KR20190044507A - 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 태양에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치는, 스테이지에 재치된 묘화 대상의 기판에 대하여 하전 입자 빔을 조사하여 패턴을 묘화하는 묘화부와, 상기 스테이지 상에 설치되고, 마크가 형성된 마크 기판과, 상기 마크에 대한 상기 하전 입자 빔의 조사에 의하여, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 검출하는 조사 위치 검출기와, 레이저 광의 조사, 및 반사광의 수광에 의하여, 상기 기판의 표면의 높이 및 상기 마크 기판의 표면의 높이를 검출하는 높이 검출기와, 상기 조사 위치 검출기에 의해 검출된 상기 조사 위치로부터, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 드리프트량을 산출하고, 해당 드리프트량에 기초하여 드리프트 보정량을 산출하는 드리프트 보정부와, 상기 드리프트 보정량을 이용하여, 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 묘화 제어부를 구비하고, 상기 마크 기판은, 복수의 상기 마크가 형성된 패턴 영역과, 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역을 가지고, 해당 비패턴 영역의 적어도 일부는 해당 패턴 영역의 사이에 배치되고, 상기 높이 검출기는, 상기 비패턴 영역 내의 검출점의 높이를 검출하는 것이다.

Description

하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법 {CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS AND CHARGED PARTICLE BEAM WRITING METHOD}
본 발명은, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이다.
LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선폭은 해마다 미세화되고 있다. 반도체 디바이스에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 축소 투영형 노광 장치를 이용하여, 석영 상에 형성된 고정밀도의 원화 패턴(마스크, 혹은 특히 스테퍼 또는 스캐너에서 이용되는 것은 레티클이라고도 한다.)을 웨이퍼 상에 축소 전사하는 수법이 채용되고 있다. 고정밀도의 원화 패턴은, 전자 빔 묘화 장치에 의해 묘화되고, 소위 전자 빔 리소그래피 기술이 이용되고 있다.
전자 빔 묘화 장치에서는, 여러 요인에 의하여, 묘화 중에 전자 빔의 조사 위치가 시간 경과와 함께 쉬프트하는 빔 드리프트라고 불리우는 현상이 발생할 수 있다. 이 빔 드리프트를 캔슬하기 위하여 드리프트 보정이 행해진다. 드리프트 보정에서는, 스테이지 상에 배치된 마크 기판에 형성된 측정용 마크를 전자 빔으로 주사하고, 전자 빔의 조사 위치를 측정하여 드리프트량을 구한다. 측정용 마크는, 예를 들면, 도트 형상 또는 십자 형상의 금속 패턴이다.
묘화 대상의 시료(마스크)의 두께는, 통상, 공차(公差)에 의해 시료마다 다르다. 또한, 스테이지 상에 재치되는 마크 기판에는 굴곡 또는 기울어짐이 발생한다. 그 때문에, 마크 기판의 표면의 높이와, 시료의 표면의 높이가 다르고, 마크 표면에서의 드리프트량과 시료 표면에서의 드리프트량과의 사이에 오차가 생기고 있었다. 드리프트 보정을 고정밀도로 행하려면, 마크 표면의 높이와, 시료 표면의 높이와의 차를 고려할 필요가 있다.
전자 빔 묘화 장치에는, 시료 표면 또는 마크 표면에 레이저 광을 조사하고, 반사광의 수광 위치로부터 시료 표면 또는 마크 표면의 높이를 검출하는 검출기가 설치되어 있다. 마크 기판 중, 측정용 마크가 설치된 패턴 영역에 레이저 광을 조사하면, 광의 간섭 등에 의해 높이 측정에 오차가 생길 수 있으므로, 검출기는, 아무런 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역에 레이저 광을 조사한다.
그러나, 마크 기판의 굴곡 또는 기울어짐에 의하여, 패턴 영역과 비패턴 영역에서 고저차가 생긴다. 그 때문에, 검출기가 검출하는 마크 기판의 표면의 높이와, 드리프트량이 측정되는 마크 표면의 높이에 오차가 생겨, 드리프트 보정을 고정밀도로 행하는 것이 곤란했다.
본 발명은, 마크 높이를 정밀도 좋게 검출하여 드리프트 보정을 행하고, 패턴의 묘화 정밀도를 향상시킬 수 있는 하전 입자 빔 묘화 장치 및 하전 입자 빔 묘화 방법을 제공한다.
본 발명의 일 태양에 의한 하전 입자 빔 묘화 장치는, 스테이지에 재치된 묘화 대상의 기판에 대하여 하전 입자 빔을 조사하여 패턴을 묘화하는 묘화부와, 상기 스테이지 상에 설치되고, 마크가 형성된 마크 기판과, 상기 마크에 대한 상기 하전 입자 빔의 조사에 의하여, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 검출하는 조사 위치 검출기와, 레이저 광의 조사, 및 반사광의 수광에 의하여, 상기 기판의 표면의 높이 및 상기 마크 기판의 표면의 높이를 검출하는 높이 검출기와, 상기 조사 위치 검출기에 의해 검출된 상기 조사 위치로부터, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 드리프트량을 산출하고, 해당 드리프트량에 기초하여 드리프트 보정량을 산출하는 드리프트 보정부와, 상기 드리프트 보정량을 이용하여, 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 묘화 제어부를 구비하고, 상기 마크 기판은, 복수의 상기 마크가 형성된 패턴 영역과, 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역을 가지고, 해당 비패턴 영역의 적어도 일부는 해당 패턴 영역의 사이에 배치되고, 상기 높이 검출기는, 상기 비패턴 영역 내의 검출점의 높이를 검출하는 것이다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 의한 전자 빔 묘화 장치의 개략도이다.
도 2는, 전자 빔의 가변 성형을 설명하는 도면이다.
도 3(a)은 실시 형태에 따른 마크 기판의 평면도이며, 도 3(b)은 마크 기판의 측면도이다.
도 4는, 실시 형태에 따른 묘화 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 5(a)는 비교예에 의한 마크 기판의 평면도이며, 도 5(b)는 측면도이다.
도 6은, 다른 실시 형태에 의한 마크 기판의 평면도이다.
도 7은, 다른 실시 형태에 의한 마크 기판의 평면도이다.
도 8은, 다른 실시 형태에 의한 마크 기판의 평면도이다.
도 9는, 다른 실시 형태에 의한 마크 기판의 평면도이다.
도 10은, 다른 실시 형태에 의한 마크 기판의 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 실시 형태에서는, 하전 입자 빔의 일례로서, 전자 빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자 빔은 전자 빔에 한정되지 않고, 이온 빔 등이여도 된다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 빔 묘화 장치의 개략도이다. 도 1에 도시한 묘화 장치(1)는, 묘화 대상의 기판(56)에 전자 빔을 조사하여 원하는 패턴을 묘화하는 묘화부(30)와, 묘화부(30)의 동작을 제어하는 제어부(10)를 구비한 가변 성형형의 묘화 장치이다.
묘화부(30)는, 전자 경통(32) 및 묘화실(34)을 가지고 있다. 전자 경통(32) 내에는, 전자 총(40), 블랭킹 애퍼처(41), 제1 성형 애퍼처(42), 제2 성형 애퍼처(43), 블랭킹 편향기(44), 성형 편향기(45), 대물 편향기(46), 조명 렌즈(47), 투영 렌즈(48), 및 대물 렌즈(49)가 배치되어 있다.
묘화실(34) 내에는, 이동 가능하게 배치된 스테이지(50)가 배치된다. 스테이지(50)는, 수평면 내에서 서로 직교하는 X 방향 및 Y 방향으로 이동한다. 스테이지(50) 상에는, 기판(56)이 재치된다. 기판(56)은, 예를 들면, 반도체 장치를 제조할 때의 노광용 마스크, 마스크 블랭크스, 반도체 장치가 제조되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이다. 기판(56)은, 스테이지(50) 상에 설치된 대좌(臺座)(Z 스테이지, 도시 생략) 상에 재치되고, 높이 방향의 위치가 조정 가능하게 되어 있다.
스테이지(50) 상에는, 수평면 내에서의 스테이지(50)의 위치를 측정하기 위한 미러(51)가 설치되어 있다. 또한, 스테이지(50) 상에는, 전자 빔(B)의 드리프트량을 측정할 때에 사용되는 마크가 형성된 마크 기판(20)이 설치되어 있다. 예를 들면, 마크 기판(20)은 실리콘 기판이며, 실리콘 기판 상에, 탄탈 또는 텅스텐 등의 중금속으로 구성된 마크가 형성되어 있다.
스테이지(50)의 상방에는, 마크에 대한 전자 빔(B)의 조사에 의하여, 전자 빔(B)의 조사 위치(빔 위치)를 검출하는 조사 위치 검출기(52)가 설치되어 있다. 조사 위치 검출기(52)로서, 예를 들면, 마크가 전자 빔(B)에 의해 주사되고, 마크에 의해 반사된 반사 전자를 전류값으로서 검출하는 전자 검출기를 이용할 수 있다. 검출된 빔 위치는, 후술하는 제어 계산기(11)에 통지된다.
묘화실(34)의 외주면에는, 기판(56) 또는 마크 기판(20)의 표면 높이를 검출하는 높이 검출기(58)가 설치되어 있다. 이 높이 검출기(58)는, 기판(56) 또는 마크 기판(20)의 표면에 비스듬한 상방으로부터 레이저 광을 조사하는 투광부(58a)와, 반사광을 수광하는 수광부(58b)를 가진다. 수광부(58b)에 의한 반사광의 수광 위치로부터, 기판(56) 또는 마크 기판(20)의 표면 높이를 검출할 수 있다. 표면 높이의 검출 결과는 제어 계산기(11)에 통지된다.
제어부(10)는, 제어 계산기(11), 스테이지 위치 측정부(16), 기억 장치(18) 등을 가지고 있다. 제어 계산기(11)는, 샷 데이터 생성부(12), 묘화 제어부(13), 및 드리프트 보정부(14)를 가진다. 제어 계산기(11)의 각 부의 입출력 데이터 또는 연산 중의 데이터는 메모리(도시 생략)에 적절히 저장된다.
제어 계산기(11)의 각 부는, 하드웨어로 구성해도 되고, 소프트웨어로 구성해도 된다. 소프트웨어로 구성하는 경우에는, 적어도 일부의 기능을 실현하는 프로그램을 CD－ROM 등의 기록 매체에 수납하고, 전기 회로를 가지는 컴퓨터에 읽어들이게 하여 실행시켜도 된다.
기억 장치(18)(기억부)는, 설계 상의 도형 패턴이 배치된 레이아웃 데이터를 묘화 장치(1)에 입력 가능한 포맷으로 변환한 묘화 데이터를 저장한다.
샷 데이터 생성부(12)가 기억 장치(18)로부터 묘화 데이터를 읽어내고, 복수 단의 데이터 변환 처리를 행하여 장치 고유의 샷 데이터를 생성한다. 샷 데이터에는, 예를 들면, 도형 종, 도형 사이즈, 조사 위치, 조사 시간 등이 정의된다. 묘화 제어부(13)는, 샷 데이터에 기초하여, 묘화부(30)를 제어하고 묘화 처리를 행한다.
드리프트 보정부(14)는, 드리프트량을 산출하고, 드리프트량을 캔슬하는 드리프트 보정량을 구한다. 드리프트량의 산출 방법은 후술한다. 드리프트 보정부(14)는, 드리프트 보정량에 기초하여, 전자 빔(B)의 편향량(빔 조사 위치)의 보정 정보를 생성하고, 묘화 제어부(13)에 부여한다. 묘화 제어부(13)는, 이 보정 정보를 이용하여 묘화부(30)를 제어하고, 빔 조사 위치를 보정한다.
스테이지 위치 측정부(16)는, 스테이지(50) 상에 고정된 미러(51)에 레이저 광을 입반사시켜 스테이지(50)의 위치를 측정하는 레이저 측장기를 포함한다. 스테이지 위치 측정부(16)는, 측정한 스테이지 위치를 제어 계산기(11)에 통지한다.
도 1에서는, 실시 형태를 설명하는데에 있어서 필요한 구성을 기재하고 있다. 묘화 장치(1)는, 그 밖의 구성을 구비하고 있어도 상관없다.
전자 경통(32) 내에 설치된 전자 총(40)으로부터 방출된 전자 빔(B)은, 블랭킹 편향기(44) 내를 통과할 때에, 블랭킹 편향기(44)에 의하여, 빔 온의 상태에서는 블랭킹 애퍼처(41)를 통과하고, 빔 오프의 상태에서는 빔 전체가 블랭킹 애퍼처(41)로 차폐되도록 편향된다. 빔 오프의 상태로부터 빔 온이 되고, 그 후 빔 오프가 될 때까지 블랭킹 애퍼처(41)를 통과한 전자 빔(B)이 1 회의 전자 빔의 샷이 된다.
블랭킹 편향기(44)와 블랭킹 애퍼처(41)를 통과함으로써 생성된 각 샷의 전자 빔(B)은, 조명 렌즈(47)에 의하여, 직사각형의 개구(42a)(도 2 참조)를 가지는 제1 성형 애퍼처(42)에 조사된다. 제1 성형 애퍼처(42)의 개구(42a)를 통과함으로써, 전자 빔(B)은 직사각형으로 성형된다.
제1 성형 애퍼처(42)를 통과한 제1 성형 애퍼처상의 전자 빔은, 투영 렌즈(48)에 의해 제2 성형 애퍼처(43) 상에 투영된다. 제2 성형 애퍼처(43) 상에서의 제1 애퍼처상의 위치는, 성형 편향기(45)에 의해 제어된다. 이에 의하여, 제2 성형 애퍼처(43)의 개구(43a)를 통과하는 전자 빔의 형상과 치수를 변화시키는(가변 성형을 행하는) 것이 가능하다.
제2 성형 애퍼처(43)를 통과한 전자 빔은, 대물 렌즈(49)에 의해 초점이 맞춰지고, 대물 편향기(46)에 의해 편향되어, XY 스테이지(50) 상의 기판(56)의 원하는 위치에 조사된다.
도 3(a)은, 마크 기판(20)의 평면도이다. 마크 기판(20)은, 복수의 마크가 형성된 패턴 영역(22)과, 아무런 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(24)을 가진다. 패턴 영역(22) 내에는, 십자 형상 또는 닷 형상의 패턴으로 이루어진 마크가 다수 형성되어 있고, 전자 빔(B)의 주사로 마크가 열화하면, 미사용의 마크를 순차적으로 사용해 간다.
도 3(a)에 도시한 예에서는, 패턴 영역(22)이 ㅁ자형이며, 그 내측이 비패턴 영역(24)으로 되어 있다. 바꾸어 말하면, 비패턴 영역(24)을 둘러싸도록 패턴 영역(22)이 설치되어 있다. 비패턴 영역(24)의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 1mm각(角) 정도이다. 비패턴 영역(24)의 중심부(도면 중 ×표의 위치)가, 높이 검출기(58)의 투광부(58a)로부터 레이저 광이 조사되는 높이 검출점(25)이 된다.
이러한 위치를 높이 검출점(25)으로 함으로써, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 마크 기판(20)이 기울어져 있거나, 마크 기판(20)에 굴곡이 있거나 하는 경우에도, 높이 검출점(25)의 높이와, 패턴 영역(22) 내의 마크의 높이를 거의 동등하게 할 수 있다.
이러한 마크 기판(20)을 이용한 드리프트 보정 처리를 포함하는 묘화 방법을, 도 4에 도시한 플로우차트를 이용하여 설명한다.
우선, 높이 검출기(58)가, 기판(56)의 표면 높이를 검출한다(스텝 S1). 이어서, 높이 검출기(58)는, 마크 기판(20)의 높이 검출점(25)에 레이저 광을 조사하여, 마크 기판(20)의 표면 높이를 검출한다(스텝 S2). 이 때, 기판(56)의 표면 높이와, 마크 기판(20)의 표면 높이의 차분이 역치를 넘을지 아닐지를 판단하고(스텝 S3), 넘은 경우에는 기판(56)의 높이를 조정한다(스텝 S4).
스테이지(50)를 이동시켜, 마크를 대물 렌즈(49)의 중심 위치에 맞추고, 전자 빔(B)에 의해 마크를 주사한다(스텝 S5). 조사 위치 검출기(52)가 반사 전자를 검출하고, 빔 프로파일을 측정하여, 빔 조사 위치를 검출한다. 드리프트 보정부(14)가, 검출된 빔 조사 위치와, 기준 위치와의 이탈량을 드리프트량으로서 산출한다(스텝 S6).
드리프트 보정부(14)가, 측정된 드리프트량에 기초하여, 드리프트 보정량을 산출한다(스텝 S7). 묘화 제어부(13)는, 기억 장치(18)로부터 읽어낸 묘화 데이터와, 산출된 드리프트 보정량에 기초하여, 빔 조사 위치를 보정하면서 묘화 처리를 행한다(스텝 S8).
다음의 드리프트량의 측정 시기까지는(스텝 S9_Yes, 스텝 S10_No), 스텝 S7에서 산출한 드리프트량을 이용하여, 묘화 처리를 행한다.
[비교예]
도 5(a)는 비교예에 의한 마크 기판(60)의 평면도이며, 도 5(b)는 마크 기판(60)의 측면도이다. 마크 기판(60)은, 복수의 마크가 형성된 패턴 영역(62)과, 아무런 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(64)을 가진다. 패턴 영역(62)은, 마크 기판(60)의 절반측(一半側)에 위치하고, 비패턴 영역(64)는 다른 절반측(他半側)에 위치한다. 비패턴 영역(64) 내 중에서, 패턴 영역(62)으로부터 멀어진 개소가 높이 검출점(65)이 된다.
도 5(b)에 도시한 바와 같이, 마크 기판(60)이 기울어져 있던 경우, 높이 검출점(65)의 높이와, 패턴 영역(62) 내의 마크 높이에서는 오차가 생긴다. 그 때문에, 높이 검출점(65)의 높이와 기판(56)의 표면 높이와의 차분, 및 마크 표면에 있어서의 드리프트량으로부터는, 기판(56)의 표면에 있어서의 드리프트량을 정밀도 좋게 계산할 수 없고, 드리프트 보정이 불충분해진다.
한편, 본 실시 형태에서는, 마크 기판(20)에 기울어짐 또는 굴곡이 있는 경우에도, 패턴 영역(22) 내의 마크와, 높이 검출점(25)이 거의 같은 높이에 위치하므로, 마크 높이를 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 그 때문에, 기판(56)의 표면에 있어서의 드리프트량을 정밀도 좋게 계산할 수 있어, 패턴의 묘화 정밀도를 향상시킬 수 있다.
상기 실시 형태에서는, 패턴 영역(22)을 ㅁ자형(각환(角環) 형상)으로 하는 예에 대하여 설명하였으나, 원환(円環) 형상이어도 되고, 일부를 생략한 コ자형 또는 C자형 등이어도 된다.
도 6에 도시한 마크 기판(20A)과 같이, 높이 검출점(25a)을 포함하는 비패턴 영역(24a)을 둘러싸는 ㅁ자형의 패턴 영역(22a)을 복수 설치해도 된다. 패턴 영역(22a)에는 복수의 마크가 포함된다. 드리프트량 측정 시에는, 빔 주사하는 마크가 포함되는 패턴 영역(22a)에 대응한 높이 검출점(25a)의 높이를 검출한다.
도 7에 도시한 마크 기판(20B)과 같이, 대략 직사각형 형상의 패턴 영역(22b)과, 대응하는 높이 검출점(25b)과의 조합을 복수 설치해도 된다.
도 8에 도시한 마크 기판(20C)과 같이, 긴 직사각형 형상의 패턴 영역(22c)을 간격을 두어 복수 설치하고, 패턴 영역(22c) 간(패턴 영역(22c)에 인접한 영역)을 비패턴 영역(24c)으로 하고, 비패턴 영역(24c) 내에 복수의 높이 검출점(25c)을 설정해도 된다. 드리프트량 측정 시에는, 빔 주사하는 마크에 가장 근접한 높이 검출점(25c)의 높이를 검출한다.
상기 실시 형태에서는, 마크 기판(20)의 높이 검출점(25)을 1 개소로 하고 있었으나, 복수 개소의 높이를 검출하고, 내삽에 의해 마크의 높이를 산출해도 된다. 예를 들면, 도 9에 도시한 바와 같이, 패턴 영역의 외측과 내측의 비패턴 영역에 높이 검출점(25_1~25_9)을 설정하고, 이들 복수의 높이 검출점(25_1~25_9)의 높이를 검출하고, 검출 결과의 내삽에 의해 마크의 높이를 산출한다.
도 10에 도시한 바와 같이, 마크 기판(20D)의 중앙부에 대략 직사각형 형상의 패턴 영역(22d)을 설치하고, 패턴 영역(22d)의 주위의 비패턴 영역에 복수의 높이 검출점을 설정해도 된다. 예를 들면, 마크 기판(20D)의 사방의 각부(角部)에 높이 검출점(25d_1~25d_4)을 설정한다. 높이 검출 결과의 내삽에 의해 마크의 높이를 산출한다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태 그대로 한정되지 않고, 실시 단계에서는 그 요지를 일탈하지 않은 범위에서 구성 요소를 변형하여 구체화할 수 있다. 또한, 상기 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소의 적절한 조합에 의하여, 다양한 발명을 형성할 수 있다. 예를 들면, 실시 형태에 나타내어지는 전체 구성 요소로부터 몇 가지의 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 된다.

Claims (15)

  1. 스테이지에 재치된 묘화 대상의 기판에 대하여 하전 입자 빔을 조사하여 패턴을 묘화하는 묘화부와,
    상기 스테이지 상에 설치되고, 마크가 형성된 마크 기판과,
    상기 마크에 대한 상기 하전 입자 빔의 조사에 의하여, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 검출하는 조사 위치 검출기와,
    레이저 광의 조사, 및 반사광의 수광에 의하여, 상기 기판의 표면의 높이 및 상기 마크 기판의 표면의 높이를 검출하는 높이 검출기와,
    상기 조사 위치 검출기에 의해 검출된 상기 조사 위치로부터, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 드리프트량을 산출하고, 해당 드리프트량에 기초하여 드리프트 보정량을 산출하는 드리프트 보정부와,
    상기 드리프트 보정량을 이용하여, 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 묘화 제어부를 구비하고,
    상기 마크 기판은, 복수의 상기 마크가 형성된 패턴 영역과, 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역을 가지고, 해당 비패턴 영역의 적어도 일부는 해당 패턴 영역의 사이에 배치되고,
    상기 높이 검출기는, 상기 비패턴 영역 내의 검출점의 높이를 검출하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 높이 검출기는, 상기 비패턴 영역 내의 검출점의 높이를, 상기 마크 기판 표면의 높이로서 검출하고,
    상기 기판의 표면의 높이와 상기 마크 기판의 표면의 높이와의 차가 소정값 이하가 되도록 상기 기판의 높이를 조정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 패턴 영역은 각환 형상, 원환 형상, 또는 C자형이며, 상기 검출점을 포함하는 비패턴 영역은, 상기 패턴 영역의 내측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 검출점은, 상기 비패턴 영역의 중심부에 위치하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 마크 기판에는, 내측에 상기 비패턴 영역이 설치된 상기 패턴 영역이 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 높이 검출기는, 상기 비패턴 영역 내의 복수의 검출점의 높이를 검출하고,
    상기 기판의 표면의 높이와, 상기 복수의 검출점의 높이에 기초하는 상기 마크 기판의 표면의 높이와의 차가 소정값 이하가 되도록 상기 기판의 높이를 조정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 패턴 영역은 각환 형상, 원환 형상, 또는 C자형이며, 상기 검출점을 포함하는 비패턴 영역은, 상기 패턴 영역의 내측과 외측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 패턴 영역의 외측의 비패턴 영역은 복수의 검출점을 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 장치.
  9. 스테이지에 재치된 묘화 대상의 기판에 대하여 하전 입자 빔을 조사하여 패턴을 묘화하는 묘화부와, 상기 스테이지 상에 설치되고, 마크가 형성된 마크 기판을 구비하는 하전 입자 빔 묘화 장치를 이용하여 묘화를 행하는 하전 입자 빔 묘화 방법이며,
    레이저 광의 조사, 및 반사광의 수광에 의하여, 상기 기판의 표면의 높이 및 상기 마크 기판의 표면의 높이를 검출하는 공정과,
    상기 마크에 대한 상기 하전 입자 빔의 조사에 의하여, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 검출하는 공정과,
    검출한 상기 조사 위치로부터, 상기 마크 표면에서의 상기 하전 입자 빔의 드리프트량을 산출하는 공정과,
    상기 드리프트량에 기초하여 드리프트 보정량을 산출하는 공정과,
    상기 드리프트 보정량에 기초하여 상기 하전 입자 빔의 조사 위치를 보정하는 공정을 구비하고,
    상기 마크 기판은, 복수의 상기 마크가 형성된 패턴 영역과, 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역을 가지고, 해당 비패턴 영역의 적어도 일부는 해당 패턴 영역의 사이에 배치되고, 해당 비패턴 영역 내의 검출점의 높이를 검출하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 비패턴 영역 내의 검출점의 높이를, 상기 마크 기판 표면의 높이로서 검출하고,
    상기 기판의 표면의 높이와 상기 마크 기판의 표면의 높이와의 차가 소정값 이하가 되도록 상기 기판의 높이를 조정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 패턴 영역은 각환 형상, 원환 형상, 또는 C자형이며, 상기 검출점을 포함하는 비패턴 영역은, 상기 패턴 영역의 내측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 검출점은, 상기 비패턴 영역의 중심부에 위치하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 비패턴 영역 내의 복수의 검출점의 높이를 검출하고,
    상기 기판의 표면의 높이와, 상기 복수의 검출점의 높이에 기초하는 상기 마크 기판의 표면의 높이와의 차가 소정값 이하가 되도록 상기 기판의 높이를 조정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 패턴 영역은 각환 형상, 원환 형상, 또는 C자형이며, 상기 검출점을 포함하는 비패턴 영역은, 상기 패턴 영역의 내측과 외측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 패턴 영역의 외측의 비패턴 영역은 복수의 검출점을 포함하는 것을 특징으로 하는 하전 입자 빔 묘화 방법.
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