JPH03270250A - 半導体素子の検査方法 - Google Patents
半導体素子の検査方法Info
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- JPH03270250A JPH03270250A JP7237090A JP7237090A JPH03270250A JP H03270250 A JPH03270250 A JP H03270250A JP 7237090 A JP7237090 A JP 7237090A JP 7237090 A JP7237090 A JP 7237090A JP H03270250 A JPH03270250 A JP H03270250A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000010998 test method Methods 0.000 title 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体素子の検査方法に関し、
ウェーハを欠陥検査装置からSEM(走査型電子顕微鏡
)へ移し替えてチップ内の欠陥をSEM観察する際、欠
陥を精度よく容易に検出することができる半導体素子の
検査方法を提供することを目的とし、 チップコーナ部の第1の基準座標に基づいて該チ、7プ
内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づいて
該チップ内に第2の基準座標を求め、該第2の基準座標
に基づいて該欠陥座標を検出することを特徴とするよう
に構成する。
)へ移し替えてチップ内の欠陥をSEM観察する際、欠
陥を精度よく容易に検出することができる半導体素子の
検査方法を提供することを目的とし、 チップコーナ部の第1の基準座標に基づいて該チ、7プ
内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づいて
該チップ内に第2の基準座標を求め、該第2の基準座標
に基づいて該欠陥座標を検出することを特徴とするよう
に構成する。
本発明は、半導体素子の検査方法に係り、特にチップ内
の欠陥をSEM観察する際、欠陥を精度よく容易に検出
することができる半導体素子の検査方法に関する。
の欠陥をSEM観察する際、欠陥を精度よく容易に検出
することができる半導体素子の検査方法に関する。
近時、パターンが形成されたウェーハの欠陥を検査する
欠陥検査装置としては、サブミクロンレベルの欠陥を検
出することが可能になってきている。この装置には検出
された欠陥を観察できるように金属顕微鏡が備え付けで
ある。しかしながら、この金属顕微鏡では実像の200
0倍程度しか拡大することができず、特にサブミクロン
レベルの欠陥を解析(欠陥の形状、発生工程の検討、異
物の種類等)することは困難であった。このため、金属
顕微鏡よりも精度のよいSEMで観察する。この時、欠
陥検査装置から出力されたチンプコーナ部の基準座標か
らの欠陥のチップ内座標を基にして、欠陥のSEM像を
探しだすのであるが、このチンプコーナ部の基準座標と
欠陥座標という座標関係では、金属顕@鏡の1000倍
のエリア内に欠陥が入る程度の位置精度しかない。この
ため、欠陥検査を行う欠陥検査装置自身では欠陥を容易
に検出することができるが、その装置からウェーハをS
EMに移し替え、欠陥を32M観察すると、観察したい
欠陥を検出するのに時間と手間がかかるという問題があ
った。これは、欠陥座標がチンプコーナ部の基準座標か
ら離れる程位置精度が悪くなり顕著になる。
欠陥検査装置としては、サブミクロンレベルの欠陥を検
出することが可能になってきている。この装置には検出
された欠陥を観察できるように金属顕微鏡が備え付けで
ある。しかしながら、この金属顕微鏡では実像の200
0倍程度しか拡大することができず、特にサブミクロン
レベルの欠陥を解析(欠陥の形状、発生工程の検討、異
物の種類等)することは困難であった。このため、金属
顕微鏡よりも精度のよいSEMで観察する。この時、欠
陥検査装置から出力されたチンプコーナ部の基準座標か
らの欠陥のチップ内座標を基にして、欠陥のSEM像を
探しだすのであるが、このチンプコーナ部の基準座標と
欠陥座標という座標関係では、金属顕@鏡の1000倍
のエリア内に欠陥が入る程度の位置精度しかない。この
ため、欠陥検査を行う欠陥検査装置自身では欠陥を容易
に検出することができるが、その装置からウェーハをS
EMに移し替え、欠陥を32M観察すると、観察したい
欠陥を検出するのに時間と手間がかかるという問題があ
った。これは、欠陥座標がチンプコーナ部の基準座標か
ら離れる程位置精度が悪くなり顕著になる。
そこで、ウェーハを欠陥検査装置からSEMに移し替え
て欠陥を32M観察する際、精度よく容易に欠陥を検出
することができる半導体素子の検査方法が要求されてい
る。
て欠陥を32M観察する際、精度よく容易に欠陥を検出
することができる半導体素子の検査方法が要求されてい
る。
第2図及び第3図は従来の半導体素子の検査方法を説明
する図であり、第2図は従来例の検査装置を示す概略図
、第3図は従来例の検査方法を説明する図である。
する図であり、第2図は従来例の検査装置を示す概略図
、第3図は従来例の検査方法を説明する図である。
これらの図乙こおいて、31はパターンが形成されたウ
ェーハ、33はレーザ光32を発するレーザ発振器、3
4は金属顕微鏡、36はウェーハ31からの反射光35
を集束するレンズ、37はウェーハ31から得られる良
品パターン、38はホログラム像、39はCCDカメラ
である。
ェーハ、33はレーザ光32を発するレーザ発振器、3
4は金属顕微鏡、36はウェーハ31からの反射光35
を集束するレンズ、37はウェーハ31から得られる良
品パターン、38はホログラム像、39はCCDカメラ
である。
次に、その検査方法について説明する。
ここでの第2図に示す欠陥検査装置はパターンが形成さ
れたウェーハ31の欠陥を検出するための装置であり、
サブごクロンレベルでの欠陥を検出することが可能であ
る。そして、装置には検出された欠陥を観察できるよう
に金属顕微鏡34が備え付けられている。具体的には、
まず、レーザ発振器33からのレーザ光32をパターン
が形成されたウェーハ31に照射し、ウェーハ31から
反射された反射光35をレンズ36で集束(フーリエ変
換)してウェーハ31から得られる良品パターン37を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像38として記録
する。
れたウェーハ31の欠陥を検出するための装置であり、
サブごクロンレベルでの欠陥を検出することが可能であ
る。そして、装置には検出された欠陥を観察できるよう
に金属顕微鏡34が備え付けられている。具体的には、
まず、レーザ発振器33からのレーザ光32をパターン
が形成されたウェーハ31に照射し、ウェーハ31から
反射された反射光35をレンズ36で集束(フーリエ変
換)してウェーハ31から得られる良品パターン37を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像38として記録
する。
次いで、ホログラム像38にした欠陥座標をCCDカメ
ラ39で読み取り、CCDカメラ39で読み取られたホ
ログラム像38に焼き付けられた欠陥座標を第3図うこ
示す如くテンプ41上に置き換える。ここで第3図に示
すXはテンプ41コーナ部に設けられた基準座標(原点
)であり、AI、A2、A3、A4はホログラム像38
に焼き付けられた欠陥座標をチップ41内座標に置き換
えた欠陥座標である。
ラ39で読み取り、CCDカメラ39で読み取られたホ
ログラム像38に焼き付けられた欠陥座標を第3図うこ
示す如くテンプ41上に置き換える。ここで第3図に示
すXはテンプ41コーナ部に設けられた基準座標(原点
)であり、AI、A2、A3、A4はホログラム像38
に焼き付けられた欠陥座標をチップ41内座標に置き換
えた欠陥座標である。
そして、チップ41コーナ部の基準座標X、欠陥座標A
1、A2、A3、A4に基づいて、実際にウェーハ31
上に欠陥があるか否かを金属顕微鏡34で観察する。と
ころが、金属顕微鏡34では実像の2000倍程度しか
拡大することができず、ウェーハ31上の欠陥を解析す
ること(欠陥の形状、欠陥発生工程の検討、異物の種類
等)は困難であるため、金属顕微鏡よりも精度のよいS
EMで観察することにより欠陥を検出する。
1、A2、A3、A4に基づいて、実際にウェーハ31
上に欠陥があるか否かを金属顕微鏡34で観察する。と
ころが、金属顕微鏡34では実像の2000倍程度しか
拡大することができず、ウェーハ31上の欠陥を解析す
ること(欠陥の形状、欠陥発生工程の検討、異物の種類
等)は困難であるため、金属顕微鏡よりも精度のよいS
EMで観察することにより欠陥を検出する。
(発明が解決しようとする課題〕
上記した従来の半導体素子の検査方法は、ウェーハ31
を欠陥検査装置からSEMに移し替え、欠陥のチップ4
1内座標A1、A2、A3、A4とチップ4↓コーナ部
の基準座標Xとを基にして、SEMにより欠陥のSEM
像を探し出すというものであるが、この座標関係では金
属顕微鏡34の1000倍のエリア内に欠陥が入る程度
の位置精度しかなかった。このため、欠陥検査を行う欠
陥検査装置自身では欠陥を容易に検出することができる
が、欠陥検査装置からウェーハ31をSEMに移し替え
、欠陥を32M観察する隙、観察したい欠陥を検出する
のに時間と手間がかかり、検出が非常に困難になるとい
う問題があった。これはテンプ41コーナ部の基準座標
Xと欠陥座標との距離が離れる程位置精度が悪くなり顕
著になる。
を欠陥検査装置からSEMに移し替え、欠陥のチップ4
1内座標A1、A2、A3、A4とチップ4↓コーナ部
の基準座標Xとを基にして、SEMにより欠陥のSEM
像を探し出すというものであるが、この座標関係では金
属顕微鏡34の1000倍のエリア内に欠陥が入る程度
の位置精度しかなかった。このため、欠陥検査を行う欠
陥検査装置自身では欠陥を容易に検出することができる
が、欠陥検査装置からウェーハ31をSEMに移し替え
、欠陥を32M観察する隙、観察したい欠陥を検出する
のに時間と手間がかかり、検出が非常に困難になるとい
う問題があった。これはテンプ41コーナ部の基準座標
Xと欠陥座標との距離が離れる程位置精度が悪くなり顕
著になる。
そこで、本発明は、ウェーハを欠陥検査装置からSEM
に移し替えて、欠陥を32M観察する際、欠陥を精度よ
く容易に検出することができる半導体素子の検査方法を
提供することを目的としている。
に移し替えて、欠陥を32M観察する際、欠陥を精度よ
く容易に検出することができる半導体素子の検査方法を
提供することを目的としている。
本発明による半導体素子の検査方法は上記目的達成のた
め、チンプコーナ部の第1の基準座標に基づいて該チッ
プ内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づい
て該チップ内に第2の基準座標を求め、該第2の基準座
標に基づいて該欠陥座標を検出するものである。
め、チンプコーナ部の第1の基準座標に基づいて該チッ
プ内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づい
て該チップ内に第2の基準座標を求め、該第2の基準座
標に基づいて該欠陥座標を検出するものである。
(作用)
本発明では、第1図に示すように、従来のようなチンプ
コーナ部の基準座標Xに基づいて欠陥座標Aを検出する
のではなく、チップ41内で、しかも欠陥座標Aとの距
離が近く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Yを
求め、この基準座標Yに基づいて欠陥座標Xを検出する
ようにしたため、欠陥をSEM観察する際、従来よりも
精度よく容易に欠陥を検出することができるようになる
。
コーナ部の基準座標Xに基づいて欠陥座標Aを検出する
のではなく、チップ41内で、しかも欠陥座標Aとの距
離が近く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Yを
求め、この基準座標Yに基づいて欠陥座標Xを検出する
ようにしたため、欠陥をSEM観察する際、従来よりも
精度よく容易に欠陥を検出することができるようになる
。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係る半導体素子の検査方法の一実施例
を説明する図である。
を説明する図である。
この図において、第2図及び第3図と同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
たは相当部分を示す。
次に、その検査方法について説明する。
ここでの欠陥検査装置も従来と同様、第2図に示す装置
を用いればよいので、この装置図を基に説明する。
を用いればよいので、この装置図を基に説明する。
まず、レーザ発振器33からのレーザ光32をパターン
が形成されたウェーハ31に照射し、ウェーハ31から
反射された反射光35をレンズ36で集束(フーリエ変
換)してウェーハ31から得られる良品パターン37を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像38として記録
する。次いで、ホログラム像38にした欠陥座標をCC
Dカメラ39で読み取り、CCDカメラ39で読み取ら
れたホログラム像38に焼き付けられた欠陥座標を第1
図に示す如くチップl上に置き換える。このように装置
自身のチップ41コーナ部に設けられた基準座標Xに基
づいて欠陥座標Aを求める。次いで、第1図に示すよう
に、欠陥座標Aに基づいてチップ41内に基準座標Yを
求める。具体的には、第1図に示すチップ41に置き換
えられた基準座標X、欠陥座標Aに基づいて、実際にウ
ェーハ31上の欠陥を金属顕微鏡34で観察すると同時
に、欠陥座標Aに基づいてチップ41内で、しかも欠陥
座標との距離が近く精度よく検出できる範囲内に基準座
標Yを適宜求める。この際、欠陥座標Aと基準座標Y間
の距離も判る。なお、各座標の測長は、検査装置のステ
ージ系には、ステッピングモータが使用されているため
、これが出力する値を基にして行われる。その手順は装
置系で説明すると次のようである。装置が検出した欠陥
を装置歯えっけの金属顕微鏡34の視野の中央にくるよ
うステージを移動する。次に、SEM観察する際、基準
座標Yとなる目印としやすい位置を金属顕微鏡34の中
央にくるようステージを移動させる。この時にステージ
系を動かしているステッピングモータがどれだけのパル
ス信号により動作したかをコンピュータに読みとらせ、
その移動距離を演算させ、基準座標Yとなる位置から欠
陥までの距離を出力させる。
が形成されたウェーハ31に照射し、ウェーハ31から
反射された反射光35をレンズ36で集束(フーリエ変
換)してウェーハ31から得られる良品パターン37を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像38として記録
する。次いで、ホログラム像38にした欠陥座標をCC
Dカメラ39で読み取り、CCDカメラ39で読み取ら
れたホログラム像38に焼き付けられた欠陥座標を第1
図に示す如くチップl上に置き換える。このように装置
自身のチップ41コーナ部に設けられた基準座標Xに基
づいて欠陥座標Aを求める。次いで、第1図に示すよう
に、欠陥座標Aに基づいてチップ41内に基準座標Yを
求める。具体的には、第1図に示すチップ41に置き換
えられた基準座標X、欠陥座標Aに基づいて、実際にウ
ェーハ31上の欠陥を金属顕微鏡34で観察すると同時
に、欠陥座標Aに基づいてチップ41内で、しかも欠陥
座標との距離が近く精度よく検出できる範囲内に基準座
標Yを適宜求める。この際、欠陥座標Aと基準座標Y間
の距離も判る。なお、各座標の測長は、検査装置のステ
ージ系には、ステッピングモータが使用されているため
、これが出力する値を基にして行われる。その手順は装
置系で説明すると次のようである。装置が検出した欠陥
を装置歯えっけの金属顕微鏡34の視野の中央にくるよ
うステージを移動する。次に、SEM観察する際、基準
座標Yとなる目印としやすい位置を金属顕微鏡34の中
央にくるようステージを移動させる。この時にステージ
系を動かしているステッピングモータがどれだけのパル
ス信号により動作したかをコンピュータに読みとらせ、
その移動距離を演算させ、基準座標Yとなる位置から欠
陥までの距離を出力させる。
そして、ウェーハ31を欠陥検査装置からSEMに移し
替えて欠陥をSEM観察する際、チップ41内に適宜求
めた基準座標Yに基づいて欠陥座標Aを検出することに
より欠陥を検出する。
替えて欠陥をSEM観察する際、チップ41内に適宜求
めた基準座標Yに基づいて欠陥座標Aを検出することに
より欠陥を検出する。
すなわち、上記実施例では、従来のようなチンプコーナ
部の基準座標χに基づいて欠陥座標Aを検出するのでは
なく、チップ41内で、しかも欠陥座標Aとの距離が近
く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Yを求め、
この基準座標Yに基づいて欠陥座標Xを検出するように
したため、欠陥をSEM観察する際、従来よりも精度よ
く容易に欠陥を検出することができる。
部の基準座標χに基づいて欠陥座標Aを検出するのでは
なく、チップ41内で、しかも欠陥座標Aとの距離が近
く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Yを求め、
この基準座標Yに基づいて欠陥座標Xを検出するように
したため、欠陥をSEM観察する際、従来よりも精度よ
く容易に欠陥を検出することができる。
〔発明の効果]
本発明によれば、ウェーハを欠陥検査装置からSEMに
移し替えて欠陥をSEM観察する際、欠陥を精度よ(容
易に検出することができるという効果がある。
移し替えて欠陥をSEM観察する際、欠陥を精度よ(容
易に検出することができるという効果がある。
第1図は本発明に係る半導体素子の検査方法の一実施例
を説明する図、 第2図及び第3図は従来の半導体素子の検査方法を説明
する図であり、 第2図は従来例の検査装置を示す概略図、第3図は従来
例の検査方法を説明する図である。 41・−・・・・チップ。 第 図 従来例の検査方法を説明する図
を説明する図、 第2図及び第3図は従来の半導体素子の検査方法を説明
する図であり、 第2図は従来例の検査装置を示す概略図、第3図は従来
例の検査方法を説明する図である。 41・−・・・・チップ。 第 図 従来例の検査方法を説明する図
Claims (1)
- チップコーナ部の第1の基準座標に基づいて該チップ
内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づいて
該チップ内に第2の基準座標を求め、該第2の基準座標
に基づいて該欠陥座標を検出することを特徴とする半導
体素子の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7237090A JPH03270250A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体素子の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7237090A JPH03270250A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体素子の検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03270250A true JPH03270250A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13487357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7237090A Pending JPH03270250A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体素子の検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03270250A (ja) |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP7237090A patent/JPH03270250A/ja active Pending
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