TWI747196B - 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之實施形態有關多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。 依實施形態之多帶電粒子束描繪裝置，具備：測定部，基於多射束的各射束的射束電流、或從設於平台的反射標記反射的帶電粒子的強度，而測定前述多射束的第1射束形狀；及調整部，基於前述第1射束形狀，算出前述多射束的縮小率及旋轉角的調整量；及修正對映作成部，基於根據前述調整量的射束形狀與前述第1射束形狀之差分，而作成規定前述多射束的各射束的位置偏差量之第1修正對映；及描繪資料處理部，將描繪資料予以變換，生成定義著各射束的照射量之擊發資料，而基於前述第1修正對映來修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量；及控制部，基於前述調整量而控制前述多射束的縮小率及旋轉角。

Description

多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
本發明有關多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。
隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體元件形成期望的電路圖樣，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上之高精度的原圖圖樣(光罩，或特別是用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖樣，係藉由電子束描繪裝置來描繪，運用所謂的電子束微影技術。 使用了多射束的描繪裝置，相較於以一道電子束描繪的情形，能夠一口氣照射較多的射束，故能使產出大幅提升。多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個開口之孔徑構件而形成多射束，然後進行各射束的遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並照射至被載置於可移動的平台上之基板。 多射束方式之描繪裝置，具有將射束偏向而決定在基板上的射束照射位置之主偏向器及副偏向器。以主偏向器將多射束全體定位於基板上的規定場所，以副偏向器來偏向以便填埋射束間距。 這樣的多射束方式之描繪裝置中，一口氣照射複數個射束，將通過孔徑構件的同一開口或不同開口而形成之射束彼此予以逐一拼接，來描繪期望的圖形形狀之圖樣。照射至基板上之多射束全體像的形狀(以下亦記載為「射束形狀」)會作為描繪圖形的拼接精度而顯現，因此多射束全體像的縮小率(伸縮率)或失真之調整乃為重要。 射束形狀，是藉由依序切換設為ON的射束而掃描平台上的反射標記來檢測反射電子，並算出各射束的位置，藉此便能測定。習知，是基於測定出的射束形狀，藉由透鏡的激磁調整或射束校準，來進行射束調整以成為期望的縮小率、旋轉角。依靠射束調整無法完全修正的偏離理想形狀之偏差(2次以上的失真成分)會被資料檔案化作為修正對映。 然後，基於修正對映調整劑量使得射束形狀成為理想形狀，而在光罩上描繪圖樣。但，若測定、分析描繪於光罩的圖樣，可能會存在偏離理想形狀之偏差(修正殘差)。 當將從描繪結果獲得的修正殘差就這樣加入修正對映的情形下，劑量修正量會變大而描繪時間變長，產量可能會降低。
本發明提供一種抑制照射量的修正量，使產量提升同時能夠高精度地進行描繪之多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。 依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：成形孔徑陣列構件，形成有複數個，帶電粒子束通過前述複數個開口，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列構件，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及平台，載置供前述多射束照射之基板；及測定部，基於前述多射束的各射束的射束電流、或從設於前述平台的反射標記反射的帶電粒子的強度，而測定前述多射束的第1射束形狀；及調整部，基於前述測定部測定出的前述第1射束形狀，算出前述多射束的縮小率及旋轉角的調整量；及修正對映作成部，基於根據前述調整量的射束形狀與前述第1射束形狀之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，而作成規定前述位置偏差量之第1修正對映；及描繪資料處理部，將定義著欲描繪的圖形圖樣的資訊之描繪資料予以變換，生成定義著前述多射束的各射束的照射量之擊發資料，而基於前述第1修正對映來修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量；及控制部，基於前述調整量而控制前述多射束的縮小率及旋轉角。
以下，基於圖面說明本發明之實施形態。實施形態中，說明使用了電子束作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等。 圖1為本實施形態中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置具備描繪部1及控制部100。描繪裝置，為多帶電粒子束描繪裝置之一例。描繪部1，具備鏡筒2與描繪室20。在鏡筒2內，配置有電子槍4、照明透鏡6、成形孔徑陣列構件8、遮沒孔徑陣列構件10、縮小透鏡12、限制孔徑構件14、對物透鏡15、線圈16、偏向器17。 在描繪室20內配置XY平台22及檢測器26。在XY平台22上，配置有作為描繪對象之基板70。基板70中，係包括製造半導體裝置時的曝光用光罩、或供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，基板70中包括已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。 在XY平台22上，配置有XY平台22的位置測定用的鏡(mirror)24。此外，在XY平台22上，設有射束校正用的反射標記M。反射標記M，為了易於藉由以電子束掃描來檢測位置，例如呈十字型的形狀(參照圖5)。檢測器26，當以電子束掃描反射標記M的十字時，檢測來自反射標記M的反射電子。反射標記M亦可設有複數個。 在XY平台22，在和供基板70載置的位置相異之位置，配置有具有多射束檢查用孔徑40(以下記載為「檢查孔徑40」)及電流檢測器50之檢查裝置。檢查孔徑40，藉由調整機構(圖示略)而高度可調整。檢查孔徑40較佳是設置於和基板70同一高度位置。 檢查裝置，是在XY平台22設有1個，但配置/配線空間有餘裕的情形下亦可設有2個以上。 控制部100，具有控制計算機110、偏向控制電路130、線圈控制電路132、透鏡控制電路133、檢測放大器134、平台位置檢測器135、及磁碟裝置等的記憶裝置140、142。 偏向控制電路130、線圈控制電路132、透鏡控制電路133、檢測放大器134、平台位置檢測器135、及記憶裝置140、142，是透過匯流排而連接至控制計算機110。描繪資料從外部輸入並被存儲於記憶裝置140。描繪資料中，通常定義欲描繪之圖形圖樣的資訊。記憶裝置142中，存放有規定多射束的各射束的位置偏差量之修正對映。針對修正對映後述之。 在線圈控制電路132連接有線圈16。在透鏡控制電路133連接有對物透鏡15。 控制計算機110，具備描繪資料處理部111、描繪控制部112、射束形狀測定部113、縮小率/旋轉角調整部114、及修正對映作成部115。控制計算機110的各部的功能，可藉由硬體來實現，亦可藉由軟體來實現。當由軟體構成的情形下，亦可將實現控制計算機110的至少一部分功能之程式存放於記錄媒體，並令含有電子電路的電腦讀入以執行。記錄媒體，不限定於磁碟或光碟等可裝卸者，亦可為硬碟裝置或記憶體等固定型的記錄媒體。 圖2為成形孔徑陣列構件8的構成示意概念圖。如圖2所示，在成形孔徑陣列8，有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的開口80以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。各開口80均以相同尺寸形狀的矩形來形成。各開口80亦可是相同直徑的圓形。 從電子槍4放出之電子束30，會藉由照明透鏡6而近乎垂直地對成形孔徑陣列構件8全體做照明。電子束30，將包含成形孔徑陣列構件8的所有開口80之區域予以照明。電子束30的一部分分別通過該些複數個開口80，藉此會形成如圖1所示般的多射束30a~30e。 在遮沒孔徑陣列構件10，於和圖2所示之成形孔徑陣列構件8的各開口80相對應之位置，形成有供多射束的各射束通過之通過孔(開口)。在各通過孔的鄰近，配置有將射束偏向之遮沒偏向用的電極(遮沒器：遮沒偏向器)。 通過各通過孔的多射束30a~30e的各者，會分別獨立地藉由從遮沒器施加之電壓而被偏向。藉由此偏向而進行遮沒控制。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列構件8的複數個開口80的多射束當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。 通過了遮沒孔徑陣列構件10的多射束30a~30e，藉由縮小透鏡12，各者的射束尺寸及排列間距會被縮小，朝向形成於限制孔徑構件14的中心的開口行進。藉由遮沒孔徑陣列構件10的遮沒器而被偏向的電子束，其軌道會位移而偏離限制孔徑構件14的中心的開口，而被限制孔徑構件14遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列構件10的遮沒器偏向的電子束，會通過限制孔徑構件14的中心的開口。 限制孔徑構件14，是將藉由遮沒孔徑陣列構件10的遮沒器而被偏向成為射束OFF狀態之各電子束加以遮蔽。然後，從成為射束ON開始至成為射束OFF為止通過了限制孔徑構件14的射束，便成為1次份的擊發的電子束。 通過了限制孔徑構件14的多射束30a~30e，藉由線圈16受到校準調整，藉由對物透鏡15而被合焦，在基板70上成為期望的縮小率的圖樣像。偏向器17，將通過了限制孔徑構件14的各電子束(多射束全體)朝同方向予以一齊偏向，照射至基板70上的描繪位置(照射位置)。 當XY平台22在連續移動時，射束的描繪位置(照射位置)會藉由偏向器17而受到追蹤控制，以便跟隨XY平台22的移動。XY平台22的位置，是從平台位置檢測器135將雷射朝向XY平台22上的鏡24照射，利用其反射光來測定。 一次所照射之多射束，理想上會成為以成形孔徑陣列構件8的複數個開口80的排列間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。此描繪裝置，係以連續依序逐漸照射擊發射束之逐線掃描(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪期望的圖樣時，因應圖樣不同，必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。 控制計算機110的描繪資料處理部111，從記憶裝置140讀出描繪資料，進行複數段的資料變換，生成擊發資料。擊發資料中，定義著對於將基板70的描繪面以例如射束尺寸分割成格子狀的複數個照射區域而成之各照射區域而言有無照射、及照射量(照射時間)等。 描繪控制部112，基於擊發資料及平台位置資訊，對偏向控制電路130輸出控制訊號。偏向控制電路130，基於控制訊號，控制遮沒孔徑陣列構件10的各遮沒器的施加電壓。此外，偏向控制電路130，演算用來做射束偏向之偏向量資料(追蹤偏向資料)以便跟隨XY平台22的移動。和此偏向量資料相應的追蹤偏向電壓被施加於偏向器17。 多射束方式之描繪裝置中，對描繪對象之基板70，一口氣照射以成形孔徑陣列構件8的複數個開口80的排列間距乘上規定的縮小率而得之間距而並排之多數個射束，將射束彼此拼接來填埋射束間距，藉此描繪期望的圖形形狀的圖樣。因此，必須調整縮小率、旋轉角、失真，以使照射至基板70上的多射束全體像的形狀(射束形狀)成為期望的形狀(例如正方形)。 本實施形態中，藉由縮小率、旋轉角、失真的調整來將射束形狀修正成期望的形狀而進行描繪。沿著圖3所示流程圖說明本實施形態之描繪方法。 首先，在描繪裝置內測定射束形狀(步驟S1)。射束形狀，亦運用具有檢查孔徑40及電流檢測器50的檢查裝置來測定，亦可運用反射標記M來測定。 如圖4所示，檢查裝置的檢查孔徑40，為限制使得電子束僅通過1道之物。檢查孔徑40例如呈圓形的平面形狀，沿著中心軸形成有供1道的射束通過之貫通孔42。 通過了貫通孔42的電子束B，會入射至電流檢測器50，射束電流受到檢測。在電流檢測器50，例如能夠使用SSD(半導體檢測器(solid-state detector))。電流檢測器50所做的檢測結果會通知至控制計算機110。 射束形狀測定部113，使用藉由多射束掃描檢查孔徑40而獲得之各射束的射束電流檢測結果，來測定射束形狀。 反射標記M例如為圖5所示般的十字形狀，藉由偏向器17將射束往前後左右(x方向及y方向)偏向，掃描反射標記M的十字，藉由檢測器26檢測反射電子，藉由檢測放大器134放大而變換成數位資料後，將測定資料輸出至控制計算機110。射束形狀測定部113，由將測定出的反射電子依時間序列並排而成之分佈圖(profile)(反射電子的強度的變化)、及該時的平台位置，來計算射束的位置。 當測定射束形狀的情形下，僅將特定的射束設為ON，基於射束尺寸的設計值，將反射標記M移動至ON射束的正下方，掃描反射標記M的十字來計算射束位置。例如，如圖6所示，以對應於成形孔徑陣列構件8的中心之射束、及對應於四隅之射束這般依序切換設為ON之射束，各射束的位置受到計算，射束形狀被求出。 例如，測定出如圖7所示般的第1射束形狀210。為了將此第1射束形狀210修正成理想形狀200，必須調整縮小率及旋轉角(1次成分)、與其以外的失真成分(2次以上的成分)。 縮小率/旋轉角調整部114，算出縮小率及旋轉角(1次成分)的調整量(步驟S2)。例如，如圖8、圖9所示，藉由調整縮小率及旋轉角而求出成為理想形狀200的第2射束形狀220，算出用來將第2射束形狀220做成理想形狀200之調整量。調整量，例如為透鏡的激磁或像散修正量。例如，當理想形狀200為正方形的情形下，第2射束形狀220為內接於第1射束形狀210之正方形。 依靠縮小率及旋轉角(1次成分)的調整無法完全修正之失真成分(2次以上的成分)，是藉由調整多射束的各射束的劑量(照射量)而修正。修正對映作成部115，作成將失真成分(2次以上的成分)所造成的各射束的位置偏差量以對映形式規定而成之修正對映(第1修正對映)(步驟S3)。修正對映被存放於記憶裝置142。 例如，如圖8、圖9所示，求出相當於第1射束形狀210與第2射束形狀220之差分的各射束的位置偏差量。 將步驟S2中求出的調整量設定於描繪裝置，運用步驟S3中作成的修正對映而修正照射量，對基板70描繪評估圖樣(步驟S4)。描繪資料處理部111，從記憶裝置140讀出評估圖樣用的描繪資料，進行複數段的資料變換，基於修正對映修正各射束的照射量而生成擊發資料。描繪部1，基於此擊發資料，對基板70描繪評估圖樣。 評估圖樣的描繪後，進行顯影、蝕刻等處理，分析形成於基板70上的評估圖樣，測定射束形狀(步驟S5)。 當從描繪結果獲得的射束形狀中，有偏離理想形狀的偏差(修正殘差)的情形下(步驟S6_Yes)，比較從描繪結果獲得的射束形狀與理想形狀，縮小率/旋轉角調整部114如同步驟S2般將縮小率及旋轉角(1次成分)再調整，算出再調整量(步驟S7)。此外，修正對映作成部115，算出失真成分(2次以上的成分)所造成的各射束的位置偏差量，加算至修正對映而更新，作成第2修正對映(步驟S8)。 其後，將步驟S2及S7中求出的調整量設定於描繪裝置，運用步驟S8中更新的修正對映(第2修正對映)而修正照射量，對基板70描繪製品圖樣(步驟S9)。 步驟S2，S7中亦可求出縮小率/旋轉角的調整量，使得基於修正對映之照射量的修正量變小。例如，如圖10所示流程圖般，變更縮小率或旋轉角的調整量(再調整量)，而修正對映作成部115作成調整量相異的N個(N為2以上的整數)的修正對映(步驟S71、S72)。從製品圖樣的描繪資料作成擊發資料，基於N個修正對映的各者來修正照射量。選擇和照射量的修正量成為最小的修正對映相對應之縮小率及旋轉角的條件(步驟S72，S73)。 例如，如圖11(a)、圖11(b)、圖11(c)所示，求出縮小率及旋轉角的調整量的條件相異之第2射束形狀220A~220C。第2射束形狀220A~220C，其各自用來成為理想形狀200的縮小率及旋轉角的調整量的條件相異。從描繪裝置中測定出的第1射束形狀210或由評估圖樣的描繪結果獲得的射束形狀、與第2射束形狀220A~220C之差分，作成和各條件相對應之修正對映。從製品圖樣的描繪資料作成擊發資料，基於各修正對映而修正擊發資料中定義的照射量。選擇和照射量的修正量成為最小的修正對映相對應之條件。例如，選擇和照射量的修正量成為最小的第2射束形狀220B相對應之縮小率及旋轉角的條件。 像這樣，按照本實施形態，在從評估圖樣的描繪結果獲得的射束形狀與理想形狀之誤差(修正殘差)當中，可藉由縮小率及旋轉角的調整而修正之1次成分係以縮小率及旋轉角來修正，其以外的2次以上的失真係以照射量修正來應對，而更新修正對映。比起將從描繪結果獲得的修正殘差就這樣加入修正對映之情形，能夠抑制修正照射量，因此會使產量提升，同時能夠高精度地描繪圖樣。 此外，藉由調整縮小率及旋轉角使得修正照射量變小，能夠謀求產量的進一步提升。 上述實施形態中，縮小率或旋轉角的調整可於描繪處理中藉由調整靜電透鏡而進行，亦可在未進行描繪處理的期間藉由調整電磁透鏡的激磁而進行。 上述實施形態中，作為測定多射束的射束形狀之測定部，說明了設置具有檢查孔徑40及電流檢測器50之檢查裝置、與檢測來自反射標記M的反射電子之檢測器26之構成，但亦可為僅設置其中一方之構成。 亦可因應塗布在描繪對象的基板70之阻劑種類，來調整修正對映。 另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
1:描繪部 2:鏡筒 4:電子槍 6:照明透鏡 8:成形孔徑陣列構件 10:遮沒孔徑陣列構件 12:縮小透鏡 14:限制孔徑構件 15:對物透鏡 16:線圈 17:偏向器 20:描繪室 22:XY平台 24:鏡 26:檢測器 30:電子束 30a~30e:多射束 40:檢查孔徑 42:貫通孔 50:電流檢測器 70:基板 80:開口 100:控制部 110:控制計算機 111:描繪資料處理部 112:描繪控制部 113:射束形狀測定部 114:縮小率/旋轉角調整部 115:修正對映作成部 130:偏向控制電路 132:線圈控制電路 133:透鏡控制電路 134:檢測放大器 135:平台位置檢測器 140,142:記憶裝置 200:理想形狀 210:第1射束形狀 220,220A~220C:第2射束形狀 B:電子束 M:反射標記
[圖1]為依本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 [圖2]為成形孔徑陣列構件的模型圖。 [圖3]為依同實施形態之多帶電粒子束描繪方法說明流程圖。 [圖4]為同實施形態之多射束檢查用孔徑的截面圖。 [圖5]為反射標記的平面圖。 [圖6]為射束形狀的測定方法說明圖。 [圖7]為理想的射束形狀、及測定出的射束形狀的例子示意圖。 [圖8]為調整縮小率及旋轉角後的射束形狀的例子示意圖。 [圖9]為縮小率及旋轉角所致之射束形狀修正部分、及劑量所致之射束形狀修正部分示意圖。 [圖10]為縮小率及旋轉角的調整方法說明流程圖。 [圖11(a)]、[圖11(b)]、[圖11(c)]為調整縮小率及旋轉角後的射束形狀的例子示意圖。
1:描繪部
2:鏡筒
4:電子槍
6:照明透鏡
8:成形孔徑陣列構件
10:遮沒孔徑陣列構件
12:縮小透鏡
14:限制孔徑構件
15:對物透鏡
16:線圈
17:偏向器
20:描繪室
22:XY平台
24:鏡
26:檢測器
30:電子束
30a~30e:多射束
40:檢查孔徑
50:電流檢測器
70:基板
100:控制部
110:控制計算機
111:描繪資料處理部
112:描繪控制部
113:射束形狀測定部
114:縮小率/旋轉角調整部
115:修正對映作成部
130:偏向控制電路
132:線圈控制電路
133:透鏡控制電路
134:檢測放大器
135:平台位置檢測器
140,142:記憶裝置
M:反射標記

Claims (12)

  1. 一種多帶電粒子束描繪裝置，具備： 成形孔徑陣列構件，形成有複數個開口，帶電粒子束通過前述複數個開口，藉此形成多射束；及 遮沒孔徑陣列構件，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及 平台，載置供前述多射束照射之基板；及 測定部，基於前述多射束的各射束的射束電流、或從設於前述平台的反射標記反射的帶電粒子的強度，而測定前述多射束的第1射束形狀；及 調整部，基於前述測定部測定出的前述第1射束形狀，算出前述多射束的縮小率及旋轉角的調整量；及 修正對映作成部，基於根據前述調整量的射束形狀與前述第1射束形狀之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，而作成規定前述位置偏差量之第1修正對映；及 描繪資料處理部，將定義著欲描繪的圖形圖樣的資訊之描繪資料予以變換，生成定義著前述多射束的各射束的照射量之擊發資料，而基於前述第1修正對映來修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量；及 控制部，基於前述調整量而控制前述多射束的縮小率及旋轉角。
  2. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，改變前述調整量的條件而作成複數個第1修正對映， 選擇和前述複數個第1修正對映當中照射量的修正量會成為最小的第1修正對映相對應之調整量的條件。
  3. 如請求項1記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，基於前述調整量而調整前述多射束的縮小率及旋轉角，從基於前述第1修正對映來修正多射束的各射束的照射量而描繪至前述基板之評估圖樣的描繪結果，測定多射束的第2射束形狀，前述調整部基於此第2射束形狀而再調整前述多射束的縮小率及旋轉角， 前述修正對映作成部，運用前述第2射束形狀與根據再調整後的縮小率及旋轉角的射束形狀之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，將此位置偏差量加算至前述第1修正對映而作成第2修正對映， 前述描繪資料處理部，基於前述第2修正對映，修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量。
  4. 如請求項2記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，基於前述調整量而調整前述多射束的縮小率及旋轉角，從基於前述第1修正對映來修正多射束的各射束的照射量而描繪至前述基板之評估圖樣的描繪結果，測定多射束的第2射束形狀，前述調整部基於此第2射束形狀而再調整前述多射束的縮小率及旋轉角， 前述修正對映作成部，運用前述第2射束形狀與根據再調整後的縮小率及旋轉角的射束形狀之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，將此位置偏差量加算至前述第1修正對映而作成第2修正對映， 前述描繪資料處理部，基於前述第2修正對映，修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量。
  5. 如請求項3記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，改變縮小率及旋轉角的再調整量的條件而作成複數個第2修正對映， 選擇和前述複數個第2修正對映當中前述描繪資料處理部所致之照射量的修正量會成為最小的第2修正對映相對應之再調整量的條件。
  6. 如請求項4記載之多帶電粒子束描繪裝置，其中，改變縮小率及旋轉角的再調整量的條件而作成複數個第2修正對映， 選擇和前述複數個第2修正對映當中前述描繪資料處理部所致之照射量的修正量會成為最小的第2修正對映相對應之再調整量的條件。
  7. 一種多帶電粒子束描繪方法，具備： 放出帶電粒子束之工程；及 前述帶電粒子束通過成形孔徑陣列構件的複數個開口，藉此形成多射束之工程；及 使用複數個遮沒器，切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF之工程；及 基於前述多射束的各射束的射束電流、或從設於載置基板的平台的反射標記反射的帶電粒子的強度，而測定前述多射束的第1射束形狀之工程；及 基於前述第1射束形狀的測定結果，算出前述多射束的縮小率及旋轉角的調整量之工程；及 基於根據前述調整量的射束形狀與前述第1射束形狀的測定結果之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，而作成規定前述位置偏差量之第1修正對映之工程；及 將定義著欲描繪的圖形圖樣的資訊之描繪資料予以變換，生成定義著前述多射束的各射束的照射量之擊發資料，而基於前述第1修正對映來修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量之工程；及 基於前述調整量而控制前述多射束的縮小率及旋轉角之工程。
  8. 如請求項7記載之多帶電粒子束描繪方法，其中，改變前述調整量的條件而作成複數個第1修正對映， 選擇和前述複數個第1修正對映當中照射量的修正量會成為最小的第1修正對映相對應之調整量的條件。
  9. 如請求項7記載之多帶電粒子束描繪方法，其中，基於前述調整量而調整前述多射束的縮小率及旋轉角，從基於前述第1修正對映來修正多射束的各射束的照射量而描繪至前述基板之評估圖樣的描繪結果，測定多射束的第2射束形狀，基於此第2射束形狀而前述多射束的縮小率及旋轉角受到再調整， 運用前述第2射束形狀與根據再調整後的縮小率及旋轉角的射束形狀之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，將此位置偏差量加算至前述第1修正對映而作成第2修正對映， 基於前述第2修正對映，修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量。
  10. 如請求項8記載之多帶電粒子束描繪方法，其中，基於前述調整量而調整前述多射束的縮小率及旋轉角，從基於前述第1修正對映來修正多射束的各射束的照射量而描繪至前述基板之評估圖樣的描繪結果，測定多射束的第2射束形狀，基於此第2射束形狀而前述多射束的縮小率及旋轉角受到再調整， 運用前述第2射束形狀與根據再調整後的縮小率及旋轉角的射束形狀之差分，求出前述多射束的各射束的位置偏差量，將此位置偏差量加算至前述第1修正對映而作成第2修正對映， 基於前述第2修正對映，修正前述擊發資料中定義著的各射束的照射量。
  11. 如請求項9記載之多帶電粒子束描繪方法，其中，改變縮小率及旋轉角的再調整量的條件而作成複數個第2修正對映，選擇和前述複數個第2修正對映當中照射量的修正量會成為最小的第2修正對映相對應之再調整量的條件。
  12. 如請求項10記載之多帶電粒子束描繪方法，其中，改變縮小率及旋轉角的再調整量的條件而作成複數個第2修正對映，選擇和前述複數個第2修正對映當中照射量的修正量會成為最小的第2修正對映相對應之再調整量的條件。
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