JPS5922325A - 電子ビ−ム描画装置 - Google Patents
電子ビ−ム描画装置Info
- Publication number
- JPS5922325A JPS5922325A JP13242882A JP13242882A JPS5922325A JP S5922325 A JPS5922325 A JP S5922325A JP 13242882 A JP13242882 A JP 13242882A JP 13242882 A JP13242882 A JP 13242882A JP S5922325 A JPS5922325 A JP S5922325A
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- JP
- Japan
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- scanning
- circuit
- deflection
- signal
- blanking
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム描画装置の改良に関する０
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近時、半導体ウェーハやマスク等の試料に微細パターン
を形成するものとして、各種の電子ビーム描画装置が開
発されている。この装置では、電子ビームの寸法がある
有限の値エリ小さいため、与えられた図形を描画するた
めには有限寸法のビームで順次ショットしていくか、或
いはラスク走査を行うようにしている。電子ビームのプ
ロファイルは第１図（ａ） 、 （ｂ）に示す如く有限
の傾斜を持っており（通常この幅は１０（％）−９０Ｃ
％）で０．２〜０．５ （μｍ） 程度）、試料上の
ドーズ分布傾斜として現われる。なお、第１図（ａ）は
単一ビームのプロファイル、同図（ｂ）は可変寸法ビー
ムのプロファイルを示している。
を形成するものとして、各種の電子ビーム描画装置が開
発されている。この装置では、電子ビームの寸法がある
有限の値エリ小さいため、与えられた図形を描画するた
めには有限寸法のビームで順次ショットしていくか、或
いはラスク走査を行うようにしている。電子ビームのプ
ロファイルは第１図（ａ） 、 （ｂ）に示す如く有限
の傾斜を持っており（通常この幅は１０（％）−９０Ｃ
％）で０．２〜０．５ （μｍ） 程度）、試料上の
ドーズ分布傾斜として現われる。なお、第１図（ａ）は
単一ビームのプロファイル、同図（ｂ）は可変寸法ビー
ムのプロファイルを示している。
ところで、この工うなビーム、例えば第１図（ａ）に示
すビーム１を用い第２図に示す如く矩形のパターン２を
描画した場合、ビームの走査方向とこれに直交する方向
とでは異ったドーズプロファイルが得られる。すなわち
、ビームの走査方向と直交する方向（図中Ａ、−Ａ、方
向）では上記ビーム１と略同様なドーズプロファイルＡ
となる。また、ビームの走査方向（図中Ｂ、−Ｂ２方向
）では非常に緩やかな傾斜を持つドーズプロファイルＢ
となる。このため、プロセス変動、レジスト膜厚変動及
びビーム電流変動等にぶる影響が、走査方向とそれに直
交する方向とで異ってくる。したがって、現像条件によ
る寸法制御が不可能となり、描画精度の低下を招くと共
に分解能が制約される等の問題があった０また、このよ
うな問題は前記第１図（ｂ）に示す如き可変寸法ビーム
を用いる場合にあっても同様に云えることである。
すビーム１を用い第２図に示す如く矩形のパターン２を
描画した場合、ビームの走査方向とこれに直交する方向
とでは異ったドーズプロファイルが得られる。すなわち
、ビームの走査方向と直交する方向（図中Ａ、−Ａ、方
向）では上記ビーム１と略同様なドーズプロファイルＡ
となる。また、ビームの走査方向（図中Ｂ、−Ｂ２方向
）では非常に緩やかな傾斜を持つドーズプロファイルＢ
となる。このため、プロセス変動、レジスト膜厚変動及
びビーム電流変動等にぶる影響が、走査方向とそれに直
交する方向とで異ってくる。したがって、現像条件によ
る寸法制御が不可能となり、描画精度の低下を招くと共
に分解能が制約される等の問題があった０また、このよ
うな問題は前記第１図（ｂ）に示す如き可変寸法ビーム
を用いる場合にあっても同様に云えることである。
本発明の目的は、走査の始点及び終点におけるドーズプ
ロファイルを急峻なものとし、走査方向とこれに直交す
る方向とのドーズ量分布を略等しくすることにエリ、描
画精度の向上をはかり得る電子ビーム措置装置を提供す
ることにある。
ロファイルを急峻なものとし、走査方向とこれに直交す
る方向とのドーズ量分布を略等しくすることにエリ、描
画精度の向上をはかり得る電子ビーム措置装置を提供す
ることにある。
本発明の骨子は、走査の始点及び終点におけるビームの
偏向走査速度を制御し、これらの点におけるドーズプロ
ファイルを急峻なものとすることにある。
偏向走査速度を制御し、これらの点におけるドーズプロ
ファイルを急峻なものとすることにある。
すなわち本発明は、電子ビームをブランキングする機能
及び偏向走査する機能を備え試料上に所望パターンを描
画する電子ビーム描画装置において、ブランキング情報
等から描画の始点及び終点を求め、これらの点における
ビームの偏向走査を制御し、ビームの走査方向とそれに
直交する方向とのドーズ量分布が略等しくなる↓うにし
たものである。
及び偏向走査する機能を備え試料上に所望パターンを描
画する電子ビーム描画装置において、ブランキング情報
等から描画の始点及び終点を求め、これらの点における
ビームの偏向走査を制御し、ビームの走査方向とそれに
直交する方向とのドーズ量分布が略等しくなる↓うにし
たものである。
本発明によれば、ビームの走査方向とこれに直交する方
向との描画パターン端部におけるドーズプロファイル、
を略等しくすることかできるので、措置寸法の制御が容
易となり、描画精度の向上をはかり得る。ま上、走査方
向のドーズプロファイルが急峻となるので、実用分解能
を向上させることができる０つまり、エリ微細なパター
ンの描画が可能となるＯ 〔発明の実施例〕 第３図は電子ビーム描画装置の標準構成から本発明に関
連する部分を描出して示す概略構成図である。図中１は
電子銃、２はブランキング板、３は偏向板、４は試料、
５は試料ステージであり、６は制御回路、７はブランキ
ング回路、８は偏向走査回路を示している。この装置で
は描画すべきパターン情報に応じて制御回路６からブラ
ンキング回路７及び偏向走査回路８にそれぞれブランキ
ング情報及び偏向情報が与えられる。そして、電子銃１
から発射された電子ビームは偏向走査回路８及び偏向板
３にエリ上記パターン情報に応じて偏向され、試料４に
照射される０また、上記電子ビームはブランキング回路
７及びブランキング板２にエリパターン情報に応じてブ
ランキングされるものとなっている０ 第４図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置
の要部を示す概略構成図である０なお、第３図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
向との描画パターン端部におけるドーズプロファイル、
を略等しくすることかできるので、措置寸法の制御が容
易となり、描画精度の向上をはかり得る。ま上、走査方
向のドーズプロファイルが急峻となるので、実用分解能
を向上させることができる０つまり、エリ微細なパター
ンの描画が可能となるＯ 〔発明の実施例〕 第３図は電子ビーム描画装置の標準構成から本発明に関
連する部分を描出して示す概略構成図である。図中１は
電子銃、２はブランキング板、３は偏向板、４は試料、
５は試料ステージであり、６は制御回路、７はブランキ
ング回路、８は偏向走査回路を示している。この装置で
は描画すべきパターン情報に応じて制御回路６からブラ
ンキング回路７及び偏向走査回路８にそれぞれブランキ
ング情報及び偏向情報が与えられる。そして、電子銃１
から発射された電子ビームは偏向走査回路８及び偏向板
３にエリ上記パターン情報に応じて偏向され、試料４に
照射される０また、上記電子ビームはブランキング回路
７及びブランキング板２にエリパターン情報に応じてブ
ランキングされるものとなっている０ 第４図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置
の要部を示す概略構成図である０なお、第３図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例装置が第３図の装置と異なる点は、光学鏡筒
内に補正」偏向板１ノを設け、走査の始点及び終点にお
いて偏向板３による主偏向方向と逆方向にビームを偏向
走査する工う、にしたことである。すなわち、前記制御
回路６からのブランキング情報は遅延回路ＤＬ１２を介
してブランキング回路７に供給されると共に、補正回路
１３に供給される。補正回路１３は第７図に示す如く微
分回路１３ａ、フィルタ１３ｂ９位相補正回路１３ｃお
工び整流加算増幅回路１３ｄからなるもので、上記ブラ
ンキング情報からビーム走査の始点及び終点を求め、こ
れらの点における走査速度を制御するための補正用偏向
回路を得ている０そして、この偏向情報が補正用偏向回
路１４に与えられ前記補正用偏向板１１による偏向走査
がなされるものとなっている０なお、前記ＤＬ１２は補
正回路１３及び補正用偏向回路１４による偏向走査とブ
ランキング回路７によるプランキングとの位相を合わせ
るためのものである。
内に補正」偏向板１ノを設け、走査の始点及び終点にお
いて偏向板３による主偏向方向と逆方向にビームを偏向
走査する工う、にしたことである。すなわち、前記制御
回路６からのブランキング情報は遅延回路ＤＬ１２を介
してブランキング回路７に供給されると共に、補正回路
１３に供給される。補正回路１３は第７図に示す如く微
分回路１３ａ、フィルタ１３ｂ９位相補正回路１３ｃお
工び整流加算増幅回路１３ｄからなるもので、上記ブラ
ンキング情報からビーム走査の始点及び終点を求め、こ
れらの点における走査速度を制御するための補正用偏向
回路を得ている０そして、この偏向情報が補正用偏向回
路１４に与えられ前記補正用偏向板１１による偏向走査
がなされるものとなっている０なお、前記ＤＬ１２は補
正回路１３及び補正用偏向回路１４による偏向走査とブ
ランキング回路７によるプランキングとの位相を合わせ
るためのものである。
このように構成された本装置の作用を第６図を参照して
説明する。まず、ビームのブランキング信号Ｓ、（ブラ
・ンキング情報）が補正回路Ｉ３に供給されると、補正
回路１３ではその微分回路１３ａにより微分信号ｓ２が
出力される。
説明する。まず、ビームのブランキング信号Ｓ、（ブラ
・ンキング情報）が補正回路Ｉ３に供給されると、補正
回路１３ではその微分回路１３ａにより微分信号ｓ２が
出力される。
この微分信号Ｓ、はフィルタ１３ｂを介して信号Ｓ３と
なり位相補正回路１３ｃに供給される。
なり位相補正回路１３ｃに供給される。
位相補正回路１３ｃでは、ビーム走査の始点に対応する
信号Ｓ４及び終点に対応する信号ｓｌｌと前記ブランキ
ング信号Ｓ、との位相が補正される。すなわち、信号Ｓ
、はブランキング信号ＳＬを遅延時間ｔ、だけ遅らせた
信号Ｂ、／の始点から時間ｔ２だけ遅延され、信号ｓｆ
ｉは上記信号Ｓ、／の終点から時間ｔ、たけ進められる
。
信号Ｓ４及び終点に対応する信号ｓｌｌと前記ブランキ
ング信号Ｓ、との位相が補正される。すなわち、信号Ｓ
、はブランキング信号ＳＬを遅延時間ｔ、だけ遅らせた
信号Ｂ、／の始点から時間ｔ２だけ遅延され、信号ｓｆ
ｉは上記信号Ｓ、／の終点から時間ｔ、たけ進められる
。
位相補正回路１３ｃの出力信号Ｓ、、Ｓ、は整流加算増
幅回路ＪＪｄにエリ波形整形され、補正用偏向信号Ｓ６
として出力される。この出力信号Ｓ６、つまり補正回路
１３の出力に応じて補正用偏向回路１４が補正用偏向板
１１に偏向電圧（補正用偏向電圧）を印加する。これに
↓す、偏向板３及び補正用偏向板１１によるビームの偏
向走査波形Ｓ７は、第６図の最下段に示す如く所望の偏
向領域Ｐ内で走査の始点Ｑ＋及び終点Ｑ２において傾き
が略零となる。すなわち、ビーム走査の始点Ｑ、及び終
点Ｑ、における９走査速度が略零となり、これにエリ上
記各点におけるドーズプロファイルが急峻なものとなる
。
幅回路ＪＪｄにエリ波形整形され、補正用偏向信号Ｓ６
として出力される。この出力信号Ｓ６、つまり補正回路
１３の出力に応じて補正用偏向回路１４が補正用偏向板
１１に偏向電圧（補正用偏向電圧）を印加する。これに
↓す、偏向板３及び補正用偏向板１１によるビームの偏
向走査波形Ｓ７は、第６図の最下段に示す如く所望の偏
向領域Ｐ内で走査の始点Ｑ＋及び終点Ｑ２において傾き
が略零となる。すなわち、ビーム走査の始点Ｑ、及び終
点Ｑ、における９走査速度が略零となり、これにエリ上
記各点におけるドーズプロファイルが急峻なものとなる
。
かくして本装置にぶれば、ブランキング情報に基づいて
ビーム走査の始点及び終点における偏向走査速度を制御
することにエリ、走査方向及びこれに直交する方向との
ドーズ量分布を略等しいものとすることができる。この
ため、描画寸法の制御が容易となり、描画精度の大幅な
向上をはかることができる。また、ビーム走査の始点及
び終点における偏向制御の危めに補正用偏向板１１を格
別に設けているので、この偏向板１ノとして応答性の良
いものを用いることができ、これにより上記偏向制御を
応答性良く正確に行い得る等の利点がある。
ビーム走査の始点及び終点における偏向走査速度を制御
することにエリ、走査方向及びこれに直交する方向との
ドーズ量分布を略等しいものとすることができる。この
ため、描画寸法の制御が容易となり、描画精度の大幅な
向上をはかることができる。また、ビーム走査の始点及
び終点における偏向制御の危めに補正用偏向板１１を格
別に設けているので、この偏向板１ノとして応答性の良
いものを用いることができ、これにより上記偏向制御を
応答性良く正確に行い得る等の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記偏向板３０周波数応答性に余裕があれ
ば、前記補正用偏向板１１を設ける必要はなく、第７図
に示す如く補正回路１３の出力信号である補正用偏向信
号を偏向走査回路８による偏向信号に重畳するようにし
ても工い。また、補正用偏向信号を得る手段は必ずしも
第５図に示す如き回路に限定されるものではなく、種々
の変更が可能である。さらに、走査の始点及び終点を求
めるのに用いるのがブランキング情報に限らないのも勿
論のことである。また、スポットビームに限らず可変整
形ビームに適用することも可能であり、ベクタ走査型で
あってもその中でパターンの描画にラスク走査方式を用
いているものに適用することが可能である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことができる。
い。例えば、前記偏向板３０周波数応答性に余裕があれ
ば、前記補正用偏向板１１を設ける必要はなく、第７図
に示す如く補正回路１３の出力信号である補正用偏向信
号を偏向走査回路８による偏向信号に重畳するようにし
ても工い。また、補正用偏向信号を得る手段は必ずしも
第５図に示す如き回路に限定されるものではなく、種々
の変更が可能である。さらに、走査の始点及び終点を求
めるのに用いるのがブランキング情報に限らないのも勿
論のことである。また、スポットビームに限らず可変整
形ビームに適用することも可能であり、ベクタ走査型で
あってもその中でパターンの描画にラスク走査方式を用
いているものに適用することが可能である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は電子ビームのプロファイル
を示す模式図、第２図はパターンの描画方法及びその断
面におけるドーズプロファイルを示す模式図、第３図は
従来装置の要部概略構成図、第４図は本発明の一実施例
に係わる電子ビーム描画装置の要部を示す概略構成図、
第５図は上記実施例の補正回路部を示すブロック図、第
６図は上記実施例の作用を説明するための信号波形図、
第７図は変形例を示す概略構成図である。 １・・・電子銃、２・・・ブランキング板、３・・・偏
向板、４・・・試別、５・・・試料ステージ、６・・・
制御回路、７・・・ブランキング回路、８・・・偏向走
査回路、１１・・・補正用偏向板、１２・・・遅延回路
、１３・・・補正回路、１４・・・補正用偏向回路、１
３ａ・・・微分回路、１３ｂ・パフィルタ、１３Ｃ・・
・位相補正回路、１３ｄ・・・整流加算増幅回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 第５図 第６図
を示す模式図、第２図はパターンの描画方法及びその断
面におけるドーズプロファイルを示す模式図、第３図は
従来装置の要部概略構成図、第４図は本発明の一実施例
に係わる電子ビーム描画装置の要部を示す概略構成図、
第５図は上記実施例の補正回路部を示すブロック図、第
６図は上記実施例の作用を説明するための信号波形図、
第７図は変形例を示す概略構成図である。 １・・・電子銃、２・・・ブランキング板、３・・・偏
向板、４・・・試別、５・・・試料ステージ、６・・・
制御回路、７・・・ブランキング回路、８・・・偏向走
査回路、１１・・・補正用偏向板、１２・・・遅延回路
、１３・・・補正回路、１４・・・補正用偏向回路、１
３ａ・・・微分回路、１３ｂ・パフィルタ、１３Ｃ・・
・位相補正回路、１３ｄ・・・整流加算増幅回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）電子ビームをブランキング及び偏向制御して試料
を所望パターンに描画する電子ビーム描画装置において
、ビームの走査方向とそれに直交する方向とのドーズ量
分布が略等しくなる工う、描画の始点及び終点において
ビームの偏向走査を制御する補助偏向手段を備えたこと
を特徴とする電子ビーム描画装置。 - （２）前記補助偏向手段は、ブランキング情報からビー
ムの始点及び終点を求め、これらの点における偏向走査
速度を遅くするものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242882A JPS5922325A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13242882A JPS5922325A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922325A true JPS5922325A (ja) | 1984-02-04 |
| JPS637024B2 JPS637024B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15081141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13242882A Granted JPS5922325A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 電子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922325A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244024A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 電子線露光装置 |
| JPS6159827A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
| US5177367A (en) * | 1989-12-12 | 1993-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of exposure using an electron beam to provide uniform dosage and apparatus therefor |
| JP2009038706A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| JP2014016186A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 計測検査装置、及び計測検査方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6945316B2 (ja) | 2017-03-24 | 2021-10-06 | キヤノン株式会社 | 検出装置、パターン形成装置、取得方法、検出方法、および物品製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642343A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Jeol Ltd | Exposing method of electron beam |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP13242882A patent/JPS5922325A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642343A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Jeol Ltd | Exposing method of electron beam |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244024A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Hitachi Ltd | 電子線露光装置 |
| JPS6159827A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
| US5177367A (en) * | 1989-12-12 | 1993-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of exposure using an electron beam to provide uniform dosage and apparatus therefor |
| JP2009038706A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ブランキング回路 |
| JP2014016186A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 計測検査装置、及び計測検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637024B2 (ja) | 1988-02-15 |
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