JP3330644B2

JP3330644B2 - 荷電粒子ビーム露光方法

Info

Publication number: JP3330644B2
Application number: JP23097192A
Authority: JP
Inventors: 克彦小林; 章夫山田; 義久大饗; 暁生竹本
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-08-31
Filing date: 1992-08-31
Publication date: 2002-09-30
Anticipated expiration: 2017-09-30
Also published as: JPH0684769A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子ビーム露光方
法に係り、詳しくは、荷電粒子ビームによるパターン露
光の分野に用いて好適な、スループット及びパターン精
度を高めた荷電粒子ビーム露光方法に関する。［発明の背景］近年、例えば、ＬＳＩ（Large Scale In
tegrated circuit）等に代表される、集積密度が高く、
大規模な半導体集積回路のウェハに対し、微細パターン
形成の主流であったフォトリソグラフィーに代わって、
透過マスクを介して所定のパターンデータを電子ビーム
等の荷電粒子ビームにより露光する、いわゆる、ブロッ
ク露光を行う荷電粒子ビーム露光装置が開発されてい
る。

【０００２】このようなブロック露光を行う荷電粒子ビ
ーム露光装置では、繰り返しのある部分については非常
に高速に露光することができる。そして、この場合、透
過マスク上のブロックパターンを選択するために、マス
ク上の所望するブロック位置に荷電粒子ビームを正確に
偏向することが要求される。

【０００３】

【従来の技術】従来のこの種の電子ビーム露光装置とし
ては、例えば、図１０に示すようなものがある。この電
子ビーム露光装置は、大別して、露光部１０と制御部５
０とから構成されている。

【０００４】露光部１０は、カソード電極１１，グリッ
ド電極１２，アノード１３を有する荷電粒子ビーム発生
源１４と、荷電粒子ビーム（以下、単にビームという）
を矩形状に整形する第一スリット１５と、整形されたビ
ームを収束させる第一レンズ１６と、偏向信号Ｓ１に応
じて整形されたビームが透過マスク２０上に照射される
位置を偏向するためのスリットデフレクタ１７と、対向
して設けられた第二レンズ１８及び第三レンズ１９と、
第二レンズ１８及び第三レンズ１９の間に水平方向に移
動可能に装着される透過マスク２０と、透過マスク２０
の上下方向に配置され、それぞれ位置情報Ｐ１〜Ｐ４に
応じて第二レンズ１８及び第三レンズ１９間のビームを
偏向し、透過マスク２０上の複数の透過孔の一つを選択
するマスクデフレクタ２１〜２４と、ブランキング信号
に応じてビームを遮断し、もしくは通過させるブランキ
ング２５と、第四レンズ２６と、アパーチャ２７と、リ
フォーカスコイル２８と、第五レンズ２９と、ダイナミ
ックフォーカスコイル３０と、ダイナミックスティグコ
イル３１と、第六レンズ３２と、露光位置決定信号Ｓ
２，Ｓ３に応じてウェハＷ上のビーム位置決めをするメ
インデフコイル３３及びサブデフレクタ３４と、ウェハ
Ｗを搭載してＸ−Ｙ方向に移動可能なステージ３５と、
第一〜第四アライメントコイル３６〜３９とを備えてい
る。

【０００５】また、制御部５０は、集積回路装置の設計
データを記憶する記憶媒体５１と、電子ビーム露光装置
全体を制御するＣＰＵ５２と、ＣＰＵ５２によって取り
込まれた、例えば、描画情報，パターンを描画すべきウ
ェハＷ上の描画位置情報，及び透過マスク２０のマスク
情報等の各種情報を転送するインターフェース５３と、
インターフェース５３から転送された描画パターン情
報，及びマスク情報を保持するデータメモリ５４と、描
画パターン情報，及びマスク情報に基づいて、例えば、
透過マスク２０の透過孔の一つを指定し、その指定透過
孔の透過マスク２０上ての位置を示すマスク照射位置デ
ータＰ１〜Ｐ４を発生するとともに、そのパターンを露
光するウェハ上の位置を示すウェハ露光位置データＳ３
を発生し、かつ、描画すべきパターン形状と指定透過孔
形状との形状差に応じた補正値Ｈを演算する処理を含む
各種処理を行う指定手段，保持手段，演算手段，及び出
力手段としてのパターン発生部５５と、補正値Ｈから修
正偏向信号ＨＳ１を生成するアンプ部５６と、アンプ部
５７と、必要に応じて透過マスク２０を移動させるマス
ク移動機構５８と、パターン発生部５５からの露光時間
・露光待ち時間を受け、露光装置全体が動くシステムク
ロック，及びブランキングクロックを発生するためのク
ロック制御回路５９と、クロック制御回路５９の出力を
受けてブランキングタイミングを発生するブランキング
制御回路６０と、ブランキング制御信号ＳＢを生成する
アンプ部６１と、インターフェース５３から転送された
露光開始情報，及び露光終了情報に基づいてパターン発
生部５５を介してデータメモリ５４にメインデフ偏向情
報を出力させ、かつ、ステージ制御部６８に対して所望
のステージ位置に移動するよう指示し、また、ステージ
移動位置とメインデフ偏向との差を補正するようにステ
ージ補正部６９を制御し、かつ、クロック制御部５９に
対し、パターン発生部５５にクロックを発生／停止する
ように指示する等、露光処理一般のシーケンスを司るシ
ーケンスコントローラ６２と、データメモリ５４からの
メインデフ偏向情報に基づいてメインデフ偏向信号Ｓ２
を発生する偏向制御回路６３と、パターン発生部５５，
及び偏向制御回路６３からの出力に基づいて露光位置決
定信号Ｓ２，Ｓ３を生成するアンプ部６４，６５と、必
要に応じてステージを移動させるステージ移動機構６
６，及びステージ位置を検出するレーザ干渉計６７から
なるステージ制御部６８と、偏向制御回路６３からはメ
インデフ偏向量を、ステージ制御部６８からはステージ
移動位置を受け、メインデフ偏向との差を補正するステ
ージ補正部６９とを備えている。

【０００６】以上の構成において、荷電粒子ビーム発生
源１４から放出された電子ビームは、第一スリット１５
で矩形形状に成形された後、第一レンズ１６，第二レン
ズ１８によって収束され、透過マスク２０上に照射され
る。透過マスク２０での、比較的大きな範囲（約５ｍｍ
以内）の偏向は、マスクデフレクタ２１〜２４で行わ
れ、マスクデフレクタ２１〜２４で選択された後の比較
的小さな範囲（約５００μｍ以内）の偏向はスリットデ
フレクタ１７で行われる。

【０００７】ちなみに、可変矩形露光の場合、このスリ
ットデフレクタ１７を用いて、任意形状サイズ（例え
ば、３μｍ□以下の任意の矩形サイズ）に整形される。
透過マスク２０を通過した電子ビームは、ブランキング
２５を通過し、第四レンズ２６により縮小され、サブデ
フレクタ３４により１００μｍ程度の小偏向領域で偏向
される。

【０００８】また、メインデフコイル３３によりサブデ
フレクタ偏向領域は、２ｍｍ程度の範囲の露光フィール
ドで大偏向される。露光するデータは、ＣＰＵ５２によ
って記憶媒体５１から読み出され、データメモリ５４に
記憶される。シーケンスコントローラ６２によって露光
が開始されると、まず、記憶されたメインデフ偏向位置
が偏向制御回路６３に送られて偏向量データＳ２が出力
され、アンプ部５７を介してメインデフコイル３３に出
力される。

【０００９】そして、出力が安定した後、シーケンスコ
ントローラ６２はクロック制御回路５９に対し、システ
ムクロックを発生するように指示し、その結果、データ
メモリ５４に記憶されたパターンデータがパターン発生
部５５に出力され、パターン発生部５５によって、読み
込まれたパターンデータに基づいてショットデータが作
成される。

【００１０】ショットデータは、マスク上でのビーム照
射位置を示す位置情報Ｐ１〜Ｐ４，マスク上でのビーム
照射位置の偏向量を示す補正値Ｈ，マスクにビームを透
過させることにより整形したビームをウェハＷ上の所望
する位置に偏向するための露光位置決定信号Ｓ３，ショ
ット時間データ，これらの信号を印加すると静電偏向器
・電磁偏向器が整定するまでにどの位待つ必要があるか
を示すショット待ち時間データ等を含んでいる。

【００１１】これら各信号は、パターン発生部５５によ
って発生された後、パターン補正部によって、ウェハＷ
をステージ３５に設定した際に発生する、例えば、ウェ
ハローテーション等が補正される。そして、ショット発
生のために出力された信号は、それぞれＤＡＣ（Digita
lto Analog Converter ）に入力されてアナログ信号に
変換され、アンプを介して電極及びコイルに印加され
る。

【００１２】なお、可変矩形用の電子ビーム露光装置の
場合、透過マスク２０が第二スリットとなり、透過マス
ク２０上を偏向するためのマスクデフレクタ２１〜２４
が不要となる。すなわち、ブロック露光は、予め作成し
たブロックマスクに電子ビームを照射し、透過したビー
ムによって被露光物にブロックマスクパターンを転写す
ることで、高スループットを確保しようとするものであ
る。

【００１３】図１１は透過マスクの全体平面図である。
透過マスク２０には、所定のピッチ間隔ＥＬでマトリク
ス配置された複数（この場合、９個）のエリアＥ１〜Ｅ
９が設けられており、１つのエリアのサイズは、透過マ
スク２０におけるビームの最大偏向範囲に対応した大き
さ、例えば、１〜５ｍｍ□である。

【００１４】図１１中、●で示すエリアＥ１〜Ｅ９の基
準点には、それぞれＸＹ座標値が与えられており、例え
ば、エリア座標Ｅ_XY＝（１，１）とした場合、Ｅ７を表
現するものとする。一方、１つのエリア内には、図１２
に示すように、所定のピッチＢＬでマトリクス配置され
た複数（この場合、３６個）のブロックＢ₁〜Ｂ₃₆が設
けられており、１つのブロックの大きさは透過マスク２
０上におけるビームの大きさに相当し、例えば、１００
〜５００μｍ□程度である。

【００１５】そして、図１３に示すように、ブロックＢ
₁〜Ｂ₃₆の基準点にもそれぞれＸＹ座標が与えられてお
り、例えば、ブロック座標Ｂ_XY＝（１，２）とした場
合、Ｂ ₃₂の基準点を示していることとなる。すなわち、
エリア座標Ｅ_XYとブロック座標Ｂ_XYとの指定によって任
意のエリア内の任意のブロックを表現することができ、
例えば、Ｅ_XY＝（１，１）、Ｂ_XY＝（１，２）とした場
合、エリアＥ７のブロックＢ₃₂を指定したことになる。

【００１６】なお、図１１〜図１３中、１つのエリアの
四隅に位置するハッチングされたブロックＢ₁，Ｂ₆，
Ｂ₃₁，Ｂ₃₆は、可変矩形用の透過孔であり、図１４はブ
ロックに形成された透過孔（ブロックパターン）を示
す。ところで、ウェハ上に露光するＩＣパターン等は、
通常、５〜２０ｍｍ程度の大きさであるが、微細なパタ
ーンを精度良く露光するために、ビームを大偏向させて
１つのＩＣパターンをステージ移動なしに露光すること
はできない。

【００１７】すなわち、ＩＣパターンを複数個の露光フ
ィールドに区切って露光する必要があるが、この場合、
ステージ移動を頻繁に繰り返すこととなり、スループッ
トの低下を招く。そこで、スループットの低下を防止す
るために、以下に説明する連続ステージ移動方式と呼ば
れる方法が案出されている。

【００１８】図１５，図１６はステージ連続移動方式を
説明するための図である。まず、図１５に示すようにＩ
Ｃパターンをウェハ上に配置し、一回の連続的なステー
ジ移動で露光できる範囲を１つの露光範囲（以下、スト
ライプという）とする。ストライプの幅は、ビームを偏
向できる範囲であり、正確には露光位置蹴っていい信号
Ｓ２に応じてウェハ上のビーム位置決めを行うメインデ
フコイル３３が偏向できる範囲に相当する。

【００１９】これらのステージ移動は、図１６に示すよ
うな系で実行され、ステージ３５にはＸ，Ｙ軸にそれぞ
れレーザ干渉計６７とステージ移動機構を構成するＤＣ
モータ６６とが設置され、ステージ制御部６８では、常
にステージ移動方向、移動スピード、及びヨーイング等
が測定されている。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の電子ビーム露光装置にあっては、ブロックマ
スクよりも上方に位置するマスクデフレクタによりビー
ムを変更させ、所望のブロックパターンを透過・成形し
た後に、ブロックマスクよりも下方に位置するマスクデ
フレクタにより無偏向のときの光軸に戻す方法が取られ
ており、また、マスクデフレクタをブロックマスクの上
下に２段ずつ配置し、内側の２つのマスクデフレクタに
よりブロックマスクへの入射角が垂直となるような構成
となっていたため、以下に述べるような問題点があっ
た。

【００２１】すなわち、偏向を実現するためには、各マ
スクデフレクタの間に、どのような偏向の強さや偏向方
向の関係があるかを予め調べておき、所望のブロックパ
ターンの位置に応じて各マスクデフレクタの偏向量を決
定する必要があるが、従来、各マスクデフレクタ間の関
係を求める系統的な手段は存在しなかった。これは、４
つのマスクデフレクタの偏向の強さと偏向方向、すなわ
ち、８つのパラメータを操作する必要があるためであ
り、マスクデフレクタ調整は困難を極めるものであっ
た。

【００２２】［目的］そこで本発明は、各マスクデフレ
クタ間の関係を求める系統的な手段を確立する荷電粒子
ビーム露光方法を提供することを目的としている。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子ビ
ーム露光方法は上記目的達成のため、荷電粒子ビームを
多角形成形板により所定形状に成形し、成形された該荷
電粒子ビームを所定の偏向条件に基づいて複数の偏向手
段により偏向し、所定パターンの透過孔が形成された透
過マスク板上に照射するものであり、前記複数の偏向手
段における偏向条件が未知である場合、該偏向手段の偏
向強度と偏向方向とを２偏向要素とし、前記透過マスク
板より上方に位置する所定の偏向手段の偏向要素と、該
偏向手段と鏡面対称な位置に配置される偏向手段の偏向
要素とがそれぞれ比例するという条件に基づいて、所定
の測定点での前記荷電粒子ビームの検出電流値が最大値
となるように、透過マスク板から最も離れた位置にある
偏向手段から最も近い位置にある偏向手段まで、順次、
２偏向要素のいずれか１つを固定し、他の偏向要素及び
他の偏向手段における２偏向要素を微小変化させること
により、各偏向器の相対的偏向強度比と相対的偏向角と
を決定するように構成している。

【００２４】

【作用】本発明では、透過マスク板より上方に位置する
所定の偏向手段の偏向要素と、この偏向手段と鏡面対称
な位置に配置される偏向手段の偏向要素とがそれぞれ比
例するという条件に基づいて、所定の測定点での荷電粒
子ビームの検出電流値が最大値となるように、透過マス
ク板から最も離れた位置にある偏向手段から最も近い位
置にある偏向手段まで、順次、２偏向要素のいずれか１
つを固定し、他の偏向要素及び他の偏向手段における２
偏向要素を微小変化させることにより、各偏向器の相対
的偏向強度比と相対的偏向角とが決定される。

【００２５】すなわち、各マスクデフレクタ間の関係を
求める系統的な手段が確立される。

【００２６】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１〜図７は本発明に係る荷電粒子ビーム露光方法の一実
施例を示し、ブロックマスクを挟んで鏡面対称に配置さ
れる２つのレンズと、４つのマスクデフレクタとの偏向
条件により、ビームの軌道がどのように変わるかを示す
ものである。

【００２７】なお、本実施例における荷電粒子ビーム露
光装置の概略構成は、図１０に示した従来例と同一であ
るため、その説明を省略する。２つのレンズと４つのマ
スクデフレクタとをそれぞれブロックマスクを挟んで鏡
面対称に配置し、適切な偏向条件を設定した場合、図
１，図２に示すような軌道となることがシミュレーショ
ンにより判っている。

【００２８】なお、図１中、θ₁，θ₂，θ₃，θ₄は
マスクデフレクタによる偏向方向を示す角度であり、図
１は荷電粒子ビームの軌道の平面図、図２は、荷電粒子
ビームの軌道の斜視図である。マスクデフレクタで偏向
しない場合の軌道をＺ軸とすると、図２で選択されてい
るＸｍ軸上のパターンでないブロックパターンのうち、
Ｚ軸からの距離が等しいものが選択された場合について
は、図２に示す軌道をＺ軸に回転させることにより軌道
が求められる。

【００２９】すなわち、図２に示すように、「浮き」の
ような形状の立体物の表面に当たるところに軌道が存在
することになる。ここで、マスクデフレクタの偏向条件
が適切であれば、所望のブロックパターンにより成形さ
れ、アパーチャにより遮られることなく試料面上にビー
ムが到達する。

【００３０】図３，図４に偏向条件が適切でない場合の
軌道の変化を示す。なお、図４中、θは各マスクデフレ
クタの偏向方向を示し、Ｇは各マスクデフレクタの偏向
の強さを示すものであり、θ，Ｇの添え字は、図２に描
かれている各マスクデフレクタの番号に対応し、各θ，
Ｇが適切である場合の軌道を実線で、また、適切な値よ
り大きな場合の軌道を破線で示す。

【００３１】また、各マスクデフレクタの偏向（ＢＳＸ
ｉ，ＢＳＹｉ）は、［数１］〜［数８］により与えられ
る。

【００３２】

【数１】

【００３３】

【数２】

【００３４】

【数３】

【００３５】

【数４】

【００３６】

【数５】

【００３７】

【数６】

【００３８】

【数７】

【００３９】

【数８】

【００４０】次に、マスクデフレクタの偏向条件が適切
でない場合、図５に示すように、ビームはアパーチャに
より遮られるので、偏向条件が適切か否かは、試料台上
のビームの検出電流値が極大であるかどうかによって判
断できる。よって、マスクデフレクタの調整の方針は、
試料台上の電流値が極大となるように、各θ，Ｇを変え
ていくことである。

【００４１】図６にθ１，θ４を変更した場合の軌道の
変化を示し、図７にθ２，θ３を変更した場合の軌道の
変化を示す。このとき、シミュレーションの結果から、
各θ，Ｇに次のような条件を設定することが妥当である
ことがわかる。すなわち、 θ１＝θ４， θ２＝θ３，Ｇ１＝Ｇ４，Ｇ２＝Ｇ
３である。

【００４２】以下、調整の手順を図８，図９に基づいて
説明する。まず、Ｘｍ＝Ｙｍ＝０の状態で試料電流値が
計測され、その値がＩ₀として設定される（ステップ
１）。次に、初期値の設定が行われ（ステップ２）、マ
スク偏向値が偏向された後、試料電流値が計測され、そ
の値がＩとしして設定される（ステップ３）。

【００４３】ここで、｜Ｉ−Ｉ₀｜≦Ｅとなるまで、新
たな入力データに基づいて、図９に示すように、設定値
が変更され（ステップ４，５、ステップ１１〜２２、ス
テップ６）、これらの設定値の変更によってＸｍ，Ｙｍ
が最大変更範囲内で一番電流値が高くなる（最大電流値
となる）ような、θ１，θ２，Ｇ２の値が求められる
（ステップ７〜９）。

【００４４】このように本実施例では、各マスクデフレ
クタの変更条件が未知である場合、透過マスク板より上
方に位置する偏向手段の偏向の強さ及び方向と、この偏
向手段と鏡面対称ないちに配置されている偏向手段の偏
向の強さ及び方向とが、それぞれ比例するという条件に
基づいて、試料台での電流値が最大となるように各マス
クデフレクタを操作することにより、試料台での電流値
観測による偏向の自動調整を可能とし、容易に、かつ、
精度の高い荷電粒子ビーム露光方法が提供できる。

【００４５】

【発明の効果】本発明では、透過マスク板より上方に位
置する所定の偏向手段の偏向要素と、この偏向手段と鏡
面対称な位置に配置される偏向手段の偏向要素とがそれ
ぞれ比例するという条件に基づいて、所定の測定点での
荷電粒子ビームの検出電流値を最大値とするように、透
過マスク板から最も離れた位置にある偏向手段から最も
近い位置にある偏向手段まで、順次、２偏向要素のいず
れか１つを固定し、他の偏向要素及び他の偏向手段にお
ける２偏向要素を微小変化させることで、各偏向器の相
対的偏向強度比と相対的偏向角とを決定することがで
き、各マスクデフレクタ間の関係を求める系統的な手段
を確立することができる。

【００４６】したがって、荷電粒子ビーム露光におい
て、スループット及びパターン精度を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】荷電粒子ビームの軌道を示す平面図である。

【図２】荷電粒子ビームの軌道を示す斜視図である。

【図３】偏向条件が適切でない場合の軌道の変化を示す
図である。

【図４】偏向条件が適切でない場合の軌道の変化を示す
図である。

【図５】マスクデフレクタの偏向条件が適切でない場合
の軌道を示す図である。

【図６】θ１，θ４を変更した場合の軌道の変化を示す
図である。

【図７】θ２，θ３を変更した場合の軌道の変化を示す
図である。

【図８】本実施例の処理を説明するためのフローチャー
トである。

【図９】本実施例の処理を説明するためのフローチャー
トである。

【図１０】ブロック露光装置の構成を示す概略図であ
る。

【図１１】ステンシルマスクの平面図である。

【図１２】ステンシルマスクの１つのエリアを示す図で
ある。

【図１３】１つのエリア内の各ブロックを示す図であ
る。

【図１４】ブロックに形成された透過孔の例を示す図で
ある。

【図１５】露光試料と連続ステージ移動方式における移
動方向を示す図である。

【図１６】ステージ移動の制御部分の構成を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０露光部１１カソード電極１２グリッド電極１３アノード１４荷電粒子ビーム発生源１５第一スリット１６第一レンズ１７スリットデフレクタ１８第二レンズ１９第三レンズ２０透過マスク２１マスクデフレクタ２２マスクデフレクタ２３マスクデフレクタ２４マスクデフレクタ２５ブランキング２６第四レンズ２７アパーチャ２８リフォーカスコイル２９第五レンズ３０ダイナミックフォーカスコイル３１ダイナミックスティグコイル３２第六レンズ３３メインデフコイル３４サブデフレクタ３５ステージ３６第一アライメントコイル３７第二アライメントコイル３８第三アライメントコイル３９第四アライメントコイル５０制御部５１記憶媒体５２ＣＰＵ５３インターフェース５４データメモリ５５パターン発生部５６アンプ部５７アンプ部５８マスク移動機構５９クロック制御回路６０ブランキング制御回路６１アンプ部６２シーケンスコントローラ６３偏向制御回路６４アンプ部６５アンプ部６６ステージ移動機構（ＤＣモータ）６７レーザ干渉計６８ステージ制御部６９ステージ補正部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者竹本暁生神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内審査官新井重雄 (56)参考文献特開平４−186718（ＪＰ，Ａ) 特開平４−88626（ＪＰ，Ａ) 特開平４−53221（ＪＰ，Ａ) 特開昭57−145324（ＪＰ，Ａ) 特開平４−171808（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 504 G03F 7/20 521

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子ビームを多角形成形板により所定
形状に成形し、成形された該荷電粒子ビームを所定の偏
向条件に基づいて複数の偏向手段により偏向し、所定パ
ターンの透過孔が形成された透過マスク板上に照射する
ものであり、前記複数の偏向手段における偏向条件が未知である場
合、該偏向手段の偏向強度と偏向方向とを２偏向要素と
し、前記透過マスク板より上方に位置する所定の偏向手
段の偏向要素と、該偏向手段と鏡面対称な位置に配置さ
れる偏向手段の偏向要素とがそれぞれ比例するという条
件に基づいて、所定の測定点での前記荷電粒子ビームの
検出電流値が最大値となるように、透過マスク板から最
も離れた位置にある偏向手段から最も近い位置にある偏
向手段まで、順次、２偏向要素のいずれか１つを固定
し、他の偏向要素及び他の偏向手段における２偏向要素
を微小変化させることにより、各偏向器の相対的偏向強
度比と相対的偏向角とを決定することを特徴とする荷電
粒子ビーム露光方法。