JPH0281700A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents

荷電ビーム描画方法

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JPH0281700A
JPH0281700A JP23463888A JP23463888A JPH0281700A JP H0281700 A JPH0281700 A JP H0281700A JP 23463888 A JP23463888 A JP 23463888A JP 23463888 A JP23463888 A JP 23463888A JP H0281700 A JPH0281700 A JP H0281700A
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Taisan Goto
後藤 泰山
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、荷電ビームによるパターンの描画方法に係り
、特に基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方または
両方へ拡大または縮小した複数種の図形を配列したパタ
ーンの描画方法に関するものである。
(従来の技術) 例えばある図形に対してXY軸方向の両方へ同じ率で拡
大または縮小したすなわち相似図形を描画する方法とし
ては、各図形ごとに図形情報全作成してそれにより描画
する最も一般的な方法と、1つの図形情報のみを用いな
がら荷電ビームの太さ、描画開始位置、走査巾、走査間
隔、描画される試料の移動速度等の描画部の描画パラメ
ータを変更して描画するいわゆるスケーリングと呼ばれ
ている方法とがある。
(発明が解決しようとする課題) 上記前者の複数の図形情報を用いる方法は、データの作
成に多くの工数を要し、それを記憶させる磁気ディスク
等の記憶部の容量も大きくする必要があると共に、拡大
または縮小の最小単位が荷電ビームの太さによって決ま
る最小描画寸法単位によって規制され、微細な調整がで
きない。また、後者のいわゆるスケーリングによる方法
は、最小描画寸法単位以下の微細な調整は可能であるが
、上記の荷電ビームの太さや試料の移動速度などを安定
して変更するのには時間が掛るため、描画中にこれらを
変更することができない。そこで、スケーリングによる
描画は、スケーリング率を変更する毎に描画全中断する
必要があり、異なったスケーリング率で連続的に描画す
ることはできない。
また、スケーリングによる方法は相似形に限られ、XY
軸のいずれか一方のみ拡大または縮小した図形および両
方の拡大または縮小率が異なる図形の描画には適用する
ことができない0 本発明は、互いにXY軸方向のいずれか一方または両方
へ適宜な率で拡大または縮小した複数種の図形を含むパ
ターンを連続的に描画する方法を提供することを目的と
している0 〔発明の構成〕 (課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するための本発明による荷電ビーム描
画方法は、基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方ま
たは両方へ拡大−17’Cは縮小した複数種の図形を配
列したパターンを描画するに際し、基本図形を表わす描
画用の図形情報と、複数種の図形の配列位置および基本
図形に対する拡大または縮小率を含む位置情報とを与え
、各図形毎に描画開始位置、荷電ビームの走査中および
走査間隔を位置情報に工っで制御すると共に、図形情報
によって荷電ビームのON、0FFi行なって描画する
ようにしたものである。
(作用) 基本図形は実際に描画する複数種の図形により近い形状
をした図形であることが好ましいが、必ずしも実際に描
画する複数種の図形の中の1つである必要はない。各図
形の描画は、位置情報によって試料と荷電ビームをXY
軸方向へ相対移動させて試料上の定められた位置に荷電
ビームを照射するようにし、かつ基本図形に対する各図
形のXY軸方向の拡大または縮小率にエリ、X軸方向が
拡大なら走査中全増加させ、縮小なら減少させ、まff
Y軸方向が拡大なら走査間隔を広げ、縮小なら狭ばめて
行なう。
なお、拡大については、露光量が不足したり、走査間隔
の隙間を生じたりしない範囲に止める必要がある。また
、縮小についても極度な露光過剰とならない範囲に止め
ることが好ましいため、拡大または縮小の範囲が広い場
合は、数段階に区切って基本図形を複数用いるとよい。
(実施例) 以下本発明の実施例を第1図ないし第6図を参照して説
明する。第1図は本発明の実施に用いた電子ビーム描画
装置の概要を示すもので、この装置は、電子ビーム17
によって試料10上に描画する描画部+00と、描画用
データを貯える外部記憶手段30.描画部100t−制
御する之めの指令等を行なうCPU40およびCPU 
40と描画部+00との具体的整合を行なうインターフ
ェース50から構成されている制御部200とに、大別
構成されている。なお、41はDMAバス、42は11
0バスである。
描画部100は、公知のラスタースキャン方式の電子ビ
ーム描画装置と同様であるため、主要部分の名称のみを
示すと、ItはXテーブル、12はYテーブル、13は
Xモータであり、Yテーブル2は図示されていないYモ
ータにより第1図において紙面と垂直な方向に移動され
る。14はX反射ミラー 15はXレーザ測長器であり
、これらと同様なものがY方向(紙面と垂直方向)にも
焼 設けられている。16は電子羨、17は電子ビーム、+
8 、19.20は電子レンズ、21はブランキング電
極、22はアパーチャ、23は偏向電極である。
他方、インターフェース50は、電子光学系調整ユニッ
ト51 、ビット変換ユニット52.偏向制御ユニット
531位置測定ユニット54.テーブル制御ユニット5
5を有している。ビット変換ユニット52は、例えば台
形フォーマットなどの所定フォーマットで表わされ友図
形情報をビットパターンデータに変換するものである。
偏向制御ユニット53は、試料10の移動(位置)に合
わせて電子ビーム17をスキャンさせる友めのものであ
り、そのスキャン巾fcPU40からの指令によって適
宜に変化させることができるようになっている。位置測
定ユニット54は、試料10の位置をXレーザ測長器1
5お工び図示しないYレーザ測長器にエリ検出し、CP
U40からの指示に従って偏向制御ユニット53に偏向
開始指令を出すと共に、ビット変換ユニブト52によっ
て作成されたビットパターンデータの読出し指令を出す
ものである。テーブル制御ユニット64は、CPU40
の指令に従ってXモータ13お工び図示しないYモータ
を作動させて、試料10のXYY軸方向位置および移動
を制御するものである0 第2図は、本発明によって描画するパターンPの一例を
示すもので、Pa、Pb・・・・・・はパターンPをX
軸方向に区分したフレームと称するものであり・各フレ
ームPa 、Pb・・・・・・中にはそれぞれのフレー
ムれらの図形p1.P2・・・・・・は同一または互い
に相似関係を有するものとする。また、各フレームPa
 、Pb・・・内の各図形P1*IJ2・・・・・・は
、説明を簡単にするため、各フレームPa、Pb・・・
・・・の巾方向の中央に配列されているものとする。
第3図a、bは、上記パターンPを描画するための描画
用データの一例を示すもので、第3図aは位置情報の部
分であり、第3図すは図形情報の部分である。第3図a
に示す位置情報は、第2図に示シタフレームpa、pb
・・・・・・のうちのいずれかを示すフレーム番号(P
i)’e先頭とし、そのフレーム番号中に配列される図
形コード(pi)、図形piの位置金示すXお工びY座
標(Xi)(yi)ならびに後述する基本図形に対する
前記図形piの拡大・縮小率(st)i単位として、各
図形p1 、IJ2・・・・・・毎に繰返し記録されて
いる。第3図すに示す図形情報は、基本図形全所定のフ
ォーマブトで表わすようになっており、分割図形コード
は基本図形を複数の要素図形に分割したときの図形タイ
プ番号であり、その後に続(”X座標1から1右斜辺部
長X2 ”までは、第4図に示すような台形フォーマッ
トによる図形情報のデータを示すもので、これらを1単
位として分割図形毎に繰返し記録されている。なお、第
3図すにおけるXY座標−は、第3図aにおけるXY座
標とは異なっている。すなわち、第3図aにおけるXY
座標は、試料10上におけるパターンP内のものである
のに対し、第3図すは第1図に示したビット変換ユニブ
ト52のドブドパターンメモリのXY座標に対応するも
のである。
しかして、本発明における描画は次のように行なわれる
第3図a、bに示す位置情報と図形情報を含む描画用デ
ータを第1図に示す外部記憶手段30に貯え、描画を開
始する。描画の開始により外部記憶手段30内の基本図
形を表わす図形情報−i CPU40によってビット変
換ユニット52に取込み、同ビット変換ユニット52に
よってビットパターンデータに変換する。
一方、CPU4Qは外部記憶手段30の位置情報を第2
図に示すフレームPa、Pb・・・の順で順次取込み、
Xテーブル11およびXテーブル12の移動(位置)を
制御し、最初は第2図に示すフレームPaの上部から下
部へ向って描画が行なわれる工うにする。すなわち、X
軸方向にはフレームPaが描画される位置にXテーブル
11を位置決めし、Xテーブル12を第2図において下
方から上方へ向けて連続移動させる。この移動による試
料10の位置は、第1図に示す位置測定ユニット54に
よって検出される。
また、CPU40に読込まれた第3図aの位置情報のう
ちの拡大、縮小率(8i)にエリ、CPU4Qは偏向制
御ユニット53に走査巾の設定信号を送る。
この走査巾の設定は最初に描画する図形p1の拡大、縮
小率が11@である場合は、走査巾を変更せず、第5図
aに示すように所定巾の走査電圧を有する鋸歯状電E’
に偏向電極23へ与える。同時にCPU40は前記図形
131の前記拡大、縮小率(s1=+ )、位置情報中
の図形位置Y座標(yi)ならびに第3図すに示す図形
情報との関係からY軸方向における図形p1の描画開始
位置とY軸方向の走査間隔を演算し、位置測定ユニット
54へ指令を出す。なお、上記のように拡大、縮小率が
IIIである場合は、Y軸方向の走査間隔は変更しない
試料10がY軸方向へ連続移動し、最初の図形p1の描
画開始位置に達すると、位置測定ユニット54は偏向制
御ユニブト53へ偏向開始信号を出すと共にビット変換
ユニット52にビットパターンデータの読出し信号を出
し、図形p1の描画を開始する。
この図形p1の描画は通常のラスタースキャン方式によ
る描画と同様に、電子ビーム17を走査させながら電子
ビーム17を上記ピットパターンデータによってON、
OFFさせることにより行なわれる。
図形p1の描画が終ると、CPU40は次の図形p2の
位置情報を外部記憶手段30から読込む。
この図形p2は拡大、縮小率(82= O,F3 )で
あるとすると、CPU4Qは偏向制御ユニット53にこ
れを与え、走査用の鋸歯状電圧の振巾を第5図すに示す
ように、前記拡大、縮小率(82=0.8)に対応させ
て変化させる。なお、この振巾の変化は、近似的に拡大
、縮小率と等しく変化させてもよいが、厳密には後述す
るように一致しない、これと同時に、CPU40は図形
p2の図形位置Y座標(y2)、第3図すに示す図形情
報および拡大、縮小率(S2=0.8)からY軸方向に
おける図形p2の描画開始位置とY軸方向の走査間隔を
演算し、位置測定ユニット54へ指令を出す。
第6図すは拡大、縮小率(82= O,g )である上
記図形p2の描画開始位置お工び走査間隔と走査方向寸
法を示すものであり、第6図aは拡大、縮小率(81=
 1 )である上記図形p1の描画開始位置および走査
間隔と走査方向寸法を示すものである。
拡大、縮小率Sが“11の場合は、第6図aに示すよう
に荷電ビーム17の太さを表わす円+73の直径を単位
として上記描画開始位置(yll)および走査間隔(3
’1l−Y12)と走査方向寸法t1に関係する走査巾
とが決定されるが、拡大、縮小率Sがallでない場合
、例えば上記のように”o、g’の場合は、第6図すに
示すように、第6図aに示した円+73の全数が0.8
倍の図形p2中に納まるように描画開始位置(Y21)
および走査間隔(y21−Y22 )と走査巾が決定さ
れる。ここに、Y軸方向の図形中心LYII(Y2)に
対する一描画開始位置(yll 1(y21)および走
査方向寸法11,12は拡大、縮小率Sに比例するが、
走査間隔(Y12−yll ) 、 (y21−Y22
 )および走査巾は近似的には拡大、縮小率Sに比例す
るが、図形p2の外周部では電子ビーム17の重なりが
ないため、厳密には比例しない。
しかして、上記図形pIの描画後、試料10がY軸方向
へ連続移動し、図形p2の描画開始位置(y21)に達
すると図形p1と同様にビット変換ユニット52に貯え
られている基本図形のピットパターンデータを読出して
図形p2の描画が開始される。このとき荷電ビーム17
の走査巾は鋸歯状電圧が第5図すに示すように変更され
ており、かつ2回目以降の走査間隔も上記のように5更
されているため、第6図すに示すように0.8倍に縮小
された図形p2が、第2図に示すように、パターンP内
の座標(XI、y2) (中心座標)上に描画される。
以下同様に図形p3 、p4・・・・・・が順次描画さ
れる。
前述した実施例は、各フレームPa、Pb・・・内にお
いては、各図形PI、p2・・・X巾方向の中央に配列
するものとして説明したが、巾方向すなわち第2図にお
いてX軸方向に位置が異なっていてもよく、この場合に
は偏向制御ユニット53によって荷電ビーム17をX軸
方向へずらせるか、またばXテーブル11の位置を変化
させることにエリ、試料10と荷電ビーム17のX軸方
向の相対位置関係を各フレームPa 、Pb・・・内に
おいても変化させることによって描画することができる
また、前述した実施例は、第6図aに示したように、基
本図形の図形情報を荷電ビーム17の太さに合わせて作
成した例を示したため、これを拡大すると各走査量にす
き間を生じると共に露光不足を生ずるため、実際には縮
小のみが可能であるが、第6図すに示したように、予じ
め荷電ビーム17の太さエリ小さい寸法を単位寸法とし
て基本図形の図形情報を作成しておけば、拡大と縮小の
いずれも可能であることは言うまでもない。
さらにま几、前述した実施例は、拡大、縮小率がXY軸
の両方向に等しい相似図形の描画を例に上げて説明した
が、拡大、−縮・小車がX軸方向とY軸方向とで異なっ
ていてもよく、さらに基本図形が数種あり、これらを選
択して用いるようにしてもよい等、種々変更可能である
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、基本図形に対しXY
軸方向のいずれか一方または両方へ拡大または縮小した
複数種の図形を、該基本図形の図形情報のみによって描
画することができ、描画用データ全減少させることがで
きると共に、上記図形の拡大または縮小を荷電ビームの
描画開始位置、走査巾および走査間隔の変更によって行
なうため、スケーリング描画のように描画を中断するこ
となく行なうことができ、さらに拡大または縮小率は荷
電ビームの走査巾と走査間隔の分解能を単位として行な
うことができるため微細に調整可能である等の利点を有
し、特にわずかずつ寸法が異なる類似図形を多数配列し
たパターンの描画において非常に大きな効果が得られる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施に用いた荷電ビーム描画装置の概
要構成全示す図、第2図は本発明に工って描画するパタ
ーンの一例を示す図、第3図a、bは本発明の描画に用
いる描画用データの一例を示す図、第4図は図形情報の
データ表現の一例を示す図、第5図a、bは荷電ビーム
を走査するための鋸歯状電圧を示す図、第6図a、bは
描画状態を示す図である。 ・・・Xテーブル、  12・・・Yテーブル、14・
・・X反射ミラー  15・・・Xレーザ測長器、17
・・・荷電ビーム(電子ビーム)、21・・・ブランキ
ング電極、  23・・・偏向電極、P・・・パターン
、PaA−Pe・・・フレーム、p1〜plO・・・図
形。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基本図形に対しXY軸方向のいずれか一方または両方へ
    拡大または縮小した複数種の図形を配列したパターンを
    描画するに際し、前記基本図形を表わす描画用の図形情
    報と、前記複数種の図形の配列位置および基本図形に対
    する拡大または縮小率を含む位置情報とを与え、各図形
    毎に描画開始位置、荷電ビームの走査巾および走査間隔
    を前記位置情報によって制御すると共に、前記図形情報
    によって荷電ビームのON、OFFを行なって描画する
    ことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
JP23463888A 1988-08-05 1988-09-19 荷電ビーム描画方法 Expired - Lifetime JP2577970B2 (ja)

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