JPS58108741A - 電子ビ−ム描画装置 - Google Patents
電子ビ−ム描画装置Info
- Publication number
- JPS58108741A JPS58108741A JP20709681A JP20709681A JPS58108741A JP S58108741 A JPS58108741 A JP S58108741A JP 20709681 A JP20709681 A JP 20709681A JP 20709681 A JP20709681 A JP 20709681A JP S58108741 A JPS58108741 A JP S58108741A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- division
- section
- wafer
- circle
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム描画装置に係り、特に半導体ウェ
ハ又はクロムマスクなどの表面部の加工過程に適用され
る電子ビーム描画装置に関する。
ハ又はクロムマスクなどの表面部の加工過程に適用され
る電子ビーム描画装置に関する。
一般に、円板状に形成された半導体ウェハから乗積回路
などのチップを製造する過程において、電子ビーム描画
装置によってウェハ表面のホトレジストなどの光感応性
物質からなる膜面に回路パターン會描画させたり、同様
にクロムマスク面に回路パターンを描画させた後このク
ロムマスクからウェハなどに回路パターンを転写させる
ことが行われている。
などのチップを製造する過程において、電子ビーム描画
装置によってウェハ表面のホトレジストなどの光感応性
物質からなる膜面に回路パターン會描画させたり、同様
にクロムマスク面に回路パターンを描画させた後このク
ロムマスクからウェハなどに回路パターンを転写させる
ことが行われている。
従来、例えばクロムマスク面に回路パターンを描画する
場合、転写させるウェハの直径（例えば公称２インチ〜
５インチＪ’に一辺とする矩形状の描画領域をクロムマ
スク面に設定し、その矩形領域を描画する回路パターン
に必要な大きさの区画に応じて格子状に区分し、七扛ら
の区画の全部に１１次回路パターンを描画することによ
り行われていた。
場合、転写させるウェハの直径（例えば公称２インチ〜
５インチＪ’に一辺とする矩形状の描画領域をクロムマ
スク面に設定し、その矩形領域を描画する回路パターン
に必要な大きさの区画に応じて格子状に区分し、七扛ら
の区画の全部に１１次回路パターンを描画することによ
り行われていた。
しかしながら、転写されるウェハは円形であることから
、前記の矩形領域内に想定されるウェハの円周外と、こ
の円周上に掛る位置の区画に描画爆れた回路パターンは
有効に使用されることかなのとなっていた。′１．り、
ウェハ而に直接的に描画する場合にめっても同様であっ
た。
、前記の矩形領域内に想定されるウェハの円周外と、こ
の円周上に掛る位置の区画に描画爆れた回路パターンは
有効に使用されることかなのとなっていた。′１．り、
ウェハ而に直接的に描画する場合にめっても同様であっ
た。
従って、矩形領域内の全区画を対象として描画を実行す
る従来の装置にあっては、無駄になる描画区画の割合が
多いことから、生産効率が劣悪であることおよびこれに
起因して、構成機器の消撰がはやくかつ電力消費が多く
なることなど、経済性に欠けるという欠点を有していた
。
る従来の装置にあっては、無駄になる描画区画の割合が
多いことから、生産効率が劣悪であることおよびこれに
起因して、構成機器の消撰がはやくかつ電力消費が多く
なることなど、経済性に欠けるという欠点を有していた
。
本発明の目的は、円形のウェハなどに対応する円形の描
画領域を対象に描画を実行させて生産効率の向上を達成
させることができる電子ビーム描画装置全提供すること
にめφ。
画領域を対象に描画を実行させて生産効率の向上を達成
させることができる電子ビーム描画装置全提供すること
にめφ。
本発明は、格子状に配列された複数の区画からなる矩形
領域内に円形半導体ウェハに対応する半径凡の円と核内
の中心を原点（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）とするＸＹ座像とを
設定し、−足の補正項りと前Ｈｊ２区画の中心座標（Ｘ
、、Ｙ、、、Ｊとから当該区画が式（Ｘ、−ＸＯＪ”十
（Ｙ、、、−ＹＯｌ”＜（Ｒ＋ＤＪ” を満足するも
のでめることにより当該区画が前記円内に存在するもの
でろることを検知して描画の指令信号を出力する演算制
御回路からなる検知手段全備えることにより、円形のウ
ェハなどに対応する円形領域にある区画全対象に描画を
実行させて、描画時間を大巾に短縮させて生産効率全向
上させようとするものでろる。
領域内に円形半導体ウェハに対応する半径凡の円と核内
の中心を原点（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）とするＸＹ座像とを
設定し、−足の補正項りと前Ｈｊ２区画の中心座標（Ｘ
、、Ｙ、、、Ｊとから当該区画が式（Ｘ、−ＸＯＪ”十
（Ｙ、、、−ＹＯｌ”＜（Ｒ＋ＤＪ” を満足するも
のでめることにより当該区画が前記円内に存在するもの
でろることを検知して描画の指令信号を出力する演算制
御回路からなる検知手段全備えることにより、円形のウ
ェハなどに対応する円形領域にある区画全対象に描画を
実行させて、描画時間を大巾に短縮させて生産効率全向
上させようとするものでろる。
以下、本発明の図示実施例を用いて説明する。
第１図に本発明の適用される一実施例の電子ビーム描画
装置の全体構成萌面図が示されている。
装置の全体構成萌面図が示されている。
第１図に示されるように、電子銃１から放射される′電
子ビーム２が描画対象となるクロムマスク３の上面に到
達する経路には、順次、第１の絞り４、第１のし／ズ５
、電子ビームを高速連断制御スルフランカ６、第２の絞
り４、第２のレンズ５、第３の絞り４、静電偏光器７、
第３のレンズ５、電磁偏光器８、半導体検出器９、が所
定間隔を有して設けられている。前記クロムマスク３は
試料台１０の上面に固定して設置されており、この試料
台１０は係会させて設けられるモータ１１により水平方
向に移動可能に形成されている。
子ビーム２が描画対象となるクロムマスク３の上面に到
達する経路には、順次、第１の絞り４、第１のし／ズ５
、電子ビームを高速連断制御スルフランカ６、第２の絞
り４、第２のレンズ５、第３の絞り４、静電偏光器７、
第３のレンズ５、電磁偏光器８、半導体検出器９、が所
定間隔を有して設けられている。前記クロムマスク３は
試料台１０の上面に固定して設置されており、この試料
台１０は係会させて設けられるモータ１１により水平方
向に移動可能に形成されている。
前記ブランカ６はプラノ力制御回路１７を介して、また
、前記静電偏光器７および電磁偏光器８は偏光制御回路
１８を介して、それぞれ描画制御回路１９に接続されて
いる。前記半導体検出器９はマーク検出回路２０に接続
されている。レーザ干渉測長計２１はプローブ２１Ａに
接続され、このプローブ２１Ａは前記試料台１０に設け
られた反射標的２１Ｂと対向させて設けられている。前
記レーザ干渉測長１ｉ２１は試料台の移動制御回路２２
に接続されている。描画すべき回路パターンの描画デー
タおよびその他の制御データはディスク１５に格納され
ており、このディスク１５の内容は心安に応じて演算制
御回路を含んで形成されたＣＰＵ１６により読み出し可
能に接続ちれる。
、前記静電偏光器７および電磁偏光器８は偏光制御回路
１８を介して、それぞれ描画制御回路１９に接続されて
いる。前記半導体検出器９はマーク検出回路２０に接続
されている。レーザ干渉測長計２１はプローブ２１Ａに
接続され、このプローブ２１Ａは前記試料台１０に設け
られた反射標的２１Ｂと対向させて設けられている。前
記レーザ干渉測長１ｉ２１は試料台の移動制御回路２２
に接続されている。描画すべき回路パターンの描画デー
タおよびその他の制御データはディスク１５に格納され
ており、このディスク１５の内容は心安に応じて演算制
御回路を含んで形成されたＣＰＵ１６により読み出し可
能に接続ちれる。
このように５Ｉｉｓ７．される本実施例の動作について
、全体の動作概要と本発明に係る動作とに分けて説明す
る。
、全体の動作概要と本発明に係る動作とに分けて説明す
る。
まず、全体の動作について説明する。電子銃１から射出
される電子ビーム２は各々のレンズ５および絞り４によ
って、所望の電流密度と形状を有する電子ビームに制御
されてクロムマスク３に照射される。描画すべき回路パ
ターンの描画データはディスク１５からＣＰＵ１６によ
って絖み出され、このデータは描画制御間ｗ１１９にて
ブランカ制御間１１１ｉ５１７および偏光制御回路１８
に適応する信号に変換される。プラツカ制御回路１７は
ブランカ６を作動させて電子ビームを図中破線で示すよ
うに偏光させることにより、クロムマスク面に照射され
る電子ビームを遮断する機能を有している。
される電子ビーム２は各々のレンズ５および絞り４によ
って、所望の電流密度と形状を有する電子ビームに制御
されてクロムマスク３に照射される。描画すべき回路パ
ターンの描画データはディスク１５からＣＰＵ１６によ
って絖み出され、このデータは描画制御間ｗ１１９にて
ブランカ制御間１１１ｉ５１７および偏光制御回路１８
に適応する信号に変換される。プラツカ制御回路１７は
ブランカ６を作動させて電子ビームを図中破線で示すよ
うに偏光させることにより、クロムマスク面に照射され
る電子ビームを遮断する機能を有している。
電磁偏光器８は偏光制御回路１８からの信号により、電
子ビーム葡比較的大きく偏向させるものであり、靜′ｔ
ｋＬ偏光器７は同様に偏光制御回路１８からの信号によ
り小さな領域を高速で偏向させるものである。これらの
偏向装置により電子ビームは前記描画データに基づき走
査され、この電子ビームの照射位置に在るクロムマスク
３の所定の区画に回路パターンが描画される。一つの区
画の描画が完了するとＣＰＵ１６の指令を受けて移動制
御回路２２の制御動作により、試料台１０が移動され前
記電子ビームの照射位置に次の区画が配置される。試料
台１０の移動は、レーザ干渉副長針２１によって試料台
１０の位置を高精度に検出し、モータ１１ケ駆動させて
与えられる目標位置に高精度で移動制御される。
子ビーム葡比較的大きく偏向させるものであり、靜′ｔ
ｋＬ偏光器７は同様に偏光制御回路１８からの信号によ
り小さな領域を高速で偏向させるものである。これらの
偏向装置により電子ビームは前記描画データに基づき走
査され、この電子ビームの照射位置に在るクロムマスク
３の所定の区画に回路パターンが描画される。一つの区
画の描画が完了するとＣＰＵ１６の指令を受けて移動制
御回路２２の制御動作により、試料台１０が移動され前
記電子ビームの照射位置に次の区画が配置される。試料
台１０の移動は、レーザ干渉副長針２１によって試料台
１０の位置を高精度に検出し、モータ１１ケ駆動させて
与えられる目標位置に高精度で移動制御される。
次に、本発明に係る動作について図を用いて説明する。
第２図は４インチ（−辺約１００■）の正方形クロムマ
スク３１に５■角の回路パターンヲ描画する場合の一例
を示すものであり、このクロムマスク３１から図中鎖線
で示された半径几（図示例では８０ ｍ ｌのウェハ３
２に、回路パターンを転写させようとするものである。
スク３１に５■角の回路パターンヲ描画する場合の一例
を示すものであり、このクロムマスク３１から図中鎖線
で示された半径几（図示例では８０ ｍ ｌのウェハ３
２に、回路パターンを転写させようとするものである。
図示されたように、試料台上に固定されたクロ１ト１
ムマスクに対し、ウェハ３２全包含するように５聴角の
区画を格子状に配列した描画領域３３が設定される。ウ
ェハ３２の中心３４を原点（Ｘｏ。
区画を格子状に配列した描画領域３３が設定される。ウ
ェハ３２の中心３４を原点（Ｘｏ。
ｙｏ ＪとするＸＹ座座標段設定、Ｘ軸方向１佃Ｙ軸方
向ｍ個からなるｎＸｍ個（図示例はｎ ＝ｉｉｌ＝ １
６３の区画の中心座標３５ 紫（Ｘ、、Ｙ、Ｊと設定す
ると、前記ウェハ３２の円内に完全に包含される区画は
、次式ｔｌｌ’に満足する中心座標のもので表わすこと
ができる。なお、式（１１中の補正項りはウェハの製作
定されるものでめり正または負の値を有するものである
。
向ｍ個からなるｎＸｍ個（図示例はｎ ＝ｉｉｌ＝ １
６３の区画の中心座標３５ 紫（Ｘ、、Ｙ、Ｊと設定す
ると、前記ウェハ３２の円内に完全に包含される区画は
、次式ｔｌｌ’に満足する中心座標のもので表わすこと
ができる。なお、式（１１中の補正項りはウェハの製作
定されるものでめり正または負の値を有するものである
。
（Ｘ 、−ＸＯ）十（Ｙ、−ＹＯＪ＜ （几＋Ｄ）”
−・−・・−−−−−・（１１このように設定した後
、電子ビーム描画装置にスタート指令を与えることによ
り、第３図のフローチャートに示すような制御演算がＣ
ＰＵ１６において実行される。つまり、ステップ４１に
て最初の描画対象区画の座標、例えば（Ｘｌ、 Ｙ、
）が絖み込まれる。ステップ４２において（Ｘ＋ 、
Ｙ、）が式（１１’に満足するものでるるｒＹＥ８Ｊか
否１−ＮＯＪかの判定演算が実行される。ｒＮＯＪのと
きは、ステップ４５に移行して試料台１０の移動量のピ
ッチを加算し、ステップ４６を経てステップ４１に戻り
次の区画（Ｘ＋ 、 Ｘｓ ）についてステップ４２で
式（１）の判定が行われる。このように、第２図に示さ
れた矢印３４の順序で各区画がウェハ３２の円内に含ま
れているか否かの検知が行なわれ、図中の（Ｘ＋ｔ 、
Ｙｔｌｔでの区画は上記円内に完全には含まれないの
で、試料台の移動および描画は実行されない。次に、（
Ｘ＋ Ｉ、 ＹＯ）を中心座標とする区画は式ｆｌ）を
満足するものであるから、第３図ステップ４２からステ
ップ４３に移行され、ＣＰＵ１６の制御指令によって試
料台１０が駆動され、当該区画（Ｘ＋ ｓ 、Ｙ＋ ＊
）が電子ビームの照射位置に移動される。移動完了後
ステップ４４に移行され、描画データに基づき当該区画
に回路パターンが描画される。このようにして、１獣次
当該区画がウェハ３２の円内に包含されるものについて
は描画が実行され、それ以外の区画には描画全実行しな
いで、（Ｘ□Ｙｆｆｉｌの区画まで走査されると、ステ
ップ４６にて設定された描画領域３３の全面終了１’−
Ｙ Ｅ ８」の指令が出力され、すべての装＊は停止さ
れる。
−・−・・−−−−−・（１１このように設定した後
、電子ビーム描画装置にスタート指令を与えることによ
り、第３図のフローチャートに示すような制御演算がＣ
ＰＵ１６において実行される。つまり、ステップ４１に
て最初の描画対象区画の座標、例えば（Ｘｌ、 Ｙ、
）が絖み込まれる。ステップ４２において（Ｘ＋ 、
Ｙ、）が式（１１’に満足するものでるるｒＹＥ８Ｊか
否１−ＮＯＪかの判定演算が実行される。ｒＮＯＪのと
きは、ステップ４５に移行して試料台１０の移動量のピ
ッチを加算し、ステップ４６を経てステップ４１に戻り
次の区画（Ｘ＋ 、 Ｘｓ ）についてステップ４２で
式（１）の判定が行われる。このように、第２図に示さ
れた矢印３４の順序で各区画がウェハ３２の円内に含ま
れているか否かの検知が行なわれ、図中の（Ｘ＋ｔ 、
Ｙｔｌｔでの区画は上記円内に完全には含まれないの
で、試料台の移動および描画は実行されない。次に、（
Ｘ＋ Ｉ、 ＹＯ）を中心座標とする区画は式ｆｌ）を
満足するものであるから、第３図ステップ４２からステ
ップ４３に移行され、ＣＰＵ１６の制御指令によって試
料台１０が駆動され、当該区画（Ｘ＋ ｓ 、Ｙ＋ ＊
）が電子ビームの照射位置に移動される。移動完了後
ステップ４４に移行され、描画データに基づき当該区画
に回路パターンが描画される。このようにして、１獣次
当該区画がウェハ３２の円内に包含されるものについて
は描画が実行され、それ以外の区画には描画全実行しな
いで、（Ｘ□Ｙｆｆｉｌの区画まで走査されると、ステ
ップ４６にて設定された描画領域３３の全面終了１’−
Ｙ Ｅ ８」の指令が出力され、すべての装＊は停止さ
れる。
（９）
従って、ウェハなどの円形領域外および円周に掛る区画
にも描画を実行していた従来例にあっては、例えば３イ
ンチウェハ（直径約８０ ｍｓ ）に５鴫角の回路パタ
ーンを形成させる場合、２５６個の区画全実行しながら
、有効に使用される描画区画は約６０％の１６４個でる
り、描画に太する時間が極めて無駄でめったが、本実施
例によれば、対象とされるウニへの円形領域に完全に包
含される区画にのみ描画を実行するものであるから、描
画時間を大巾に短縮させることができるので生産効率が
著るしく向上されるという効果を有している。
にも描画を実行していた従来例にあっては、例えば３イ
ンチウェハ（直径約８０ ｍｓ ）に５鴫角の回路パタ
ーンを形成させる場合、２５６個の区画全実行しながら
、有効に使用される描画区画は約６０％の１６４個でる
り、描画に太する時間が極めて無駄でめったが、本実施
例によれば、対象とされるウニへの円形領域に完全に包
含される区画にのみ描画を実行するものであるから、描
画時間を大巾に短縮させることができるので生産効率が
著るしく向上されるという効果を有している。
また、本実施例によれば、生産効率が向上されることに
より、生産量当りの電力消費量が低減され且つ構成機器
の寿命が延長され、ざらに事故率の低減および保守の低
減などと合わせて極めて経済性が向上されるという効果
を有している。
より、生産量当りの電力消費量が低減され且つ構成機器
の寿命が延長され、ざらに事故率の低減および保守の低
減などと合わせて極めて経済性が向上されるという効果
を有している。
なお、上記実施例はクロムマスクに描画するものについ
て説明したが、クロムマスクに代えて半導体ウェハを用
いて同様に描画加工させることが（１ω 可能である。また、補正項比は任意に設定できるもので
るり、上記実施例においては描画される区画がウェハ円
形領域内に完全に包含されるものについて説明したがこ
れに限られるものではない。
て説明したが、クロムマスクに代えて半導体ウェハを用
いて同様に描画加工させることが（１ω 可能である。また、補正項比は任意に設定できるもので
るり、上記実施例においては描画される区画がウェハ円
形領域内に完全に包含されるものについて説明したがこ
れに限られるものではない。
以上説明したように、本発明によれば、円形ウェハ又は
クロムマスクの表面全描画加工するものにあって、ウェ
ハに対応する円形の領域を対象に描画を実行させること
により、描画時間を大巾に短縮させて生産効率全署しく
向上させることができるという効果がある。
クロムマスクの表面全描画加工するものにあって、ウェ
ハに対応する円形の領域を対象に描画を実行させること
により、描画時間を大巾に短縮させて生産効率全署しく
向上させることができるという効果がある。
第１図は本発明の適用された一実施例の全体構成断面図
、第２図は動作を説明するための描画区画区分図、第３
図は動作を説明するフローチャートである。 ２・・・電子ビーム、１５・・・ディスク、１６・・・
ＣＰＵ（演、算制御回路）、１９・・・姉御制御回路、
２２・・・移動制御回路、３２・・・ウニノ１．３４・
・・（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）、３５・・・（Ｘ、、Ｙｖｎ
）、几・・・ウニノ１の半径、Ｄ・・・補正Ｍ２図 一？１ ５ 第Ｊ 図
、第２図は動作を説明するための描画区画区分図、第３
図は動作を説明するフローチャートである。 ２・・・電子ビーム、１５・・・ディスク、１６・・・
ＣＰＵ（演、算制御回路）、１９・・・姉御制御回路、
２２・・・移動制御回路、３２・・・ウニノ１．３４・
・・（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）、３５・・・（Ｘ、、Ｙｖｎ
）、几・・・ウニノ１の半径、Ｄ・・・補正Ｍ２図 一？１ ５ 第Ｊ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、格子状に配列された複数の区画からなる矩形領域内
の前記区画を順次電子ビーム照射位置に移動させて電子
ビームにより各々の区画に描画を実行する電子ビーム描
画装置において、円形半導体ウェハに対応させて前記矩
形領域内に設定された半径凡の円内に存在する前記区画
を検知し、該検知された区画にのみ描＃Ｉ全夷行させる
指令信号全出力する検知手段を備えたことを特徴とする
電子ビーム描画装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の発明において、前記検
知手段は、前記円の中心を原点（Ｘｏ 、 Ｙｏ）とす
るＸＹ座標と一定の補正項Ｒと全設定し、前記区画の中
心座標（Ｘ、、Ｙ−が式（Ｘ、−ＸＯ）”＋（Ｙゆ−Ｙ
。ｌ”＜（Ｒ＋ＤＪ”ｉ満足するものであることにより
検知し前記指令信号を出力する演算制御回路を備えて構
成されるものであること全特徴とする電子ビーム描画装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20709681A JPS58108741A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 電子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20709681A JPS58108741A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 電子ビ−ム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108741A true JPS58108741A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16534128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20709681A Pending JPS58108741A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 電子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177927A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135278A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask for photomechanics |
| JPS5559722A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Producing method of electron beam drawing photomask |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP20709681A patent/JPS58108741A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135278A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask for photomechanics |
| JPS5559722A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Producing method of electron beam drawing photomask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177927A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPH0544173B2 (ja) * | 1983-03-29 | 1993-07-05 | Fujitsu Ltd |
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