JPH0691005B2 - 荷電ビ−ム描画方法 - Google Patents
荷電ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPH0691005B2 JPH0691005B2 JP60291324A JP29132485A JPH0691005B2 JP H0691005 B2 JPH0691005 B2 JP H0691005B2 JP 60291324 A JP60291324 A JP 60291324A JP 29132485 A JP29132485 A JP 29132485A JP H0691005 B2 JPH0691005 B2 JP H0691005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- main
- sub
- deflector
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1536—Image distortions due to scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20278—Motorised movement
- H01J2237/20285—Motorised movement computer-controlled
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、荷電ビーム描画方法に係わり、特に大偏向と
小偏向との２種の偏向を利用した荷電ビーム描画方法に
関する。
小偏向との２種の偏向を利用した荷電ビーム描画方法に
関する。
電子ビーム描画方法において、電子ビームを偏向によっ
て位置決めを行うためのD/A変換器（以下DACと略記す
る）のセトリング時間は、描画スループットに多大な影
響を与える。セトリング時間を短縮するために、大幅偏
向領域をカバーする主偏向用高速DACと、小偏向領域の
ための副偏向用高速DACとを用い、主・副２段の偏向を
行う方法は、スループットを向上する上で効果的であ
る。この方法は、文献（E.V.Weber and R.D.Moore,J.Va
c,Sci,Technol.16,1780（1979））に見られるように、
電子ビーム描画装置EL−２（商品名）で実用化した。こ
の装置の発表以降に発表された可変成形ビーム方式の電
子ビーム描画装置の大部分はこの方法を用いていること
からも、この方法の有効性は実証されている。
て位置決めを行うためのD/A変換器（以下DACと略記す
る）のセトリング時間は、描画スループットに多大な影
響を与える。セトリング時間を短縮するために、大幅偏
向領域をカバーする主偏向用高速DACと、小偏向領域の
ための副偏向用高速DACとを用い、主・副２段の偏向を
行う方法は、スループットを向上する上で効果的であ
る。この方法は、文献（E.V.Weber and R.D.Moore,J.Va
c,Sci,Technol.16,1780（1979））に見られるように、
電子ビーム描画装置EL−２（商品名）で実用化した。こ
の装置の発表以降に発表された可変成形ビーム方式の電
子ビーム描画装置の大部分はこの方法を用いていること
からも、この方法の有効性は実証されている。
しかしながら、この種の方法にあっては次のような問題
があった。即ち、試料台を停止して描画する方式である
ので、試料台移動に伴う無駄時間のためスループットが
低い。電子ビーム描画装置において描画を行うときの試
料台の移動時間は、スループットに多大な影響を及ぼす
ことは周知である。試料台の停止時に描画を行う方法
は、ある描画領域から次の描画領域に移るときの試料台
移動に伴う時間が多大であるため、偏向領域を大きくし
て試料台のステップ＆リピートする時間を短縮すること
がスループット向上のために必要となっている。
があった。即ち、試料台を停止して描画する方式である
ので、試料台移動に伴う無駄時間のためスループットが
低い。電子ビーム描画装置において描画を行うときの試
料台の移動時間は、スループットに多大な影響を及ぼす
ことは周知である。試料台の停止時に描画を行う方法
は、ある描画領域から次の描画領域に移るときの試料台
移動に伴う時間が多大であるため、偏向領域を大きくし
て試料台のステップ＆リピートする時間を短縮すること
がスループット向上のために必要となっている。
ところが、大偏向を行うには、偏向に伴う収差や歪み等
の影響でパターン精度を向上することが困難であり、偏
向におけるワーキング距離を大きくとるために、電子ビ
ームの電流密度が低下して、その結果スループットが低
下する等の問題が発生する。一方、試料台の移動中に描
画を行う場合には、試料台の移動に伴う無駄時間はステ
ップ＆リピート方式に比べ著しく小さくできる利点があ
る。
の影響でパターン精度を向上することが困難であり、偏
向におけるワーキング距離を大きくとるために、電子ビ
ームの電流密度が低下して、その結果スループットが低
下する等の問題が発生する。一方、試料台の移動中に描
画を行う場合には、試料台の移動に伴う無駄時間はステ
ップ＆リピート方式に比べ著しく小さくできる利点があ
る。
これらのことにより、試料台の連続移動に主・副２段の
偏向でパターンを描画することが電子ビーム描画装置の
スループットを向上する上で非常に有利なことが判る。
しかし、試料台の連続移動中に主・副２段の偏向により
パターンを描画する方式では、試料台の移動に伴う偏向
位置の補正を行わなければならない。この補正は、副偏
向器により偏向可能な小領域の描画中は、主偏向器に試
料台位置補正用DACを介して試料愛の移動情報をフィー
ドバックして補正する方式により、容易に実現すること
ができる。
偏向でパターンを描画することが電子ビーム描画装置の
スループットを向上する上で非常に有利なことが判る。
しかし、試料台の連続移動中に主・副２段の偏向により
パターンを描画する方式では、試料台の移動に伴う偏向
位置の補正を行わなければならない。この補正は、副偏
向器により偏向可能な小領域の描画中は、主偏向器に試
料台位置補正用DACを介して試料愛の移動情報をフィー
ドバックして補正する方式により、容易に実現すること
ができる。
しかし、このような試料台移動補正方式では、試料台の
移動情報を連続的にDACにフィードバックするために、
試料台移動に伴う主偏向位置移動による偏向歪み補正の
修正は、小領域内の描画が完了するまでは行うことがで
きない。このため、主偏向位置の試料台移動に伴う補正
量が大きいときには、偏向歪みの補正が行われないこと
による描画精度の低下が問題となった。
移動情報を連続的にDACにフィードバックするために、
試料台移動に伴う主偏向位置移動による偏向歪み補正の
修正は、小領域内の描画が完了するまでは行うことがで
きない。このため、主偏向位置の試料台移動に伴う補正
量が大きいときには、偏向歪みの補正が行われないこと
による描画精度の低下が問題となった。
なお、上記の問題は電子ビームの代りにイオンビームを
用いたイオンビーム描画方法についても同様に言えるこ
とである。
用いたイオンビーム描画方法についても同様に言えるこ
とである。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、試料台の連続移動中に、主・副２段の
偏向によって高速のパターン描画を行うことができ、且
つ試料台移動補正のための主偏向位置補正によって生じ
る偏向歪みのずれを制御することにより、高精度のパタ
ーン形成を可能とした荷電ビーム描画方法を提供するこ
とにある。
とするところは、試料台の連続移動中に、主・副２段の
偏向によって高速のパターン描画を行うことができ、且
つ試料台移動補正のための主偏向位置補正によって生じ
る偏向歪みのずれを制御することにより、高精度のパタ
ーン形成を可能とした荷電ビーム描画方法を提供するこ
とにある。
本発明の骨子は、試料台の連続移動中に主・副２段の偏
向によって、パターン描画を行う際に、副偏向領域内の
パターン描画中に、試料台移動補正のための主偏向位置
補正により偏向歪みが十分補正されなくなった場合に描
画を中断し、副偏向歪み補正データを再設定後、再び描
画を行うことにある。
向によって、パターン描画を行う際に、副偏向領域内の
パターン描画中に、試料台移動補正のための主偏向位置
補正により偏向歪みが十分補正されなくなった場合に描
画を中断し、副偏向歪み補正データを再設定後、再び描
画を行うことにある。
即ち本発明は、ビーム偏向幅の大きな主偏向器及びビー
ム偏向幅の小さな副偏向器を用い、試料が載置された試
料台を連続移動しながら試料上に所望のパターンを描画
する荷電ビーム描画方法において、描画すべき領域を前
記副偏向器により偏向可能な小領域に分割し、任意の小
領域に対する前記主偏向器による主偏向位置を設定する
と共に該主偏向位置に対応した副偏向歪み補正データを
設定し、この補正データに基づいて副偏向歪み補正を行
いながら該小領域内のパターン描画を行い、順次小領域
毎のパターンを描画するに際し、上記小領域の描画中に
前記試料台の位置情報を前記主偏向器にフィードバック
して該試料台の移動による描画位置のずれの補正を行
い、上記小領域の描画開始時における試料台位置に対し
て試料台が規定値以上に移動したとき、該小領域内の副
偏向による描画を中断し、前記主偏向位置を上記領域の
残パターンを描画可能な位置に再設定すると共に該設定
後の主偏向位置に対応した副偏向歪み補正データを再設
定した後、上記小領域内の残りのパターンの描画を行う
ようにした方法である。
ム偏向幅の小さな副偏向器を用い、試料が載置された試
料台を連続移動しながら試料上に所望のパターンを描画
する荷電ビーム描画方法において、描画すべき領域を前
記副偏向器により偏向可能な小領域に分割し、任意の小
領域に対する前記主偏向器による主偏向位置を設定する
と共に該主偏向位置に対応した副偏向歪み補正データを
設定し、この補正データに基づいて副偏向歪み補正を行
いながら該小領域内のパターン描画を行い、順次小領域
毎のパターンを描画するに際し、上記小領域の描画中に
前記試料台の位置情報を前記主偏向器にフィードバック
して該試料台の移動による描画位置のずれの補正を行
い、上記小領域の描画開始時における試料台位置に対し
て試料台が規定値以上に移動したとき、該小領域内の副
偏向による描画を中断し、前記主偏向位置を上記領域の
残パターンを描画可能な位置に再設定すると共に該設定
後の主偏向位置に対応した副偏向歪み補正データを再設
定した後、上記小領域内の残りのパターンの描画を行う
ようにした方法である。
本発明によれば、副偏向器による副偏向可能な領域内の
パターン描画の際に、試料台移動補正で主偏向位置がず
れることによる偏向歪み補正のずれが過大となる前に、
主偏向位置及び副偏向歪み補正データの再設定を行うこ
とができる。このため、偏向歪み補正を確実に行うこと
ができ、高精度のパターン描画を行うことができる。
パターン描画の際に、試料台移動補正で主偏向位置がず
れることによる偏向歪み補正のずれが過大となる前に、
主偏向位置及び副偏向歪み補正データの再設定を行うこ
とができる。このため、偏向歪み補正を確実に行うこと
ができ、高精度のパターン描画を行うことができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図である。図中10は試料室であ
り、この試料室10内には半導体ウェハ等の試料11を載置
した試料台12が収容されている。試料台12は、計算機30
からの指令を受けた試料台駆動回路31によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動され
る。そして、試料台12の移動位置はレーザ測長系32によ
り測定され、その測定情報が計算機30及び後述する偏向
制御回路33に送出されるものとなっている。
画装置を示す概略構成図である。図中10は試料室であ
り、この試料室10内には半導体ウェハ等の試料11を載置
した試料台12が収容されている。試料台12は、計算機30
からの指令を受けた試料台駆動回路31によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動され
る。そして、試料台12の移動位置はレーザ測長系32によ
り測定され、その測定情報が計算機30及び後述する偏向
制御回路33に送出されるものとなっている。
一方、試料室10の上方には、電子銃21、各種レンズ22a,
〜,22e、各種偏向器23,〜,26及びビーム成形用アパーチ
ャマスク27a,27b等からなる電子光学鏡筒20が設けられ
ている。ここで、偏向器23は、ビームをON−OFFするた
めのブランキング用偏向板であり、この偏向器23にはブ
ランキング制御回路34からブランキング信号が印加され
る。偏向器24は、アパーチャマスク27a,27bの光学的な
アパーチャ重なりを利用してビームの寸法を可変制御す
るビーム寸法可変用偏向板であり、この偏向器24には可
変ビーム寸法制御回路35から偏向信号が印加される。ま
た、偏向器25,26は、ビームを試料上で走査するビーム
走査用偏向板であり、これらの偏向器25,26には偏向制
御回路33から偏向信号が印加されるものとなっている。
〜,22e、各種偏向器23,〜,26及びビーム成形用アパーチ
ャマスク27a,27b等からなる電子光学鏡筒20が設けられ
ている。ここで、偏向器23は、ビームをON−OFFするた
めのブランキング用偏向板であり、この偏向器23にはブ
ランキング制御回路34からブランキング信号が印加され
る。偏向器24は、アパーチャマスク27a,27bの光学的な
アパーチャ重なりを利用してビームの寸法を可変制御す
るビーム寸法可変用偏向板であり、この偏向器24には可
変ビーム寸法制御回路35から偏向信号が印加される。ま
た、偏向器25,26は、ビームを試料上で走査するビーム
走査用偏向板であり、これらの偏向器25,26には偏向制
御回路33から偏向信号が印加されるものとなっている。
また、偏向器25は、ビームを試料上で大きく偏向する主
偏向板で、偏向器26はビームを試料上で小さく偏向する
副偏向板である。そして、主偏向器25でビーム位置を決
定し、副偏向器26で該偏向器の偏向可能領域内の小領域
を描画するものとなっている。なお、偏向制御回路33で
は、上記各偏向板25,26に対し高速のDACを介して所定の
偏向信号を印加するものとなっている。
偏向板で、偏向器26はビームを試料上で小さく偏向する
副偏向板である。そして、主偏向器25でビーム位置を決
定し、副偏向器26で該偏向器の偏向可能領域内の小領域
を描画するものとなっている。なお、偏向制御回路33で
は、上記各偏向板25,26に対し高速のDACを介して所定の
偏向信号を印加するものとなっている。
偏向制御回路33は、第２図に示す如く描画データ偏向制
御部51、偏向歪み補正演算回路52、主偏向DAC53、副偏
向DAC54、試料台移動補正用DAC55、加算回路56、移動量
レジスタ57及び比較回路58等から構成されている。計算
機30からの描画データはバッファとして作用する描画デ
ータメモリ60に一旦格納されたのち、偏向制御回路33の
描画データ偏向制御部51に送られる。描画データ偏向制
御部51は、偏向制御回路33における偏向制御の同期及び
描画データ信号の制御等を行うもので、前記ブランキン
グ制御回路34及び可変成形ビーム寸法制御回路35に所定
の偏向情報を送出すると共に、この描画データ偏向制御
回路51には前記レーザ測長系31から試料台位置情報が入
力される。ここで、描画データメモリ60及び各種制御回
路33,34,35の接続法が第１図と一部異なっているが、こ
れは描画データメモリ60が計算機30内のメモリで代用さ
れると考えれば実質的に同じ構成である。
御部51、偏向歪み補正演算回路52、主偏向DAC53、副偏
向DAC54、試料台移動補正用DAC55、加算回路56、移動量
レジスタ57及び比較回路58等から構成されている。計算
機30からの描画データはバッファとして作用する描画デ
ータメモリ60に一旦格納されたのち、偏向制御回路33の
描画データ偏向制御部51に送られる。描画データ偏向制
御部51は、偏向制御回路33における偏向制御の同期及び
描画データ信号の制御等を行うもので、前記ブランキン
グ制御回路34及び可変成形ビーム寸法制御回路35に所定
の偏向情報を送出すると共に、この描画データ偏向制御
回路51には前記レーザ測長系31から試料台位置情報が入
力される。ここで、描画データメモリ60及び各種制御回
路33,34,35の接続法が第１図と一部異なっているが、こ
れは描画データメモリ60が計算機30内のメモリで代用さ
れると考えれば実質的に同じ構成である。
描画データ偏向制御部51からは、描画データ及び試料台
位置情報等に基づいて計算機30により計算された主偏向
位置データ及び副偏向歪み補正係数が、偏向歪み補正演
算回路52にそれぞれ与えられる。この演算回路52では、
上記入力した主偏向位置データに基づいて主偏向歪みの
補正を行った主偏向位置が演算される。そして、この補
正された主偏向位置データは、主偏向DAC53に与えられ
る。さらに、偏向歪み補正演算回路52では、上記入力し
た副偏向歪み補正係数を用いて高次の多項式で表わされ
る副偏向歪み補正の演算を行うことにより、副偏向歪み
の補正を行った副偏向位置が演算される。そして、副偏
向位置データは副偏向DAC54に与えられる。ここで、主
偏向DAC53には１つの小領域の描画が終了するまで（若
しくは主偏向位置の再設定を行うまで）上記データが保
持され、副偏向DAC54には描画すべきパターンに応じて
上記データが順次与えられる。また、描画データ偏向制
御部51からは、試料台移動補正用DAC55に試料台位置デ
ータが与えられる。主偏向DAC53及び試料台移動補正用D
AC55の出力は、加算回路56により加算され、この加算出
力が前記主偏向器25に印加される。さらに、副偏向DAC5
4の出力は前記副偏向器26に印加されるものとなってい
る。
位置情報等に基づいて計算機30により計算された主偏向
位置データ及び副偏向歪み補正係数が、偏向歪み補正演
算回路52にそれぞれ与えられる。この演算回路52では、
上記入力した主偏向位置データに基づいて主偏向歪みの
補正を行った主偏向位置が演算される。そして、この補
正された主偏向位置データは、主偏向DAC53に与えられ
る。さらに、偏向歪み補正演算回路52では、上記入力し
た副偏向歪み補正係数を用いて高次の多項式で表わされ
る副偏向歪み補正の演算を行うことにより、副偏向歪み
の補正を行った副偏向位置が演算される。そして、副偏
向位置データは副偏向DAC54に与えられる。ここで、主
偏向DAC53には１つの小領域の描画が終了するまで（若
しくは主偏向位置の再設定を行うまで）上記データが保
持され、副偏向DAC54には描画すべきパターンに応じて
上記データが順次与えられる。また、描画データ偏向制
御部51からは、試料台移動補正用DAC55に試料台位置デ
ータが与えられる。主偏向DAC53及び試料台移動補正用D
AC55の出力は、加算回路56により加算され、この加算出
力が前記主偏向器25に印加される。さらに、副偏向DAC5
4の出力は前記副偏向器26に印加されるものとなってい
る。
また、描画データ偏向制御部51からは移動量レジスタ57
に試料台12の許容移動量がセットされる。描画時には、
このレジスタ57の内容と試料台移動補正用DAC55の出力
とが比較回路58により比較される。そして、試料台移動
補正用DAC55の出力が移動量レジスタ57の内容より大き
くなるとき、比較回路58から描画停止信号が描画データ
偏向制御部51に送出される。描画データ偏向制御部51で
はこの信号を受けた時に、前記計算機30による主偏向位
置及び副偏向歪み補正係数の演算を行い、これらの新た
な主偏向位置及び副偏向歪み補正係数を前記偏向歪み補
正演算回路52に再設定するものとなっている。
に試料台12の許容移動量がセットされる。描画時には、
このレジスタ57の内容と試料台移動補正用DAC55の出力
とが比較回路58により比較される。そして、試料台移動
補正用DAC55の出力が移動量レジスタ57の内容より大き
くなるとき、比較回路58から描画停止信号が描画データ
偏向制御部51に送出される。描画データ偏向制御部51で
はこの信号を受けた時に、前記計算機30による主偏向位
置及び副偏向歪み補正係数の演算を行い、これらの新た
な主偏向位置及び副偏向歪み補正係数を前記偏向歪み補
正演算回路52に再設定するものとなっている。
次に、上記構成の描画装置を用いた電子ビーム描画方法
について説明する。
について説明する。
まず、本実施例における描画方式の基本は、第３図に示
す如く試料11を主偏向器25の偏向幅で決まる複数のフレ
ーム（フィールド）41に分割し、各フィールドを副偏向
器26の偏向幅で決まる小領域（サブフィールド）42に分
割し、主偏向器25によりビームの位置を所定のサブフィ
ールドにセットし、副偏向器26により該サブフィールド
を描画する方法である。さらに、この描画時に試料台12
を連続移動する方法である。実際には、試料台12を一方
向（Ｙ方向）に連続移動しながら所定のフィールドのサ
ブフィールドをS1→S2→S3→S4→S5→S6→S7→S8→S9の
順に順次描画していく。
す如く試料11を主偏向器25の偏向幅で決まる複数のフレ
ーム（フィールド）41に分割し、各フィールドを副偏向
器26の偏向幅で決まる小領域（サブフィールド）42に分
割し、主偏向器25によりビームの位置を所定のサブフィ
ールドにセットし、副偏向器26により該サブフィールド
を描画する方法である。さらに、この描画時に試料台12
を連続移動する方法である。実際には、試料台12を一方
向（Ｙ方向）に連続移動しながら所定のフィールドのサ
ブフィールドをS1→S2→S3→S4→S5→S6→S7→S8→S9の
順に順次描画していく。
前記サブフィールドの内部の描画は、副偏向器26によっ
て偏向位置を制御することにより行われるが、試料台12
の移動による偏向位置補正は主偏向器25の試料台移動位
置補正用DAC55を用いて行うため、副偏向器26ではあた
かも試料台12が静止しているように描画することが可能
となる。
て偏向位置を制御することにより行われるが、試料台12
の移動による偏向位置補正は主偏向器25の試料台移動位
置補正用DAC55を用いて行うため、副偏向器26ではあた
かも試料台12が静止しているように描画することが可能
となる。
このような描画方法において、任意のサブフィールドの
描画順序について第４図のフローチャートを参照して説
明する。
描画順序について第４図のフローチャートを参照して説
明する。
まず、試料台12が移動され、試料台位置が描画可能な位
置にくると、試料台位置と描画位置との差から主偏向歪
みの補正を行った主偏向位置が計算され、この位置は偏
向歪み補正演算回路52に設定される。さらに、上記主偏
向位置から副偏向歪み補正係数が求められ、この係数も
同様に偏向歪み補正演算回路52に設定される。次いで、
試料台移動補正用DAC55をゼロクリアして、試料台12の
移動に伴う描画位置のずれを主偏向で補正する。次い
で、副偏向により偏向動作が始まり、サブフィールド領
域内のパターンの描画が順次行われる。
置にくると、試料台位置と描画位置との差から主偏向歪
みの補正を行った主偏向位置が計算され、この位置は偏
向歪み補正演算回路52に設定される。さらに、上記主偏
向位置から副偏向歪み補正係数が求められ、この係数も
同様に偏向歪み補正演算回路52に設定される。次いで、
試料台移動補正用DAC55をゼロクリアして、試料台12の
移動に伴う描画位置のずれを主偏向で補正する。次い
で、副偏向により偏向動作が始まり、サブフィールド領
域内のパターンの描画が順次行われる。
ここで、本発明の骨子となる偏向制御回路33の内部動作
について、更に詳しく説明しておく。
について、更に詳しく説明しておく。
計算機30より描画パターンデータが高速アクセス可能な
描画データメモリ60に送出され、次々に偏向制御回路33
からのリクエスト信号によりこのデータが順次偏向制御
回路33に送られる。前述したように、サブフィールドが
偏向可能な領域に入ると、主偏向位置が計算され、計算
された主偏向位置及びこれに対応した主偏向、副偏向の
歪み補正情報が、偏向歪み補正演算回路52に送られ、主
偏向DAC53に補正された主偏向位置データが設定され
る。
描画データメモリ60に送出され、次々に偏向制御回路33
からのリクエスト信号によりこのデータが順次偏向制御
回路33に送られる。前述したように、サブフィールドが
偏向可能な領域に入ると、主偏向位置が計算され、計算
された主偏向位置及びこれに対応した主偏向、副偏向の
歪み補正情報が、偏向歪み補正演算回路52に送られ、主
偏向DAC53に補正された主偏向位置データが設定され
る。
次いで、試料台移動補正用DAC55に、レーザ測長系32か
ら送出された位置情報を連続的に送ることにより、試料
台12の移動補正が主偏向器25によって行われる。また、
移動量レジスタ57に規定移動量が設定され、この規定移
動量と試料台移動量とが比較回路58によって比較され
る。次いで、副偏向DAC54にサブフィールド内のパター
ンに応じた副偏向情報が順次設定され、描画データ偏向
制御部51によってブランキング回路34及び可変ビーム寸
法制御回路35と同期をとって順次パターンの描画が行わ
れる。
ら送出された位置情報を連続的に送ることにより、試料
台12の移動補正が主偏向器25によって行われる。また、
移動量レジスタ57に規定移動量が設定され、この規定移
動量と試料台移動量とが比較回路58によって比較され
る。次いで、副偏向DAC54にサブフィールド内のパター
ンに応じた副偏向情報が順次設定され、描画データ偏向
制御部51によってブランキング回路34及び可変ビーム寸
法制御回路35と同期をとって順次パターンの描画が行わ
れる。
サブフィールド内の描画の途中に、移動量レジスタ57に
設定された設定移動量以上に試料台12が移動すると、比
較回路58から制御信号が、描画データ偏向制御部51に送
出され、描画が中断される。そして、その時点での試料
台位置から再度主偏向位置が計算され、その位置に応じ
た主偏向歪み情報が再設定され、主偏向DAC53に、試料
台移動補正用DAC55も再設定され、中断した小領域の描
画が続行される。このようにして、順次偏向歪み情報が
更新することにより、高精度のパターン描画を行うこと
ができる。
設定された設定移動量以上に試料台12が移動すると、比
較回路58から制御信号が、描画データ偏向制御部51に送
出され、描画が中断される。そして、その時点での試料
台位置から再度主偏向位置が計算され、その位置に応じ
た主偏向歪み情報が再設定され、主偏向DAC53に、試料
台移動補正用DAC55も再設定され、中断した小領域の描
画が続行される。このようにして、順次偏向歪み情報が
更新することにより、高精度のパターン描画を行うこと
ができる。
かくして本実施例方法によれば、大偏向及び小偏向の２
段の偏向を利用して、試料台12を連続的に移動しながら
パターンを描画することができる。そしてこの場合、副
偏向器26による偏向可能な領域内のパターン描画の際
に、試料台移動補正で主偏向位置がずれることによる偏
向歪み補正のずれが過大となる前に、再補正を行うこと
ができる。このため、高精度のパターン描画を行うこと
ができ、その有用性は絶大である。
段の偏向を利用して、試料台12を連続的に移動しながら
パターンを描画することができる。そしてこの場合、副
偏向器26による偏向可能な領域内のパターン描画の際
に、試料台移動補正で主偏向位置がずれることによる偏
向歪み補正のずれが過大となる前に、再補正を行うこと
ができる。このため、高精度のパターン描画を行うこと
ができ、その有用性は絶大である。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記フィールド内のサブフィールド分
割例は第３図に何等限定されるものではなく、主偏向器
及び副偏向器の種類及びその駆動系（例えばDAC）の特
性等に応じて適宜定めればよい。さらに、サブフィール
ドの描画順序も適宜変更可能であるのは、勿論のことで
ある。また、本発明方法に使用する描画装置の構成は前
記第１図に何等限定されるものではなく、試料台を移動
するための試料台駆動系及び試料上でビームを偏向する
ための主・副２段の偏向器を備えたものであればよい。
また、電子ビームの代りにイオンビームを用いるイオン
ビーム描画方法に適用することも可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
はない。例えば、前記フィールド内のサブフィールド分
割例は第３図に何等限定されるものではなく、主偏向器
及び副偏向器の種類及びその駆動系（例えばDAC）の特
性等に応じて適宜定めればよい。さらに、サブフィール
ドの描画順序も適宜変更可能であるのは、勿論のことで
ある。また、本発明方法に使用する描画装置の構成は前
記第１図に何等限定されるものではなく、試料台を移動
するための試料台駆動系及び試料上でビームを偏向する
ための主・副２段の偏向器を備えたものであればよい。
また、電子ビームの代りにイオンビームを用いるイオン
ビーム描画方法に適用することも可能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図は上記装置の要部構成
を示す回路構成図、第３図はフィールドとサブフィール
ドとの関係を表わすための模式図、第４図は上記実施例
方法の作用を説明するためのフローチャートである。 10……試料室、11……試料、12……試料台、20……電子
光学鏡筒、21……電子銃、22a,〜,22e……レンズ、23…
…ブランキング用偏向器、24……ビーム寸法可変用偏向
器、25……ビーム走査用偏向器（主・副偏向器）、27a,
27b……アパーチャマスク、30……計算機、31……試料
台駆動回路、32……レーザ測長系、33……偏向制御回
路、34……ブランキング制御回路、35……可変成形ビー
ム寸法制御回路、41……フィールド、42……サブフィー
ルド、51……描画データ偏向制御部、52……偏向歪み補
正演算回路、53,54,55……DAC、56加算回路、57……移
動量レジスタ、60……描画データメモリ。
画装置を示す概略構成図、第２図は上記装置の要部構成
を示す回路構成図、第３図はフィールドとサブフィール
ドとの関係を表わすための模式図、第４図は上記実施例
方法の作用を説明するためのフローチャートである。 10……試料室、11……試料、12……試料台、20……電子
光学鏡筒、21……電子銃、22a,〜,22e……レンズ、23…
…ブランキング用偏向器、24……ビーム寸法可変用偏向
器、25……ビーム走査用偏向器（主・副偏向器）、27a,
27b……アパーチャマスク、30……計算機、31……試料
台駆動回路、32……レーザ測長系、33……偏向制御回
路、34……ブランキング制御回路、35……可変成形ビー
ム寸法制御回路、41……フィールド、42……サブフィー
ルド、51……描画データ偏向制御部、52……偏向歪み補
正演算回路、53,54,55……DAC、56加算回路、57……移
動量レジスタ、60……描画データメモリ。
Claims (3)
- 【請求項１】ビーム偏向幅の大きな主偏向器及びビーム
偏向幅の小さな副偏向器を用い、試料が載置された試料
台を連続移動しながら試料上に所望のパターンを描画す
る荷電ビーム描画方法において、描画すべき領域を前記
副偏向器により偏向可能な小領域に分割し、任意の小領
域に対する前記主偏向器による主偏向位置を設定すると
共に該主偏向位置に対応した副偏向歪み補正データを設
定し、この補正データに基づいて副偏向歪み補正を行い
ながら該小領域内のパターン描画を行い、順次小領域毎
のパターンを描画するに際し、上記小領域の描画中に前
記試料台の位置情報を前記主偏向器にフィードバックし
て該試料台の移動による描画位置のずれの補正を行い、
上記小領域の描画開始時における試料台位置に対して試
料台が規定値以上に移動したとき、該小領域内の副偏向
による描画を中断し、前記主偏向位置を上記小領域の残
パターンを描画可能な位置に再設定すると共に該設定後
の主偏向位置に対応した副偏向歪み補正データを再設定
した後、上記小領域の残パターンの描画を行うことを特
徴とする荷電ビーム描画方法。 - 【請求項２】前記試料台移動に伴う描画位置のずれ補正
を行う手段として、前記設定された主偏向位置と、前記
小領域の描画開始時からの前記試料台の移動量とを加算
して、前記主偏向器に与えるようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の荷電ビーム描画方法。 - 【請求項３】前記副偏向歪み補正データを設定する手段
として、描画すべきパターンデータから前記主偏向位置
に対する副偏向歪みを補正した偏向データを得る際に用
いる偏向歪み補正係数を演算して設定することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の荷電ビーム描画方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291324A JPH0691005B2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 荷電ビ−ム描画方法 |
| US06/943,739 US4728797A (en) | 1985-12-24 | 1986-12-19 | Method for drawing a pattern by charged beam and its apparatus |
| DE19863644296 DE3644296A1 (de) | 1985-12-24 | 1986-12-23 | Verfahren und vorrichtung zum zeichnen eines musters mittels eines ladungsteilchenstrahls |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60291324A JPH0691005B2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150716A JPS62150716A (ja) | 1987-07-04 |
| JPH0691005B2 true JPH0691005B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17767432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60291324A Expired - Lifetime JPH0691005B2 (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 荷電ビ−ム描画方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728797A (ja) |
| JP (1) | JPH0691005B2 (ja) |
| DE (1) | DE3644296A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62277724A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH01120822A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-12 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置の偏向補正回路 |
| JP2614884B2 (ja) * | 1988-02-04 | 1997-05-28 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
| JP2501976B2 (ja) * | 1990-08-27 | 1996-05-29 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビ―ム露光装置及び荷電粒子ビ―ムの制御方法 |
| US5283440A (en) * | 1990-10-05 | 1994-02-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam writing system used in a cell projection method |
| US5251140A (en) * | 1991-07-26 | 1993-10-05 | International Business Machines Corporation | E-beam control data compaction system and method |
| US5159201A (en) * | 1991-07-26 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Shape decompositon system and method |
| US5285074A (en) * | 1992-06-03 | 1994-02-08 | International Business Machines Corporation | Dynamic compensation of non-linear electron beam landing angle in variable axis lenses |
| JP3335894B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 描画方法及び描画装置 |
| US6803584B2 (en) * | 2002-02-15 | 2004-10-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electron beam control device |
| US8653488B2 (en) * | 2008-07-30 | 2014-02-18 | Nuflare Technology, Inc. | Electron beam apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957431A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP60291324A patent/JPH0691005B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-12-19 US US06/943,739 patent/US4728797A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-23 DE DE19863644296 patent/DE3644296A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3644296C2 (ja) | 1991-06-20 |
| JPS62150716A (ja) | 1987-07-04 |
| DE3644296A1 (de) | 1987-06-25 |
| US4728797A (en) | 1988-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7777202B2 (en) | Electron beam exposure apparatus involving the position and velocity calculation | |
| KR900004052B1 (ko) | 전자비임 노출시스템 | |
| US7923699B2 (en) | Tracking control method and electron beam writing system | |
| JPH0691005B2 (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JP2614884B2 (ja) | 電子ビーム露光方法及びその装置 | |
| JPH0336299B2 (ja) | ||
| JP4664552B2 (ja) | 可変成型ビーム型パターン描画装置 | |
| JP2538899B2 (ja) | 荷電ビ−ム描画方法及び描画装置 | |
| JP3197024B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JP3004034B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPS5922325A (ja) | 電子ビ−ム描画装置 | |
| JP3964606B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置、荷電ビーム描画方法、およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| JPH01248617A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP4266394B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JPH0586850B2 (ja) | ||
| JPS62149126A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| US20220367143A1 (en) | Charged particle beam writing apparatus, charged particle beam writing method and recording medium | |
| JPH04309213A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2786671B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH02102519A (ja) | ビーム描画装置の位置補正装置 | |
| JPS6273712A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JP3321838B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS6159727A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPS6182430A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JP3460416B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |