JPS6159727A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS6159727A JPS6159727A JP59181371A JP18137184A JPS6159727A JP S6159727 A JPS6159727 A JP S6159727A JP 59181371 A JP59181371 A JP 59181371A JP 18137184 A JP18137184 A JP 18137184A JP S6159727 A JPS6159727 A JP S6159727A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction
- output
- memory
- electron beam
- deflection means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム露光装置に関し、特に半導体装置の
製造等に適用される微細バター７形成のための電子ビー
ム露光装置に関する。
製造等に適用される微細バター７形成のための電子ビー
ム露光装置に関する。
電子ビーム露光の通常の方式として、メインフィールド
内を第１の偏向手段１例えば電磁偏向手段で振〕、サブ
フィールド内を第２の偏向手段、例えば静電偏向手段で
走査して露光する方式がある。ｇｓ図において、メイン
フィールドＦＯ中にサブフィールドｆが設定される。図
において、電磁偏向によシメインフィールドＦの中心か
ら、電子ビームをサブフィール、ド（１）の中心に振シ
、この位置が整定したところでサブフィールド（１）の
内を静電偏向によシ走査して露光する。次に電磁偏向器
で■の方向に振シ、位置整定後、静電偏向器によシ露光
する。以下、同じくサブフィールド／’ｔ−次々と露光
していく。
内を第１の偏向手段１例えば電磁偏向手段で振〕、サブ
フィールド内を第２の偏向手段、例えば静電偏向手段で
走査して露光する方式がある。ｇｓ図において、メイン
フィールドＦＯ中にサブフィールドｆが設定される。図
において、電磁偏向によシメインフィールドＦの中心か
ら、電子ビームをサブフィール、ド（１）の中心に振シ
、この位置が整定したところでサブフィールド（１）の
内を静電偏向によシ走査して露光する。次に電磁偏向器
で■の方向に振シ、位置整定後、静電偏向器によシ露光
する。以下、同じくサブフィールド／’ｔ−次々と露光
していく。
従来、電子ビーム露光装置においては、マーク検出によ
る歪補正が行なわれているが、これは静的歪量の補正で
おる。
る歪補正が行なわれているが、これは静的歪量の補正で
おる。
ところで、電子ビームを偏向器で振った場合、電子ビー
ムに応答遅れを生ずる。この遅れの要因にに種々あるが
、主に、偏向回路の応答遅れと電磁偏向器の場合うず電
流による遅れがおる。更に電荷のチャージアップによる
ドリフト的な位置ずれもある。電子ビーム露光の通常の
方法である前述の第５図の場合、第１の偏向手段で各サ
ブフィールドの中心に電子ビームを定めるのであるが、
この際第１の偏向手段１例えば電磁偏向の出力が整定し
なげればサブフィールド内の露光を行うことができない
。この電磁偏向による電子ビームの応答の一例を第６図
に示す。応答波形は主に電子ビームの跳び量によシ決ま
る。特にうず電流による遅れの場合そうで１Ｌ電磁偏向
で犬きく振った場合、波形の応答が非常に遅い。そのた
め、電磁偏向の出力が完全に整定してから露光するよう
にすると、電子ビーム露光プロセスにか＼る時間が長く
な）、問題となる。そこで従来はめる程度整定したとこ
ろで露光を始めて時間上節約することがなされている。
ムに応答遅れを生ずる。この遅れの要因にに種々あるが
、主に、偏向回路の応答遅れと電磁偏向器の場合うず電
流による遅れがおる。更に電荷のチャージアップによる
ドリフト的な位置ずれもある。電子ビーム露光の通常の
方法である前述の第５図の場合、第１の偏向手段で各サ
ブフィールドの中心に電子ビームを定めるのであるが、
この際第１の偏向手段１例えば電磁偏向の出力が整定し
なげればサブフィールド内の露光を行うことができない
。この電磁偏向による電子ビームの応答の一例を第６図
に示す。応答波形は主に電子ビームの跳び量によシ決ま
る。特にうず電流による遅れの場合そうで１Ｌ電磁偏向
で犬きく振った場合、波形の応答が非常に遅い。そのた
め、電磁偏向の出力が完全に整定してから露光するよう
にすると、電子ビーム露光プロセスにか＼る時間が長く
な）、問題となる。そこで従来はめる程度整定したとこ
ろで露光を始めて時間上節約することがなされている。
上述のように露光時間の節約を図る場合、前記遅れ要因
により電子ビームの位置に正確さを欠き、露光パターン
の位置精度および重ね合せ精度を悪くしている。本発明
は、この問題を解決しようとするものである。
により電子ビームの位置に正確さを欠き、露光パターン
の位置精度および重ね合せ精度を悪くしている。本発明
は、この問題を解決しようとするものである。
本発明の電子ビーム露光装置は、メインフィールド１ｒ
：振る第１の偏向手段と、該第１の偏向手段が定めるサ
ブフィールドを露光する第２の偏向手段を有する電子ビ
ーム露光装置において、第１の偏向手段の跳び量に応じ
た時間依存の位置補正量を格納する手段と、該メモリか
ら位置補正量を読出し、該位置補正量にもとづき、第１
の偏向手段の出力または第２の偏向手段の出力に補正を
加える動特性補正手段とを有する。第３図において、応
答波形に対する２方向の位置補正の様子を示し、曲線が
応答波形１階段波形がその近似波形、斜線を施した部分
は時刻−一１〜−における補正値が４２％であることを
示す。本発明は同様に１方向に対しても応答波形に補正
を加える。
：振る第１の偏向手段と、該第１の偏向手段が定めるサ
ブフィールドを露光する第２の偏向手段を有する電子ビ
ーム露光装置において、第１の偏向手段の跳び量に応じ
た時間依存の位置補正量を格納する手段と、該メモリか
ら位置補正量を読出し、該位置補正量にもとづき、第１
の偏向手段の出力または第２の偏向手段の出力に補正を
加える動特性補正手段とを有する。第３図において、応
答波形に対する２方向の位置補正の様子を示し、曲線が
応答波形１階段波形がその近似波形、斜線を施した部分
は時刻−一１〜−における補正値が４２％であることを
示す。本発明は同様に１方向に対しても応答波形に補正
を加える。
第１図において、通常の（静的）歪補正メ七り３の他に
動特性補正メ七り４が備えられておシ、さらに１がＣＰ
Ｕ、２がバッフ７メモリ、５がパター／ジェネレータ、
６がパターン補正ユニット。
動特性補正メ七り４が備えられておシ、さらに１がＣＰ
Ｕ、２がバッフ７メモリ、５がパター／ジェネレータ、
６がパターン補正ユニット。
７がサブアンプ、８がメインアンプ、９がコラムである
。動特性補正メモリ４の内容を第２図に示し、跳び量（
Ｘａ −Ｘｂ 、 Ｙａ −Ｙｂ ）に応じた補正デー
タが格納されてお〕、このデータμ図のように時間の関
数で時刻ｔ。〜ｆ、において、１およびＶ方向の位置補
正量が、４２１およびΔｙ１であ）、一般に時刻輸−１
〜−において、２およびＶ方向の位置補正量が４２％お
よびｌｖｎとなっている。これらのデータはあらかじめ
各跳び量に応じた応答波形により定めて、動特性補正メ
モリ４に格納しておく。実際の露光においては、通常の
ように（静的）歪補正メモリ３に格納されているデータ
にもとづく歪補正を行う他に、動特性補正メモリ４に格
納されている上述の跳び量（Ｘａ Ｘｂ 、 Ｙａ
−Ｙｂ ）に応じたデータヲハターンジェネレータ５に
取込み、ｔ、−ｍ−１％の期間は補正量（、ｎ％、２１
％）ｆｔ通常の出力（２％、ｙｓ）に加え、または引い
てパターン補正ユニット６′ｆｔ、介してメインアンプ
８に出力する。メインアンプ８にコラム９の上述の第１
の偏向手段にその出力を加える。このときの９子ビーム
の出力（位置）を第４図に示す。実際にはメインアンプ
の応答遅れのためこのようにギザギザにはならず、ある
程度平滑化された出力になる。ギザギザが生じる場合で
も補正の分解能を高め、ＣＬ０５μ倶。
。動特性補正メモリ４の内容を第２図に示し、跳び量（
Ｘａ −Ｘｂ 、 Ｙａ −Ｙｂ ）に応じた補正デー
タが格納されてお〕、このデータμ図のように時間の関
数で時刻ｔ。〜ｆ、において、１およびＶ方向の位置補
正量が、４２１およびΔｙ１であ）、一般に時刻輸−１
〜−において、２およびＶ方向の位置補正量が４２％お
よびｌｖｎとなっている。これらのデータはあらかじめ
各跳び量に応じた応答波形により定めて、動特性補正メ
モリ４に格納しておく。実際の露光においては、通常の
ように（静的）歪補正メモリ３に格納されているデータ
にもとづく歪補正を行う他に、動特性補正メモリ４に格
納されている上述の跳び量（Ｘａ Ｘｂ 、 Ｙａ
−Ｙｂ ）に応じたデータヲハターンジェネレータ５に
取込み、ｔ、−ｍ−１％の期間は補正量（、ｎ％、２１
％）ｆｔ通常の出力（２％、ｙｓ）に加え、または引い
てパターン補正ユニット６′ｆｔ、介してメインアンプ
８に出力する。メインアンプ８にコラム９の上述の第１
の偏向手段にその出力を加える。このときの９子ビーム
の出力（位置）を第４図に示す。実際にはメインアンプ
の応答遅れのためこのようにギザギザにはならず、ある
程度平滑化された出力になる。ギザギザが生じる場合で
も補正の分解能を高め、ＣＬ０５μ倶。
ＣＬ０１μ倶以下等にすれば問題はな−。
以上、動特性補正の補正量をメインデフレクタの第１の
偏向手段に加える例を示したが、この補正量をサブデフ
レクタである第２の偏向手段に加えてやりても同様の補
正が可能でらる。
偏向手段に加える例を示したが、この補正量をサブデフ
レクタである第２の偏向手段に加えてやりても同様の補
正が可能でらる。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、従来、偏向手段の出力
が整定するのにか−っていた時間が大幅に節約できる。
が整定するのにか−っていた時間が大幅に節約できる。
例えば従来、出力が整定するのに５０〜１００μｓ要し
ていたのに対して、本発明によれば１０〜２０μｓとす
ることが可能である。
ていたのに対して、本発明によれば１０〜２０μｓとす
ることが可能である。
第１図は本発明の１実施例の概要を示すブロック図、第
２図は本発明における動特性補正メモリの内容を示す図
、第３図は本発明における応答波形の補正の様子を示す
図、第４図は本発明による動特性補正後の応答波形を示
す図、第５図はメインフィールドとサブフィールドを示
す図、第６＠は第１の偏向手段の出力の応答波形を示す
図。 １・・・ＣＰび ２・・・バッフ７メモリ ３・・・（静的）歪補正メ七り ４・・・動特性補正メモリ ５・・・パターンジェネレータ ６・・・パターン補正ユニット ７・・・サブアンプ ８・・・メインアンプ ９・・・＝ラム
２図は本発明における動特性補正メモリの内容を示す図
、第３図は本発明における応答波形の補正の様子を示す
図、第４図は本発明による動特性補正後の応答波形を示
す図、第５図はメインフィールドとサブフィールドを示
す図、第６＠は第１の偏向手段の出力の応答波形を示す
図。 １・・・ＣＰび ２・・・バッフ７メモリ ３・・・（静的）歪補正メ七り ４・・・動特性補正メモリ ５・・・パターンジェネレータ ６・・・パターン補正ユニット ７・・・サブアンプ ８・・・メインアンプ ９・・・＝ラム
Claims (1)
- メインフィールドを決定する第１の偏向手段と、該第
１の偏向手段が定めるサブフィールドを露光する第２の
偏向手段を有する電子ビーム露光装置において、第１の
偏向手段の跳び量に応じた時間依存の位置補正量を格納
する手段と、該メモリから位置補正量を読出し、該位置
補正量にもとづき、第１の偏向手段の出力または第２の
偏向手段の出力に補正を加える動的特性補正手段とを有
することを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181371A JPS6159727A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181371A JPS6159727A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159727A true JPS6159727A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16099554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181371A Pending JPS6159727A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04330713A (ja) * | 1989-12-21 | 1992-11-18 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置における荷電粒子ビーム制御方法及びその装置 |
| JP2016219577A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59181371A patent/JPS6159727A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04330713A (ja) * | 1989-12-21 | 1992-11-18 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置における荷電粒子ビーム制御方法及びその装置 |
| JP2016219577A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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