JPS58200536A - 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式 - Google Patents

荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式

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Publication number
JPS58200536A
JPS58200536A JP8363182A JP8363182A JPS58200536A JP S58200536 A JPS58200536 A JP S58200536A JP 8363182 A JP8363182 A JP 8363182A JP 8363182 A JP8363182 A JP 8363182A JP S58200536 A JPS58200536 A JP S58200536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deflection
mark
main
sub
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8363182A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Shimazu
信生 島津
Tetsuo Morosawa
両沢 哲男
Tatsu Murashita
達 村下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP8363182A priority Critical patent/JPS58200536A/ja
Publication of JPS58200536A publication Critical patent/JPS58200536A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045Object or beam position registration

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体素子作成のためバター7を荷電ビーム
で描画する装置(荷電ビーム露光装(4)にオS(・て
、描画面上に配した位置検出用のマークを検出する方式
に関するものである。
従来、荷電ビーム露光装置の−っに、主副21父の偏向
器を用いて、試料を連続的に移動:= −V IS、−
、が−らパターン描画を行う試料連続移動描画ツノ°式
がある。この描画方式では、ステージ移動に伴なうむだ
時間が小さくできるため、パター7描画速度を高めるこ
とができるが、描画に先qって心安とJれるマーク検出
(描画面上に配した位置検出用−7−りの検出)は、試
料連続移動下で行うことができず、このマーク検出に伴
うむだ時間のイJ:在が生産性の向上を阻害していた。
本発明の目的は、前記試料連続移動描画方式の荷電ビー
ム露光装置において、マ〜り検出動作に伴なうむだ時間
を低減させることで′、露光装置の生産性の向−Fを図
るマーク検出方式を提供することにある。
しかして、本発明は試料移動位置に荷電ビ ノ・照射位
置を追従させ、るための副偏向信号に、マク走査のため
の一偏向信号を重畳させると共に、試−料の一定量の移
動毎にこの移動した叶〜−ト偏向け=フィードバックさ
せるため、主偏向の偏向11jを史新する間は、マーク
検出動作を一時的に中断させることで、試料の連続移動
下でのマーク積出動作を一実現するものである。以下、
図面により本発明の内容を詳′述する。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。第1図にお
いて、1は主偏向量を格納しているメモリである。17
は電子光学鏡筒で、内部には主偏向器19、副偏向器2
0、マーク信号検出器シ1、試料移動台(ステージ)2
2などが配置されている。18は荷電ビーム軌道、23
はレーザ測長器を示す。
2はステージ位置測定用レーザ情報の計数器、3はラッ
チ回路、51はメモリlとラッチ回路3の内容を加算す
る加算器、5は主偏向歪を補正する補正回路、10は主
偏向用のDA変換器およびアンプで、該偏向アンプの出
力は主偏向器19に与えられる。同様に、7は副偏向用
レーザ値の計算器、8は該計数器7とメモリ12の内容
を加算する加算器、9は副偏向器を補正する補正□回路
、liは劇偏向用のI) A変換器、t6よびアンプで
、該偏向アンプの出力は副偏向器20に与えられる。−
3はマーク信号検出器21の出力を増幅する増幅回路、
14はマーク信号のVペル比較器、15は比較器14の
出力タイミングでメモリ12の内容がランチされるラッ
チ回路であ゛る。なお、6は装置各部の動作を制御する
制御部、16はマーク検出データの処理装置を示す。
第2図は第1図の動作を説明するための図で、部は主偏
向領域、26は主偏向目標位置、27はマークであり、
26′、27′は一定時間経過後の主偏向[]標位置お
よびマークを示す。あはステージの移動方向を示す矢印
である。
第3図はビームの偏向量を時間の経過の下工・表わした
図で、31はステージの移動量、32.3:3はステー
ジ移動にビームを追従させるための主偏向[、−1標量
および副偏向目標量であり、34はマーク走査のための
信号、35は33と34との和である実際の副偏向量、
36は実際の主偏向量を示す。
以下、第2図および第3図を参煎して第1図の動作を述
べる。まず、マークは第2図の27の位置にあり、この
マークの設けられている試料が28の示す方向に連続的
に移動しているものとする。このような試料の移動にか
かわらず、荷電ビーム照射位置と試料との相対位置変化
を零にするために、試料の移動量を主偏向にフィードバ
ックする機能5および制御部6で構成され、副偏向フィ
ードバックする機能は計数器7、・加算器8.1KiI
回路9および制御部6で構成されるる 主・副偏向のフィードバック動作は次の通りである。。
メモリ1の主偏向目標データはマークの設計座標に対応
している。まず、所定のマークを走査するための第1段
階として、メモリ1の記憶内容の主偏向目標データと計
数器2の計数結果を制御部60制御下でラッチ回路3に
ラッチした値との加算が加算器4で実宕される。この加
算結果に対する補正演算が補正回路5でなされ、主偏向
・アンプ10の入力データが定まる。この値は第3図の
二32で示すように階段状であり、ラッチ回路3のラッ
チ動作が実行されるまで、主偏向目標量は変化しないこ
とを示している。第3図の36は、ビームが実際に主偏
向される様子を示したものである。
主偏向動作は比較的大きな時定数を持つので、時刻t1
〜゛t2の間ではビーム偏向は不正確となっており、こ
の間、所望のビーム偏向はできない。
一方、副偏向目標量は、計数器7の出力を連続的に加算
器8へ入力して、これをメモIJI2の記憶内容との加
算を実行し、補正回路9で副偏向歪補正を行うことで得
られる。補正回路9の出力は副偏向アンプ11に入力さ
れる。第3図の33は、ステージの移動に副偏向が追従
している様子を示している。副偏向動作は高速であるた
め、十分な精度でステージにビーム位置を追従させるこ
とができる。しかし、第3図の33が示すように、副偏
向量は小さいために、一定量偏向した後には主偏向量を
更新させることで、副偏向量を小さくしなおす動作が必
要である。
以上述べてきた主、副の偏向動作で、ビームは試料に精
度良く追従することが理解されよう。
さて、本発明のマーク検出のための偏向信号を副偏向器
20に加える機能は、計数器7、加算器8、補正回路9
および制御部6で構成される。すなわち、制御部6の制
御により、マーク走査のための偏向データが計数器7よ
り読み出され、加算器8、補正回路9を経て副偏向アン
プ11の入力となる。
第3図の34は、この時の副偏向量を示したもので、ビ
ームがマーク上を往復走査するため、その波形はおおむ
ね三角波状である。但し、前述した時刻t1とt2の間
、すなわち、主偏向量の更新中は、その値は一定値に維
持される。つまり、この期間はマーク検出動作を行って
はならないため、一時的にマーク走査を中止し、それが
過ぎた後、再びマー゛り走査のための副偏向データの出
力を開始するのである。
第3図に示すように、実際にビームが副偏向器20で偏
向される量は、33と3・1との相である35のように
なる。これに36で示す主偏向量が加わって、ビームは
必要な時間間隔で必要な間、マーク走査を中断する動作
をまじえながら・、1.、連続的に移動するマークに精
度良く追従しながらマーク走査を行う。
第1図に戻り、本実施例ではマーク検出法として良く知
られているエツジ検出法を採用している。
これは゛増幅回路13の出力であるマーク信号が閾値を
クロスする時点を比較器14で判断し、メモリ12の記
憶内容をマーク走査量としてラッチ回路15にラッチし
、その位置にビームのエツジが位置しているとしてマー
ク位置を検出する方法である。この場合、tlから12
の間ではビームの位置が任意であるため、マーク検出動
作を一時的に中断しておく必要がある。この中断は、制
御部6が信号線t1とt2を用いて行う。すなわち、制
御部6は、時刻t1において信号線1.によりラッチ回
路15の動作を一時的に中断させると同時に、計数器7
を瞬間的にリセットし、ラッチ回路3の動作を実行させ
る。
時刻t2では、信号線t2によりラッチ回路15の中断
動作を解除し、メモリ12によるマーク走査量のラッチ
動作を再開させる。
以上説明したよう、に、本発明では、スループソト: トの面で有利な主副2段偏向方式を用いた試料連続移動
描画方式の荷電ビーム露光装置において、マーク検出も
試料連続移動下で実現できるため、荷電ビーム露光装置
のスループットがさらに高くなるという利点を有してい
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は主偏向目
標位置とマークの関係を示す図、第3図はビームの偏向
量を時間経過の上で表わした図である。 1・・・メモリ、2・・・計数器、3・・・ラッチ回路
、4・・・加算器、5・・・補正回路、6・・・制御部
、7°°、゛計数器、8・・・加算器、9°°°補正回
路、10.11・・・偏向アンプ、12・・・メモリ、
13・・・増幅回路、14・・・比較器、15・・・ラ
ッチ回路、16・・・処理装置、18・・−荷電ビーム
、19、加・・・偏向器1,21・・・マーク信号検出
器、n・・・ステージ、23・・・レーザ測長器。 代理人弁理士 鈴 木   誠

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. fil  主副2つの偏向領域を設定し、試料を連続的
    に移動しながらパターン描画する荷電ビーム露、光装置
    において、試料移動位置に荷電ビーム照射位置を追従さ
    せるための副偏向信号に、描画面上に配した位置検出用
    マークを走査するための偏向信号(マーク走査用偏向信
    号)を重畳させると共に、主偏向の偏向量を更新する期
    間では前記マーク走査用偏向信号の発生とマーク検出動
    作を一時点に中断させることを特徴とする荷電ビーム露
    光装置のマーク検出方式。
JP8363182A 1982-05-18 1982-05-18 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式 Pending JPS58200536A (ja)

Priority Applications (1)

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JP8363182A JPS58200536A (ja) 1982-05-18 1982-05-18 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式

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JP8363182A JPS58200536A (ja) 1982-05-18 1982-05-18 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式

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Publication Number Publication Date
JPS58200536A true JPS58200536A (ja) 1983-11-22

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ID=13807808

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8363182A Pending JPS58200536A (ja) 1982-05-18 1982-05-18 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式

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JP (1) JPS58200536A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229940A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Advantest Corp 荷電粒子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法
JPS6411328A (en) * 1987-06-30 1989-01-13 Ibm Electron beam exposure system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229940A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Advantest Corp 荷電粒子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法
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