JPS62122226A - 試料の平行度検出方法 - Google Patents
試料の平行度検出方法Info
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- JPS62122226A JPS62122226A JP60261069A JP26106985A JPS62122226A JP S62122226 A JPS62122226 A JP S62122226A JP 60261069 A JP60261069 A JP 60261069A JP 26106985 A JP26106985 A JP 26106985A JP S62122226 A JPS62122226 A JP S62122226A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子ビーム装置等における試料上のパターン
と試料台移動方向との平行度測定方法に係り、特に電子
ビームの偏向範囲が狭い場合に好適な３１１定方法に関
する。
と試料台移動方向との平行度測定方法に係り、特に電子
ビームの偏向範囲が狭い場合に好適な３１１定方法に関
する。
電子ビームを利用した寸法測長装置において、試料全面
にわたってパターン寸法を自動的に測定するには、試料
上のパターンと試料台移動方向との平行度をあらかじめ
求めておき、試料台の移動の際には、両者のなす角度を
考慮した補正が必要である。
にわたってパターン寸法を自動的に測定するには、試料
上のパターンと試料台移動方向との平行度をあらかじめ
求めておき、試料台の移動の際には、両者のなす角度を
考慮した補正が必要である。
従来、このような試料の配置方向と試料台の移動方向の
関係については、電子ビーム描画装置においても行われ
てきた。その方法は以下の通りであった。まず試料上の
数１０＋ｎｍ離れた２個所に基準となるパターンを設け
る。次に第１のパターンが電子ビーム偏向領域内に入る
ように試料台を移動させ、電子ビーム走査により、その
パターン中心位置を求める。次に、試料台をあらかじめ
知られている２個の基準パターン間の距離だけ移動させ
、第２のパターンを偏向領域内に配置する。ここで、再
び電子ビーム操作により、第２のパターンの中心を求め
る。最後に、第１．第２のパターン中心位置より、試料
の配置方向と、試料台の移動方向との角度を求めていた
。
関係については、電子ビーム描画装置においても行われ
てきた。その方法は以下の通りであった。まず試料上の
数１０＋ｎｍ離れた２個所に基準となるパターンを設け
る。次に第１のパターンが電子ビーム偏向領域内に入る
ように試料台を移動させ、電子ビーム走査により、その
パターン中心位置を求める。次に、試料台をあらかじめ
知られている２個の基準パターン間の距離だけ移動させ
、第２のパターンを偏向領域内に配置する。ここで、再
び電子ビーム操作により、第２のパターンの中心を求め
る。最後に、第１．第２のパターン中心位置より、試料
の配置方向と、試料台の移動方向との角度を求めていた
。
電子ビーム測長においても同様の処理が必要であるが、
電子ビーム測長の場合には高精度の測長を実現するため
に偏向範囲が数１０μｍと描画装置の１／１０・〜１／
１００である。従って、描画装置のように、単に第１の
パターンから第２のパターンへその間隔だけ移動された
のでは、第２のパターンが偏向領域に入らない場合が多
く、パターン中心位置が求められないという問題点があ
った。
電子ビーム測長の場合には高精度の測長を実現するため
に偏向範囲が数１０μｍと描画装置の１／１０・〜１／
１００である。従って、描画装置のように、単に第１の
パターンから第２のパターンへその間隔だけ移動された
のでは、第２のパターンが偏向領域に入らない場合が多
く、パターン中心位置が求められないという問題点があ
った。
なお、この様な試料移動方法に関しては、特開昭５９−
５４１９８がある。
５４１９８がある。
本発明の目的は、電子ビーム測長装置のごとく偏向領域
の狭い電子ビーム装置において、試料の配置方向と、試
料台移動方向との関係を容易に求める方法を提供するこ
とにある。
の狭い電子ビーム装置において、試料の配置方向と、試
料台移動方向との関係を容易に求める方法を提供するこ
とにある。
本発明においては、第１のパターンの中心位置を求める
際に、同一パターンを用いて、試料の配置方向と試移動
方向とのおおよその関係を求め、第２のパターンへの試
料台移動においてその結果を反映されることにより、第
２のパターンを睡向領域内に設置出来るようにする。
際に、同一パターンを用いて、試料の配置方向と試移動
方向とのおおよその関係を求め、第２のパターンへの試
料台移動においてその結果を反映されることにより、第
２のパターンを睡向領域内に設置出来るようにする。
以下、本発明の一実施例を説明する。
第１図は、本発明を実施した電子ビーム測長装置の概略
端成図である。第１図において、１１は電子光学系、】
２は試料室、１３はＸ、Ｙ方向に可動な試料台、１４は
試料であるＳｉウェハ、１５は電子ビーム、１６は試料
１４からの二次電子信号を検出するための検出器、１７
は電子ビーム偏向器、１８は試料台制御回路、１９はＡ
／Ｄ変換器、２０は偏向増幅器、２１は装置全体を制御
する制御回路である。
端成図である。第１図において、１１は電子光学系、】
２は試料室、１３はＸ、Ｙ方向に可動な試料台、１４は
試料であるＳｉウェハ、１５は電子ビーム、１６は試料
１４からの二次電子信号を検出するための検出器、１７
は電子ビーム偏向器、１８は試料台制御回路、１９はＡ
／Ｄ変換器、２０は偏向増幅器、２１は装置全体を制御
する制御回路である。
偏向器１７により電子ビーム１５は６０μｍ０の範囲に
わたって偏向でき、又、その偏向方向は装置の初期調整
の段階で、試料台１３の移動方向と一致させた。
わたって偏向でき、又、その偏向方向は装置の初期調整
の段階で、試料台１３の移動方向と一致させた。
本装置において、Ｓｉウェハ１４の試料台１３に対する
傾きは以下の様にして求めた・Ｓｉウェハ１４に設けた
基準パターン上を電子ビーム１５で走査し、その際に基
準パターンから発生した二次電子信号を検出器１６で検
出し、Ａ／Ｄ変換器１９を介して制御回路２１へ転送し
た。
傾きは以下の様にして求めた・Ｓｉウェハ１４に設けた
基準パターン上を電子ビーム１５で走査し、その際に基
準パターンから発生した二次電子信号を検出器１６で検
出し、Ａ／Ｄ変換器１９を介して制御回路２１へ転送し
た。
試料１４の平面図及び基準パターンの構成を第２図に示
す。Ｓｉウェハ１４上には８０＋ｎｏ＋離れた個所に同
形状の基準パターン２２．２３が形成されている。パタ
ーンの形状は第２図（ｂ）に示すごとく十文字形をして
おり、Ｓｉをエツチングしたものである。
す。Ｓｉウェハ１４上には８０＋ｎｏ＋離れた個所に同
形状の基準パターン２２．２３が形成されている。パタ
ーンの形状は第２図（ｂ）に示すごとく十文字形をして
おり、Ｓｉをエツチングしたものである。
制御回路２１は偏向増幅器２０．偏向器１７により電子
ビームを第２図（ｂ）に示す２４，２５゜２６のごとく
走査し、検出したパターン信号からパターンのエツジ位
置Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆを求めた。位＠Ａ、Ｂ、Ｃ，
Ｄよりパターン中心位置Ｏ１を算出した。再に、制御回
路２１は位置データ、Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｆより各々のパター
ン位置Ｐ。
ビームを第２図（ｂ）に示す２４，２５゜２６のごとく
走査し、検出したパターン信号からパターンのエツジ位
置Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆを求めた。位＠Ａ、Ｂ、Ｃ，
Ｄよりパターン中心位置Ｏ１を算出した。再に、制御回
路２１は位置データ、Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｆより各々のパター
ン位置Ｐ。
Ｑを求め、これにより試料台移動方向に対するパターン
の傾きを求めた、Ｐ、Ｑ間の距離は５０μｍ、Ｐ、Ｑ点
のＸ方向に対するすれは１μｍであり。
の傾きを求めた、Ｐ、Ｑ間の距離は５０μｍ、Ｐ、Ｑ点
のＸ方向に対するすれは１μｍであり。
従ってＳｉウェハの傾きは２０ｍｒａｄであった。
次に、第２の基準パターンの検出を行ったが。
基準パターン２２から２３への試料台移動にあたって、
制御回路２１は上記により求めた傾きを考慮し、Ｘ方向
に８０ｎａ移動させるとともに、Ｙ方向にも１．６ｍｍ
試料台を移動させ、これにより基準パターン２３も電子
ビームの偏向領域内に配置されることができた。
制御回路２１は上記により求めた傾きを考慮し、Ｘ方向
に８０ｎａ移動させるとともに、Ｙ方向にも１．６ｍｍ
試料台を移動させ、これにより基準パターン２３も電子
ビームの偏向領域内に配置されることができた。
第２の基準パターン２３では、第２図（ｂ）で示した２
４．２５の電子ビームの走査を行い、第１の基準パター
ンと同様の処理を行って中心位置０２を求めた。
４．２５の電子ビームの走査を行い、第１の基準パター
ンと同様の処理を行って中心位置０２を求めた。
最後に、中心位＠０１及び０２よりＳｉウェハの傾きを
より正確に求め、Ｓｉウェハ１４上のパターン測定にお
ける試料台移動及び線幅補正に用いた。
より正確に求め、Ｓｉウェハ１４上のパターン測定にお
ける試料台移動及び線幅補正に用いた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、電子ビームの偏向領域が狭い装置にお
いて、試料上の２個所の基遺パターンの位置から試料の
傾きを求める際に、第１の基準パターンから第２の基準
パターンへの試料台移動にあたって、概略の移動量補正
ができるので、第２の基準パターンの検出が容易となる
。
いて、試料上の２個所の基遺パターンの位置から試料の
傾きを求める際に、第１の基準パターンから第２の基準
パターンへの試料台移動にあたって、概略の移動量補正
ができるので、第２の基準パターンの検出が容易となる
。
例えば、実施例で示したように偏向領域が６０μｍ口で
あっても、Ｘ方向に８０＋ｍ＋Ｍれ、Ｙ方向に１．６Ｉ
もずれている第２基準パターンの検出が可能となった。
あっても、Ｘ方向に８０＋ｍ＋Ｍれ、Ｙ方向に１．６Ｉ
もずれている第２基準パターンの検出が可能となった。
第１図は、本発明を実施した電子ビーム副長装置の概略
構成図、第２図（ａ）は試料であるＳｉウェハと基準パ
ターンの関係を示す図、同図（ｂ）は、基準パターンと
電子ビームの走査を示す図である。
構成図、第２図（ａ）は試料であるＳｉウェハと基準パ
ターンの関係を示す図、同図（ｂ）は、基準パターンと
電子ビームの走査を示す図である。
Claims (1)
- ウェハーなどの試料面上に設けられた２個の基準となる
パターンを用いて、試料台の移動方向と試料上のパター
ンとの平行度を測定する際に、第１の基準パターンを用
いて概略の平行度を求めることを特徴とする試料の平行
度検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261069A JPS62122226A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 試料の平行度検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261069A JPS62122226A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 試料の平行度検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122226A true JPS62122226A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17356646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60261069A Pending JPS62122226A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 試料の平行度検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122226A (ja) |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60261069A patent/JPS62122226A/ja active Pending
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