JPS59160948A - パターン検出装置 - Google Patents

パターン検出装置

Info

Publication number
JPS59160948A
JPS59160948A JP58032713A JP3271383A JPS59160948A JP S59160948 A JPS59160948 A JP S59160948A JP 58032713 A JP58032713 A JP 58032713A JP 3271383 A JP3271383 A JP 3271383A JP S59160948 A JPS59160948 A JP S59160948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample table
sample
rectangular area
point
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58032713A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0616407B2 (ja
Inventor
Kazushi Yoshida
吉田 和士
Toshimitsu Hamada
浜田 利満
Tomohiro Kuji
久邇 朝宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58032713A priority Critical patent/JPH0616407B2/ja
Publication of JPS59160948A publication Critical patent/JPS59160948A/ja
Publication of JPH0616407B2 publication Critical patent/JPH0616407B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野) 本発明は、荷電ビーム、特に走査電子顕微鏡をパタ・−
ン検査に応用するときの、パターン検従来は、走査電子
顕微鏡等を用いて、ホトマスクやウェハなどのパターン
の検査を行なうには、走査電子顕微鏡等の走査可能な視
野の大きさに比べ、検査すべき領域が大きいため、試料
テーブルを検出点まで移動し、試料チーフルが停止して
からパターンの検出を行なうことを繰り返すことにより
、試料全面のパターン検査を行なっていた。しかしなが
ら、試料テーブルが移動し、停止するまでの時間はパタ
ーン検出ができず、パタ−ン検査における全くの無駄時
間になシ、検査時間が長くなる欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくして、
高速にパターンを検出する方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
前記した従来方法では、パターン検出に用いる荷電ビー
ムを、偏向できる視野内のある決められた走査範囲を偏
向、走査するようになっているため、−回分の検査領域
を、その決められた走査範囲に入るように試料チーフル
を停止させなければならなかった。しかしながら、走査
電子顕微鏡等においては、視野内のランダム走査が可能
である。そこで、本発明は試料テーブルに試料チーフル
の位置を実時間で検出できる装置を設け、試料チーフル
を連続的に移動させ、試料テーブルの位置情報により荷
電ビームを試料上の正しい位置を走査するように補正す
ることにより、試料チーフルを停止させずにバター7検
出を行ない、検査時間の高速化を図ることを特徴とした
パターン検出方式である。
〔発明の実施例〕
以下に本方式の実施例を第1図に示すようなウニ・・を
全面検査する場合について説明する。
第1図においてX、Yは、試料ウエノ・の置かれている
試料テーブルの座標系である。本発明では、ウェハ上の
検査すべき領域を第1図に示すように、SEM(走査電
子顕微鏡)の視野より小さい矩形領域に分割する。従来
技術では、各矩形領域をSEMで走査するとき、毎回同
じ偏向信号で、各矩形領域を走査するために、試料テー
ブルを、(X、、、Y、υ、 (Xo、 、 Yo、)
  (X、m 、 Yon)(m=1.2.3−k  
 、  n=1.2.3−1)  へステップ送シし位
置決めした後、各矩形領域を走査していた。一方、本発
明では試料ステージを(X、、 、 Yo、) −) 
(X。、 、 Y、+) 、 (Xo、 、 Y、、)
→(Xo、 、 Yol )。
(X、k 、 Y、、 )−+ (X、k 、 Yol
 )というように連続的に試料ステージの移動をしなが
らパターン検出を行なう。そのための実施例の全体構成
を第2図に示す。
第2図において、偏向信号発生器1は、前記した試料テ
ーブルをステップ送りしながらパターン検出を行なう時
と同様な偏向信号を発生する。試料テーブル6は、試料
テーブル制御装置8からの指示により、まず(X、、 
、 Y、、)→(x、、。
Y、l)へ移動を始める。この時、矩形領域基準点指定
装置9より1最初の矩形領域の基準点(Xo・。
Y、、)が、演算装置7へ送られる。移動を開始した試
料テーブルの位置座標(X、Y)は、試料テーブル位置
測定装置5により実時間で測定され、演算装置iへ)名
時送られている。演算装置7は、現在入力しようとして
いる矩形領域の基準点(Xom 、 Yon)と、その
時点における試料テーブルの位置とのずれ量を算出する
。この、ずれ厳により、今、検出しようとしている矩形
領域が、SEMの視野(偏向可能な領域)に入ったこと
が判ると、演算装置7は、偏向信号発生器1に対して、
基準となる偏向信号(1矩形領域を偏向する信号)の発
生を開始させる。演算装置7は、実時間で、矩形領域の
基準点と、その時点の試料テーブルの位置とのずれ量を
、ビーム位置補正信号として出力する。又、試料テーブ
ルは、(x、、 、 y、、)→(Xo、 Y、I )
 ヘ移動するように指定されても、移動速度のムラ、X
又はY方向へのガタ等を生じるが、これらは、試料テー
ブル位置測定装置5によって常に試料テーブルの位置が
監視されているので、これらのドリフト分は演算装置に
よって求められるビーム位置補正信号に含まれている。
偏向信号発生器1によって発生した基準となる偏向信号
と、ビーム位置補正信号は、加算器2によって加算され
、荷電ビームを、偏向アンプ3.偏向コイル4を介し、
正しい矩形領域へ偏向する。このようにして、1矩形領
域分の偏向が終了すると偏向信号発生器1は、矩形領域
基準点指定装置9へ、次の矩形領域の基準点(x、、 
、 yo、)を演算装置7に送るよう指示する。演算装
置7は、この新しい基準点を基準に新しい矩形領域の走
査を同様にして行なわせる。以−Eによシ試料ステージ
を連続移動させながら、正確にパターンの検出を行なう
ことができステージ停止のだめの無駄時間が省けるため
高速にパターン検出を行なうことができる。
次に、演算装置7の詳細を第3図によシ説明する。第3
図における減算器14は、矩形領域の基準点信号10と
試料テーブルの位置座標信号11を減算し、基準点と現
在の試料テーブル位置のずれ量、すなわちビーム位置補
正信号13を実時間で求める。コンパレータ15は、減
算器14により求められたビーム位置補正信号1ろから
、現在の試料テーブルの位置が、現在検出しようとして
いる矩形領域を偏向できるか判定するものである。つ1
シ、ビーム位置補正信号1ろXom −X。
Yon −y  の値が 一δX+  <Xorn  x、<  δX。
−δY+ 、<Yon−へくδy。
(ただしδは、基準点に対するビーム偏向領域の許容量
) の2式の両方を満足するものであるとき、試料テーブル
の位置は、SEMの視野内にあることにカリ、コンパレ
ータ15は偏向信号発生器1に対して試料テーブル位置
判定信号12を送り、荷電ヒニムの偏向を開始させる。
〔発明の効果] 本発明によれば、試料テーブルを、パターンの検出をす
る矩形領域毎に停止させる必要が乞いため、試料チーフ
ルを停止させるのに必要な無駄時間が生じないので、パ
ターン検出に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のパターン検査領域及び座標
系の説明図、第2図は同じく全体構成を示すブロック図
、第6図は、第2図における演算装置7の詳細な説明図
である。 1 偏向信号発生器、   2 加算器、6 偏向アン
プ、     4・・偏向コイル、5・・・試料テーブ
ル位置測定装置、 6 試料テーブル、    7 演算装置、8 試料テ
ーブル制御装置、 9 矩形領域基準点指定装置、 10・−矩形領域の基準点信号、 11  試料テーブルの位置座標信号、12  試料テ
ーブル位置判定信号、 1ろ ビーム位置補正信号、 14  減算器、      15  コンパレータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 荷電ビーム等を偏向する手段とそれに偏向信号を
    与える偏向信号発生器と連続に移動できる試料テーブル
    よシなるパターン検出装置において、試料テーブルの位
    置座標を実時間で測定できる手段と、試料テーブルの現
    在位置と検出しようとするパターン領域の存在する試料
    テーブル位置とのずれ量を演算する装置を設けたことに
    より、試料テーブルを連続移動させて試料テーブルの停
    止時間を省き、試料テーブル上の試料の検出すべき領域
    が偏向系の視野に入った時、その時のずれ量によシ荷電
    ビームを正規のパターン領域に実時間に補正しパターン
    を検出することを特徴とするパターン検出方式。
JP58032713A 1983-03-02 1983-03-02 パターン検出装置 Expired - Lifetime JPH0616407B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58032713A JPH0616407B2 (ja) 1983-03-02 1983-03-02 パターン検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58032713A JPH0616407B2 (ja) 1983-03-02 1983-03-02 パターン検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59160948A true JPS59160948A (ja) 1984-09-11
JPH0616407B2 JPH0616407B2 (ja) 1994-03-02

Family

ID=12366473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58032713A Expired - Lifetime JPH0616407B2 (ja) 1983-03-02 1983-03-02 パターン検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0616407B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5777327A (en) * 1995-12-28 1998-07-07 Hitachi, Ltd. Pattern shape inspection apparatus for forming specimen image on display apparatus
US6172363B1 (en) 1996-03-05 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US6583634B1 (en) 1999-04-28 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument
JP2006324597A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi High-Technologies Corp 電子線式パターン検査装置、及び、試料の検査条件の設定方法
US7423746B2 (en) 2006-02-28 2008-09-09 Hitachi High-Technologies Corporation Circuit-pattern inspecting apparatus and method
US7696487B2 (en) 2005-11-11 2010-04-13 Hitachi High-Technologies Corporation Circuit pattern inspection apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS564237A (en) * 1979-06-26 1981-01-17 Jeol Ltd Method of moving sample stage in exposure to electron beam

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS564237A (en) * 1979-06-26 1981-01-17 Jeol Ltd Method of moving sample stage in exposure to electron beam

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5777327A (en) * 1995-12-28 1998-07-07 Hitachi, Ltd. Pattern shape inspection apparatus for forming specimen image on display apparatus
US6172363B1 (en) 1996-03-05 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US6329826B1 (en) 1996-03-05 2001-12-11 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US6559663B2 (en) 1996-03-05 2003-05-06 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US7417444B2 (en) 1996-03-05 2008-08-26 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US7952074B2 (en) 1996-03-05 2011-05-31 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US6583634B1 (en) 1999-04-28 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument
US6703850B2 (en) 1999-04-28 2004-03-09 Hitachi, Ltd. Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument
JP2006324597A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi High-Technologies Corp 電子線式パターン検査装置、及び、試料の検査条件の設定方法
US7696487B2 (en) 2005-11-11 2010-04-13 Hitachi High-Technologies Corporation Circuit pattern inspection apparatus
US7423746B2 (en) 2006-02-28 2008-09-09 Hitachi High-Technologies Corporation Circuit-pattern inspecting apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0616407B2 (ja) 1994-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6392243B1 (en) Electron beam exposure apparatus and device manufacturing method
JPS61196532A (ja) 露光装置
JPH0362011B2 (ja)
KR20140077119A (ko) 하전 입자빔 묘화 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 하전 입자빔 묘화 장치
JPH0220921B2 (ja)
JPS59160948A (ja) パターン検出装置
JPH0794562A (ja) 微細パターンの測定装置
US4264822A (en) Electron beam testing method and apparatus of mask
JPH07142321A (ja) 電子ビーム露光装置の偏向量補正方法
JPS59178726A (ja) パタ−ン転写用マスクの製造方法
JPH0982264A (ja) パターン検査装置および走査型電子顕微鏡
JPH04196310A (ja) 電子線描画装置におけるマーク検出方法
JPH06137854A (ja) 三次元形状の検査方法
JP2000056002A (ja) 走査干渉電子顕微鏡
JPH07286842A (ja) 寸法検査方法及びその装置
JPH02184854A (ja) イオンビーム装置及びその制御方法
JP3385698B2 (ja) 座標位置測定方法及び装置
JPH03188616A (ja) 電子ビーム露光装置
JPS6312146A (ja) パタ−ン寸法計測方法
JP2002013922A (ja) 合わせずれ検査方法及び荷電ビーム照射装置
JPH0275140A (ja) 電子ビーム装置
JPH03270250A (ja) 半導体素子の検査方法
JPH09245714A (ja) 制御方法およびそれに用いる集束イオンビーム装置
JPH07287389A (ja) パターン検査装置
JPS62122226A (ja) 試料の平行度検出方法