JPH03270250A - 半導体素子の検査方法 - Google Patents
半導体素子の検査方法Info
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- JPH03270250A JPH03270250A JP7237090A JP7237090A JPH03270250A JP H03270250 A JPH03270250 A JP H03270250A JP 7237090 A JP7237090 A JP 7237090A JP 7237090 A JP7237090 A JP 7237090A JP H03270250 A JPH03270250 A JP H03270250A
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- 238000010998 test method Methods 0.000 title 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体素子の検査方法に関し、
ウェーハを欠陥検査装置からＳＥＭ（走査型電子顕微鏡
）へ移し替えてチップ内の欠陥をＳＥＭ観察する際、欠
陥を精度よく容易に検出することができる半導体素子の
検査方法を提供することを目的とし、 チップコーナ部の第１の基準座標に基づいて該チ、７プ
内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づいて
該チップ内に第２の基準座標を求め、該第２の基準座標
に基づいて該欠陥座標を検出することを特徴とするよう
に構成する。
）へ移し替えてチップ内の欠陥をＳＥＭ観察する際、欠
陥を精度よく容易に検出することができる半導体素子の
検査方法を提供することを目的とし、 チップコーナ部の第１の基準座標に基づいて該チ、７プ
内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づいて
該チップ内に第２の基準座標を求め、該第２の基準座標
に基づいて該欠陥座標を検出することを特徴とするよう
に構成する。
本発明は、半導体素子の検査方法に係り、特にチップ内
の欠陥をＳＥＭ観察する際、欠陥を精度よく容易に検出
することができる半導体素子の検査方法に関する。
の欠陥をＳＥＭ観察する際、欠陥を精度よく容易に検出
することができる半導体素子の検査方法に関する。
近時、パターンが形成されたウェーハの欠陥を検査する
欠陥検査装置としては、サブミクロンレベルの欠陥を検
出することが可能になってきている。この装置には検出
された欠陥を観察できるように金属顕微鏡が備え付けで
ある。しかしながら、この金属顕微鏡では実像の２００
０倍程度しか拡大することができず、特にサブミクロン
レベルの欠陥を解析（欠陥の形状、発生工程の検討、異
物の種類等）することは困難であった。このため、金属
顕微鏡よりも精度のよいＳＥＭで観察する。この時、欠
陥検査装置から出力されたチンプコーナ部の基準座標か
らの欠陥のチップ内座標を基にして、欠陥のＳＥＭ像を
探しだすのであるが、このチンプコーナ部の基準座標と
欠陥座標という座標関係では、金属顕＠鏡の１０００倍
のエリア内に欠陥が入る程度の位置精度しかない。この
ため、欠陥検査を行う欠陥検査装置自身では欠陥を容易
に検出することができるが、その装置からウェーハをＳ
ＥＭに移し替え、欠陥を３２Ｍ観察すると、観察したい
欠陥を検出するのに時間と手間がかかるという問題があ
った。これは、欠陥座標がチンプコーナ部の基準座標か
ら離れる程位置精度が悪くなり顕著になる。
欠陥検査装置としては、サブミクロンレベルの欠陥を検
出することが可能になってきている。この装置には検出
された欠陥を観察できるように金属顕微鏡が備え付けで
ある。しかしながら、この金属顕微鏡では実像の２００
０倍程度しか拡大することができず、特にサブミクロン
レベルの欠陥を解析（欠陥の形状、発生工程の検討、異
物の種類等）することは困難であった。このため、金属
顕微鏡よりも精度のよいＳＥＭで観察する。この時、欠
陥検査装置から出力されたチンプコーナ部の基準座標か
らの欠陥のチップ内座標を基にして、欠陥のＳＥＭ像を
探しだすのであるが、このチンプコーナ部の基準座標と
欠陥座標という座標関係では、金属顕＠鏡の１０００倍
のエリア内に欠陥が入る程度の位置精度しかない。この
ため、欠陥検査を行う欠陥検査装置自身では欠陥を容易
に検出することができるが、その装置からウェーハをＳ
ＥＭに移し替え、欠陥を３２Ｍ観察すると、観察したい
欠陥を検出するのに時間と手間がかかるという問題があ
った。これは、欠陥座標がチンプコーナ部の基準座標か
ら離れる程位置精度が悪くなり顕著になる。
そこで、ウェーハを欠陥検査装置からＳＥＭに移し替え
て欠陥を３２Ｍ観察する際、精度よく容易に欠陥を検出
することができる半導体素子の検査方法が要求されてい
る。
て欠陥を３２Ｍ観察する際、精度よく容易に欠陥を検出
することができる半導体素子の検査方法が要求されてい
る。
第２図及び第３図は従来の半導体素子の検査方法を説明
する図であり、第２図は従来例の検査装置を示す概略図
、第３図は従来例の検査方法を説明する図である。
する図であり、第２図は従来例の検査装置を示す概略図
、第３図は従来例の検査方法を説明する図である。
これらの図乙こおいて、３１はパターンが形成されたウ
ェーハ、３３はレーザ光３２を発するレーザ発振器、３
４は金属顕微鏡、３６はウェーハ３１からの反射光３５
を集束するレンズ、３７はウェーハ３１から得られる良
品パターン、３８はホログラム像、３９はＣＣＤカメラ
である。
ェーハ、３３はレーザ光３２を発するレーザ発振器、３
４は金属顕微鏡、３６はウェーハ３１からの反射光３５
を集束するレンズ、３７はウェーハ３１から得られる良
品パターン、３８はホログラム像、３９はＣＣＤカメラ
である。
次に、その検査方法について説明する。
ここでの第２図に示す欠陥検査装置はパターンが形成さ
れたウェーハ３１の欠陥を検出するための装置であり、
サブごクロンレベルでの欠陥を検出することが可能であ
る。そして、装置には検出された欠陥を観察できるよう
に金属顕微鏡３４が備え付けられている。具体的には、
まず、レーザ発振器３３からのレーザ光３２をパターン
が形成されたウェーハ３１に照射し、ウェーハ３１から
反射された反射光３５をレンズ３６で集束（フーリエ変
換）してウェーハ３１から得られる良品パターン３７を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像３８として記録
する。
れたウェーハ３１の欠陥を検出するための装置であり、
サブごクロンレベルでの欠陥を検出することが可能であ
る。そして、装置には検出された欠陥を観察できるよう
に金属顕微鏡３４が備え付けられている。具体的には、
まず、レーザ発振器３３からのレーザ光３２をパターン
が形成されたウェーハ３１に照射し、ウェーハ３１から
反射された反射光３５をレンズ３６で集束（フーリエ変
換）してウェーハ３１から得られる良品パターン３７を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像３８として記録
する。
次いで、ホログラム像３８にした欠陥座標をＣＣＤカメ
ラ３９で読み取り、ＣＣＤカメラ３９で読み取られたホ
ログラム像３８に焼き付けられた欠陥座標を第３図うこ
示す如くテンプ４１上に置き換える。ここで第３図に示
すＸはテンプ４１コーナ部に設けられた基準座標（原点
）であり、ＡＩ、Ａ２、Ａ３、Ａ４はホログラム像３８
に焼き付けられた欠陥座標をチップ４１内座標に置き換
えた欠陥座標である。
ラ３９で読み取り、ＣＣＤカメラ３９で読み取られたホ
ログラム像３８に焼き付けられた欠陥座標を第３図うこ
示す如くテンプ４１上に置き換える。ここで第３図に示
すＸはテンプ４１コーナ部に設けられた基準座標（原点
）であり、ＡＩ、Ａ２、Ａ３、Ａ４はホログラム像３８
に焼き付けられた欠陥座標をチップ４１内座標に置き換
えた欠陥座標である。
そして、チップ４１コーナ部の基準座標Ｘ、欠陥座標Ａ
１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に基づいて、実際にウェーハ３１
上に欠陥があるか否かを金属顕微鏡３４で観察する。と
ころが、金属顕微鏡３４では実像の２０００倍程度しか
拡大することができず、ウェーハ３１上の欠陥を解析す
ること（欠陥の形状、欠陥発生工程の検討、異物の種類
等）は困難であるため、金属顕微鏡よりも精度のよいＳ
ＥＭで観察することにより欠陥を検出する。
１、Ａ２、Ａ３、Ａ４に基づいて、実際にウェーハ３１
上に欠陥があるか否かを金属顕微鏡３４で観察する。と
ころが、金属顕微鏡３４では実像の２０００倍程度しか
拡大することができず、ウェーハ３１上の欠陥を解析す
ること（欠陥の形状、欠陥発生工程の検討、異物の種類
等）は困難であるため、金属顕微鏡よりも精度のよいＳ
ＥＭで観察することにより欠陥を検出する。
（発明が解決しようとする課題〕
上記した従来の半導体素子の検査方法は、ウェーハ３１
を欠陥検査装置からＳＥＭに移し替え、欠陥のチップ４
１内座標Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４とチップ４↓コーナ部
の基準座標Ｘとを基にして、ＳＥＭにより欠陥のＳＥＭ
像を探し出すというものであるが、この座標関係では金
属顕微鏡３４の１０００倍のエリア内に欠陥が入る程度
の位置精度しかなかった。このため、欠陥検査を行う欠
陥検査装置自身では欠陥を容易に検出することができる
が、欠陥検査装置からウェーハ３１をＳＥＭに移し替え
、欠陥を３２Ｍ観察する隙、観察したい欠陥を検出する
のに時間と手間がかかり、検出が非常に困難になるとい
う問題があった。これはテンプ４１コーナ部の基準座標
Ｘと欠陥座標との距離が離れる程位置精度が悪くなり顕
著になる。
を欠陥検査装置からＳＥＭに移し替え、欠陥のチップ４
１内座標Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４とチップ４↓コーナ部
の基準座標Ｘとを基にして、ＳＥＭにより欠陥のＳＥＭ
像を探し出すというものであるが、この座標関係では金
属顕微鏡３４の１０００倍のエリア内に欠陥が入る程度
の位置精度しかなかった。このため、欠陥検査を行う欠
陥検査装置自身では欠陥を容易に検出することができる
が、欠陥検査装置からウェーハ３１をＳＥＭに移し替え
、欠陥を３２Ｍ観察する隙、観察したい欠陥を検出する
のに時間と手間がかかり、検出が非常に困難になるとい
う問題があった。これはテンプ４１コーナ部の基準座標
Ｘと欠陥座標との距離が離れる程位置精度が悪くなり顕
著になる。
そこで、本発明は、ウェーハを欠陥検査装置からＳＥＭ
に移し替えて、欠陥を３２Ｍ観察する際、欠陥を精度よ
く容易に検出することができる半導体素子の検査方法を
提供することを目的としている。
に移し替えて、欠陥を３２Ｍ観察する際、欠陥を精度よ
く容易に検出することができる半導体素子の検査方法を
提供することを目的としている。
本発明による半導体素子の検査方法は上記目的達成のた
め、チンプコーナ部の第１の基準座標に基づいて該チッ
プ内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づい
て該チップ内に第２の基準座標を求め、該第２の基準座
標に基づいて該欠陥座標を検出するものである。
め、チンプコーナ部の第１の基準座標に基づいて該チッ
プ内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づい
て該チップ内に第２の基準座標を求め、該第２の基準座
標に基づいて該欠陥座標を検出するものである。
（作用）
本発明では、第１図に示すように、従来のようなチンプ
コーナ部の基準座標Ｘに基づいて欠陥座標Ａを検出する
のではなく、チップ４１内で、しかも欠陥座標Ａとの距
離が近く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Ｙを
求め、この基準座標Ｙに基づいて欠陥座標Ｘを検出する
ようにしたため、欠陥をＳＥＭ観察する際、従来よりも
精度よく容易に欠陥を検出することができるようになる
。
コーナ部の基準座標Ｘに基づいて欠陥座標Ａを検出する
のではなく、チップ４１内で、しかも欠陥座標Ａとの距
離が近く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Ｙを
求め、この基準座標Ｙに基づいて欠陥座標Ｘを検出する
ようにしたため、欠陥をＳＥＭ観察する際、従来よりも
精度よく容易に欠陥を検出することができるようになる
。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る半導体素子の検査方法の一実施例
を説明する図である。
を説明する図である。
この図において、第２図及び第３図と同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
たは相当部分を示す。
次に、その検査方法について説明する。
ここでの欠陥検査装置も従来と同様、第２図に示す装置
を用いればよいので、この装置図を基に説明する。
を用いればよいので、この装置図を基に説明する。
まず、レーザ発振器３３からのレーザ光３２をパターン
が形成されたウェーハ３１に照射し、ウェーハ３１から
反射された反射光３５をレンズ３６で集束（フーリエ変
換）してウェーハ３１から得られる良品パターン３７を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像３８として記録
する。次いで、ホログラム像３８にした欠陥座標をＣＣ
Ｄカメラ３９で読み取り、ＣＣＤカメラ３９で読み取ら
れたホログラム像３８に焼き付けられた欠陥座標を第１
図に示す如くチップｌ上に置き換える。このように装置
自身のチップ４１コーナ部に設けられた基準座標Ｘに基
づいて欠陥座標Ａを求める。次いで、第１図に示すよう
に、欠陥座標Ａに基づいてチップ４１内に基準座標Ｙを
求める。具体的には、第１図に示すチップ４１に置き換
えられた基準座標Ｘ、欠陥座標Ａに基づいて、実際にウ
ェーハ３１上の欠陥を金属顕微鏡３４で観察すると同時
に、欠陥座標Ａに基づいてチップ４１内で、しかも欠陥
座標との距離が近く精度よく検出できる範囲内に基準座
標Ｙを適宜求める。この際、欠陥座標Ａと基準座標Ｙ間
の距離も判る。なお、各座標の測長は、検査装置のステ
ージ系には、ステッピングモータが使用されているため
、これが出力する値を基にして行われる。その手順は装
置系で説明すると次のようである。装置が検出した欠陥
を装置歯えっけの金属顕微鏡３４の視野の中央にくるよ
うステージを移動する。次に、ＳＥＭ観察する際、基準
座標Ｙとなる目印としやすい位置を金属顕微鏡３４の中
央にくるようステージを移動させる。この時にステージ
系を動かしているステッピングモータがどれだけのパル
ス信号により動作したかをコンピュータに読みとらせ、
その移動距離を演算させ、基準座標Ｙとなる位置から欠
陥までの距離を出力させる。
が形成されたウェーハ３１に照射し、ウェーハ３１から
反射された反射光３５をレンズ３６で集束（フーリエ変
換）してウェーハ３１から得られる良品パターン３７を
焼き付けた後、欠陥のみをホログラム像３８として記録
する。次いで、ホログラム像３８にした欠陥座標をＣＣ
Ｄカメラ３９で読み取り、ＣＣＤカメラ３９で読み取ら
れたホログラム像３８に焼き付けられた欠陥座標を第１
図に示す如くチップｌ上に置き換える。このように装置
自身のチップ４１コーナ部に設けられた基準座標Ｘに基
づいて欠陥座標Ａを求める。次いで、第１図に示すよう
に、欠陥座標Ａに基づいてチップ４１内に基準座標Ｙを
求める。具体的には、第１図に示すチップ４１に置き換
えられた基準座標Ｘ、欠陥座標Ａに基づいて、実際にウ
ェーハ３１上の欠陥を金属顕微鏡３４で観察すると同時
に、欠陥座標Ａに基づいてチップ４１内で、しかも欠陥
座標との距離が近く精度よく検出できる範囲内に基準座
標Ｙを適宜求める。この際、欠陥座標Ａと基準座標Ｙ間
の距離も判る。なお、各座標の測長は、検査装置のステ
ージ系には、ステッピングモータが使用されているため
、これが出力する値を基にして行われる。その手順は装
置系で説明すると次のようである。装置が検出した欠陥
を装置歯えっけの金属顕微鏡３４の視野の中央にくるよ
うステージを移動する。次に、ＳＥＭ観察する際、基準
座標Ｙとなる目印としやすい位置を金属顕微鏡３４の中
央にくるようステージを移動させる。この時にステージ
系を動かしているステッピングモータがどれだけのパル
ス信号により動作したかをコンピュータに読みとらせ、
その移動距離を演算させ、基準座標Ｙとなる位置から欠
陥までの距離を出力させる。
そして、ウェーハ３１を欠陥検査装置からＳＥＭに移し
替えて欠陥をＳＥＭ観察する際、チップ４１内に適宜求
めた基準座標Ｙに基づいて欠陥座標Ａを検出することに
より欠陥を検出する。
替えて欠陥をＳＥＭ観察する際、チップ４１内に適宜求
めた基準座標Ｙに基づいて欠陥座標Ａを検出することに
より欠陥を検出する。
すなわち、上記実施例では、従来のようなチンプコーナ
部の基準座標χに基づいて欠陥座標Ａを検出するのでは
なく、チップ４１内で、しかも欠陥座標Ａとの距離が近
く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Ｙを求め、
この基準座標Ｙに基づいて欠陥座標Ｘを検出するように
したため、欠陥をＳＥＭ観察する際、従来よりも精度よ
く容易に欠陥を検出することができる。
部の基準座標χに基づいて欠陥座標Ａを検出するのでは
なく、チップ４１内で、しかも欠陥座標Ａとの距離が近
く精度良く検出できる範囲内に予め基準座標Ｙを求め、
この基準座標Ｙに基づいて欠陥座標Ｘを検出するように
したため、欠陥をＳＥＭ観察する際、従来よりも精度よ
く容易に欠陥を検出することができる。
〔発明の効果］
本発明によれば、ウェーハを欠陥検査装置からＳＥＭに
移し替えて欠陥をＳＥＭ観察する際、欠陥を精度よ（容
易に検出することができるという効果がある。
移し替えて欠陥をＳＥＭ観察する際、欠陥を精度よ（容
易に検出することができるという効果がある。
第１図は本発明に係る半導体素子の検査方法の一実施例
を説明する図、 第２図及び第３図は従来の半導体素子の検査方法を説明
する図であり、 第２図は従来例の検査装置を示す概略図、第３図は従来
例の検査方法を説明する図である。 ４１・−・・・・チップ。 第 図 従来例の検査方法を説明する図
を説明する図、 第２図及び第３図は従来の半導体素子の検査方法を説明
する図であり、 第２図は従来例の検査装置を示す概略図、第３図は従来
例の検査方法を説明する図である。 ４１・−・・・・チップ。 第 図 従来例の検査方法を説明する図
Claims (1)
- チップコーナ部の第１の基準座標に基づいて該チップ
内の欠陥座標を求めるとともに、該欠陥座標に基づいて
該チップ内に第２の基準座標を求め、該第２の基準座標
に基づいて該欠陥座標を検出することを特徴とする半導
体素子の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237090A JPH03270250A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体素子の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237090A JPH03270250A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体素子の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270250A true JPH03270250A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13487357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7237090A Pending JPH03270250A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 半導体素子の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270250A (ja) |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP7237090A patent/JPH03270250A/ja active Pending
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