JPH04291913A - 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 - Google Patents
荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法Info
- Publication number
- JPH04291913A JPH04291913A JP3057469A JP5746991A JPH04291913A JP H04291913 A JPH04291913 A JP H04291913A JP 3057469 A JP3057469 A JP 3057469A JP 5746991 A JP5746991 A JP 5746991A JP H04291913 A JPH04291913 A JP H04291913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- charged particle
- particle beam
- exposure
- speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光を高速
高精度で行うことを可能とする荷電粒子線露光装置、及
び荷電粒子線露光方法に関する。
高精度で行うことを可能とする荷電粒子線露光装置、及
び荷電粒子線露光方法に関する。
【０００２】近年、ますますＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の集積度と機能が向上して計算機
、通信装置、機械制御等、広く産業全般に渡る技術の進
歩の核技術としての役割が期待されている。ＩＣは２年
から３年で４倍の高集積化を達成しており、例えばＤＲ
ＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ−Ａｃｃｅｓｓ−
Ｍｅｍｏｒｙ）では１Ｍ、４Ｍ、１６Ｍ、６４Ｍ、 ２
５６Ｍ、１ Ｇとその集積化が進んでいる。このような
高集積化はひとえに微細加工技術の進歩によっており、
取り分け、光技術は ０．５μｍの微細加工が可能にな
るまでに進歩を続けている。
ｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の集積度と機能が向上して計算機
、通信装置、機械制御等、広く産業全般に渡る技術の進
歩の核技術としての役割が期待されている。ＩＣは２年
から３年で４倍の高集積化を達成しており、例えばＤＲ
ＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ−Ａｃｃｅｓｓ−
Ｍｅｍｏｒｙ）では１Ｍ、４Ｍ、１６Ｍ、６４Ｍ、 ２
５６Ｍ、１ Ｇとその集積化が進んでいる。このような
高集積化はひとえに微細加工技術の進歩によっており、
取り分け、光技術は ０．５μｍの微細加工が可能にな
るまでに進歩を続けている。
【０００３】しかし、光技術の限界は ０．４μｍ程度
にあり、取り分け、コンタクトホールの窓開けや下層の
パターンとの位置合わせ等の精度において、０．１５μ
ｍ以下の精度を確保することが、非常に困難になりつつ
ある。
にあり、取り分け、コンタクトホールの窓開けや下層の
パターンとの位置合わせ等の精度において、０．１５μ
ｍ以下の精度を確保することが、非常に困難になりつつ
ある。
【０００４】それに対して電子ビームを代表とする荷電
粒子線を用いる露光方法が、これ以上の微細加工を高信
頼かつ高速、高精度の位置合わせまで含めて、安定に達
成できる方法として注目されている。
粒子線を用いる露光方法が、これ以上の微細加工を高信
頼かつ高速、高精度の位置合わせまで含めて、安定に達
成できる方法として注目されている。
【０００５】以下に、荷電粒子線を用いた露光方法を説
明する。図１７は荷電粒子線により露光される試料を示
す平面図である。図において、ウエハまたはガラス乾板
上に複数のチップ１０が並んでいる。このチップ１０は
約２ｍｍ□のセル１１を複数個集めたものであり、露光
時には所定のステージ上に載置され矢示のステージ移動
方向に移動される。このセル１１をステージ移動方向に
一列に並べたものをフレーム１２と称し、ステージを連
続的に移動させながらフレーム単位に露光が行われる。 １個のセル１１は約１００ｍｍ□のサブフィールド１３
により形成されており、サブフィールド１３をステージ
移動方向と直交する方向に並べた帯状領域をバンド１４
と呼ぶ。
明する。図１７は荷電粒子線により露光される試料を示
す平面図である。図において、ウエハまたはガラス乾板
上に複数のチップ１０が並んでいる。このチップ１０は
約２ｍｍ□のセル１１を複数個集めたものであり、露光
時には所定のステージ上に載置され矢示のステージ移動
方向に移動される。このセル１１をステージ移動方向に
一列に並べたものをフレーム１２と称し、ステージを連
続的に移動させながらフレーム単位に露光が行われる。 １個のセル１１は約１００ｍｍ□のサブフィールド１３
により形成されており、サブフィールド１３をステージ
移動方向と直交する方向に並べた帯状領域をバンド１４
と呼ぶ。
【０００６】このような試料に対して行われていた従来
の荷電粒子線による露光方法を以下に説明する。荷電粒
子線として電子ビームを用いた露光は、前述したように
複数のセル１１をステージ移動方向に一列に配置したフ
レーム単位に実施される。フレーム１２においてはセル
１１各個を１つの露光範囲とし、さらにセル１１内のバ
ンド１４毎に露光処理を行う。すなわち、約２ｍｍ□の
セル１１の全域をカバーするメインデフレクタ（電磁偏
向器、偏向範囲±１０００μｍ）によって、バンド１４
毎にステージ移動方向と直交する方向に電子ビームを偏
向する。このとき、電子ビームは、各サブフィールド１
３の中心位置に偏向される。このように、メインデフレ
クタを振りながら、かつサブデフレクタ（静電偏向器、
偏向範囲±５０μｍ）によってサブフィールド１３内の
微小範囲に電子ビームを偏向する。そして、スリットデ
フレクタ（静電偏向器、例えば最大３μｍ）により電子
ビームサイズを所望のショットサイズに変化させながら
、ショット１５を形成し該ショット１５の集まりである
パターン１６を形成してパターン露光を実施する。この
際、一つのバンド１４内のパターン１６を全て露光でき
る時間内に、ステージがそのバンド幅分（１００μｍ）
移動すれば、ステージ移動と露光処理時間の同期が取れ
て無駄がない。
の荷電粒子線による露光方法を以下に説明する。荷電粒
子線として電子ビームを用いた露光は、前述したように
複数のセル１１をステージ移動方向に一列に配置したフ
レーム単位に実施される。フレーム１２においてはセル
１１各個を１つの露光範囲とし、さらにセル１１内のバ
ンド１４毎に露光処理を行う。すなわち、約２ｍｍ□の
セル１１の全域をカバーするメインデフレクタ（電磁偏
向器、偏向範囲±１０００μｍ）によって、バンド１４
毎にステージ移動方向と直交する方向に電子ビームを偏
向する。このとき、電子ビームは、各サブフィールド１
３の中心位置に偏向される。このように、メインデフレ
クタを振りながら、かつサブデフレクタ（静電偏向器、
偏向範囲±５０μｍ）によってサブフィールド１３内の
微小範囲に電子ビームを偏向する。そして、スリットデ
フレクタ（静電偏向器、例えば最大３μｍ）により電子
ビームサイズを所望のショットサイズに変化させながら
、ショット１５を形成し該ショット１５の集まりである
パターン１６を形成してパターン露光を実施する。この
際、一つのバンド１４内のパターン１６を全て露光でき
る時間内に、ステージがそのバンド幅分（１００μｍ）
移動すれば、ステージ移動と露光処理時間の同期が取れ
て無駄がない。
【０００７】しかし、一般にＩＣのパターン１６には疎
密があり、各バンド１４毎の露光時間は一定でない。ス
テージの移動速度が速過ぎると、メインデフレクタによ
る可描画範囲をステージが通り過ぎてしまい（メインデ
フオーバーフローという）露光できないパターン部分が
発生し、正常なパターンが描画できなくなる。また、ス
テージの移動速度が遅過ぎると、無駄時間が発生し、ス
ループットが低くなる。
密があり、各バンド１４毎の露光時間は一定でない。ス
テージの移動速度が速過ぎると、メインデフレクタによ
る可描画範囲をステージが通り過ぎてしまい（メインデ
フオーバーフローという）露光できないパターン部分が
発生し、正常なパターンが描画できなくなる。また、ス
テージの移動速度が遅過ぎると、無駄時間が発生し、ス
ループットが低くなる。
【０００８】そこで、適切なステージ移動速度で露光を
実施する必要があり、これを決定するのが重要な要素技
術となる。
実施する必要があり、これを決定するのが重要な要素技
術となる。
【０００９】
【従来の技術】図１８は従来のステージ制御部の一例を
示すブロック図である。ステージはＸ軸、Ｙ軸の直交座
標系において移動制御されるもので、例えばレーザ干渉
計等によりその位置座標がＸ−ＬＡＳＥＲ、Ｙ−ＬＡＳ
ＥＲとして測定される。このＸ−ＬＡＳＥＲ、Ｙ−ＬＡ
ＳＥＲは速度制御部であるＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓ
ｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）２０に入力される。 ＤＳＰ２０は、設定値Ｘ、Ｙに対するＸ軸、Ｙ軸の移動
速度指令Ｖｘ、Ｖｙを位置座標Ｘ−ＬＡＳＥＲ、Ｙ−Ｌ
ＡＳＥＲにより補正する。 補正後の移動速度指令は、ＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ−ｔ
ｏ−Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）２１、ＡＭＰ
（ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）２２を介して、それぞれＸ軸、
Ｙ軸の移動用モータ２３に出力される。
示すブロック図である。ステージはＸ軸、Ｙ軸の直交座
標系において移動制御されるもので、例えばレーザ干渉
計等によりその位置座標がＸ−ＬＡＳＥＲ、Ｙ−ＬＡＳ
ＥＲとして測定される。このＸ−ＬＡＳＥＲ、Ｙ−ＬＡ
ＳＥＲは速度制御部であるＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓ
ｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）２０に入力される。 ＤＳＰ２０は、設定値Ｘ、Ｙに対するＸ軸、Ｙ軸の移動
速度指令Ｖｘ、Ｖｙを位置座標Ｘ−ＬＡＳＥＲ、Ｙ−Ｌ
ＡＳＥＲにより補正する。 補正後の移動速度指令は、ＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ−ｔ
ｏ−Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）２１、ＡＭＰ
（ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）２２を介して、それぞれＸ軸、
Ｙ軸の移動用モータ２３に出力される。
【００１０】以下に、ＤＳＰ２０におけるステージ移動
速度の求め方を説明する。ステージ移動速度を決定する
ために、まずサブフィールド１３毎のパターン１６の数
、ショット１５の数を元に、バンド１４毎の露光時間を
計算する。 その上で、 （１） 最遅速度に設定する方法 各バンド毎の露光時間の中で最長の露光時間に合わせて
移動速度を設定し、一番時間のかかるバンドを露光する
のに充分な移動速度でステージを移動する。
速度の求め方を説明する。ステージ移動速度を決定する
ために、まずサブフィールド１３毎のパターン１６の数
、ショット１５の数を元に、バンド１４毎の露光時間を
計算する。 その上で、 （１） 最遅速度に設定する方法 各バンド毎の露光時間の中で最長の露光時間に合わせて
移動速度を設定し、一番時間のかかるバンドを露光する
のに充分な移動速度でステージを移動する。
【００１１】（２） 平均移動速度を見直して、移動速
度を決める方法 セル１１内のバンド１４の平均移動速度を求め、バンド
毎に移動速度を見直し、その移動速度では可描画範囲内
で露光を終了できない場合に、移動速度を遅くする等の
調整をしながら、ステージ移動速度を設定する。このた
めに、サブフィールド１３毎のパターン１６の数、ショ
ット１５の数を元に、バンド毎の露光時間を計算する。 その上で、■セル１１内で最長の露光時間に合わせて移
動速度を設定し、一番露光時間のかかるバンドを露光す
るのに充分な移動速度でステージを移動する。この結果
、セル１１において若干無駄時間は発生するが、メイン
デフオーバーフローすることなく露光はできる。■各バ
ンド１４毎の露光時間からセル１１内での平均移動速度
を決め、これを基準移動速度とし、可描画範囲（±１０
００μｍ） 内で全てのバンド１４が露光できるように
調整する。可描画範囲内に入らなければ、基準移動速度
を落とし、全てのバンドが露光できるようにステージ移
動速度を決定する。■各セル１１のステージ移動速度を
求め、このステージ移動速度からフレーム１２内で共通
なステージ移動速度を決定する。
度を決める方法 セル１１内のバンド１４の平均移動速度を求め、バンド
毎に移動速度を見直し、その移動速度では可描画範囲内
で露光を終了できない場合に、移動速度を遅くする等の
調整をしながら、ステージ移動速度を設定する。このた
めに、サブフィールド１３毎のパターン１６の数、ショ
ット１５の数を元に、バンド毎の露光時間を計算する。 その上で、■セル１１内で最長の露光時間に合わせて移
動速度を設定し、一番露光時間のかかるバンドを露光す
るのに充分な移動速度でステージを移動する。この結果
、セル１１において若干無駄時間は発生するが、メイン
デフオーバーフローすることなく露光はできる。■各バ
ンド１４毎の露光時間からセル１１内での平均移動速度
を決め、これを基準移動速度とし、可描画範囲（±１０
００μｍ） 内で全てのバンド１４が露光できるように
調整する。可描画範囲内に入らなければ、基準移動速度
を落とし、全てのバンドが露光できるようにステージ移
動速度を決定する。■各セル１１のステージ移動速度を
求め、このステージ移動速度からフレーム１２内で共通
なステージ移動速度を決定する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の荷電粒子線の露光技術においては、ステー
ジ移動速度を決定するために、以下のような問題があっ
た。 （ａ）予め、バンド１４の数、サブフィールド１３の数
、パターン１６の数、ショット１５の数を把握する必要
があり、これらの数からステージ移動速度を計算しなけ
ればならないため、処理時間が長くなる。 （ｂ）速度算出時に設定した露光電流と、算出速度で実
際に移動したときに要する露光電流とが異なる場合があ
るが、このような場合には露光電流の変化に追従できな
い。その他、露光途中でのパラメータ変化に追従できな
い。 （ｃ）パターン１６の疎密が大きいような場合、速度変
化点数が多くなりステージ移動速度が細かく変化する。 移動速度を緩やかに変化させるためには複雑な計算を要
し、処理時間が長くなる。
ような従来の荷電粒子線の露光技術においては、ステー
ジ移動速度を決定するために、以下のような問題があっ
た。 （ａ）予め、バンド１４の数、サブフィールド１３の数
、パターン１６の数、ショット１５の数を把握する必要
があり、これらの数からステージ移動速度を計算しなけ
ればならないため、処理時間が長くなる。 （ｂ）速度算出時に設定した露光電流と、算出速度で実
際に移動したときに要する露光電流とが異なる場合があ
るが、このような場合には露光電流の変化に追従できな
い。その他、露光途中でのパラメータ変化に追従できな
い。 （ｃ）パターン１６の疎密が大きいような場合、速度変
化点数が多くなりステージ移動速度が細かく変化する。 移動速度を緩やかに変化させるためには複雑な計算を要
し、処理時間が長くなる。
【００１３】［目的］そこで、本発明は、可描画範囲に
おけるステージ移動方向の荷電粒子線の偏向位置に応じ
てステージの移動速度を微調整することにより、リアル
タイムで最適な移動速度を設定することができる荷電粒
子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法を提供すること
を目的としている。
おけるステージ移動方向の荷電粒子線の偏向位置に応じ
てステージの移動速度を微調整することにより、リアル
タイムで最適な移動速度を設定することができる荷電粒
子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法を提供すること
を目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１または２の発明に係る荷電粒子線露光装置は、比
較回路によって電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲
の基準位置とを比較する。比較の結果、偏向位置が基準
位置に対して上流側に位置する場合は、ステージ速度制
御部によって、ステージの移動速度を速め、下流側に位
置する場合は該ステージの移動速度を遅くする。
求項１または２の発明に係る荷電粒子線露光装置は、比
較回路によって電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲
の基準位置とを比較する。比較の結果、偏向位置が基準
位置に対して上流側に位置する場合は、ステージ速度制
御部によって、ステージの移動速度を速め、下流側に位
置する場合は該ステージの移動速度を遅くする。
【００１５】また、請求項３または４の発明に係る荷電
粒子線露光装置は、積分回路において電磁偏向器による
ステージ移動方向の偏向位置を所定時間毎に積分し、ス
テージ速度制御部において該積分値に基づいてステージ
の移動速度を変更する。
粒子線露光装置は、積分回路において電磁偏向器による
ステージ移動方向の偏向位置を所定時間毎に積分し、ス
テージ速度制御部において該積分値に基づいてステージ
の移動速度を変更する。
【００１６】また、請求項５の発明に係る荷電粒子線露
光方法は、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向
位置を監視し、該偏向位置に応じてステージの移動速度
を可変する。
光方法は、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向
位置を監視し、該偏向位置に応じてステージの移動速度
を可変する。
【００１７】
【作用】上記構成を有する請求項１または２の発明に係
る荷電粒子線露光装置においては、比較回路によって偏
向位置と基準位置とが比較され、偏向位置が基準位置に
対して上流側であるときは、ステージ速度制御部によっ
てステージの移動速度が加速され、下流側であるときは
該ステージの移動速度が減速される。
る荷電粒子線露光装置においては、比較回路によって偏
向位置と基準位置とが比較され、偏向位置が基準位置に
対して上流側であるときは、ステージ速度制御部によっ
てステージの移動速度が加速され、下流側であるときは
該ステージの移動速度が減速される。
【００１８】また、請求項３または４の発明に係る荷電
粒子線露光装置においては、積分回路によって電磁偏向
器によるステージ移動方向の偏向位置が所定時間毎に積
分され、該積分値に基づいてステージ速度制御部により
ステージの移動速度が変更される。
粒子線露光装置においては、積分回路によって電磁偏向
器によるステージ移動方向の偏向位置が所定時間毎に積
分され、該積分値に基づいてステージ速度制御部により
ステージの移動速度が変更される。
【００１９】また、請求項５の発明に係る荷電粒子線露
光方法においては、荷電粒子線のステージ移動方向にお
ける偏向位置が監視され、該偏向位置に応じてステージ
の移動速度が可変される。
光方法においては、荷電粒子線のステージ移動方向にお
ける偏向位置が監視され、該偏向位置に応じてステージ
の移動速度が可変される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
２は本発明に係る荷電粒子線露光装置の一実施例を示す
図である。まず、構成を説明する。図２において、図１
８に示した従来例に付された番号と同一番号は同一部分
を示す。パターンのデータは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）３０によって図示
していないハードディスク等から読み込まれ、前記サブ
フィールド１５毎の位置座標（Ｘｍ，Ｙｍ）がメインデ
フレクタ座標としてメインバッファメモリ３１に格納さ
れる。一方、１つのメインデフレクタ座標毎に該当する
サブフィールドの内部のパターンデータが、サブデフレ
クタ座標としてサブバッファメモリ３２に格納される。 そして、前記セル１１単位の描画に先立って、メインバ
ッファメモリ３１のメインデフレクタ座標（Ｘｍ，Ｙｍ
）が読み出されて、メインデフ位置レジスタ３３に格納
される。該当するサブフィールドのパターンデータはサ
ブバッファメモリ３２から読み出されるが、この段階で
はまだパターン発生回路３４は起動しない。
２は本発明に係る荷電粒子線露光装置の一実施例を示す
図である。まず、構成を説明する。図２において、図１
８に示した従来例に付された番号と同一番号は同一部分
を示す。パターンのデータは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）３０によって図示
していないハードディスク等から読み込まれ、前記サブ
フィールド１５毎の位置座標（Ｘｍ，Ｙｍ）がメインデ
フレクタ座標としてメインバッファメモリ３１に格納さ
れる。一方、１つのメインデフレクタ座標毎に該当する
サブフィールドの内部のパターンデータが、サブデフレ
クタ座標としてサブバッファメモリ３２に格納される。 そして、前記セル１１単位の描画に先立って、メインバ
ッファメモリ３１のメインデフレクタ座標（Ｘｍ，Ｙｍ
）が読み出されて、メインデフ位置レジスタ３３に格納
される。該当するサブフィールドのパターンデータはサ
ブバッファメモリ３２から読み出されるが、この段階で
はまだパターン発生回路３４は起動しない。
【００２１】メインデフ位置レジスタ３３にメインデフ
レクタ座標（Ｘｍ，Ｙｍ）が格納されると同時に、その
瞬間のステージ３５の位置座標すなわち露光対象となる
セル１１の中心位置座標（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）が、レーザ
干渉計３６のレーザーカウンタ３７からステージ位置読
込レジスタ３８に格納される（図３参照）。このステー
ジ位置読込レジスタ３８に格納されたセル１１の中心位
置座標（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）と、ステージ目標値レジスタ
３９にあらかじめ格納されている前記セル１１の中心が
あるべきステージ３５の位置すなわち図３に示す可描画
範囲４０の中心位置（Ｘｏ，Ｙｏ）、との差分値（ΔＸ
，ΔＹ）が減算器４１から出力される。 この差分値（ΔＸ，ΔＹ）は、加算器４２において前記
メインデフレクタ座標（Ｘｍ，Ｙｍ）と加算される。こ
の加算値は、メイン補正演算回路４３にて補正されて、
メインデフレクタによる偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏ
ｕｔ）が決定される。
レクタ座標（Ｘｍ，Ｙｍ）が格納されると同時に、その
瞬間のステージ３５の位置座標すなわち露光対象となる
セル１１の中心位置座標（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）が、レーザ
干渉計３６のレーザーカウンタ３７からステージ位置読
込レジスタ３８に格納される（図３参照）。このステー
ジ位置読込レジスタ３８に格納されたセル１１の中心位
置座標（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）と、ステージ目標値レジスタ
３９にあらかじめ格納されている前記セル１１の中心が
あるべきステージ３５の位置すなわち図３に示す可描画
範囲４０の中心位置（Ｘｏ，Ｙｏ）、との差分値（ΔＸ
，ΔＹ）が減算器４１から出力される。 この差分値（ΔＸ，ΔＹ）は、加算器４２において前記
メインデフレクタ座標（Ｘｍ，Ｙｍ）と加算される。こ
の加算値は、メイン補正演算回路４３にて補正されて、
メインデフレクタによる偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏ
ｕｔ）が決定される。
【００２２】偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）は、
メインデフＤＡＣ４４によりアナログ信号に変換され、
メインデフアンプ４５によりメインデフ駆動レベルに増
幅されて、駆動信号としてメインデフレクタ（電磁偏向
器、偏向範囲±１０００μｍ）４６に出力される。なお
、メイン補正演算回路４３は、加算値について、メイン
デフレクタ４６の回転誤差、メインデフアンプ４５の偏
向感度誤差を補正して、偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏ
ｕｔ）を出力する。従って、メインデフＤＡＣ４４への
偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）セットストローボ
は、メインバッファメモリ３１からメインデフレクタ座
標（Ｘｍ，Ｙｍ）を読み出した後、一定時間後に行われ
る。
メインデフＤＡＣ４４によりアナログ信号に変換され、
メインデフアンプ４５によりメインデフ駆動レベルに増
幅されて、駆動信号としてメインデフレクタ（電磁偏向
器、偏向範囲±１０００μｍ）４６に出力される。なお
、メイン補正演算回路４３は、加算値について、メイン
デフレクタ４６の回転誤差、メインデフアンプ４５の偏
向感度誤差を補正して、偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏ
ｕｔ）を出力する。従って、メインデフＤＡＣ４４への
偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）セットストローボ
は、メインバッファメモリ３１からメインデフレクタ座
標（Ｘｍ，Ｙｍ）を読み出した後、一定時間後に行われ
る。
【００２３】一方、パターン発生回路３４から出力され
るサブデフレクタの駆動信号（偏向位置）は、前述した
ようなメインデフレクタ４６の駆動ラインと同様に、サ
ブ補正演算回路４７、サブデフＤＡＣ４８、サブデフア
ンプ４９を介して、サブデフレクタ（静電偏向器、偏向
範囲±５０μｍ）５０に伝達される。なお、サブデフレ
クタ５０の駆動ラインにおいても、前記中心位置座標（
Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）がステージフィードバック補正演算回
路５１に入力されており、位置座標誤差、サブデフレク
タ５０の回転誤差、サブデフアンプ４９の偏向感度誤差
を補正する信号がサブデフＤＡＣ５２を介してサブデフ
アンプ４９に印加されている。
るサブデフレクタの駆動信号（偏向位置）は、前述した
ようなメインデフレクタ４６の駆動ラインと同様に、サ
ブ補正演算回路４７、サブデフＤＡＣ４８、サブデフア
ンプ４９を介して、サブデフレクタ（静電偏向器、偏向
範囲±５０μｍ）５０に伝達される。なお、サブデフレ
クタ５０の駆動ラインにおいても、前記中心位置座標（
Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）がステージフィードバック補正演算回
路５１に入力されており、位置座標誤差、サブデフレク
タ５０の回転誤差、サブデフアンプ４９の偏向感度誤差
を補正する信号がサブデフＤＡＣ５２を介してサブデフ
アンプ４９に印加されている。
【００２４】以上のように、メインデフレクタ４６及び
サブデフレクタ５０に偏向位置を与えることにより、電
子ビーム銃（荷電粒子線照射器）５３から照射された電
子ビーム（荷電粒子線）を所定位置に偏向する。なお、
以上のような偏向動作は、ＤＳＰ５５によりシーケンス
制御されている。
サブデフレクタ５０に偏向位置を与えることにより、電
子ビーム銃（荷電粒子線照射器）５３から照射された電
子ビーム（荷電粒子線）を所定位置に偏向する。なお、
以上のような偏向動作は、ＤＳＰ５５によりシーケンス
制御されている。
【００２５】ここで、本実施例で特徴的なのは、メイン
デフＤＡＣ４４に送られる偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１
ｏｕｔ）と同一データ（または上位数ビット〔例えば８
ビット〕）をステージ制御部５６にも送っている点であ
る。ステージ制御部５６は、図１に示すように、ＤＡＣ
２１及びＡＭＰ２２により構成されるステージドライバ
５７を介して、ステージ３５の移動用モータ２３を駆動
する。
デフＤＡＣ４４に送られる偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１
ｏｕｔ）と同一データ（または上位数ビット〔例えば８
ビット〕）をステージ制御部５６にも送っている点であ
る。ステージ制御部５６は、図１に示すように、ＤＡＣ
２１及びＡＭＰ２２により構成されるステージドライバ
５７を介して、ステージ３５の移動用モータ２３を駆動
する。
【００２６】図１は図２に示したステージ制御部５６の
一実施例を示す回路図であり、請求項１または２記載の
発明に係る荷電粒子線露光装置の主要構成部である。図
１において、図２及び図１８に示した番号と同一番号は
同一部分を示す。
一実施例を示す回路図であり、請求項１または２記載の
発明に係る荷電粒子線露光装置の主要構成部である。図
１において、図２及び図１８に示した番号と同一番号は
同一部分を示す。
【００２７】ステージ制御部５６において、切り替え器
６０は、入力される偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ
）について、ステージ移動方向のデータすなわちＹ１ｏ
ｕｔだけを比較回路６１に入力する。比較回路６１は、
この偏向位置Ｙ１ｏｕｔと、前記可描画範囲４０におけ
るステージ移動方向の基準位置とを比較する。基準位置
としては、図４に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、あるいは可描画
範囲４０の中心位置Ｙｏ等がある。比較結果は、ステー
ジ速度制御部であるＤＳＰ６２に入力される。この比較
結果に基づいてＤＳＰ６２は、偏向位置Ｙ１ｏｕｔが可
描画範囲４０の基準位置、例えば中心位置Ｙｏに対して
所定以上離れたステージ移動方向の上流側に位置すると
きは前記ステージ３５の移動速度を速め、所定以上離れ
たステージ移動方向の下流側に位置するときは該ステー
ジ３５の移動速度を遅くする。
６０は、入力される偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ
）について、ステージ移動方向のデータすなわちＹ１ｏ
ｕｔだけを比較回路６１に入力する。比較回路６１は、
この偏向位置Ｙ１ｏｕｔと、前記可描画範囲４０におけ
るステージ移動方向の基準位置とを比較する。基準位置
としては、図４に示すＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、あるいは可描画
範囲４０の中心位置Ｙｏ等がある。比較結果は、ステー
ジ速度制御部であるＤＳＰ６２に入力される。この比較
結果に基づいてＤＳＰ６２は、偏向位置Ｙ１ｏｕｔが可
描画範囲４０の基準位置、例えば中心位置Ｙｏに対して
所定以上離れたステージ移動方向の上流側に位置すると
きは前記ステージ３５の移動速度を速め、所定以上離れ
たステージ移動方向の下流側に位置するときは該ステー
ジ３５の移動速度を遅くする。
【００２８】以下、可描画範囲４０で上流側基準位置を
Ｂとし、下流側基準位置をＣとしたときの本実施例の動
作を図５のフローチャートに従って説明する。なお、本
実施例においては、ステージ３５を−Ｙ方向に移動して
描画するものとする。
Ｂとし、下流側基準位置をＣとしたときの本実施例の動
作を図５のフローチャートに従って説明する。なお、本
実施例においては、ステージ３５を−Ｙ方向に移動して
描画するものとする。
【００２９】まず、ＤＳＰ５５からパターンデータ読み
込み指示が出され（ｓｔｅｐ１）、メインデフレクタ座
標（〓ｍ，Ｙｍ） がメインバッファメモリ３１に読み
込まれる。
込み指示が出され（ｓｔｅｐ１）、メインデフレクタ座
標（〓ｍ，Ｙｍ） がメインバッファメモリ３１に読み
込まれる。
【００３０】次に、ステージ位置読み込みパルスが出て
、ステージ３５の現在位置すなわち図３に示すセル中心
位置（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）がステージ位置読込レジスタ３
８に読み込まれる（ｓｔｅｐ２）。
、ステージ３５の現在位置すなわち図３に示すセル中心
位置（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）がステージ位置読込レジスタ３
８に読み込まれる（ｓｔｅｐ２）。
【００３１】続いて、減算器４１において、該セル中心
位置（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）と可描画範囲４０の中心位置（
Ｘｏ，Ｙｏ）との差分値（Δ〓，ΔＹ）を計算する（ｓ
ｔｅｐ３）。
位置（Ｘｓｔ，Ｙｓｔ）と可描画範囲４０の中心位置（
Ｘｏ，Ｙｏ）との差分値（Δ〓，ΔＹ）を計算する（ｓ
ｔｅｐ３）。
【００３２】次いで、加算器４２において、上記メイン
デフレクタ座標（〓ｍ，Ｙｍ）とステージ差分値（Δ〓
，ΔＹ）とを加算し、メインデフレクタ４６の偏向位置
（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）を出力する（ｓｔｅｐ４）
。
デフレクタ座標（〓ｍ，Ｙｍ）とステージ差分値（Δ〓
，ΔＹ）とを加算し、メインデフレクタ４６の偏向位置
（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）を出力する（ｓｔｅｐ４）
。
【００３３】この偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）
に対応するサブフィールド内で、サブデフレクタ５０に
よって行う偏向パターンをパターン発生回路３４により
発生し、サブデフレクタ５０による偏向作業すなわち露
光作業を開始する（ｓｔｅｐ５）。
に対応するサブフィールド内で、サブデフレクタ５０に
よって行う偏向パターンをパターン発生回路３４により
発生し、サブデフレクタ５０による偏向作業すなわち露
光作業を開始する（ｓｔｅｐ５）。
【００３４】次に、１つのサブフィールド内の露光が終
了するのを待機し（ｓｔｅｐ６）、このサブフィールド
内の露光が終了したら、ｓｔｅｐ１に戻って次のメイン
デフデータを読み取る。以下、メインデフレクタ座標の
全データ（１セル）の露光が終了するまでｓｔｅｐ１か
らの動作を繰り返す（ｓｔｅｐ７）。
了するのを待機し（ｓｔｅｐ６）、このサブフィールド
内の露光が終了したら、ｓｔｅｐ１に戻って次のメイン
デフデータを読み取る。以下、メインデフレクタ座標の
全データ（１セル）の露光が終了するまでｓｔｅｐ１か
らの動作を繰り返す（ｓｔｅｐ７）。
【００３５】一方、ｓｔｅｐ４にて算出されたメインデ
フレクタ４６の偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）は
、前記ステージ制御部５６にも出力される。ステージ制
御部５６におけるＤＳＰ６２は、比較回路６１において
ステージ移動方向におけるメインデフレクタ４６の偏向
位置Ｙ１ｏｕｔと、前記基準位置Ａ〜Ｄとを比較して、
以下のようにステージ３５の移動速度を可変する。すな
わち、 （ｓｔｅｐ１１） Ａ＜Ｙ１ｏｕｔ ＮＯ……可描画範囲に未到達であるから、露光停止した
状態でステージ３５を移動させながら前記セル１１が可
描画範囲４０に入るまで待つ。 ＹＥＳ……露光作業開始。 （ｓｔｅｐ１２） Ｂ＜Ｙ１ｏｕｔ≦ＡＹＥＳ……ｓ
ｔｅｐ１３に進み、ステージ移動方向における速度Ｖｙ
をあらかじめ決められている速度ｖだけ上げる。 ＮＯ……ｓｔｅｐ１４に進む。 （ｓｔｅｐ１４） Ｃ＜Ｙ１ｏｕｔ≦ＢＹＥＳ……ｓ
ｔｅｐ１５に進み、移動速度は変えず、一定の速度でス
テージ３５を移動させる。 ＮＯ……ｓｔｅｐ１６に進む。 （ｓｔｅｐ１６） Ｄ＜Ｙ１ｏｕｔ≦ＣＹＥＳ……ｓ
ｔｅｐ１７に進み、ステージ移動方向における速度Ｖｙ
をあらかじめ決められている速度ｖだけ落す。 ＮＯ……ｓｔｅｐ１８に進む。 （ｓｔｅｐ１８） Ｙ１ｏｕｔ≦Ｄ ＮＯ……ｓｔｅｐ１１に戻る。 ＹＥＳ……可描画範囲４０から偏向位置Ｙ１ｏｕｔがオ
ーバーしたため、露光中止（異常事態）。ｓｔｅｐ１９
に進む。 （ｓｔｅｐ１９） メインデフ・オーバーフローによ
り処理を終了する。
フレクタ４６の偏向位置（Ｘ１ｏｕｔ，Ｙ１ｏｕｔ）は
、前記ステージ制御部５６にも出力される。ステージ制
御部５６におけるＤＳＰ６２は、比較回路６１において
ステージ移動方向におけるメインデフレクタ４６の偏向
位置Ｙ１ｏｕｔと、前記基準位置Ａ〜Ｄとを比較して、
以下のようにステージ３５の移動速度を可変する。すな
わち、 （ｓｔｅｐ１１） Ａ＜Ｙ１ｏｕｔ ＮＯ……可描画範囲に未到達であるから、露光停止した
状態でステージ３５を移動させながら前記セル１１が可
描画範囲４０に入るまで待つ。 ＹＥＳ……露光作業開始。 （ｓｔｅｐ１２） Ｂ＜Ｙ１ｏｕｔ≦ＡＹＥＳ……ｓ
ｔｅｐ１３に進み、ステージ移動方向における速度Ｖｙ
をあらかじめ決められている速度ｖだけ上げる。 ＮＯ……ｓｔｅｐ１４に進む。 （ｓｔｅｐ１４） Ｃ＜Ｙ１ｏｕｔ≦ＢＹＥＳ……ｓ
ｔｅｐ１５に進み、移動速度は変えず、一定の速度でス
テージ３５を移動させる。 ＮＯ……ｓｔｅｐ１６に進む。 （ｓｔｅｐ１６） Ｄ＜Ｙ１ｏｕｔ≦ＣＹＥＳ……ｓ
ｔｅｐ１７に進み、ステージ移動方向における速度Ｖｙ
をあらかじめ決められている速度ｖだけ落す。 ＮＯ……ｓｔｅｐ１８に進む。 （ｓｔｅｐ１８） Ｙ１ｏｕｔ≦Ｄ ＮＯ……ｓｔｅｐ１１に戻る。 ＹＥＳ……可描画範囲４０から偏向位置Ｙ１ｏｕｔがオ
ーバーしたため、露光中止（異常事態）。ｓｔｅｐ１９
に進む。 （ｓｔｅｐ１９） メインデフ・オーバーフローによ
り処理を終了する。
【００３６】ここで、ステージ連続移動について、図６
〜図１５を使って説明する。前記ステージ３５の移動に
より、セル１１はＹ方向に図の上から下に移動するもの
とする。図６と図７ではまだ可描画範囲４０に入ってい
ないので、パターンは露光されない。
〜図１５を使って説明する。前記ステージ３５の移動に
より、セル１１はＹ方向に図の上から下に移動するもの
とする。図６と図７ではまだ可描画範囲４０に入ってい
ないので、パターンは露光されない。
【００３７】図８になって偏向位置Ｙ１ｏｕｔが可描画
範囲４０に入り、初めて露光が開始される。以後、順に
図９〜図１３と露光が実施される。
範囲４０に入り、初めて露光が開始される。以後、順に
図９〜図１３と露光が実施される。
【００３８】図１４と図１５の場合は、偏向位置Ｙ１ｏ
ｕｔが可描画範囲４０を越えてしまい、かつステージが
遠ざかる方向なので、メインデフオーバーフローとなり
エラーとなる。
ｕｔが可描画範囲４０を越えてしまい、かつステージが
遠ざかる方向なので、メインデフオーバーフローとなり
エラーとなる。
【００３９】ここで、本実施例においては、比較回路６
１によってメインデフレクタ４６による偏向位置Ｙ１ｏ
ｕｔと可描画範囲４０の基準位置Ａ〜Ｄとを比較し、比
較の結果、偏向位置Ｙ１ｏｕｔが基準位置Ｂに対して上
流側に位置する場合は、ＤＳＰ６２によって、ステージ
３５の移動速度を速め、基準位置Ｃの下流側に位置する
場合は該ステージ３５の移動速度を遅くしているため、
偏向位置Ｙ１ｏｕｔが可描画範囲４０の中心位置Ｙｏ近
傍（Ｃ＜Ｂ）に集中することになり、図１４または図１
５に示すように、セル１１が露光未了のまま可描画範囲
４０を越えてしまうことがない。このため、セル１１の
全露光時間に対応した速度制御をリアルタイムで実行す
ることができ、ステージ３５を常に適切な移動速度で移
動することができる。従って、ロスタイムを低減でき、
荷電粒子線の露光を高速に処理することができる。
１によってメインデフレクタ４６による偏向位置Ｙ１ｏ
ｕｔと可描画範囲４０の基準位置Ａ〜Ｄとを比較し、比
較の結果、偏向位置Ｙ１ｏｕｔが基準位置Ｂに対して上
流側に位置する場合は、ＤＳＰ６２によって、ステージ
３５の移動速度を速め、基準位置Ｃの下流側に位置する
場合は該ステージ３５の移動速度を遅くしているため、
偏向位置Ｙ１ｏｕｔが可描画範囲４０の中心位置Ｙｏ近
傍（Ｃ＜Ｂ）に集中することになり、図１４または図１
５に示すように、セル１１が露光未了のまま可描画範囲
４０を越えてしまうことがない。このため、セル１１の
全露光時間に対応した速度制御をリアルタイムで実行す
ることができ、ステージ３５を常に適切な移動速度で移
動することができる。従って、ロスタイムを低減でき、
荷電粒子線の露光を高速に処理することができる。
【００４０】また、本実施例において、メインデフレク
タ４６による偏向位置Ｙ１ｏｕｔと可描画範囲４０の中
心位置Ｙｏとを比較し、偏向位置Ｙ１ｏｕｔが中心位置
Ｙｏに対して上流側に位置する場合は、ステージ３５の
移動速度を速め、中心位置Ｙｏの下流側に位置する場合
は該ステージ３５の移動速度を遅くすることもできる。 この場合も、前記同様の効果を得ることができる。
タ４６による偏向位置Ｙ１ｏｕｔと可描画範囲４０の中
心位置Ｙｏとを比較し、偏向位置Ｙ１ｏｕｔが中心位置
Ｙｏに対して上流側に位置する場合は、ステージ３５の
移動速度を速め、中心位置Ｙｏの下流側に位置する場合
は該ステージ３５の移動速度を遅くすることもできる。 この場合も、前記同様の効果を得ることができる。
【００４１】なお、本実施例においては、基準位置を設
定し該基準位置に対する偏向位置Ｙ１ｏｕｔの相対位置
に応じてステージ移動速度を可変したが、例えば基準位
置ＡまたはＤから偏向位置Ｙ１ｏｕｔまでの離間距離に
応じてステージ移動速度を可変してもよい。
定し該基準位置に対する偏向位置Ｙ１ｏｕｔの相対位置
に応じてステージ移動速度を可変したが、例えば基準位
置ＡまたはＤから偏向位置Ｙ１ｏｕｔまでの離間距離に
応じてステージ移動速度を可変してもよい。
【００４２】図１６はステージ制御部の他の実施例を示
す回路図であり、請求項３または４記載の発明に係る荷
電粒子線露光装置の主要構成部である。
す回路図であり、請求項３または４記載の発明に係る荷
電粒子線露光装置の主要構成部である。
【００４３】前記実施例では、基準位置Ａ〜Ｄの値と偏
向位置Ｙ１ｏｕｔとを比較したが、本実施例では、一定
時間（例えば１ｍｓ）毎の偏向位置Ｙ１ｏｕｔの積分値
をもとに、ステージ移動速度を変更する。すなわち、積
分回路７０において、メインデフレクタ４６によるステ
ージ移動方向の偏向位置Ｙ１ｏｕｔを、 ΔＶ＝α・〔∫（Ｙ１ｏｕｔ ）ｄｔ〕＋β
（ただし、α、βは定数） により積分する。そして、ＤＳＰ６２において該積分値
ΔＶに基づいて前記ステージ３５の移動速度を変更する
。
向位置Ｙ１ｏｕｔとを比較したが、本実施例では、一定
時間（例えば１ｍｓ）毎の偏向位置Ｙ１ｏｕｔの積分値
をもとに、ステージ移動速度を変更する。すなわち、積
分回路７０において、メインデフレクタ４６によるステ
ージ移動方向の偏向位置Ｙ１ｏｕｔを、 ΔＶ＝α・〔∫（Ｙ１ｏｕｔ ）ｄｔ〕＋β
（ただし、α、βは定数） により積分する。そして、ＤＳＰ６２において該積分値
ΔＶに基づいて前記ステージ３５の移動速度を変更する
。
【００４４】なお、｜ΔＶ｜＜Ｖｍａｘとし、ステージ
移動速度の変更量に上限を設ける。この結果、速度変化
（加速度）が小さくなり、ステージ移動速度を緩やかに
変化させることができ、ギクシャクしたステージの動き
を防止して、スムーズに露光することができる。
移動速度の変更量に上限を設ける。この結果、速度変化
（加速度）が小さくなり、ステージ移動速度を緩やかに
変化させることができ、ギクシャクしたステージの動き
を防止して、スムーズに露光することができる。
【００４５】このように、本実施例においては、前記実
施例と同様の効果を得ることができる上、可描画範囲内
全域で速度制御することができ、またステージ３５を滑
らかに移動することができる。
施例と同様の効果を得ることができる上、可描画範囲内
全域で速度制御することができ、またステージ３５を滑
らかに移動することができる。
【００４６】以上説明したことより明らかなように、請
求項５記載の発明に係る荷電粒子線露光方法は、荷電粒
子線のステージ移動方向における偏向位置Ｙ１ｏｕｔを
監視し、該偏向位置Ｙ１ｏｕｔに応じて前記ステージ３
５の移動速度を可変するものである。本発明によれば、
前記実施例で説明したように、リアルタイムで最適な移
動速度を設定することができる。
求項５記載の発明に係る荷電粒子線露光方法は、荷電粒
子線のステージ移動方向における偏向位置Ｙ１ｏｕｔを
監視し、該偏向位置Ｙ１ｏｕｔに応じて前記ステージ３
５の移動速度を可変するものである。本発明によれば、
前記実施例で説明したように、リアルタイムで最適な移
動速度を設定することができる。
【００４７】なお、荷電粒子線として電子ビームを例示
したが、イオンビームを用いても構わない。
したが、イオンビームを用いても構わない。
【００４８】
【発明の効果】請求項１の発明に係る荷電粒子線露光装
置では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲の基準
位置とを比較し、偏向位置が基準位置に対して上流側に
位置する場合はステージの移動速度を速め、基準位置の
下流側に位置する場合は該ステージの移動速度を遅くす
ることにより、ステージを常に適切な移動速度で移動す
ることができ、荷電粒子線の露光を高速に処理すること
ができる。
置では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲の基準
位置とを比較し、偏向位置が基準位置に対して上流側に
位置する場合はステージの移動速度を速め、基準位置の
下流側に位置する場合は該ステージの移動速度を遅くす
ることにより、ステージを常に適切な移動速度で移動す
ることができ、荷電粒子線の露光を高速に処理すること
ができる。
【００４９】請求項２の発明に係る荷電粒子線露光装置
では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲に設定し
た上流側及び下流側の基準位置とを比較し、偏向位置が
上流側基準位置に対して上流側に位置する場合は、ステ
ージの移動速度を速め、下流側基準位置の下流側に位置
する場合は該ステージの移動速度を遅くすることにより
、ステージを常に適切な移動速度で移動することができ
、荷電粒子線の露光を高速に処理することができる。
では、電磁偏向器による偏向位置と可描画範囲に設定し
た上流側及び下流側の基準位置とを比較し、偏向位置が
上流側基準位置に対して上流側に位置する場合は、ステ
ージの移動速度を速め、下流側基準位置の下流側に位置
する場合は該ステージの移動速度を遅くすることにより
、ステージを常に適切な移動速度で移動することができ
、荷電粒子線の露光を高速に処理することができる。
【００５０】請求項３の発明に係る荷電粒子線露光装置
では、電磁偏向器によるステージ移動方向の偏向位置を
所定時間毎に積分し、該積分値に基づいてステージの移
動速度を変更することにより、ステージを常に適切な移
動速度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速
に処理することができる。
では、電磁偏向器によるステージ移動方向の偏向位置を
所定時間毎に積分し、該積分値に基づいてステージの移
動速度を変更することにより、ステージを常に適切な移
動速度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速
に処理することができる。
【００５１】請求項４の発明に係る荷電粒子線露光装置
では、ステージ速度の変更量に上限を設けることにより
、速度変化を小さくでき、滑らかなステージ移動を実現
することができる。
では、ステージ速度の変更量に上限を設けることにより
、速度変化を小さくでき、滑らかなステージ移動を実現
することができる。
【００５２】請求項５の発明に係る荷電粒子線露光方法
では、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向位置
を監視して、該偏向位置に応じて前記ステージの移動速
度を可変することにより、ステージを常に適切な移動速
度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速に処
理することができる。
では、荷電粒子線のステージ移動方向における偏向位置
を監視して、該偏向位置に応じて前記ステージの移動速
度を可変することにより、ステージを常に適切な移動速
度で移動することができ、荷電粒子線の露光を高速に処
理することができる。
【図１】ステージ制御部の一実施例を示す回路図であり
、請求項１または２記載の発明に係る荷電粒子線露光装
置の主要構成部である。
、請求項１または２記載の発明に係る荷電粒子線露光装
置の主要構成部である。
【図２】本発明に係る荷電粒子線露光装置の一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図３】セルと可描画範囲との位置座標を示す図である
。
。
【図４】可描画範囲における基準位置を示す図である。
【図５】図１及び図２における動作例を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図６】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図７】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図８】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図９】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の位
置関係を示す図である。
置関係を示す図である。
【図１０】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図１１】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図１２】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図１３】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図１４】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図１５】ステージ連続移動によるセルと可描画範囲の
位置関係を示す図である。
位置関係を示す図である。
【図１６】ステージ制御部の他の実施例を示す回路図で
あり、請求項３または４記載の発明に係る荷電粒子線露
光装置の主要構成部である。
あり、請求項３または４記載の発明に係る荷電粒子線露
光装置の主要構成部である。
【図１７】荷電粒子線により露光される試料を示す平面
図である。
図である。
【図１８】従来のステージ制御部の一例を示すブロック
図である。
図である。
１１ セル（露光対象物）
４０ 可描画範囲
４６ メインデフレクタ（電磁偏向器）５３
電子ビーム銃（荷電粒子線照射器）５６ ス
テージ制御部 ６１ 比較回路 ６２ ＤＳＰ（ステージ速度制御部）７０
積分回路
電子ビーム銃（荷電粒子線照射器）５６ ス
テージ制御部 ６１ 比較回路 ６２ ＤＳＰ（ステージ速度制御部）７０
積分回路
Claims (5)
- 【請求項１】 荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射
器と、該荷電粒子線を所定の可描画範囲に偏向する電磁
偏向器と、露光対象物を載置して該露光対象物が可描画
範囲内を通過するように移動するステージと、を備え、
前記露光対象物の露光範囲を複数本の帯状領域に分割し
、該帯状領域の長手方向の一端側から他端側に向けて荷
電粒子線を偏向して所望のパターンを描画する荷電粒子
線露光装置において、前記電磁偏向器によるステージ移
動方向の偏向位置と前記可描画範囲におけるステージ移
動方向の基準位置とを比較する比較回路と、この比較結
果に基づいて偏向位置が可描画範囲の基準位置に対して
ステージ移動方向の上流側に位置するときは前記ステー
ジの移動速度を速め、偏向位置が可描画範囲の基準位置
に対してステージ移動方向の下流側に位置するときは該
ステージの移動速度を遅くするステージ速度制御部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 可描画範囲の基準位置を上流側と下流
側にそれぞれ設定したことを特徴とする請求項１の荷電
粒子線露光装置。 - 【請求項３】 荷電粒子線を照射する荷電粒子線照射
器と、該荷電粒子線を所定の可描画範囲に偏向する電磁
偏向器と、露光対象物を載置して該露光対象物が可描画
範囲内を通過するように移動するステージと、を備え、
前記露光対象物の露光範囲を複数本の帯状領域に分割し
、該帯状領域の長手方向の一端側から他端側に向けて荷
電粒子線を偏向して所望のパターンを描画する荷電粒子
線露光装置において、前記電磁偏向器によるステージ移
動方向の偏向位置を所定時間毎に積分する積分回路と、
該積分値に基づいて前記ステージの移動速度を変更する
ステージ速度制御部と、を備えたことを特徴とする荷電
粒子線露光装置。 - 【請求項４】ステージ速度制御部におけるステージ速度
の変更量に上限を設けたことを特徴とする請求項３の荷
電粒子線露光装置。 - 【請求項５】ステージ上に載置された露光対象物の露光
領域を複数の帯状領域に分割し、該ステージを連続的に
移動させながら所定の可描画範囲内にて該帯状領域毎に
長手方向の一方側から他方側に向けて荷電粒子線を偏向
して所望のパターンを描画する荷電粒子線露光方法にお
いて、前記荷電粒子線のステージ移動方向における偏向
位置を監視して、該偏向位置に応じて前記ステージの移
動速度を可変することを特徴とする荷電粒子線露光方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3057469A JP2669727B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 |
| US07/854,086 US5180920A (en) | 1991-03-20 | 1992-03-19 | Method and apparatus for making charged particle beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3057469A JP2669727B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291913A true JPH04291913A (ja) | 1992-10-16 |
| JP2669727B2 JP2669727B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=13056554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3057469A Expired - Fee Related JP2669727B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5180920A (ja) |
| JP (1) | JP2669727B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38798E1 (en) | 1992-10-22 | 2005-09-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2008124477A (ja) * | 2007-11-15 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
| JP2010129824A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5530250A (en) * | 1993-10-20 | 1996-06-25 | Nec Corporation | Electron beam deflecting apparatus with reduced settling time period |
| JPH07191199A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光システム及び露光方法 |
| JP3334999B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-10-15 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
| JPH09270375A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置 |
| US20020170887A1 (en) * | 2001-03-01 | 2002-11-21 | Konica Corporation | Optical element producing method, base material drawing method and base material drawing apparatus |
| US7041512B2 (en) * | 2001-06-07 | 2006-05-09 | Advantest Corp. | Electron beam exposure apparatus, electron beam exposing method, semiconductor element manufacturing method, and pattern error detection method |
| JP4528308B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-08-18 | パイオニア株式会社 | ビーム記録方法及び装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243520A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
| JPH01248618A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
| JPH02205313A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Nikon Corp | 荷電粒子線描画装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607380B2 (ja) * | 1976-11-09 | 1985-02-23 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
| JPS62277724A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS6483516A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Ube Industries | Superconducting ceramic powder |
| US4963596A (en) * | 1987-12-04 | 1990-10-16 | Henkel Corporation | Treatment and after-treatment of metal with carbohydrate-modified polyphenol compounds |
| JPH0241122A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-09 | Kimura Giken:Kk | 便座被覆紙着脱装置 |
| JPH0769516B2 (ja) * | 1988-08-10 | 1995-07-31 | 株式会社精工舎 | 自動焦点カメラ |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3057469A patent/JP2669727B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-19 US US07/854,086 patent/US5180920A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243520A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
| JPH01248618A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
| JPH02205313A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Nikon Corp | 荷電粒子線描画装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE38798E1 (en) | 1992-10-22 | 2005-09-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| USRE39083E1 (en) | 1992-10-22 | 2006-05-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2008124477A (ja) * | 2007-11-15 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
| JP2010129824A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669727B2 (ja) | 1997-10-29 |
| US5180920A (en) | 1993-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7777202B2 (en) | Electron beam exposure apparatus involving the position and velocity calculation | |
| US4853870A (en) | Electron beam exposure system | |
| JPH04291913A (ja) | 荷電粒子線露光装置、及び荷電粒子線露光方法 | |
| EP0367126B1 (en) | Charged particle beam exposure method using a mask | |
| US6175121B1 (en) | Block mask and charged particle beam exposure method and apparatus using the same | |
| US5610406A (en) | Charged particle beam exposure method and apparatus | |
| US4829444A (en) | Charged particle beam lithography system | |
| JPH0691005B2 (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JP3161101B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置 | |
| JP2559454B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JPH06163374A (ja) | 荷電粒子線描画装置 | |
| JPH04309213A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH025406A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP3329847B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH09161715A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPH06196394A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS62149126A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JP3330644B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPS63127532A (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JP2001284216A (ja) | 荷電ビーム露光装置及びその制御方法 | |
| JPH11329933A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JP2786671B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP2597636B2 (ja) | パターンデータ補正方法 | |
| JPH10242025A (ja) | 可変面積型電子ビーム描画方法 | |
| JPH0194619A (ja) | 電子ビーム描画装置のショット制御回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970617 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |