JP2577970B2 - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents
荷電ビーム描画方法Info
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- JP2577970B2 JP2577970B2 JP23463888A JP23463888A JP2577970B2 JP 2577970 B2 JP2577970 B2 JP 2577970B2 JP 23463888 A JP23463888 A JP 23463888A JP 23463888 A JP23463888 A JP 23463888A JP 2577970 B2 JP2577970 B2 JP 2577970B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、荷電ビームによるパターンの描画方法に係
り、特に基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方または
両方へ拡大または縮小した複数種の図形を配列したパタ
ーンの描画方法に関するものである。
り、特に基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方または
両方へ拡大または縮小した複数種の図形を配列したパタ
ーンの描画方法に関するものである。
（従来の技術） 例えばある図形に対してXY軸方向の両方へ同じ率で拡
大または縮小したすなわち相似図形を描画する方法とし
ては、各図形ごとに図形情報を作成してそれにより描画
する最も一般的な方法と、１つの図形情報のみを用いな
がら荷電ビームの太さ、描画開始位置、走査巾、走査間
隔、描画される試料の移動速度等の描画部の描画パラメ
ータを変更して描画するいわゆるスケーリングと呼ばれ
ている方法とがある。
大または縮小したすなわち相似図形を描画する方法とし
ては、各図形ごとに図形情報を作成してそれにより描画
する最も一般的な方法と、１つの図形情報のみを用いな
がら荷電ビームの太さ、描画開始位置、走査巾、走査間
隔、描画される試料の移動速度等の描画部の描画パラメ
ータを変更して描画するいわゆるスケーリングと呼ばれ
ている方法とがある。
（発明が解決しようとする課題） 上記前者の複数の図形情報を用いる方法は、データの
作成に多くの工数を要し、それを記憶させる磁気ディス
ク等の記憶部の容量も大きくする必要があると共に、拡
大または縮小の最小単位が荷電ビームの太さによって決
まる最小描画寸法単位によって規制され、微細な調整が
できない。また、後者のいわゆるスケーリングによる方
法は、最小描画寸法単位以下の微細な調整は可能である
が、上記の荷電ビームの太さや試料の移動速度などを安
定して変更するのには時間が掛るため、描画中にこれら
を変更することができない。そこで、スケーリングによ
る描画は、スケーリング率を変更する毎に描画を中断す
る必要があり、異なったスケーリング率で連続的に描画
することはできない。また、スケーリングによる方法は
相似形に限られ、XY軸のいずれか一方のみ拡大または縮
小した図形および両方の拡大または縮小率が異なる図形
の描画には適用することができない。
作成に多くの工数を要し、それを記憶させる磁気ディス
ク等の記憶部の容量も大きくする必要があると共に、拡
大または縮小の最小単位が荷電ビームの太さによって決
まる最小描画寸法単位によって規制され、微細な調整が
できない。また、後者のいわゆるスケーリングによる方
法は、最小描画寸法単位以下の微細な調整は可能である
が、上記の荷電ビームの太さや試料の移動速度などを安
定して変更するのには時間が掛るため、描画中にこれら
を変更することができない。そこで、スケーリングによ
る描画は、スケーリング率を変更する毎に描画を中断す
る必要があり、異なったスケーリング率で連続的に描画
することはできない。また、スケーリングによる方法は
相似形に限られ、XY軸のいずれか一方のみ拡大または縮
小した図形および両方の拡大または縮小率が異なる図形
の描画には適用することができない。
本発明は、互いにXY軸方向のいずれか一方または両方
へ適宜な率で拡大または縮小した複数種の図形を含むパ
ターンを連続的に描画する方法を提供することを目的と
している。
へ適宜な率で拡大または縮小した複数種の図形を含むパ
ターンを連続的に描画する方法を提供することを目的と
している。
（課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するための本発明による荷電ビーム
描画方法は、基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方ま
たは両方へ拡大または縮小した複数種の図形を配列した
パターンを描画するに際し、基本図形を表わす描画用の
図形情報と、複数種の図形の配列位置および基本図形に
対する拡大または縮小率を含む位置情報とを与え、各図
形毎に描画開始位置，荷電ビームの走査巾および走査間
隔を位置情報によって制御すると共に、図形情報によっ
て荷電ビームのON,OFFを行なって描画するようにしたも
のである。
描画方法は、基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方ま
たは両方へ拡大または縮小した複数種の図形を配列した
パターンを描画するに際し、基本図形を表わす描画用の
図形情報と、複数種の図形の配列位置および基本図形に
対する拡大または縮小率を含む位置情報とを与え、各図
形毎に描画開始位置，荷電ビームの走査巾および走査間
隔を位置情報によって制御すると共に、図形情報によっ
て荷電ビームのON,OFFを行なって描画するようにしたも
のである。
（作用） 基本図形は実際に描画する複数種の図形により近い形
状をした図形であることが好ましいが、必ずしも実際に
描画する複数種の図形の中の１つである必要はない。各
図形の描画は、位置情報によって試料と荷電ビームをXY
軸方向へ相対移動させて試料上の定められた位置に荷電
ビームを照射するようにし、かつ基本図形に対する各図
形のXY軸方向の拡大または縮小率により、Ｘ軸方向が拡
大なら走査巾を増加させ、縮小なら減少させ、またＹ軸
方向が拡大なら走査間隔を広げ、縮小なら狭ばめて行な
う。
状をした図形であることが好ましいが、必ずしも実際に
描画する複数種の図形の中の１つである必要はない。各
図形の描画は、位置情報によって試料と荷電ビームをXY
軸方向へ相対移動させて試料上の定められた位置に荷電
ビームを照射するようにし、かつ基本図形に対する各図
形のXY軸方向の拡大または縮小率により、Ｘ軸方向が拡
大なら走査巾を増加させ、縮小なら減少させ、またＹ軸
方向が拡大なら走査間隔を広げ、縮小なら狭ばめて行な
う。
なお、拡大については、露光量が不足したり、走査間
隔の隙間を生じたりしない範囲に止める必要がある。ま
た、縮小についても極度な露光過剰とならない範囲に止
めることが好ましいため、拡大または縮小の範囲が広い
場合は、数段階に区切って基本図形を複数用いるとよ
い。
隔の隙間を生じたりしない範囲に止める必要がある。ま
た、縮小についても極度な露光過剰とならない範囲に止
めることが好ましいため、拡大または縮小の範囲が広い
場合は、数段階に区切って基本図形を複数用いるとよ
い。
（実施例） 以下本発明の実施例を第１図ないし第６図を参照して
説明する。第１図は本発明の実施に用いた電子ビーム描
画装置の概要を示すもので、この装置は、電子ビーム17
によって試料10上に描画する描画部100と、描画用デー
タを貯える外部記憶手段30,描画部100を制御するための
指令等を行なうCPU40およびCPU40と描画部100との具体
的整合を行なうインターフェース50から構成されている
制御部200とに、大別構成されている。なお、41はDMAバ
ス,42はi/oバスである。
説明する。第１図は本発明の実施に用いた電子ビーム描
画装置の概要を示すもので、この装置は、電子ビーム17
によって試料10上に描画する描画部100と、描画用デー
タを貯える外部記憶手段30,描画部100を制御するための
指令等を行なうCPU40およびCPU40と描画部100との具体
的整合を行なうインターフェース50から構成されている
制御部200とに、大別構成されている。なお、41はDMAバ
ス,42はi/oバスである。
描画部100は、公知のラスタースキャン方式の電子ビ
ーム描画装置と同様であるため、主要部分の名称のみを
示すと、11はＸテーブル、12はＹテーブル、13はＸモー
タであり、Ｙテーブル12は図示されていないＹモータに
より第１図において紙面と垂直な方向に移動される。14
はＸ反射ミラー、15はＸレーザ測長器であり、これらと
同様なものがＹ方向（紙面と垂直方向）にも設けられて
いる。16は電子銃、17は電子ビーム、18,19,20は電子レ
ンズ、21はブランキング電極、22はアパーチャ、23は偏
向電極である。
ーム描画装置と同様であるため、主要部分の名称のみを
示すと、11はＸテーブル、12はＹテーブル、13はＸモー
タであり、Ｙテーブル12は図示されていないＹモータに
より第１図において紙面と垂直な方向に移動される。14
はＸ反射ミラー、15はＸレーザ測長器であり、これらと
同様なものがＹ方向（紙面と垂直方向）にも設けられて
いる。16は電子銃、17は電子ビーム、18,19,20は電子レ
ンズ、21はブランキング電極、22はアパーチャ、23は偏
向電極である。
他方、インターフェース50は、電子光学系調整ユニッ
ト51,ビット変換ユニット52,偏向制御ユニット53,位置
測定ユニット54,テーブル制御ユニット55を有してい
る。ビット変換ユニット52は、例えば台形フォーマット
などの所定フォーマットで表わされた図形情報をビット
パターンデータに変換するものである。偏向制御ユニッ
ト53は、試料10の移動（位置）に合わせて電子ビーム17
をスキャンさせるためのものであり、そのスキャン巾を
CPU40からの指令によって適宜に変化させることができ
るようになっている。位置測定ユニット54は、試料10の
位置をＸレーザ測長器15および図示しないＹレーザ測長
器により検出し、CPU40からの指示に従って偏向制御ユ
ニット53に偏向開始指令を出すと共に、ビット変換ユニ
ット52によって作成されたビットパターンデータの読出
し指令を出すものである。テーブル制御ユニット64は、
CPU40の指令に従ってＸモータ13および図示しないＹモ
ータを作動させて、試料10のXY軸方向の位置および移動
を制御するものである。
ト51,ビット変換ユニット52,偏向制御ユニット53,位置
測定ユニット54,テーブル制御ユニット55を有してい
る。ビット変換ユニット52は、例えば台形フォーマット
などの所定フォーマットで表わされた図形情報をビット
パターンデータに変換するものである。偏向制御ユニッ
ト53は、試料10の移動（位置）に合わせて電子ビーム17
をスキャンさせるためのものであり、そのスキャン巾を
CPU40からの指令によって適宜に変化させることができ
るようになっている。位置測定ユニット54は、試料10の
位置をＸレーザ測長器15および図示しないＹレーザ測長
器により検出し、CPU40からの指示に従って偏向制御ユ
ニット53に偏向開始指令を出すと共に、ビット変換ユニ
ット52によって作成されたビットパターンデータの読出
し指令を出すものである。テーブル制御ユニット64は、
CPU40の指令に従ってＸモータ13および図示しないＹモ
ータを作動させて、試料10のXY軸方向の位置および移動
を制御するものである。
第２図は、本発明によって描画するパターンＰの一例
を示すもので、Pa,Pb……はパターンＰをＸ軸方向に区
分したフレームと称するものであり、各フレームPa,Pb
……中にはそれぞれのフレーム内においてＸ軸方向に互
いに重なることのないように複数の図形p1,p2……が配
列されている。これらの図形p1,p2……は同一または互
いに相似関係を有するものとする。また、各フレームP
a,Pb…内の各図形p1,p2……は、説明を簡単にするた
め、各フレームPa,Pb……の巾方向の中央に配列されて
いるものとする。
を示すもので、Pa,Pb……はパターンＰをＸ軸方向に区
分したフレームと称するものであり、各フレームPa,Pb
……中にはそれぞれのフレーム内においてＸ軸方向に互
いに重なることのないように複数の図形p1,p2……が配
列されている。これらの図形p1,p2……は同一または互
いに相似関係を有するものとする。また、各フレームP
a,Pb…内の各図形p1,p2……は、説明を簡単にするた
め、各フレームPa,Pb……の巾方向の中央に配列されて
いるものとする。
第３図a,bは、上記パターンＰを描画するための描画
用データの一例を示すもので、第３図ａは位置情報の部
分であり、第３図ｂは図形情報の部分である。第３図ａ
に示す位置情報は、第２図に示したフレームpa,pb……
のうちのいずれかを示すフレーム番号（Pi）を先頭と
し、そのフレームPi中に配列される図形コード（pi）、
図形piの位置を示すＸおよびＹ座標（xi）（yi）ならび
に後述する基本図形に対する前記図形piの拡大・縮小率
（Si）を１単位として、各図形p1,p2……毎に繰返し記
録されている。第３図ｂに示す図形情報は、基本図形を
所定のフォーマットで表わすようになっており、分割図
形コードは基本図形を複数の要素図形に分割したときの
図形タイプ番号であり、その後に続く“Ｘ座標”から
“右斜辺部長X2"までは、第４図に示すような台形フォ
ーマットによる図形情報のデータを示すもので、これら
を１単位として分割図形毎に繰返し記録されている。な
お、第３図ｂにおけるXY座標は、第３図ａにおけるXY座
標とは異なっている。すなわち、第３図ａにおけるXY座
標は、試料10上におけるパターンＰ内のものであるのに
対し、第３図ｂは第１図に示したビット変換ユニット52
のドットパターンメモリのXY座標に対応するものであ
る。
用データの一例を示すもので、第３図ａは位置情報の部
分であり、第３図ｂは図形情報の部分である。第３図ａ
に示す位置情報は、第２図に示したフレームpa,pb……
のうちのいずれかを示すフレーム番号（Pi）を先頭と
し、そのフレームPi中に配列される図形コード（pi）、
図形piの位置を示すＸおよびＹ座標（xi）（yi）ならび
に後述する基本図形に対する前記図形piの拡大・縮小率
（Si）を１単位として、各図形p1,p2……毎に繰返し記
録されている。第３図ｂに示す図形情報は、基本図形を
所定のフォーマットで表わすようになっており、分割図
形コードは基本図形を複数の要素図形に分割したときの
図形タイプ番号であり、その後に続く“Ｘ座標”から
“右斜辺部長X2"までは、第４図に示すような台形フォ
ーマットによる図形情報のデータを示すもので、これら
を１単位として分割図形毎に繰返し記録されている。な
お、第３図ｂにおけるXY座標は、第３図ａにおけるXY座
標とは異なっている。すなわち、第３図ａにおけるXY座
標は、試料10上におけるパターンＰ内のものであるのに
対し、第３図ｂは第１図に示したビット変換ユニット52
のドットパターンメモリのXY座標に対応するものであ
る。
しかして、本発明における描画は次のように行なわれ
る。
る。
第３図a,bに示す位置情報と図形情報を含む描画用デ
ータを第１図に示す外部記憶手段30に貯え、描画を開始
する。描画の開始により外部記憶手段30内の基本図形を
表わす図形情報をCPU40によってビット変換ユニット52
に読込み、同ビット変換ユニット52によってビットパタ
ーンデータに変換する。
ータを第１図に示す外部記憶手段30に貯え、描画を開始
する。描画の開始により外部記憶手段30内の基本図形を
表わす図形情報をCPU40によってビット変換ユニット52
に読込み、同ビット変換ユニット52によってビットパタ
ーンデータに変換する。
一方、CPU40は外部記憶手段30の位置情報を第２図に
示すフレームPa,Pb…の順で順次取込み、Ｘテーブル11
およびＹテーブル12の移動（位置）を制御し、最初は第
２図に示すフレームPaの上部から下部へ向って描画が行
なわれるようにする。すなわち、Ｘ軸方向にはフレーム
Paが描画される位置にＸテーブル11を位置決めし、Ｙテ
ーブル12を第２図において下方から上方へ向けて連続移
動させる。この移動による試料10の位置は、第１図に示
す位置測定ユニット54によって検出される。
示すフレームPa,Pb…の順で順次取込み、Ｘテーブル11
およびＹテーブル12の移動（位置）を制御し、最初は第
２図に示すフレームPaの上部から下部へ向って描画が行
なわれるようにする。すなわち、Ｘ軸方向にはフレーム
Paが描画される位置にＸテーブル11を位置決めし、Ｙテ
ーブル12を第２図において下方から上方へ向けて連続移
動させる。この移動による試料10の位置は、第１図に示
す位置測定ユニット54によって検出される。
また、CPU40に読込まれた第３図ａの位置情報のうち
の拡大、縮小率（Si）により、CPU40は偏向制御ユニッ
ト53に走査巾の設定信号を送る。この走査巾の設定は最
初に描画する図形p1の拡大、縮小率が“1"である場合
は、走査巾を変更せず、第５図ａに示すように所定巾の
走査電圧を有する鋸歯状電圧を偏向電極23へ与える。同
時にCPU40は前記図形p1の前記拡大、縮小率（S1＝
１）、位置情報中の図形位置Ｙ座標（yi）ならびに第３
図ｂに示す図形情報との関係からＹ軸方向における図形
p1の描画開始位置とＹ軸方向の走査間隔を演算し、位置
測定ユニット54へ指令を出す。なお、上記のように拡
大、縮小率が“1"である場合は、Ｙ軸方向の走査間隔は
変更しない。
の拡大、縮小率（Si）により、CPU40は偏向制御ユニッ
ト53に走査巾の設定信号を送る。この走査巾の設定は最
初に描画する図形p1の拡大、縮小率が“1"である場合
は、走査巾を変更せず、第５図ａに示すように所定巾の
走査電圧を有する鋸歯状電圧を偏向電極23へ与える。同
時にCPU40は前記図形p1の前記拡大、縮小率（S1＝
１）、位置情報中の図形位置Ｙ座標（yi）ならびに第３
図ｂに示す図形情報との関係からＹ軸方向における図形
p1の描画開始位置とＹ軸方向の走査間隔を演算し、位置
測定ユニット54へ指令を出す。なお、上記のように拡
大、縮小率が“1"である場合は、Ｙ軸方向の走査間隔は
変更しない。
試料10がＹ軸方向へ連続移動し、最初の図形p1の描画
開始位置に達すると、位置測定ユニット54は偏向制御ユ
ニット53へ偏向開始信号を出すと共にビット変換ユニッ
ト52にビットパターンデータの読出し信号を出し、図形
p1の描画を開始する。
開始位置に達すると、位置測定ユニット54は偏向制御ユ
ニット53へ偏向開始信号を出すと共にビット変換ユニッ
ト52にビットパターンデータの読出し信号を出し、図形
p1の描画を開始する。
この図形p1の描画は通常のラスタースキャン方式によ
る描画と同様に、電子ビーム17を走査させながら電子ビ
ーム17を上記ビットパターンデータによってON,OFFさせ
ることにより行なわれる。
る描画と同様に、電子ビーム17を走査させながら電子ビ
ーム17を上記ビットパターンデータによってON,OFFさせ
ることにより行なわれる。
図形p1の描画が終ると、CPU40は次の図形p2の位置情
報を外部記憶手段30から読込む。この図形p2は拡大、縮
小率（S2＝0.8）であるとすると、CPU40は偏向制御ユニ
ット53にこれを与え、走査用の鋸歯状電圧の振巾を第５
図ｂに示すように、前記拡大、縮小率（S2＝0.8）に対
応させて変化させる。なお、この振巾の変化は、近似的
に拡大、縮小率と等しく変化させてもよいが、厳密には
後述するように一致しない、これと同時に、CPU40は図
形p2の図形位置Ｙ座標（y2）、第３図ｂに示す図形情報
および拡大、縮小率（S2＝0.8）からＹ軸方向における
図形p2の描画開始位置とＹ軸方向の走査間隔を演算し、
位置測定ユニット54へ指令を出す。
報を外部記憶手段30から読込む。この図形p2は拡大、縮
小率（S2＝0.8）であるとすると、CPU40は偏向制御ユニ
ット53にこれを与え、走査用の鋸歯状電圧の振巾を第５
図ｂに示すように、前記拡大、縮小率（S2＝0.8）に対
応させて変化させる。なお、この振巾の変化は、近似的
に拡大、縮小率と等しく変化させてもよいが、厳密には
後述するように一致しない、これと同時に、CPU40は図
形p2の図形位置Ｙ座標（y2）、第３図ｂに示す図形情報
および拡大、縮小率（S2＝0.8）からＹ軸方向における
図形p2の描画開始位置とＹ軸方向の走査間隔を演算し、
位置測定ユニット54へ指令を出す。
第６図ｂは拡大、縮小率（S2＝0.8）である上記図形p
2の描画開始位置および走査間隔と走査方向寸法を示す
ものであり、第６図ａは拡大、縮小率（S1＝１）である
上記図形p1の描画開始位置および走査間隔と走査方向寸
法を示すものである。拡大、縮小率Ｓが“1"の場合は、
第６図ａに示すように荷電ビーム17の太さを表わす円17
aの直径を単位として上記描画開始位置（y11）および走
査間隔（y11−y12）と走査方向寸法l1に関係する走査巾
とが決定されるが、拡大、縮小率Ｓが“1"でない場合、
例えば上記のように“0.8"の場合は、第６図ｂに示すよ
うに、第６図ａに示した円17aの全数が0.8倍の図形p2中
に納まるように描画開始位置（y21）および走査間隔（y
21−y22）と走査巾が決定される。ここに、Ｙ軸方向の
図形中心（y1）（y2）に対する描画開始位置（y11）（y
21）および走査方向寸法l1,l2は拡大、縮小率Ｓに比例
するが、走査間隔（y12−y11），（y21−y22）および走
査巾は近似的には拡大、縮小率Ｓに比例するが、図形p2
の外周部では電子ビーム17の重なりがないため、厳密に
は比例しない。
2の描画開始位置および走査間隔と走査方向寸法を示す
ものであり、第６図ａは拡大、縮小率（S1＝１）である
上記図形p1の描画開始位置および走査間隔と走査方向寸
法を示すものである。拡大、縮小率Ｓが“1"の場合は、
第６図ａに示すように荷電ビーム17の太さを表わす円17
aの直径を単位として上記描画開始位置（y11）および走
査間隔（y11−y12）と走査方向寸法l1に関係する走査巾
とが決定されるが、拡大、縮小率Ｓが“1"でない場合、
例えば上記のように“0.8"の場合は、第６図ｂに示すよ
うに、第６図ａに示した円17aの全数が0.8倍の図形p2中
に納まるように描画開始位置（y21）および走査間隔（y
21−y22）と走査巾が決定される。ここに、Ｙ軸方向の
図形中心（y1）（y2）に対する描画開始位置（y11）（y
21）および走査方向寸法l1,l2は拡大、縮小率Ｓに比例
するが、走査間隔（y12−y11），（y21−y22）および走
査巾は近似的には拡大、縮小率Ｓに比例するが、図形p2
の外周部では電子ビーム17の重なりがないため、厳密に
は比例しない。
しかして、上記図形p1の描画後、試料10がＹ軸方向へ
連続移動し、図形p2の描画開始位置（y21）に達すると
図形p1と同様にビット変換ユニット52に貯えられている
基本図形のビットパターンデータを読出して図形p2の描
画が開始される。このとき荷電ビーム17の走査巾は鋸歯
状電圧が第５図ｂに示すように変更されており、かつ２
回目以降の走査間隔も上記のように変更されているた
め、第６図ｂに示すように0.8倍に縮小された図形p
2が、第２図に示すように、パターンＰ内の座標（x1,
y2）（中心座標）上に描画される。
連続移動し、図形p2の描画開始位置（y21）に達すると
図形p1と同様にビット変換ユニット52に貯えられている
基本図形のビットパターンデータを読出して図形p2の描
画が開始される。このとき荷電ビーム17の走査巾は鋸歯
状電圧が第５図ｂに示すように変更されており、かつ２
回目以降の走査間隔も上記のように変更されているた
め、第６図ｂに示すように0.8倍に縮小された図形p
2が、第２図に示すように、パターンＰ内の座標（x1,
y2）（中心座標）上に描画される。
以下同様に図形p3,p4……が順次描画される。
前述した実施例は、各フレームPa,Pb…内において
は、各図形p1,p2…を巾方向の中央に配列するものとし
て説明したが、巾方向すなわち第２図においてＸ軸方向
に位置が異なっていてもよく、この場合には偏向制御ユ
ニット53によって荷電ビーム17をＸ軸方向へずらせる
か、またはＸテーブル11の位置を変化させることによ
り、試料10と荷電ビーム17のＸ軸方向の相対位置関係を
各フレームPa,Pb…内においても変化させることによっ
て描画することができる。
は、各図形p1,p2…を巾方向の中央に配列するものとし
て説明したが、巾方向すなわち第２図においてＸ軸方向
に位置が異なっていてもよく、この場合には偏向制御ユ
ニット53によって荷電ビーム17をＸ軸方向へずらせる
か、またはＸテーブル11の位置を変化させることによ
り、試料10と荷電ビーム17のＸ軸方向の相対位置関係を
各フレームPa,Pb…内においても変化させることによっ
て描画することができる。
また、前述した実施例は、第６図ａに示したように、
基本図形の図形情報を荷電ビーム17の太さに合わせて作
成した例を示したため、これを拡大すると各走査間にす
き間を生じると共に露光不足を生じるため、実際には縮
小のみが可能であるが、第６図ｂに示したように、予じ
め荷電ビーム17の太さより小さい寸法を単位寸法として
基本図形の図形情報を作成しておけば、拡大と縮小のい
ずれも可能であることは言うまでもない。
基本図形の図形情報を荷電ビーム17の太さに合わせて作
成した例を示したため、これを拡大すると各走査間にす
き間を生じると共に露光不足を生じるため、実際には縮
小のみが可能であるが、第６図ｂに示したように、予じ
め荷電ビーム17の太さより小さい寸法を単位寸法として
基本図形の図形情報を作成しておけば、拡大と縮小のい
ずれも可能であることは言うまでもない。
さらにまた、前述した実施例は、拡大、縮小率がXY軸
の両方向に等しい相似図形の描画を例に上げて説明した
が、拡大、縮小率がＸ軸方向とＹ軸方向とで異なってい
てもよく、さらに基本図形が数種あり、これらを選択し
て用いるようにしてもよい等、種々変更可能である。
の両方向に等しい相似図形の描画を例に上げて説明した
が、拡大、縮小率がＸ軸方向とＹ軸方向とで異なってい
てもよく、さらに基本図形が数種あり、これらを選択し
て用いるようにしてもよい等、種々変更可能である。
以上述べたように本発明によれば、基本図形に対しXY
軸方向のいずれか一方または両方へ拡大または縮小した
複数種の図形を、該基本図形の図形情報のみによって描
画することができ、描画用データを減少させることがで
きると共に、上記図形の拡大または縮小を荷電ビームの
描画開始位置、走査巾および走査間隔の変更によって行
なうため、スケーリング描画のように描画を中断するこ
となく行なうことができ、さらに拡大または縮小率は荷
電ビームの走査巾と走査間隔の分解能を単位として行な
うことができるため微細に調整可能である等の利点を有
し、特にわずかずつ寸法が異なる類似図形を多数配列し
たパターンの描画において非常に大きな効果が得られ
る。
軸方向のいずれか一方または両方へ拡大または縮小した
複数種の図形を、該基本図形の図形情報のみによって描
画することができ、描画用データを減少させることがで
きると共に、上記図形の拡大または縮小を荷電ビームの
描画開始位置、走査巾および走査間隔の変更によって行
なうため、スケーリング描画のように描画を中断するこ
となく行なうことができ、さらに拡大または縮小率は荷
電ビームの走査巾と走査間隔の分解能を単位として行な
うことができるため微細に調整可能である等の利点を有
し、特にわずかずつ寸法が異なる類似図形を多数配列し
たパターンの描画において非常に大きな効果が得られ
る。
第１図は本発明の実施に用いた荷電ビーム描画装置の概
要構成を示す図、第２図は本発明によって描画するパタ
ーンの一例を示す図、第３図a,bは本発明の描画に用い
る描画用データの一例を示す図、第４図は図形情報のデ
ータ表現の一例を示す図、第５図a,bは荷重ビームを走
査するための鋸歯状電圧を示す図、第６図a,bは描画状
態を示す図である。 11……Ｘテーブル、12……Ｙテーブル、 14……Ｘ反射ミラー、15……Ｘレーザ測長器、 17……荷電ビーム（電子ビーム）、 21……ブランキング電極、23……偏向電極、 Ｐ……パターン、Pa〜Pe……フレーム、 p1〜p10……図形。
要構成を示す図、第２図は本発明によって描画するパタ
ーンの一例を示す図、第３図a,bは本発明の描画に用い
る描画用データの一例を示す図、第４図は図形情報のデ
ータ表現の一例を示す図、第５図a,bは荷重ビームを走
査するための鋸歯状電圧を示す図、第６図a,bは描画状
態を示す図である。 11……Ｘテーブル、12……Ｙテーブル、 14……Ｘ反射ミラー、15……Ｘレーザ測長器、 17……荷電ビーム（電子ビーム）、 21……ブランキング電極、23……偏向電極、 Ｐ……パターン、Pa〜Pe……フレーム、 p1〜p10……図形。
Claims (1)
- 【請求項１】基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方ま
たは両方へ拡大または縮小した複数種の図形を配列した
パターンを描画するに際し、前記基本図形を表わす描画
用の図形情報と、前記複数種の図形の配列位置および基
本図形に対する拡大または縮小率を含む位置情報とを与
え、各図形毎に描画開始位置，荷電ビームの走査巾およ
び走査間隔を前記位置情報によって制御すると共に、前
記図形情報によって荷電ビームのON,OFFを行なって描画
することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23463888A JP2577970B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 荷電ビーム描画方法 |
| US07/389,861 US5030836A (en) | 1988-08-05 | 1989-08-04 | Method and apparatus for drawing patterns using an energy beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23463888A JP2577970B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 荷電ビーム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281700A JPH0281700A (ja) | 1990-03-22 |
| JP2577970B2 true JP2577970B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=16974168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23463888A Expired - Lifetime JP2577970B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-09-19 | 荷電ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577970B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23463888A patent/JP2577970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0281700A (ja) | 1990-03-22 |
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