JP2016219577A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【課題】セトリング時間を短縮し、スループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。【解決手段】本実施形態による描画装置１００の記憶部１４２は、偏向器２１６を制御するＤＡＣアンプ１３６のセトリング時間、及び偏向器２１６によるビーム偏向量を変えながら評価基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶する。ショット位置補正部５２は、各ショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、ショットデータで定義されるショット位置を補正する。描画部１５０は、ショット位置が補正されたショットデータを用いて描画を行う。【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に関する。

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。

電子ビーム描画装置では、電子ビームを偏向器で偏向させて描画を行う。電子ビームの偏向にはＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプが用いられている。このようなＤＡＣアンプを用いたビーム偏向の役割としては、例えば、ビームショットの形状やサイズの制御、ショット位置の制御、及びビームのブランキングが挙げられる。ＤＡＣアンプに設定されるセトリング時間が短いと、偏向移動量に誤差が生じ、パターンの描画位置が設計位置からずれる。一方、セトリング時間が長すぎるとスループットが劣化してしまう。そのため、描画位置のずれ量が許容範囲となる中で、できるだけ短いセトリング時間を設定していた。

従来、ＤＡＣアンプの電圧変動が短時間で整定するように、抵抗回路を付け替えるアナログ波形調整が行われていた。しかし、アナログ波形調整は、付け替える抵抗回路の個体差に基づくＤＡＣアンプ単体の調整結果に依存するものであり、実際にパターンを描画した結果から求まるセトリング時間を短縮することは困難であった。例えば、ＤＡＣアンプの電圧の立ち上がりが早くなるように抵抗回路を付け替えても、それにより描画位置のずれ量が変動し、設定可能なセトリング時間が短縮されない場合がある。このように、ＤＡＣアンプのハードウェアの調整によってセトリング時間を短縮することは困難であった。

特開２０００−３０６８０８号公報

本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、セトリング時間を短縮し、スループットを向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、偏向器により荷電粒子ビームを偏向させてパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、前記偏向器を制御するＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプのセトリング時間、及び前記偏向器による荷電粒子ビームの偏向量を変えながら第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶する記憶部と、描画データを、荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、前記位置補正量に基づいて前記ショットデータで定義されるショット位置を補正するショット位置補正部と、ショット位置が補正されたショットデータを用いて第２基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う描画部と、を備えることを特徴とする。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置において、前記近似式は、前記第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と、前記セトリング時間に各評価パターンのショット時間の半分を足し合わせた時間との対応関係を示し、前記ショット位置補正部は、前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間にショット時間の半分を足し合わせた時間と、前記近似式とから、前記補正式を作成することを特徴とする。

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向のそれぞれにおいて、少なくとも２種類の偏向量で前記評価パターンが描画され、前記記憶部は、方向及び偏向量毎の前記近似式を記憶することを特徴とする。

本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、偏向器により荷電粒子ビームを偏向させてパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、前記偏向器を制御するＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプのセトリング時間、及び前記偏向器による荷電粒子ビームの偏向量を変えながら第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶部に格納する工程と、描画データを、荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換する工程と、前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、前記位置補正量に基づいて前記ショットデータで定義されるショット位置を補正する工程と、ショット位置が補正されたショットデータを用いて第２基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う工程と、を備えることを特徴とする

本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法において、前記近似式は、前記第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と、前記セトリング時間に各評価パターンのショット時間の半分を足し合わせた時間との対応関係を示し、前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間にショット時間の半分を足し合わせた時間と、前記近似式とから、前記補正式を作成することを特徴とする。

本発明によれば、ＤＡＣアンプに設定するセトリング時間を短縮し、スループットを向上させることができる。

本発明の実施形態による描画装置の概略構成図である。 偏向領域を説明する概念図である。 同実施形態による描画方法を説明するフローチャートである。 評価パターンの位置測定結果の例を示すグラフである。 近似式の例を示すグラフである。 補正式の例を示すグラフである。 描画位置の変動の例を示す図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。

図１は、実施の形態における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカ）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６が配置されている。

描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１（基板）が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。

制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプ１３０，１３２，１３４，１３６、１３８（偏向アンプ）、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。

偏向制御回路１２０にはＤＡＣアンプ１３０，１３２，１３４，１３６，１３８が接続されている。ＤＡＣアンプ１３０は、ブランキング偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣアンプ１３２は、副偏向器２０９に接続されている。ＤＡＣアンプ１３４は、主偏向器２０８に接続されている。ＤＡＣアンプ１３６は、副副偏向器２１６に接続されている。ＤＡＣアンプ１３８は、成形偏向器２０５に接続されている。

制御計算機１１０は、ショットデータ生成部５０、ショット位置補正部５２、及び描画制御部５４を備える。ショットデータ生成部５０、ショット位置補正部５２、及び描画制御部５４の各機能は、ソフトウェアで構成されてもよいし、ハードウェアで構成されてもよい。制御計算機１１０による演算結果は、その都度メモリ１１２に記憶される。

図２は、偏向領域を説明するための概念図である。図２において、試料１０１の描画領域１０は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。そして、主偏向器２０８の偏向可能幅で、ストライプ領域２０をｘ方向に分割した領域が主偏向器２０８の偏向領域（主偏向領域）となる。

この主偏向領域は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０に仮想分割される。そして、各ＳＦ３０は、副副偏向器２１６の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のアンダーサブフィールド（ここでは第３の偏向を意味するＴｅｒｔｉａｒｙ Ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ
Ｆｉｅｌｄの略語を用いて「ＴＦ」とする。以下、同じ）４０に仮想分割される。

各ＴＦ４０の各ショット位置４２にショット図形が描画される。このように、電子ビーム２００を偏向する３段の偏向器によって、各偏向領域は、それぞれ偏向される領域サイズの異なる大きい方から順に主偏向領域、ＳＦ３０、ＴＦ４０となる。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３０に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３０では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのブランキング制御が行われる。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３８に対して、成形偏向用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３８では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、偏向器２０５に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム２００が第２成形アパーチャ２０６の特定の位置に偏向され、所望の寸法及び形状の電子ビームが形成される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３４に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器２０８に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）の基準位置Ａ（例えば、該当するＳＦの中心位置或いは左下の角位置等）に偏向される。また、ＸＹステージ１０５が連続移動しながら描画する場合には、かかる偏向電圧には、ステージ移動に追従するトラッキング用の偏向電圧も含まれる。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３２に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３２は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器２０９に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが最小偏向領域となるＴＦ４０の基準位置Ｂ（例えば、該当するＴＦの中心位置或いは左下の角位置等）に偏向される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３６に対して、副副偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３６は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副副偏向器２１６に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームがＴＦ４０内の各ショット位置４２に偏向される。

描画装置１００では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６といった３段偏向器が用いられる。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。

主偏向器２０８が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。また、副偏向器２０９が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、ＴＦ４０の基準位置Ｂに電子ビーム２００を順に偏向する。そして、副副偏向器２１６が、各ＴＦ４０の基準位置Ｂから、当該ＴＦ４０内に照射されるビームのショット位置４２に電子ビーム２００を偏向する。

このように、主偏向器２０８、副偏向器２０９、及び副副偏向器２１６は、サイズの異なる偏向領域をもつ。ＴＦ４０は、複数段の偏向器の偏向領域のうち、最小偏向領域となる。

図３は、本実施形態による描画方法を説明するフローチャートである。評価パターン描画工程（ステップＳ１０１）では、描画装置１００により、評価基板に評価パターンを描画する。評価基板として、例えば、ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）膜等の遮光膜が形成され、遮光膜上にレジスト膜が形成された基板を用いる。評価パターンは、ＤＡＣアンプ１３６のセトリング時間及び副副偏向器２１６の偏向量（ビーム移動量）を変えながら描画する。

例えば、ｘ方向、ｙ方向のそれぞれについて、小さい偏向量、大きい偏向量となるように偏向量を変えて評価パターンを描画する。例えば、ＴＦ４０内でのビームの最小移動量（例えば０．１μｍ）を小さい偏向量とし、ＴＦ４０内でのビームの最大移動量（例えば０．６μｍ）を大きい偏向量とする。これにより、評価基板には、ＤＡＣアンプ１３６のセトリング時間及び副副偏向器２１６の偏向量の異なる複数のパターンからなる評価パターンが描画される。

現像・エッチング工程（ステップＳ１０２）では、評価パターンが描画された評価基板を現像し、レジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクにして露出した遮光膜をエッチングする。そして、レジストパターンをアッシング等により除去することで、評価基板上に遮光膜のパターンを形成する。

位置測定工程（ステップＳ１０３）では、パターン位置測定器を用いて、評価基板上に形成された評価パターン（遮光膜パターン）の位置を測定する。

位置ずれ量算出工程（ステップＳ１０４）では、図示しない位置ずれ量算出部が、ステップＳ１０３で位置が測定された各パターンについて、設計位置からの位置ずれ量を算出する。図４は、セトリング時間と算出された位置ずれ量との関係の例を示すグラフである。セトリング時間が短くなるに伴い位置ずれ量は大きくなる。

フィッティング工程（ステップＳ１０５）では、図５に示すように、横軸をセトリング時間、縦軸を描画された評価パターンの位置ずれ量の絶対値とし、多項式で近似する。近似式は方向及び偏向量毎に求める。ｘ方向、ｙ方向のそれぞれについて、偏向量の大／小を変えて評価パターンを描画した場合、近似式は４つ求められる。図５は、ｘ方向の偏向量が大きい場合の近似式のグラフと、ｘ方向の偏向量が小さい場合の近似式のグラフとを示す。求められた近似式データは、描画装置１００に入力され、記憶装置１４２に格納される（ステップＳ１０６）。

ショットデータ生成工程（ステップＳ１０７）では、ショットデータ生成部５０が、記憶装置１４０に格納されている描画データに対して、複数段のデータ変換処理を行い、描画対象となる各図形パターンを１回のショットで照射可能なサイズのショット図形に分割し、描画装置固有のフォーマットとなるショットデータを生成する。ショットデータとして、ショット毎に、例えば、各ショット図形の図形種を示す図形コード、図形サイズ、及び描画位置等が定義される。

セトリング時間算出工程（ステップＳ１０８）では、描画制御部５４が各ショットのショットデータから偏向量を求め、ＤＡＣアンプ１３６のセトリング時間ＳＴを算出する。描画装置１００には、偏向量からセトリング時間を算出するための数式が予め記憶されており、描画制御部５４は、この数式に各ショットの偏向量を入力してセトリング時間ＳＴを算出する。

補正式作成工程（ステップＳ１０９）では、ショット位置補正部５４が、記憶装置１４２に格納されている近似式に、ステップＳ１０８で算出したセトリング時間ＳＴを入力して位置ずれ量を求める。例えば、上述の４つの近似式にそれぞれセトリング時間ＳＴを入力することで、図６に示すように、ｘ方向、ｙ方向それぞれ２つずつ、計４つの位置ずれ量が求まる。ｘ方向２つの位置ずれ量から、セトリング時間をＳＴとした場合のｘ方向の偏向量と位置ずれ量との関係を示す補正式ｆ１が求まる。また、ｙ方向２つの位置ずれ量から、セトリング時間をＳＴとした場合のｙ方向の偏向量と位置ずれ量との関係を示す補正式ｆ２が求まる。補正式ｆ１、ｆ２は、偏向量が０μｍの場合は位置ずれ量が０ｎｍとなる１次関数で表される。

位置補正工程（ステップＳ１１０）では、ショット位置補正部５２が、補正式ｆ１、ｆ２に、各ショットの偏向量を入力することで、各ショットのｘ方向の位置ずれ量Δｘ、ｙ方向の位置ずれ量Δｙを求める。この位置ずれ量（Δｘ、Δｙ）は、セトリング時間ＳＴでそのままショットを行った場合に想定されるショット位置のずれ量である。ショット位置補正部５２は、各ショットの設計上の描画位置座標（ｘ、ｙ）から、ずれ量（位置補正量）を差分した位置（ｘ−Δｘ、ｙ−Δｙ）を補正後の描画位置として演算を行う。

描画工程（ステップＳ１１１）では、ショット位置補正部５２によりショット位置が補正されたショットデータを用いて描画処理が行われる。描画制御部５４が、ショット毎に、補正後の描画位置を偏向制御回路１２０に出力する。偏向制御回路１２０は、補正後の位置に描画するための偏向データを演算する。そして、算出した偏向データを、ＴＦ４０内の相対位置へとビームを偏向する副副偏向器２１６用のＤＡＣアンプ１３６に出力する。

その他、偏向制御回路１２０は、必要な照射量分の照射時間になる偏向データをブランキング偏向器２１２用のＤＡＣアンプ１３０に出力する。偏向制御回路１２０は、ビームがＸＹステージ１０５の移動に追従するように、偏向データを主偏向器２０８用のＤＡＣアンプ１３４に出力する。偏向制御回路１２０は、ＳＦ３０内の相対位置へとビームを偏向する副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ１３２に偏向データを出力する。また、偏向制御回路１２０は、ビームが所望の形状となるよう、偏向データを成形偏向器２０５用のＤＡＣアンプ１３８に出力する。

電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際に、ブランキング偏向器２１２によって、例えば、ビームＯＮの状態ではブランキングアパーチャ２１４を通過し、ビームＯＦＦの状態ではビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮蔽されるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。

ブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。

第１成形アパーチャ２０３を通過した第１アパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２成形アパーチャ２０６上に投影される。成形偏向器２０５によって、第２成形アパーチャ２０６上での第１アパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行う）ことができる。このような可変成形はショット毎に行なわれ、ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形することができる。

第２成形アパーチャ２０６を通過した第２アパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８、副偏向器２０９及び副副偏向器２１６によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望の位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板となる試料１０１上へと偏向される。

上述したように、本実施形態によれば、評価パターンの描画結果から求めた近似式に各ショットのセトリング時間を入力して補正式（ｆ１、ｆ２）を作成し、この補正式に偏向量を入力してショット位置のずれ量を求め、このずれ量を設計上の描画位置座標から差し引いて描画位置を補正する。セトリング時間依存の位置ずれを補正することで、設定可能なセトリング時間を短くすることができ、スループットを向上させることができる。

描画装置１００によるビームの描画位置は、ショット中にも変動し得る。そのため、上記実施形態のフィッティング工程（ステップＳ１０５）において近似式を算出する際に、セトリング時間とともに、ショット時間を併せて考慮してもよい。図７に示すように、通常、パターンの中心（重心）位置がパターンの描画位置として測定される。ここで、描画パターンの幅が設計値よりｘ方向に２ｄだけ小さくなった場合、パターンの描画位置の変動量はｄとなる。つまり、描画位置の変動量は、描画パターンの変動量の半分となる。

そのため、セトリング時間とともにショット時間を併せて考慮する場合は、セトリング時間にショット時間の半分を足し合わせることが好ましい。この場合、図５のグラフの横軸をセトリング時間＋ショット時間／２として、近似式を求める。

また、補正式作成工程（ステップＳ１０９）では、近似式に、セトリング時間ＳＴと各ショットのショット時間の半分とを足し合わせた時間を入力して、ｘ方向、ｙ方向それぞれ２つの位置ずれ量を求め、補正式ｆ１、ｆ２を求める。このように、ショット時間を併せて考慮することで、ショット中の位置ずれ量を補正し、より精度の高い位置にパターンを描画できる。

上記実施形態では、ｘ方向、ｙ方向のそれぞれについて、２種類の偏向量で評価パターンを描画したが、３種類以上の偏向量で評価パターンを描画してもよい。その場合、補正式ｆ１、ｆ２は３つ以上の点から求まり、より精度の高い補正式ｆ１、ｆ２が得られる。

上記実施形態において、評価パターンの描画結果から求めた近似式を用いて、様々なセトリング時間での補正式ｆ１、ｆ２を予め作成しておき、補正式テーブルとして記憶部に格納しておいてもよい。この場合、各ショットのセトリング時間ＳＴに対応する補正式ｆ１、ｆ２を補正式テーブルから取り出し、取り出した補正式に各ショットの偏向量を入力することで、ショット位置の補正量が算出される。

上記実施形態では、副副偏向器２１６用のＤＡＣアンプ１３６のセトリング時間に依存する位置ずれ量を補正する例について説明したが、副偏向器２０９用のＤＡＣアンプ１３２のセトリング時間に依存する位置ずれ量の補正にも適用できる。この場合、評価パターン描画工程（ステップＳ１０１）では、例えばＳＦ３０内での副偏向器２０９によるビームの最小移動量、最大移動量となるように偏向量を変えて評価パターンを描画する。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１００ 描画装置
１１０ 制御計算機
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１６ 副副偏向器

Claims (5)

1. 偏向器により荷電粒子ビームを偏向させてパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
   前記偏向器を制御するＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプのセトリング時間、及び前記偏向器による荷電粒子ビームの偏向量を変えながら第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶する記憶部と、
   描画データを、荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、
   前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、前記位置補正量に基づいて前記ショットデータで定義されるショット位置を補正するショット位置補正部と、
   ショット位置が補正されたショットデータを用いて第２基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う描画部と、
   を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記近似式は、前記第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と、前記セトリング時間に各評価パターンのショット時間の半分を足し合わせた時間との対応関係を示し、
   前記ショット位置補正部は、前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間にショット時間の半分を足し合わせた時間と、前記近似式とから、前記補正式を作成することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向のそれぞれにおいて、少なくとも２種類の偏向量で前記評価パターンが描画され、前記記憶部は、方向及び偏向量毎の前記近似式を記憶することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 偏向器により荷電粒子ビームを偏向させてパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
   前記偏向器を制御するＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプのセトリング時間、及び前記偏向器による荷電粒子ビームの偏向量を変えながら第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と前記セトリング時間との対応関係を示す近似式を記憶部に格納する工程と、
   描画データを、荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換する工程と、
   前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間と、前記近似式とから、このセトリング時間における偏向量とショット位置ずれ量との関係を示す補正式を作成し、このショットの偏向量と前記補正式とを用いて位置補正量を求め、前記位置補正量に基づいて前記ショットデータで定義されるショット位置を補正する工程と、
   ショット位置が補正されたショットデータを用いて第２基板上に荷電粒子ビームを照射し、描画を行う工程と、
   を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
5. 前記近似式は、前記第１基板上に描画された各評価パターンの描画位置の設計位置からの位置ずれ量と、前記セトリング時間に各評価パターンのショット時間の半分を足し合わせた時間との対応関係を示し、
   前記ショットデータから求まるショットの偏向量に基づく前記ＤＡＣアンプのセトリング時間にショット時間の半分を足し合わせた時間と、前記近似式とから、前記補正式を作成することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。

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