JPS60119721A - 荷電ビ−ム露光装置における照射位置補正方法 - Google Patents

荷電ビ−ム露光装置における照射位置補正方法

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Publication number
JPS60119721A
JPS60119721A JP58226795A JP22679583A JPS60119721A JP S60119721 A JPS60119721 A JP S60119721A JP 58226795 A JP58226795 A JP 58226795A JP 22679583 A JP22679583 A JP 22679583A JP S60119721 A JPS60119721 A JP S60119721A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
circuit
deflector
stage
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP58226795A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Morosawa
両沢 哲男
Nobuo Shimazu
信生 島津
Akinori Shibayama
昭則 柴山
Akihira Fujinami
藤波 明平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP58226795A priority Critical patent/JPS60119721A/ja
Publication of JPS60119721A publication Critical patent/JPS60119721A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は荷電ビーム露光装置の照射位置補正方法に係り
、特に、被露光試別を連続的に移動しながらパターン描
画を行う試料連続移動描画方式の荷電ビーム露光装置に
おける照射位置補正方法に関するものである。
〔発明の背景〕
試料連続移動描画方式による荷電ビーム露光装置では、
ビーム偏向領域に対応した幅と数チップ幅分の長さを有
する細長い描画領域(ベルトと称する)のパターン描画
を一回の試料移動期間中に行い得るため、試料移動に伴
うむだ時間を短縮して描画速度の大幅な向上を図るとと
が可能であるが、精度に関しては試料の位置を検出して
から実際にビームが照射されるまでの間に試料が移動し
た量は補正できずに描画誤差となるため、試η位fの補
正をビーム照射の直前に行う等の工夫が必要である。と
ころが偏向歪の補正演算等は試才4位置の情報をもとに
して行わなければならないため実際に試料位置の補正後
すぐにビーム照射を行うことは不可能である。したがっ
て高精度に描画を行うためには試料の移動速度を低く設
定するしがなく、これ・が従来装置の生産性向」二の障
害とな′ノでいた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来技術での上記した問題点を解決し
、高速かつ高精度なパターン描画を可能とする荷電ビー
ム露光装置の照射位置補正方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、上記目的を達成するだめに、試料の位
置を検出してから実際にビームが照射されるまでの間の
試料の移動量をあらかじめめておき、その値をビーム照
射に先立ち描画データに加算しておく方法とすることに
ある。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を図面により説明する。
第1図は本発明を実施するだめの装置の一例F電子ビー
ム露光システムの例を示す。第1図において、1は電子
光学鏡筒であp、その内部K Vi(11+’向器2、
ステージ6等が具備されている。なお4は電子ビーム軌
道、5は被露光試料である。
偏向器2には、以下の手順で信号が印加される制御用計
算機6がらの指令に基づき、パターンメモリ7からパタ
ーンデータが読み出される。読み出されたパターンデー
タに対して、補正演算回路■8でウェハの変形による歪
等の補正演算が、また位置補正回路9で試料位置の補正
が順次行われた後、その結果は変位量計算回路1oがも
の信号と加算器11にて加算され、補正演算回路■12
に送られる。補正演算回路■12では偏向器の歪等の補
正演奪が行われ、結果はI)/A変換器16、増幅器1
4を経て、偏向器2へと印加される。一方スチーシロに
対しては、制御用計算機6がもステージ制御回路15に
設定された移動速度等のデータをもとにステージ駆動回
路16−が制御される1なおステージの位置はレーザ測
長器17で逐次測定されており、その結果はステージ制
御回路に供給されてステージ3の動作の制御に用いられ
る他位置補正回路9忙供給されてj((り対位置の補正
にも用いられる。
従来の装置の場合、変位量計算回路1oならびに加算器
11がなく、補正演算回路■12がら偏向器2までの処
理時間をT、試料移動速度をVとすると、VxTの照射
位置誤差が生じていた。本発明の方法では、とのT(装
置に固有の定数)ならびに■(描画に先立ちステージ制
御回路15に設定される値)をあらかじめ制御用計算機
6から変位量計算回路10に設定しておき、変位量附勢
回路10ではVxTの演算を実行して本来のデータに加
算することにより高精度化を達成する。なおこの方法に
おいて、実際のUNならびにVの値が設定値よシずれた
場合にほやI′iシ照射位置誤差が生じるが、その量は
V X i”に比べてはるかに小さいので、実用上は無
視し得る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の照射位置補正方法は試料
連続移動描画方式において補正演算処理中に試料が移動
する量をあらかじめ予測して補正する方式であるだめ、
試別を高速に移動する場合にも適用することが可能で、
露光装置として精度を損なわずに生産°性の大幅な向上
が実現できるという利点を有する。
なお本発明は、上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、近接効果を補正するためにショット毎に照
射時間を設定し、さらに前の照射が行われている間に次
の照射のだめの補正演算を行っておくような描画制御方
式においても、パターンメモリ7がら読み出された個々
の照射時間データを変位量計算回路1oに供給し変位量
計算回路10ではそれらの値を本来のTの値に加えてあ
らたにTとして上記の処理を実行するよ5−yすれば、
本発明は適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明する装置の構成図であ
る。 符号の説明 1・・・電子光学鏡筒 2・・・偏向器6・・・スf 
−シ’ 4・・電子ビーム軌道5・・被露光試料 6 
・制御用計算機7・・・パターンメモリ 8 ・補正演
算回路■9・・位置補正回路 10 ・変位量計算回路
11・・°加算器 12・・・補正演算回路■16・・
・D/A 変換器14・・増幅器15・・・ステージ制
御回路16・・ステージ駆動回路17・・・レーザ測長

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料を連続的に移動しながら荷電ビームでパターン描画
    を行う試料連続移動描画方式の荷電ビーム露光装置にお
    いて、試料の位置を検出してから実際にビームが照射さ
    れるまでの間の試料の移動量をあらかじめ設定しておき
    、ビーム偏向器に印加するパターンデータに上記設定値
    を加算して試料へのビーム照射を行うことを特徴とする
    荷電ビーム露光装置における照射位置補正方法。
JP58226795A 1983-12-02 1983-12-02 荷電ビ−ム露光装置における照射位置補正方法 Pending JPS60119721A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS617626A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法
JPS62265721A (ja) * 1986-05-13 1987-11-18 Advantest Corp 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法
KR100392442B1 (ko) * 1994-08-26 2003-10-11 가부시키가이샤 니콘 스테이지장치및구동방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5753938A (en) * 1980-09-17 1982-03-31 Toshiba Corp Electron beam exposure apparatus

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