしたものであつて、従つて、(2)′式を、 と表わしたものである。もちろん、(2)′式自身を
直接用いて計算する方が正確であることは言うま
でもない。この結果、サブ偏向補正部１８の出力
座標値（x′，y′）はＤ／Ａ変換器１９によつてア
ナログ電圧に変換され、増幅器２０を介して偏向
手段たとえば動作速度の大きい静電偏向コンデン
サ２１を駆動させる。なお各要素15〜17、および
各要素19〜21は、X′，Y′座標あるいはx′，y′座標
に従つて２系列存在するが、簡略化のために１系
列のみを図示してある。
第３図において、ウエーハ位置補正係数（ＧW
Ｘ，ＧWY，ＲWX，ＲWY）は位置合わせ装置２２を
用いてウエーハ上の基準位置マークからたとえば
反射電子の変化を検出することによつて得られる
ものである。
Ｘ，ＧWY，ＲWX，ＲWY）は位置合わせ装置２２を
用いてウエーハ上の基準位置マークからたとえば
反射電子の変化を検出することによつて得られる
ものである。
(6) 発明の効果
以上説明したように本発明によれば、メインフ
イールド（露光範囲）を複数のサブフイールド
（サブ露光範囲）に分割し、これらメインフイー
ルド、サブフイールドの偏向手段を異ならせてい
るので、メインフイールドを大きくでき、従つ
て、その分、ステージの移動毎に行う位置合わせ
回数が減少するので、露光処理時間が短縮でき
る。
イールド（露光範囲）を複数のサブフイールド
（サブ露光範囲）に分割し、これらメインフイー
ルド、サブフイールドの偏向手段を異ならせてい
るので、メインフイールドを大きくでき、従つ
て、その分、ステージの移動毎に行う位置合わせ
回数が減少するので、露光処理時間が短縮でき
る。
第１図は本発明の電子ビーム露光方法に係る基
本メツシユを示す図、第２図は本発明に係る複数
の露光範囲に分割された試料を示す図、第３図は
本発明の一実施例としての電子ビーム露光方法を
実行する装置を示すブロツク回路図である。 １……メインフイールド（メイン露光範囲）、
２……サブフイールド（サブ露光範囲）、３……
試料（ウエーハ）、１１……CPU、１２……バツ
フアメモリ、１３……パターン発生部、１４……
メイン偏向補正部、１７……偏向手段（電磁偏向
コイル）、１８……サブ偏向補正部、２１……偏
向手段（静電偏向コンデンサ）、２２……位置合
わせ装置。
本メツシユを示す図、第２図は本発明に係る複数
の露光範囲に分割された試料を示す図、第３図は
本発明の一実施例としての電子ビーム露光方法を
実行する装置を示すブロツク回路図である。 １……メインフイールド（メイン露光範囲）、
２……サブフイールド（サブ露光範囲）、３……
試料（ウエーハ）、１１……CPU、１２……バツ
フアメモリ、１３……パターン発生部、１４……
メイン偏向補正部、１７……偏向手段（電磁偏向
コイル）、１８……サブ偏向補正部、２１……偏
向手段（静電偏向コンデンサ）、２２……位置合
わせ装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ウエーハ上のメイン露光範囲を複数のサブ露
光範囲に分割し、前記メイン露光範囲および前記
サブ露光範囲内における各電子ビーム偏向を相異
なる第１および第２の電子ビーム偏向手段を用い
て行い、 前記各サブ露光範囲に対する試料位置補正係数
を、各サブ露光範囲に対して予め計算された電子
ビーム歪補正係数（ＧSX，ＧSY，ＲSX，ＲSY）、
および前記メイン露光範囲の電子ビーム歪補正係
数（ＧnX，ＧnY，ＲnX，ＲnY）とウエーハ位置補
正係数（ＧWX，ＧWY，ＲWX，ＲWY）との差（Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ）を用いて演算するようにしたことを
特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976281A JPS58114425A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20976281A JPS58114425A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114425A JPS58114425A (ja) | 1983-07-07 |
| JPS6234134B2 true JPS6234134B2 (ja) | 1987-07-24 |
Family
ID=16578204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20976281A Granted JPS58114425A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114425A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0530436U (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-23 | 株式会社クボタ | 過給機付きデイーゼルエンジンのブーストコンペンセータ |
| JPH0530435U (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-23 | 株式会社クボタ | 過給機付きデイーゼルエンジンのブーストコンペンセータ |
| US9947509B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-04-17 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple charged particle beam lithography apparatus and multiple charged particle beam lithography method |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2553032B2 (ja) * | 1985-03-19 | 1996-11-13 | 株式会社ニコン | 荷電粒子ビ−ム偏向回路 |
| JPH0713937B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1995-02-15 | 富士通株式会社 | 電子ビ−ム露光方法 |
| JP5079410B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2012-11-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5828610B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2015-12-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP5350523B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2013-11-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311832A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-02 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Method and device for gas cutting in continuous casting equipment |
| JPS5452987A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-25 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS5640244A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | Beam scanning correction at electron beam exposure |
| JPS57646A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Film type leader strip for discrimination of characteristics |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP20976281A patent/JPS58114425A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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| JPH0530435U (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-23 | 株式会社クボタ | 過給機付きデイーゼルエンジンのブーストコンペンセータ |
| US9947509B2 (en) | 2015-05-27 | 2018-04-17 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple charged particle beam lithography apparatus and multiple charged particle beam lithography method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58114425A (ja) | 1983-07-07 |
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