JPH05335222A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
- Publication number
- JPH05335222A JPH05335222A JP13949692A JP13949692A JPH05335222A JP H05335222 A JPH05335222 A JP H05335222A JP 13949692 A JP13949692 A JP 13949692A JP 13949692 A JP13949692 A JP 13949692A JP H05335222 A JPH05335222 A JP H05335222A
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- Japan
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- electron beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はマスク基板或いはレジストに高速電
子ビームを照射して、照射部分のレジストの化学反応を
利用して所望のパターンを形成する電子ビーム露光装置
に関し、被処理基板上に塗布されたレジストを電子ビー
ム露光する際に生じる２次電子の影響を補正した高解像
度の電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。 【構成】 被処理基板１１に対して描画を行なう電子照
射系５を備える電子ビーム露光装置であって、電子照射
系５による電子ビーム露光によって被処理基板１１上の
特定領域に生じる２次電子の影響を、電子ビーム露光時
に露光量を変化させて補正する補正手段３を有し、電子
照射系５は、被処理基板１１の位置座標を検出する位置
検出手段１４を有して構成し、補正手段３は、位置検出
手段１４からの位置情報に基づき、補正を要する領域に
対して露光量を変化させることにより補正する。
子ビームを照射して、照射部分のレジストの化学反応を
利用して所望のパターンを形成する電子ビーム露光装置
に関し、被処理基板上に塗布されたレジストを電子ビー
ム露光する際に生じる２次電子の影響を補正した高解像
度の電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。 【構成】 被処理基板１１に対して描画を行なう電子照
射系５を備える電子ビーム露光装置であって、電子照射
系５による電子ビーム露光によって被処理基板１１上の
特定領域に生じる２次電子の影響を、電子ビーム露光時
に露光量を変化させて補正する補正手段３を有し、電子
照射系５は、被処理基板１１の位置座標を検出する位置
検出手段１４を有して構成し、補正手段３は、位置検出
手段１４からの位置情報に基づき、補正を要する領域に
対して露光量を変化させることにより補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマスク基板或いはウェー
ハ上に塗布したレジストに高速電子ビームを照射して、
照射部分のレジストの化学反応を利用して所望のパター
ンを形成する電子ビーム露光装置に係り、特に、被処理
基板上に塗布されたレジストを電子ビーム露光する際に
生じる２次電子の影響を補正した高解像度の電子ビーム
露光装置に関する。
ハ上に塗布したレジストに高速電子ビームを照射して、
照射部分のレジストの化学反応を利用して所望のパター
ンを形成する電子ビーム露光装置に係り、特に、被処理
基板上に塗布されたレジストを電子ビーム露光する際に
生じる２次電子の影響を補正した高解像度の電子ビーム
露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光装置は、ＣＡＤ（Comput
er Aided Design ）システムからパターンデータを受け
取り、ＣＰＵ（Central Processing Unit ）によりパタ
ーンの縮小、拡大、分割等のデータ編集の後、電子ビー
ム露光装置固有のフォーマットに変換され、露光の際に
は、このデータを電子照射系に転送し描画を行なう。
er Aided Design ）システムからパターンデータを受け
取り、ＣＰＵ（Central Processing Unit ）によりパタ
ーンの縮小、拡大、分割等のデータ編集の後、電子ビー
ム露光装置固有のフォーマットに変換され、露光の際に
は、このデータを電子照射系に転送し描画を行なう。
【０００３】このような従来の電子ビーム露光装置にお
いて、電子ビーム露光時の補正方法としては、描画する
パターンの大小、パターン間の距離によってパターンデ
ータを補正することによってのみ行なわれていた。
いて、電子ビーム露光時の補正方法としては、描画する
パターンの大小、パターン間の距離によってパターンデ
ータを補正することによってのみ行なわれていた。
【０００４】電子ビーム露光装置による直接描画は、分
解能の高い電子ビームで直接露光を行なうため、形成さ
れるパターンは極めて高い解像度のものが得られる。原
理的には電子ビーム径に等しい解像度のパターンが得ら
れるわけであるが、実際には、レジスト内や基板表面近
くで電子が散乱することにより、未露光部まで感光さ
れ、形成されるパターンの解像度は劣ってしまう。
解能の高い電子ビームで直接露光を行なうため、形成さ
れるパターンは極めて高い解像度のものが得られる。原
理的には電子ビーム径に等しい解像度のパターンが得ら
れるわけであるが、実際には、レジスト内や基板表面近
くで電子が散乱することにより、未露光部まで感光さ
れ、形成されるパターンの解像度は劣ってしまう。
【０００５】特に、被処理基板内に傾向をもって生じる
露光機のコラム下部からの２次電子の影響による被り露
光の補正は行なうことができない。通常、電子ビーム露
光を行なうと、図３（１）に示すように、被処理基板１
１に入射した電子ビーム２１によって基板１１から２次
電子２２が発生する。その２次電子２２が更に露光機の
コラム１３に当たって反射し、再び被処理基板１１に入
射する。このため、被処理基板１１には所望する露光量
よりも多い露光量が照射されることになる。この影響
は、一般に図３（２）に示すように、被処理基板１１上
の露光領域の中心に近いほど大きく、周辺に近いほど小
さい。従ってこの場合、中心付近の露光の際に補正が必
要となる。
露光機のコラム下部からの２次電子の影響による被り露
光の補正は行なうことができない。通常、電子ビーム露
光を行なうと、図３（１）に示すように、被処理基板１
１に入射した電子ビーム２１によって基板１１から２次
電子２２が発生する。その２次電子２２が更に露光機の
コラム１３に当たって反射し、再び被処理基板１１に入
射する。このため、被処理基板１１には所望する露光量
よりも多い露光量が照射されることになる。この影響
は、一般に図３（２）に示すように、被処理基板１１上
の露光領域の中心に近いほど大きく、周辺に近いほど小
さい。従ってこの場合、中心付近の露光の際に補正が必
要となる。
【０００６】また、露光されるパターン密度が高い程、
電子ビーム２１を被処理基板１１に当てている時間が長
いため、この被り露光によって被処理基板１１の中心と
周辺で露光量が異なるという問題への影響は、より大き
なものとなる。
電子ビーム２１を被処理基板１１に当てている時間が長
いため、この被り露光によって被処理基板１１の中心と
周辺で露光量が異なるという問題への影響は、より大き
なものとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
電子ビーム露光装置では、被処理基板内に傾向をもって
生じる露光機のコラム下部からの２次電子の反射ビーム
によって被処理基板の中心と周辺で露光量が異なり、形
成されるパターンの解像度は劣ってしまうという問題が
あった。特に、露光されるパターン密度が高い程、この
問題の影響はより大きい。
電子ビーム露光装置では、被処理基板内に傾向をもって
生じる露光機のコラム下部からの２次電子の反射ビーム
によって被処理基板の中心と周辺で露光量が異なり、形
成されるパターンの解像度は劣ってしまうという問題が
あった。特に、露光されるパターン密度が高い程、この
問題の影響はより大きい。
【０００８】本発明は、上記問題点を解決するもので、
被処理基板上に塗布されたレジストを電子ビーム露光す
る際に生じる２次電子の影響を補正した高解像度の電子
ビーム露光装置を提供することを目的とする。
被処理基板上に塗布されたレジストを電子ビーム露光す
る際に生じる２次電子の影響を補正した高解像度の電子
ビーム露光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴の電子ビーム露光装置は、図１
に示す如く、被処理基板１１に対して描画を行なう電子
照射系５を備える電子ビーム露光装置であって、前記電
子照射系５による電子ビーム露光によって前記被処理基
板１１上の特定領域に生じる２次電子の影響を、電子ビ
ーム露光時に露光量を変化させて補正する補正手段３を
有して構成する。
に、本発明の第１の特徴の電子ビーム露光装置は、図１
に示す如く、被処理基板１１に対して描画を行なう電子
照射系５を備える電子ビーム露光装置であって、前記電
子照射系５による電子ビーム露光によって前記被処理基
板１１上の特定領域に生じる２次電子の影響を、電子ビ
ーム露光時に露光量を変化させて補正する補正手段３を
有して構成する。
【００１０】本発明の第２の特徴の電子ビーム露光装置
は、請求項１に記載の電子ビーム露光装置において、前
記電子照射系５は、前記被処理基板１１の位置座標を検
出する位置検出手段１４を有して構成し、前記補正手段
３は、前記位置検出手段１４からの位置情報に基づき、
補正を要する領域に対して露光量を変化させることによ
り補正する。
は、請求項１に記載の電子ビーム露光装置において、前
記電子照射系５は、前記被処理基板１１の位置座標を検
出する位置検出手段１４を有して構成し、前記補正手段
３は、前記位置検出手段１４からの位置情報に基づき、
補正を要する領域に対して露光量を変化させることによ
り補正する。
【００１１】また、本発明の第３の特徴の電子ビーム露
光装置は、請求項１または２に記載の電子ビーム露光装
置において、前記補正手段３は、補正を要する領域に対
して、露光量を線形に変化させることにより補正する。
光装置は、請求項１または２に記載の電子ビーム露光装
置において、前記補正手段３は、補正を要する領域に対
して、露光量を線形に変化させることにより補正する。
【００１２】更に、本発明の第４の特徴の電子ビーム露
光装置は、請求項１または２に記載の電子ビーム露光装
置において、前記補正手段３は、露光被りの大きい領域
に対して、露光量が小さくなるよう変化させて補正す
る。
光装置は、請求項１または２に記載の電子ビーム露光装
置において、前記補正手段３は、露光被りの大きい領域
に対して、露光量が小さくなるよう変化させて補正す
る。
【００１３】
【作用】本発明の第１、第２、及び第３の特徴の電子ビ
ーム露光装置では、図１に示す如く、位置検出手段１４
により被処理基板１１の座標を読み取って位置情報を検
出する。露光操作を制御するＣＰＵ１は、この情報に基
いて、補正を要する領域に対して補正手段３により露光
量を変化させ、補正を行なう。
ーム露光装置では、図１に示す如く、位置検出手段１４
により被処理基板１１の座標を読み取って位置情報を検
出する。露光操作を制御するＣＰＵ１は、この情報に基
いて、補正を要する領域に対して補正手段３により露光
量を変化させ、補正を行なう。
【００１４】一般に、２次電子の露光機コラム１３の反
射による被り露光の影響は、被処理基板１１上の露光領
域の中心に近いほど大きく、周辺に近いほど小さいの
で、例えば、中心に近づく程、少なくなるように露光量
を線形的に変化させて補正を行なう。
射による被り露光の影響は、被処理基板１１上の露光領
域の中心に近いほど大きく、周辺に近いほど小さいの
で、例えば、中心に近づく程、少なくなるように露光量
を線形的に変化させて補正を行なう。
【００１５】従って、２次電子の露光機コラム１３の反
射による被り露光の影響を、領域を指定して露光量で補
正することができ、被処理基板１１面上で均一な露光量
とすることができ、面内寸法の均一なパターンを作成す
ることが可能となる。
射による被り露光の影響を、領域を指定して露光量で補
正することができ、被処理基板１１面上で均一な露光量
とすることができ、面内寸法の均一なパターンを作成す
ることが可能となる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。図１に本発明の一実施例に係る電子ビーム露
光装置の構成図を示す。
説明する。図１に本発明の一実施例に係る電子ビーム露
光装置の構成図を示す。
【００１７】同図において、本実施例の電子ビーム露光
装置は、ＣＡＤシステムからパターンデータを受け取
り、パターンの縮小、拡大、分割等のデータ編集の後、
電子ビーム露光装置固有のフォーマットに変換する等の
処理を行なうＣＰＵ１と、露光の際に、ＣＰＵ１の制御
に基づき露光量の補正を行なう自動露光量補正回路３
と、自動露光量補正回路３からのデータに基づき描画を
行なう電子照射系５から構成されている。
装置は、ＣＡＤシステムからパターンデータを受け取
り、パターンの縮小、拡大、分割等のデータ編集の後、
電子ビーム露光装置固有のフォーマットに変換する等の
処理を行なうＣＰＵ１と、露光の際に、ＣＰＵ１の制御
に基づき露光量の補正を行なう自動露光量補正回路３
と、自動露光量補正回路３からのデータに基づき描画を
行なう電子照射系５から構成されている。
【００１８】電子照射系５は、各種レンズ及び偏向コイ
ル等からなる露光機コラム１３と、被処理基板１１を設
置するステージ１２と、被処理基板１１のステージ１２
上の座標を測定するＸ方向及びＹ方向のレーザ座標測定
器１６及び１７と、レーザ座標測定器１６及び１７の測
定データを基に位置を検出する位置検出回路１８から構
成されている。尚、位置検出手段１４は、レーザ座標測
定器１６及び１７、並びに位置検出回路１８である。
ル等からなる露光機コラム１３と、被処理基板１１を設
置するステージ１２と、被処理基板１１のステージ１２
上の座標を測定するＸ方向及びＹ方向のレーザ座標測定
器１６及び１７と、レーザ座標測定器１６及び１７の測
定データを基に位置を検出する位置検出回路１８から構
成されている。尚、位置検出手段１４は、レーザ座標測
定器１６及び１７、並びに位置検出回路１８である。
【００１９】本実施例の電子ビーム露光装置では、レー
ザ座標測定器１６及び１７から被処理基板１１の座標を
読み取って、位置検出回路１８により位置情報を検出す
る。ＣＰＵ１は、この情報に基いて、補正を要する領域
に対して自動露光量補正回路３により露光量を変化さ
せ、補正を行なう。
ザ座標測定器１６及び１７から被処理基板１１の座標を
読み取って、位置検出回路１８により位置情報を検出す
る。ＣＰＵ１は、この情報に基いて、補正を要する領域
に対して自動露光量補正回路３により露光量を変化さ
せ、補正を行なう。
【００２０】従来の技術で説明したように、２次電子の
露光機コラム１３の反射による被り露光の影響は、被処
理基板１１上の露光領域の中心に近いほど大きく、周辺
に近いほど小さい。従って本実施例の電子ビーム露光装
置では、その補正方法として、中心に近づく程、露光量
を少なくなるように、ＣＰＵ１内のメモリに、予め露光
位置に対する露光の補正量を記憶しておき、位置検出回
路１８からの位置情報に基いて、自動露光量補正回路３
により露光量を変化させて補正を行なう。
露光機コラム１３の反射による被り露光の影響は、被処
理基板１１上の露光領域の中心に近いほど大きく、周辺
に近いほど小さい。従って本実施例の電子ビーム露光装
置では、その補正方法として、中心に近づく程、露光量
を少なくなるように、ＣＰＵ１内のメモリに、予め露光
位置に対する露光の補正量を記憶しておき、位置検出回
路１８からの位置情報に基いて、自動露光量補正回路３
により露光量を変化させて補正を行なう。
【００２１】次に具体例を用いて説明する。図２は、被
処理基板１１の断面構造図であり、５インチ四方で厚さ
０．０９インチのガラス基板（ＳｉＯ2 ）３１にクロム
（Ｃｒ）３２を１０００［Å］スパッタし、その上に５
０００［Å］のポジ形レジスト（例えば、ＥＢＲ−９）
３３を塗布したレチクル基板１１である。
処理基板１１の断面構造図であり、５インチ四方で厚さ
０．０９インチのガラス基板（ＳｉＯ2 ）３１にクロム
（Ｃｒ）３２を１０００［Å］スパッタし、その上に５
０００［Å］のポジ形レジスト（例えば、ＥＢＲ−９）
３３を塗布したレチクル基板１１である。
【００２２】本具体例では、電子ビーム露光装置は加速
電圧２０［ｋＶ］、補正無しの領域の露光量は６［μｃ
／ｃｍ2 ］であり、露光パターンは１．５μｍのＬ＆Ｓ
（Line & Space；可変線状ビーム方式の電子ビーム露光
装置を仮定する）であり、露光領域は１００ｍｍ四方で
あるとする。
電圧２０［ｋＶ］、補正無しの領域の露光量は６［μｃ
／ｃｍ2 ］であり、露光パターンは１．５μｍのＬ＆Ｓ
（Line & Space；可変線状ビーム方式の電子ビーム露光
装置を仮定する）であり、露光領域は１００ｍｍ四方で
あるとする。
【００２３】１００ｍｍ四方の露光領域内で、補正をか
けないで露光した場合と、被り露光の影響がでる領域の
周辺に近いほうから中心に向かって、６［μｃ／ｃ
ｍ2 ］から５．２［μｃ／ｃｍ2 ］へと線形に変化させ
て補正した場合のパターン幅のばらつきを比較する。
尚、測定ポイントは、１５ｍｍピッチで、７×７の格子
状に分布させた（９０ｍｍ四方内の）４９点中、任意の
５点である。
けないで露光した場合と、被り露光の影響がでる領域の
周辺に近いほうから中心に向かって、６［μｃ／ｃ
ｍ2 ］から５．２［μｃ／ｃｍ2 ］へと線形に変化させ
て補正した場合のパターン幅のばらつきを比較する。
尚、測定ポイントは、１５ｍｍピッチで、７×７の格子
状に分布させた（９０ｍｍ四方内の）４９点中、任意の
５点である。
【００２４】補正をかけない場合には、 ０．１８， ０．１５， ０．１４， ０．１７，
０．１６［μｍ］ 平均値＝０．１６［μｍ］ 補正をかけた場合には、 ０．０３， ０．０４， ０．０６， ０．０６，
０．０４［μｍ］ 平均値＝０．０５［μｍ］ であった。つまり、本具体例では、補正をかけない場合
に０．１６［μｍ］程度パターン幅が太くなっていたも
のが、補正をかけることにより０．０５［μｍ］程度に
収まり、０．１１［μｍ］改善されたことになる。
０．１６［μｍ］ 平均値＝０．１６［μｍ］ 補正をかけた場合には、 ０．０３， ０．０４， ０．０６， ０．０６，
０．０４［μｍ］ 平均値＝０．０５［μｍ］ であった。つまり、本具体例では、補正をかけない場合
に０．１６［μｍ］程度パターン幅が太くなっていたも
のが、補正をかけることにより０．０５［μｍ］程度に
収まり、０．１１［μｍ］改善されたことになる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
位置検出手段により被処理基板の座標を読み取って位置
情報を検出し、この情報に基いて、補正を要する領域に
対して補正手段により例えば線形的に露光量を変化さ
せ、補正を行なうこととしたので、２次電子の露光機コ
ラムの反射による被り露光の影響を、領域を指定して露
光量で補正することができ、被処理基板面上で均一な露
光量とすることができ、面内寸法の均一なパターンを作
成することが可能となり、結果として高解像度の電子ビ
ーム露光装置を提供することができる。
位置検出手段により被処理基板の座標を読み取って位置
情報を検出し、この情報に基いて、補正を要する領域に
対して補正手段により例えば線形的に露光量を変化さ
せ、補正を行なうこととしたので、２次電子の露光機コ
ラムの反射による被り露光の影響を、領域を指定して露
光量で補正することができ、被処理基板面上で均一な露
光量とすることができ、面内寸法の均一なパターンを作
成することが可能となり、結果として高解像度の電子ビ
ーム露光装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る電子ビーム露光装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】被処理基板の断面構造図である。
【図３】図３（１）は電子ビーム露光における２次電子
の露光機コラムの反射による被り露光の影響の説明図、
図３（２）は被処理基板上の露光量変化の説明図であ
る。
の露光機コラムの反射による被り露光の影響の説明図、
図３（２）は被処理基板上の露光量変化の説明図であ
る。
１…ＣＰＵ ３…自動露光量補正回路（補正手段） ５…電子照射系 １１…被処理基板 １２…ステージ １３…露光機コラム １４…位置検出手段 １６，１７…レーザ座標測定器 １８…位置検出回路 ２１…電子ビーム ２２…２次電子 ２３…露光機コラムによる反射ビーム ３１…ガラス基板（ＳｉＯ2 ） ３２…クロム（Ｃｒ） ３３…ポジ形レジスト（ＥＢＲ−９）
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理基板（１１）に対して描画を行な
う電子照射系（５）を備える電子ビーム露光装置であっ
て、 前記電子照射系（５）による電子ビーム露光によって前
記被処理基板（１１）上の特定領域に生じる２次電子の
影響を、電子ビーム露光時に露光量を変化させて補正す
る補正手段（３）を有することを特徴とする電子ビーム
露光装置。 - 【請求項２】 前記電子照射系（５）は、前記被処理基
板（１１）の位置座標を検出する位置検出手段（１４）
を有し、 前記補正手段（３）は、前記位置検出手段（１４）から
の位置情報に基づき、補正を要する領域に対して露光量
を変化させることにより補正することを特徴とする請求
項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項３】 前記補正手段（３）は、補正を要する領
域に対して、露光量を線形に変化させることにより補正
することを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビ
ーム露光装置。 - 【請求項４】 前記補正手段（３）は、露光被りの大き
い領域に対して、露光量が小さくなるよう変化させて補
正することを特徴とする請求項１または２に記載の電子
ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13949692A JPH05335222A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13949692A JPH05335222A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335222A true JPH05335222A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15246631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13949692A Withdrawn JPH05335222A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335222A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220728A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13949692A patent/JPH05335222A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220728A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |