JPH10335215A - 荷電粒子線描画装置 - Google Patents

荷電粒子線描画装置

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JPH10335215A
JPH10335215A JP14138197A JP14138197A JPH10335215A JP H10335215 A JPH10335215 A JP H10335215A JP 14138197 A JP14138197 A JP 14138197A JP 14138197 A JP14138197 A JP 14138197A JP H10335215 A JPH10335215 A JP H10335215A
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masks
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正秀 奥村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は電子光学系の図形転写数を飛躍的に増
大して、高速かつ高精度の部分一括露光装置を提供す
る。 【解決手段】転写開口と透過開口を近接して搭載した転
写マスクを複数段設け、格段を独立に駆動ステージによ
り位置決めする。転写マスク上の開口をビーム偏向器で
選択露光しながら、他の転写マスクは透過開口を透過さ
せる。透過開口をマスク移動方向に連続して設け、ビー
ム透過させながら、転写マスクを移動する。特定の転写
マスク開口群を露光の際に他の転写マスク移動を実行す
る。これらをくり返し実行して全露光を完了する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線を利用し
て半導体メモリ等のパターン形成を行う装置及び該装置
に用いられる転写マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の荷電粒子線描画装置、特に電子線
描画装置は高解像性により微細デバイス用露光装置とし
て研究開発用に使用されている。しかしながら量産に対
しては、光露光装置等に比べスループットが低く、コス
トパフォーマンスの点で劣っていた。
【０００３】近年くり返し図形をあらかじめ転写マスク
に搭載し、光学的偏向による選択によって、高縮小で露
光する部分一括露光法が注目されている（例えば特開平
6−163377号に開示されている）。この部分一括露光法
は複雑な形状の図形を一括して露光するため、ショット
数が大幅に低減され高スループットを得ることが可能で
ある。
【０００４】更にこの部分一括露光法は、２以上のマス
ク板の重ね合わせにより露光すべきパターンを形成する
可変成形型の露光ビーム形成法（例えば特開平4−10020
8号)に見られるような寸法設定誤差（マスクの位置ずれ
による）がないため、高精度化も可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、部分一
括露光法は、光学系で決定される選択範囲に制限がある
ため、実用的な数ｕｍの露光面積で選択可能な図形数が
数１０個程度しかとれないという問題がある。図形数を
増大するには複雑な大角度の図形選択偏向系が必要とな
り、更に精度的にも光学的離軸による収差，偏向応答，
ドリフトの増大等による影響のため、転写図形の歪み
や、特に相互図形間の接続精度，合わせ精度を悪化させ
るという問題もある。
【０００６】またマスク板上に、光学系の選択範囲を超
えて選択可能な図形を形成するために特開平7−183191
号に開示されているように駆動機構を設けることも考え
られるが、駆動機構による図形選択のための時間がかか
り、高スループットを得るためには問題があった。
【０００７】本発明は上述したような問題点を解決する
べく、部分一括露光の選択可能な図形数を飛躍的に増大
し、更には高スループットをも実現可能とする荷電粒子
線描画装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述したような問題点を
解決するために、本発明では荷電粒子線を発生するため
の荷電粒子源と、該荷電粒子源からの荷電粒子線によっ
て試料上に転写すべきパターンを発生する複数個の転写
開口を有する転写マスクを備えた荷電粒子線描画装置で
あって、前記転写マスクは複数個設けられ、該複数個の
転写マスクのうち、少なくとも１の転写マスクの転写開
口による転写が行われている際には、前記複数個の転写
マスクのうち他の転写マスクの転写開口外を通って前記
荷電粒子線が試料上に照射されるように構成される。
【０００９】以上のような構成によって、複数の転写開
口を有する転写マスクを複数設けることが可能になる。
また複数段の転写マスクの寸法設定誤差による影響も受
け得ないので高精度に多くの転写開口を設けることが可
能になる。
【００１０】またより具体的な上記要件を実現する構成
として、前記転写マスクを移動するための移動機構が備
えられ、この移動機構や前記荷電粒子線の光路の周囲に
備えられた荷電粒子線偏光器を制御する制御部を備えて
いる。
【００１１】更に本発明によれば前記１以上の転写マス
クの転写開口に対して前記荷電粒子線が照射されている
際に、前記荷電粒子線の照射位置を前記他の転写マスク
が有する転写開口に向かって移動するように前記移動機
構を制御する制御部を備えている。
【００１２】これによって複数段の転写マスクを設けて
も、複数の転写開口による連続描画を高スループットに
て実現することが可能になる。
【００１３】またこの移動は転写マスクの透過開口或い
は転写マスク外に荷電粒子線が位置づけられつつ行われ
るので、少なくとも１の転写マスクにて描画が行われて
いる際に、他のマスクは次の描画に備えた移動を行うこ
とが可能になる。
【００１４】更に透過開口は転写マスクに形成された転
写開口の配列に沿って形成されているので、転写マスク
の移動に当たり、次に転写が行われるであろう転写開口
の近傍まで（或いは該転写開口が荷電粒子線の偏向範囲
内に入るまで）、荷電粒子線の照射位置を移動させてお
き、その転写開口を用いた転写が行われる際に、すぐに
転写開口に荷電粒子線の照射位置を位置づけることが可
能になる。
【００１５】また荷電粒子線の光軸の同じ高さに複数の
転写マスクを備えても良い。この場合１の転写マスクの
転写開口による描画が行われている際に、他の転写マス
クの転写開口を荷電粒子線の偏光器の偏向範囲に位置づ
けるように移動機構を制御することによって、１の転写
マスクの転写開口による描画終了後、すぐに次の転写開
口による描画が可能になるので、高スループットを維持
しつつ、多くの転写開口を設けることが可能になる。
【００１６】以上のように転写マスクを複数段（或いは
同じ高さに複数個）設け、移動機構により位置決めし、
転写マスク上の転写開口を順次露光する。
【００１７】また高スループット実現のために特定の転
写マスク開口群を転写偏向器で選択露光時は、他の転写
マスク非遮蔽部（透過開口）を透過させる。ここで転写
マスク非遮蔽部をマスク移動方向に連続して設け、ビー
ム透過させながら、特定の転写マスク開口群を露光の際
に他の転写マスク移動を実行する。以上をくり返し実行
して露光を完了するように制御する。このような構成に
よれば荷電粒子偏光器による荷電粒子線の照射位置移動
に比して、時間を要する移動機構による移動時間を低減
しつつ、連続的に部分一括露光法による露光が可能とな
る。
【００１８】本構成で使用可能な開口数は各転写マスク
の転写開口数と転写マスク数の乗算で制限されるのみで
ある。例えば通常の縮小率は数１０分の１程度であり、
数ｕｍの部分一括を実現する転写マスク開口寸法は１０
０ｕｍ程度である。従って１０％の占有率で転写開口を
搭載した場合でも、転写マスク１０mm角で１０００個の
開口選択が可能となる。複数の転写マスクを配置すれば
数千個の部分一括露光開口が搭載することが可能にな
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は可変成形型電子線描画装置
の構成図である。
【００２０】電子源１より照射された電子ビームは一般
に矩形形状の制限絞り２を通過し、転写レンズ４により
転写マスク５に結像される。転写マスク５上には可変矩
形用開口や、部分一括用開口が配置され、転写偏向器３
の電子線偏向により選択される。転写マスク５上の開口
を透過した電子線は成形ビーム６となり、縮小レンズ
７，対物レンズ９により、シリコンウエハ１０に数十分
の一に縮小投影される。シリコンウエハ１０への投影位
置は対物偏向器８のビーム偏向とステージ１１を駆動系
１２で位置決めすることで指定する。ここで露光可能な
転写開口数は電子光学的収差，制御回路出力で制限され
る。
【００２１】図２は使用可能な転写開口数を飛躍的に増
大する本発明の原理図である。電子源１より照射された
電子ビームは制限絞り２を通過し、独立に機械的に移動
可能な第一転写マスク１３と第二転写マスク１４に結像
される。図２では転写マスクを２段のみ配置しているが
３段以上も同様に可能である。また転写レンズ４等は省
略している。図１と同様に転写マスク上には可変矩形用
開口を含む部分一括用転写開口１５が配置されている。
転写開口１５と透過開口１６は転写マスク移動方向に沿
って形成されると共に、転写偏向器３のビーム偏向範囲
内に配置されている。描画では転写偏向器３により偏向
範囲内の複数の転写開口群から所望の開口が選択され
る。第一転写マスク１３および第二転写マスク１４のい
ずれかの転写開口１５が選択された場合は、他方の転写
マスクの透過開口１６に電子ビームの照射位置が位置づ
けられるように設定する。
【００２２】ここで移動無駄時間を低減する為、いずれ
かの転写マスクの転写開口１５を選択露光中は、他方の
転写マスクは透過開口１６をビーム透過させつつ次の露
光位置へ移動する。以上の動作を繰り返すことで、多数
の転写開口１５の選択露光を高精度に行うことが可能に
なる。
【００２３】以下、図１と同様に第二転写マスク１４上
の転写開口１５を透過した成形ビーム６は、対物偏向器
８とステージ１１でシリコンウエハ１０上に位置決めす
ることで高速描画が実現される。転写開口１５の配列は
描画パターン１８の概略描画順とし、透過開口１６は移
動方向に連続して形成されている。すなわち連続移動方
式の電子線描画装置では対物偏向器８の偏向幅内の描画
ストライプ１７に描画パターン１８を分割し順次露光す
る。転写開口１５をこういった描画順に配列することで
転写マスク開口を一方向に効率的に移動できる。
【００２４】このように列状に転写開口１５を設け、し
かも透過開口１６をその列に沿って設けることによっ
て、複数段の転写マスクを有する場合に、高スループッ
トを実現することが可能になる。これは転写に用いられ
る転写マスク以外の転写開口の内、次に用いられるであ
ろう転写開口の近傍まで電子線の照射位置を移動させる
ことが可能となるためである。
【００２５】しかも透過開口１６は転写開口１５が形成
する列に沿って連続的に開口形成されているので、移動
時に電子線が遮断されてしまうようなことがない。そし
てこのような移動を行うことによって、転写開口の切り
替えを速やかに行うことが可能になる。
【００２６】尚、この説明では図２に示すように、横に
長く配置された転写開口が形成された転写マスクを例に
とって説明しているが、このような転写マスクの構成の
場合、必ずしも透過開口１６を使って露光位置を移動さ
せる必要はなく、例えば転写マスク外空間を透過させつ
つ次の露光位置へビーム移動をしても良い。何故なら転
写開口と同様に転写マスク外の空間も転写開口の配置に
沿うように転写マスクが形成されているため、透過開口
を用いた場合と同様の効果を得ることができるからであ
る。
【００２７】尚、図２の例では第一転写マスク１３，第
二転写マスク１４にそれぞれ移動機構３０，３１が備え
られ、図の矢印方向へ移動可能に支持している。移動機
構３０，３１はそれぞれ移動制御部２６，２７が備えら
れ、制御計算器２８からの転写マスク移動命令に基づい
て、移動量に応じた駆動を行うように信号が移動機構３
０，３１に供給される。
【００２８】また、図２の例では矢印の方向への移動機
構しか持たないが、これに限定されるものではなく、例
えば転写開口１５と透過開口１６間の電子ビームの移動
を行うための移動機構として矢印の方向とは垂直方向に
転写マスクを移動させる移動機構を備えても良い。また
この移動機構を例えば転写開口が２列以上形成された転
写マスクの転写開口間の移動に用いても良い。
【００２９】更に以下の説明図では、各開口の寸法と配
列を固定して表記しているが描画パターン１８に応じて
可変できることは自明である。例えば露光すべきくり返
し図形が制限絞り２より大きい場合は、転写開口１５を
転写偏向３で塗り潰し走査し、他の該当透過開口１６を
露光範囲より拡大して形成すれば良い。また一部のくり
返し図形が制限絞りより微細な場合、上位の第一転写マ
スク１３の転写開口１５を制限絞りとして使用すれば、
下位の第二転写マスク１４の転写開口寸法を縮小し開口
数を増加することも可能である。
【００３０】図３から図８は本発明の実施例を示す。図
３は図２に対して第一転写マスク１３と第二転写マスク
１４を、焦点深度内のクリアランスを設けて配置した例
である。一般に電子線描画装置は試料面で入射角が小さ
く数１０ｕｍの焦点深度を有している。更に縮小光学系
であるため転写マスクの光軸方向の位置余裕は数１００
ｕｍ程度あり、機構的に近接した配置は容易である。他
の制約で近接配置が困難な場合も、第一転写マスク１３
と第二転写マスク１４間に電子レンズを挿入することで
相互移動は可能である。本実施例で使用する転写マスク
例を図４に示す。
【００３１】図４では転写開口１５と透過開口１６を近
接して列状に配置した例を示している。転写開口寸法に
応じてそれぞれの開口寸法を微調整することも可能であ
る。本転写マスクは通常のシリコンマスクプロセスによ
り製作可能である。すなわちシリコン表面よりドライエ
ッチにより開口を形成した後、裏面よりバックエッチに
より薄膜化する。本製法によれば強度確保と熱拡散のた
めのリブ構造も容易に形成でき、図４に示す通り連続に
選択可能な開口群を複数形成することも可能である。
【００３２】図５は図２に対して制限絞り、第一転写マ
スク１３と第二転写マスク１４間にそれぞれ第一転写偏
向器１９と第二転写偏向器２０を設置した例である。ま
たこれらの偏光器には偏向制御部３２，３３がそれぞれ
備えられ、制御計算器２８からの電子線の偏向命令に基
づいて、偏向量に応じた電圧印加を行うように信号が第
一転写偏光器１９，第二転写偏光器２０に供給される。
第二転写偏向器２０を設置することにより選択自由度が
更に向上する。図３に比べ、転写偏向の偏向範囲を図５
の点線で示す通り、偏向で選択可能な図形数が倍増す
る。
【００３３】本実施例で使用する転写マスク例を図６に
示す。図６は図４と同様に転写開口１５と透過開口１６
を近接して列状に配置した例を示している。描画順に偏
向による開口選択と機械的開口移動を相互の転写マスク
でくり返し実施する。
【００３４】図７は第一転写マスク１３と第二転写マス
ク１４を駆動する独立な第一転写駆動系２１と第二転写
駆動系２２で平行移動する例である。なおこの図では制
御系等の図示を省略した。
【００３５】本実施例で使用する転写マスク配置例を図
８に示す。図８は多用する可変矩形開口２４と高頻度で
出現する転写開口１５を固定位置とし、近接して転写開
口１５を近接して列状に配置した例を示している。本実
施例では透過開口が不要のため、転写マスクが小型化で
きる。やはり描画順に偏向による開口選択と機械的開口
移動を相互の転写マスクでくり返し実施する。機械的移
動はレーザ測長器２３等により一軸位置制御で可能であ
るが転写駆動時の回転誤差が大きい場合は２軸以上の位
置制御を適用する。いずれにしても位置決め誤差は高縮
小率であるためビーム偏向系に容易に補正可能である。
また選択偏向範囲が低減でき、更に描画順に合理的に配
置される為、精度的に不利な大幅なビーム偏向が防止で
き照射位置精度の安定化も可能である。また一方の転写
マスクによる転写が行われている時間帯を、他方の転写
マスクの移動時間に当てられるので移動時間を低減でき
る。
【００３６】図９は、図５，図６に示した構成の描画処
理手順のフローチャートである。
【００３７】描画開始によって第１転写マスクの転写開
口及び第２転写マスクの透過開口に成形ビーム６が位置
づけられるように転写ステージを移動させる。なお、図
５では移動機構の図示を省略している。
【００３８】転写ステージ位置はレーザ座標測定器等
（図示せず）のステージ位置測定手段によって、目標位
置からの変位が測定され、描画時は転写偏向器や対物偏
向器にフィードバックされる。すなわち測定した転写ス
テージ位置誤差から第１転写マスクの開口照射位置と第
２転写マスク透過開口への入射位置、および試料面の露
光位置がそれぞれ第一転写偏向器１９，第一転写偏向器
２０、と対物偏向器により高速に補正される。
【００３９】制御部２８からの露光パターン信号に対応
して、あらかじめ記憶された転写開口位置情報に従い第
一転写偏向器１９が第一転写マスク１３上の転写開口を
選択し、ウエハ露光を繰り返し行う。この際、第一転写
偏光器１９の選択範囲（転写マスクの移動が無い場合）
である第一転写マスク１３の点線部内で転写開口の選
択，露光が行われる。
【００４０】第一転写マスク開口を露光する間、第二転
写マスク１４を次の露光予定の転写開口に向かって、ビ
ームが透過開口エッジをよぎること無く移動させる。す
なわち、ビームは透過開口１６に位置づけられつつ（第
二転写マスク１４がビームの軌道を遮らないようにし
て）、第二転写マスク１４を移動機構によって移動させ
る。そして次に行われる露光パターンを持つ転写開口が
第二転写偏光器２０の選択範囲（点線部）に位置づけら
れた時点で移動を停止するようにする。
【００４１】各転写マスク停止誤差は、転写ステージ位
置測定から各偏向系に補正を実施すれば容易に解決でき
る。すなわち、少なくとも次に転写されるべき転写開口
の位置と偏向器による選択範囲が合致すれば良いので、
移動機構による移動が完了していなくても、或いは移動
しすぎても、その分を偏向器による荷電粒子線の照射位
置移動によって補正することができる。
【００４２】その具体的な構成としては前述したステー
ジ位置測定手段から得られるステージの位置情報から得
られた移動過不足分に基づいて、偏向器に与える制御出
力を決定する手段を設けることが考えられる。またこの
ような動作を行うタイミングは、前述したような位置誤
差の補正の場合だけではなく以下のような場合が考えら
れる。
【００４３】例えば第二転写マスク１４の位置移動が完
了する前に、第一転写マスク１３による転写が完了した
場合、その後の第二転写マスク１４の移動中は転写が行
われない時間帯となる。この時間帯を少しでも省くため
に、転写マスクの移動が完了する前であっても、荷電粒
子線の偏向範囲内に次に転写すべきパターンを持つ転写
開口が位置づけられたことに基づいて転写を開始するよ
うにすればよい。
【００４４】ここでは転写ステージ座標計測機能によ
り、各転写ステージの偏向領域内への移動を検知し、偏
向系へその機械的位置を補正することにより、必ずしも
偏向中心まで転写ステージが移動完了せずとも露光開始
できる。以上により機械的移動時間を短縮出来る。また
偏向器は極めて高速に動作可能であるため、開口露光回
数（露光時間）に反比例した速度で転写ステージを連続
移動制御し、計測位置データをリアルタイムで偏向補正
を実施し、ステージ移動待ち時間を最小限とする連続移
動制御も可能である。
【００４５】以上のような条件に基づいて、くり返し露
光またはこの第二転写マスク１４の露光可能範囲への移
動終了時点から同様に第二転写マスク１４の転写開口１
５の投影露光をくり返し、チップまたはストライプ露光
を終了する。
【００４６】以上のような露光をより高スループットで
行うために、転写マスク上の転写開口を露光する順番に
列べておくことが望ましい。具体的には転写偏光器の選
択範囲内に連続して行われるべき転写パターンを有する
転写開口を備えておき、それらの転写開口による転写が
一通り終わった時点で、転写マスクの切り替えを行うよ
うにする。また、描画の順番は開口投影のくり返し切り
替え回数が少ない方向にウエハステージを移動して露光
すれば開口数も実効的に低減できる。
【００４７】高スループットを得るための１つの条件と
して移動機構の移動時間をできるだけ減らすことが挙げ
られる。一般的に移動装置にはステッピングモータ等が
用いられるが、偏向電極等による電子線の照射位置移動
時間〜１ｕｓに比較して約１０万倍近い１００ｍｓ移動
時間を要し、この時間を如何に省くかによってスループ
ットが大きく異なる。
【００４８】この実施例ではスループット向上のため、
一方の転写マスクによる転写が行われている時間に、他
方の転写マスクを移動装置によって移動させることで、
移動装置による移動にかかる時間を低減させ、高スルー
プットを実現している。また上述したような移動機構に
よる移動の位置誤差を偏光器によって補完するのも、移
動機構による移動時間を低減させるための一手段であ
る。
【００４９】理想的には一方の転写マスクでの転写中に
他方の転写マスクの移動が完了していれば、実質的に移
動機構の移動にかかる時間を無くすことが可能になる。
【００５０】また転写マスクの転写開口の配列は、一方
の転写マスクによる露光が実施されている際に、他方の
転写マスクが移動できるように、転写開口群（例えば偏
向器の偏向範囲）毎に各転写マスクに割り振っておくと
良い。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、複数個の転写マスクを
設けても寸法設定誤差が発生しないので、高精度に多く
の転写開口を設けることができ、一括露光用の図形数を
飛躍的に増大させることが可能になる。
【００５２】また複数の転写マスクの転写開口の選択の
ための時間を低減することができるので、スループット
を向上させることが可能になる。
【００５３】またよりくり返しパターンの少ないロジッ
ク回路への部分一括露光適用も可能となる。また選択偏
向範囲が低減できる為、照射位置精度の安定化も可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を説明するための説明図。
【図２】本発明の一実施例を示す図。
【図３】本発明の他の実施例を示す図。
【図４】本発明の図３の転写マスクの形成例を示す図。
【図５】本発明の他の実施例を示す図。
【図６】本発明の図５の転写マスクの形成例を示す図。
【図７】本発明の他の実施例を示す図。
【図８】本発明の図７の転写マスクの形成例を示す図。
【図９】本発明の動作例を示すフローチャート。
【符号の説明】
１…電子源、２…制限絞り、３…転写偏向器、４…転写
レンズ、５…転写マスク、６…成形ビーム、７…縮小レ
ンズ、８…対物偏向器、９…対物レンズ、１０…シリコ
ンウエハ、１１…ステージ、１２…ステージ駆動系、１
３…第一転写マスク、１４…第二転写マスク、１５…転
写開口、１６…透過開口、１７…描画ストライプ、１８
…描画パターン、１９…第一転写偏向器、２０…第二転
写偏向器、２１…第一転写駆動系、２２…第二転写駆動
系、２３…レーザ測長器、２４…可変矩形開口、２５…
制限絞り像。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 義則 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 奥村 正秀 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 佐藤 秀寿 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】荷電粒子線を発生するための荷電粒子源
    と、該荷電粒子源からの荷電粒子線によって試料上に転
    写すべきパターンを発生する複数個の転写開口を有する
    転写マスクを備えた荷電粒子線描画装置であって、 前記転写マスクは複数個設けられると共に該転写マスク
    を移動するための移動機構を備え、前記複数個の転写マ
    スクのうち、少なくとも１の転写マスクの転写開口によ
    る転写が行われている際に、前記複数個の転写マスクの
    うち他の転写マスクの転写開口外を通って前記荷電粒子
    線が試料上に照射されるように前記移動機構、及び／又
    は前記荷電粒子線の光路の周囲に備えられた荷電粒子線
    偏光器を制御する制御部を備えたことを特徴とする荷電
    粒子線描画装置。
  2. 【請求項２】請求項１において、 前記転写マスクは一括転写露光用の転写開口を複数個備
    えたことを特徴とする荷電粒子線描画装置。
  3. 【請求項３】請求項１において、 前記転写マスクは、前記荷電粒子線を透過させるための
    透過口が形成されてなることを特徴とする荷電粒子線描
    画装置。
  4. 【請求項４】請求項１において、 前記転写マスクには、前記複数の転写開口が配列されて
    いることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
  5. 【請求項５】請求項４において、 前記配列された転写開口に沿って前記荷電粒子線を透過
    させるための透過口が形成されてなることを特徴とする
    荷電粒子線描画装置。
  6. 【請求項６】請求項１において、 前記制御部は、前記１以上の転写マスクの転写開口によ
    る転写が行われている際に、前記他の転写マスクを移動
    させるように前記移動機構を制御することを特徴とする
    荷電粒子線描画装置。
  7. 【請求項７】請求項１において、 前記制御部は、前記１以上の転写マスクの転写開口によ
    る転写が行われている際に、前記他の転写マスクの転写
    開口の中の次に転写を行うべき転写開口に、前記荷電粒
    子線の前記荷電粒子線偏光器による前記荷電粒子線の偏
    向範囲を合致させるように前記移動機構或いは前記荷電
    粒子偏光器を制御することを特徴とする荷電粒子描画装
    置。
  8. 【請求項８】請求項１において、 前記複数個設けられた転写マスクは、前記荷電粒子線の
    光軸に沿って設けられていることを特徴とする荷電粒子
    描画装置。
  9. 【請求項９】請求項１において、 前記複数個設けられた転写マスクは、前記荷電粒子線の
    光軸の同じ高さに設けられていることを特徴とする荷電
    粒子描画装置。
  10. 【請求項１０】請求項１において、 前記制御部は、前記転写マスクの位置を検出する検出器
    の出力に基づいて、前記転写マスクの位置誤差を算出
    し、該算出値に基づいて前記荷電粒子線偏光器に補正信
    号を供給することを特徴とする荷電粒子描画装置。
  11. 【請求項１１】請求項１において、 前記制御部は、前記１の転写マスクの転写開口による転
    写を行う第１の工程と、前記他の転写マスクの転写開口
    による転写を行う第２の工程を有し、少なくともこの２
    つの工程を繰り返すように制御することを特徴とする荷
    電粒子描画装置。
  12. 【請求項１２】荷電粒子線を発生させるための荷電粒子
    源と、該荷電粒子源からの荷電粒子線によって試料上に
    転写すべきパターンを発生する複数個の転写マスクを備
    えた荷電粒子線描画装置であって、 前記転写マスクは複数個設けられ、該複数個の転写マス
    クのうち、少なくとも１の転写マスクの転写開口による
    転写が行われている際には、前記複数個の転写マスクの
    転写開口外を通って前記荷電粒子線が前記試料に照射さ
    れることを特徴とする荷電粒子描画装置。
  13. 【請求項１３】荷電粒子線を発生させるための荷電粒子
    源と、該荷電粒子源からの荷電粒子線によって試料上に
    転写すべきパターンを発生する複数個の転写マスクを備
    えた荷電粒子線描画装置を用いた荷電粒子描画方法であ
    って、 前記転写マスクは複数個設けられ、該複数の転写マスク
    のうち、少なくとも１の転写マスクの転写開口による第
    一の描画工程と、前記複数の転写マスクのうち、他の転
    写マスクの転写開口による第二の描画工程を備え、少な
    くともこの２つの描画工程を繰り返すことで前記試料の
    描画処理を進行させることを特徴とする荷電粒子描画方
    法。
  14. 【請求項１４】荷電粒子線描画装置内に配置し、荷電粒
    子線の照射によって試料に照射すべきパターンを発生す
    る荷電粒子線描画装置の転写マスクにおいて、 前記試料に転写するための転写開口を複数備えると共
    に、該複数の転写開口の配列に沿って前記荷電粒子線を
    透過させるための透過口が形成されてなることを特徴と
    する荷電粒子描画用の転写マスク。
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