JP2000089448A - 露光用パターン表示・検査・修正方法 - Google Patents
露光用パターン表示・検査・修正方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】補正前又は補正後の露光用データを効果的に検
査修正してＬＳＩ開発期間を短縮する。 【解決手段】ステップＳ１２で選択されたメニュー項目
（押されたコマンドボタン）に応じて、ウェーハ露光用
パターンに関してはステップＳ１３及びＳ１４へ進み、
ステップＳ１５での表示、ステップＳ１６での検査また
はステップＳ１７での修正が行われ、ステンシルマスク
上のブロックパターンに関してはステップＳ１３及びＳ
２４へ進み、ステップＳ２５での表示、ステップＳ２６
での検査またステップＳ２７での修正が行われる。ステ
ップＳ１６で露光シミュレーションを行い、ステップＳ
１５でその結果を表示させ、ステップＳ１７でこの結果
に基づいてウェーハ露光用パターンデータを修正する。
ステンシルマスク上のブロックパターンを修正した場合
には、ウェーハ露光用パターンデータ中に展開されたブ
ロックパターンも一括修正される。
査修正してＬＳＩ開発期間を短縮する。 【解決手段】ステップＳ１２で選択されたメニュー項目
（押されたコマンドボタン）に応じて、ウェーハ露光用
パターンに関してはステップＳ１３及びＳ１４へ進み、
ステップＳ１５での表示、ステップＳ１６での検査また
はステップＳ１７での修正が行われ、ステンシルマスク
上のブロックパターンに関してはステップＳ１３及びＳ
２４へ進み、ステップＳ２５での表示、ステップＳ２６
での検査またステップＳ２７での修正が行われる。ステ
ップＳ１６で露光シミュレーションを行い、ステップＳ
１５でその結果を表示させ、ステップＳ１７でこの結果
に基づいてウェーハ露光用パターンデータを修正する。
ステンシルマスク上のブロックパターンを修正した場合
には、ウェーハ露光用パターンデータ中に展開されたブ
ロックパターンも一括修正される。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム露
光用パターンデータの検査、表示及び修正を行う露光用
パターン表示・検査・修正方法に関する。
光用パターンデータの検査、表示及び修正を行う露光用
パターン表示・検査・修正方法に関する。
【従来の技術】レジストが被着されたウェーハやマスク
などの露光対象物に荷電粒子ビーム、例えば電子ビーム
を照射して高精度の描画パターンを得るために、露光用
データが補正処理される。大規模なメモリやロジックＬ
ＳＩでは、露光用データに対する近接効果補正の計算時
間が非常に長くなるので、近似計算が行われている。許
容誤差範囲内の描画パターンを得るために、従来では、
露光前に露光シミュレーションを行い、露光後に描画パ
ターンを評価し、その結果に基づいて露光シミュレーシ
ョン条件を変えたりポリゴンのＣＡＤパターンデータを
修正している。このような処理が繰り返されるので、Ｌ
ＳＩ開発期間が長くなる。したがって、補正前又は補正
後の露光用データを短期間で検査・修正し、この繰り返
しを不要にし又は低減することが要求されている。より
具体的には、従来では次のような問題があった。 （１）チップ全体の露光シミュレーションを行なう場
合、チップ領域全面に計算グリッド（露光強度の計算
点）を発生させ、パターンデータを読みながら同時に結
果を画面に表示していたため、莫大な処理時間と莫大な
メモリなどの資源が必要であり、納期までに全パターン
を検証することは不可能に近かった。また、チップ上の
指定領域について露光シミュレーションを行う場合、図
５２に示すように、その領域内のパターンの辺に沿った
エッジ領域に計算グリッドを発生させていたので、処理
に数時間を要する場合があった。 （２）パターン面積密度表示機能がなかったので、補正
が必要な箇所を容易迅速に見つけ出すことができなかっ
た。 （３）上記指定領域の露光シミュレーションの結果を、
図５３に示すような露光イメージでのみ表示していた。
この露光イメージは、上記計算グリッド領域の露光強度
を例えば２０色で色分け表示したものである。計算時間
が膨大になるので指定領域のみしか露光イメージを表示
させることができず、このため、チップ領域全体が良好
であるかどうかの判断は、露光結果を評価するしかなか
った。また、パターン幅の予測値やその誤差を知るに
は、操作者がパターン幅の両端位置を検出し計算しなけ
ればならず、特に画面上の一端側から他端側にわたる比
較的大きなパターンの幅を測定するのが容易でなかっ
た。 （４）ステンシルマスクを用いる場合、従来ではチップ
上でのブロックパターン配置を次のようにして認識して
いた。すなわち、ステンシルマスク上のブロックパター
ンデータが展開された図５４に示すようなウェーハ露光
パターンを画面に表示させ、画面上位置をマウスで指定
すると、指定点にブロックパターンが存在すれば、図５
５に示すように、そのブロックパターンのみが異色表示
されていた。また、ブロックパターンデータが展開され
ているので、図５６に示すような、指定されたブロック
パターンのみの情報を表示させていた。図５６中、Ｘ、
Ｙは始点座標であり、ＰＤＣはステンシルマスク上のブ
ロックパターンを識別するためのコードである。このた
め、チップ上でブロックパターンがどのように配置され
ているかを容易迅速に把握することができなかった。ま
た、チップ上のブロックパターンをステンシルマスク上
のブロックパターンと対応させて表示させるには、他の
グラフィック表示装置でステンシルマスクを表示させな
ければならず、両者の対応を容易迅速に調べることがで
きなかった。 （５）従来では、ステンシルマスク上のブロックパター
ンデータのみに対する露光前検査を行う装置がなかっ
た。例えば、ブロックパターンは１ショットで露光され
るので、１ショットの電流量が多いとクーロン効果が無
視できなくなる。しかし、従来では、ブロックパターン
を含むウェーハ露光データを全て展開し、クーロン効果
を無視して露光シミュレーションを行なっていた。この
ため、露光シミュレーション精度が低くなり、上記繰り
返し処理が生ずる原因となっていた。また、従来では、
ブロックパターンの打抜き、ブロックパターン内近接効
果及びブロックパターン内クーロン効果を露光前に検査
することができず、露光結果の評価でこれらを検査する
しか他に手段がなかった。 （６）ステンシルマスク上の中心に近いほどブロックパ
ターンの描画精度が高くなるので、要求される描画精度
に応じてブロックパターンのレイアウトを変更（移動）
する必要がある。また、ステンシルマスクを用いれば微
細パターン群を１ショットで露光することができるの
で、スループットが高くなる。しかし、ステンシルマス
クを１バッチに１枚しか利用することができないので、
描画精度とスループットの両方を考慮して、ステンシル
マスク上のブロックパターンを可変成形パターン群に戻
したり、逆に、可変成形パターン群をブロックパターン
に変更したりする必要性が生ずる。この場合、従来で
は、計算機に与えるブロックパターン抽出基準を変更し
て再度、ポリゴンのＣＡＤパターンに対しブロック抽出
処理を計算機で行っていたので、熟練設計者の細かな判
断で上記変更を行うことが容易にできなかった。 （７）露光シミュレーションで用いる計算式を、露光結
果の評価に基づいて、上記繰り返し処理毎にしか変更す
ることができなかったので、この繰り返し処理が生ずる
原因となっていた。
などの露光対象物に荷電粒子ビーム、例えば電子ビーム
を照射して高精度の描画パターンを得るために、露光用
データが補正処理される。大規模なメモリやロジックＬ
ＳＩでは、露光用データに対する近接効果補正の計算時
間が非常に長くなるので、近似計算が行われている。許
容誤差範囲内の描画パターンを得るために、従来では、
露光前に露光シミュレーションを行い、露光後に描画パ
ターンを評価し、その結果に基づいて露光シミュレーシ
ョン条件を変えたりポリゴンのＣＡＤパターンデータを
修正している。このような処理が繰り返されるので、Ｌ
ＳＩ開発期間が長くなる。したがって、補正前又は補正
後の露光用データを短期間で検査・修正し、この繰り返
しを不要にし又は低減することが要求されている。より
具体的には、従来では次のような問題があった。 （１）チップ全体の露光シミュレーションを行なう場
合、チップ領域全面に計算グリッド（露光強度の計算
点）を発生させ、パターンデータを読みながら同時に結
果を画面に表示していたため、莫大な処理時間と莫大な
メモリなどの資源が必要であり、納期までに全パターン
を検証することは不可能に近かった。また、チップ上の
指定領域について露光シミュレーションを行う場合、図
５２に示すように、その領域内のパターンの辺に沿った
エッジ領域に計算グリッドを発生させていたので、処理
に数時間を要する場合があった。 （２）パターン面積密度表示機能がなかったので、補正
が必要な箇所を容易迅速に見つけ出すことができなかっ
た。 （３）上記指定領域の露光シミュレーションの結果を、
図５３に示すような露光イメージでのみ表示していた。
この露光イメージは、上記計算グリッド領域の露光強度
を例えば２０色で色分け表示したものである。計算時間
が膨大になるので指定領域のみしか露光イメージを表示
させることができず、このため、チップ領域全体が良好
であるかどうかの判断は、露光結果を評価するしかなか
った。また、パターン幅の予測値やその誤差を知るに
は、操作者がパターン幅の両端位置を検出し計算しなけ
ればならず、特に画面上の一端側から他端側にわたる比
較的大きなパターンの幅を測定するのが容易でなかっ
た。 （４）ステンシルマスクを用いる場合、従来ではチップ
上でのブロックパターン配置を次のようにして認識して
いた。すなわち、ステンシルマスク上のブロックパター
ンデータが展開された図５４に示すようなウェーハ露光
パターンを画面に表示させ、画面上位置をマウスで指定
すると、指定点にブロックパターンが存在すれば、図５
５に示すように、そのブロックパターンのみが異色表示
されていた。また、ブロックパターンデータが展開され
ているので、図５６に示すような、指定されたブロック
パターンのみの情報を表示させていた。図５６中、Ｘ、
Ｙは始点座標であり、ＰＤＣはステンシルマスク上のブ
ロックパターンを識別するためのコードである。このた
め、チップ上でブロックパターンがどのように配置され
ているかを容易迅速に把握することができなかった。ま
た、チップ上のブロックパターンをステンシルマスク上
のブロックパターンと対応させて表示させるには、他の
グラフィック表示装置でステンシルマスクを表示させな
ければならず、両者の対応を容易迅速に調べることがで
きなかった。 （５）従来では、ステンシルマスク上のブロックパター
ンデータのみに対する露光前検査を行う装置がなかっ
た。例えば、ブロックパターンは１ショットで露光され
るので、１ショットの電流量が多いとクーロン効果が無
視できなくなる。しかし、従来では、ブロックパターン
を含むウェーハ露光データを全て展開し、クーロン効果
を無視して露光シミュレーションを行なっていた。この
ため、露光シミュレーション精度が低くなり、上記繰り
返し処理が生ずる原因となっていた。また、従来では、
ブロックパターンの打抜き、ブロックパターン内近接効
果及びブロックパターン内クーロン効果を露光前に検査
することができず、露光結果の評価でこれらを検査する
しか他に手段がなかった。 （６）ステンシルマスク上の中心に近いほどブロックパ
ターンの描画精度が高くなるので、要求される描画精度
に応じてブロックパターンのレイアウトを変更（移動）
する必要がある。また、ステンシルマスクを用いれば微
細パターン群を１ショットで露光することができるの
で、スループットが高くなる。しかし、ステンシルマス
クを１バッチに１枚しか利用することができないので、
描画精度とスループットの両方を考慮して、ステンシル
マスク上のブロックパターンを可変成形パターン群に戻
したり、逆に、可変成形パターン群をブロックパターン
に変更したりする必要性が生ずる。この場合、従来で
は、計算機に与えるブロックパターン抽出基準を変更し
て再度、ポリゴンのＣＡＤパターンに対しブロック抽出
処理を計算機で行っていたので、熟練設計者の細かな判
断で上記変更を行うことが容易にできなかった。 （７）露光シミュレーションで用いる計算式を、露光結
果の評価に基づいて、上記繰り返し処理毎にしか変更す
ることができなかったので、この繰り返し処理が生ずる
原因となっていた。
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、補正前又は補正後の露光用データを効果
的に検査修正してＬＳＩ開発期間を短縮することが可能
な露光用パターン表示・検査・修正方法を提供すること
にある。本発明の他の目的は、以下の説明で明らかにな
る。
問題点に鑑み、補正前又は補正後の露光用データを効果
的に検査修正してＬＳＩ開発期間を短縮することが可能
な露光用パターン表示・検査・修正方法を提供すること
にある。本発明の他の目的は、以下の説明で明らかにな
る。
【課題を解決するための手段及びその作用効果】請求項
１では、例えば図５、図１４及び図１５に示す如く、ポ
リゴンパターンが基本パターンに分解された対象物露光
用パターンデータについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、実質的に該パターンを露光対象物上への縮小投
影パターンと対応させ、対応した投影パターンにつき、
該検査として、パターンの辺が他のパターンの辺と接触
していない第１非接触部分の端点である非接触端点の間
に第１計算候補点を生成し、この第１非接触部分と対向
する辺の第２非接触部分に、該第１計算候補点に対応し
た第２計算候補点を生成し、該第１計算候補点と該第２
計算候補点とを通る直線上かつ該第１及び第２非接触部
分を横切る部分の各々に複数の計算点を生成し、該計算
点での露光強度を計算し、計算結果に基づいて、該直線
上の描画パターン幅予測値を求め、該予測値の目標値に
対する誤差を該検査結果として算出する。この露光用パ
ターン表示・検査・修正方法によれば、対象物上描画パ
ターンについて短時間で充分な推定誤差情報を得ること
が可能となる。また、この短時間故に、例えばチップ領
域全体について、露光シミュレーションを行うことも可
能となり、ＬＳＩ開発期間短縮化に寄与するところが大
きい。請求項２の露光用パターン表示・検査・修正方法
では、請求項１において、上記第２非接触部分を上記第
１非接触部分に投影したときの論理積部分の中点に一致
するように上記第１計算候補点を生成し、該第１非接触
部分を該第２非接触部分に投影したときの論理積部分の
中点に一致するように上記第２計算候補点を生成する。
請求項３の露光用パターン表示・検査・修正方法では、
請求項２において、上記対応した投影パターンの各々に
つき、各辺の中点に計算候補点を生成し、辺どうしの接
触部に存在する該計算候補点を削除し、残っている該計
算候補点若しくはこれをその辺上で移動させたもの又は
新たな計算候補点を上記第１又は第２計算候補点とす
る。請求項４の露光用パターン表示・検査・修正方法で
は、請求項１において例えば図１７に示す如く、隣り合
う同一矩形パターンが互いに接触し一方向へ階段状に所
定値シフトしたパターン群については、階段状部分を直
線とみなしたときの対向する辺の中間点を通る直線と該
階段状部分との交点に計算候補点を生成し、該直線上か
つ該交点を横切る部分に複数の計算点を生成し、該階段
状部分を除いた対向する辺の中間点を通る直線とこの辺
との交点に計算候補点を生成し、該直線上かつ該交点を
横切る部分に複数の計算点を生成する。この露光用パタ
ーン表示・検査・修正方法によれば、不必要にグリッド
候補点が多くなるのを避けることができ、処理速度が速
くなる。請求項５では、ポリゴンパターンが基本パター
ンに分解された対象物露光用パターンデータについて、
パターンを検査し、検査結果を表示し、表示された検査
結果に基づいてパターンデータを修正する露光用パター
ン表示・検査・修正方法であって、実質的に該パターン
を露光対象物上への縮小投影パターンと対応させ、対応
した投影パターンについて検査を行い、該検査は、パタ
ーンを横切る線上の横切る部分での露光強度分布を算出
する露光シミュレーションであり、該検査で、該線上の
描画パターン幅の予測値の目標値に対する誤差を求め、
該検査結果として、例えば図２０（Ａ）に示す如く、該
誤差のヒストグラムを画面に表示させる。この露光用パ
ターン表示・検査・修正方法によれば、対象物露光用パ
ターンが良好であるかどうかの概略を容易迅速に知るこ
とができる。請求項６では、ポリゴンパターンが基本パ
ターンに分解された対象物露光用パターンデータについ
て、パターンを検査し、検査結果を表示し、表示された
検査結果に基づいてパターンデータを修正する露光用パ
ターン表示・検査・修正方法であって、実質的に該パタ
ーンを露光対象物上への縮小投影パターンと対応させ、
対応した投影パターンについて検査を行い、該検査は、
パターンを横切る線上の横切る部分での露光強度分布を
算出する露光シミュレーションであり、該検査で、該線
上の描画パターン幅の予測値の目標値に対する誤差を求
め、該検査結果として、例えば図２１（Ａ）に示す如
く、該描画パターン幅毎の誤差範囲を示すグラフを画面
に表示させる。この露光用パターン表示・検査・修正方
法によれば、描画パターン幅毎に、対象物露光用パター
ンが良好であるかどうかの概略を容易迅速に知ることが
できる。請求項７の露光用パターン表示・検査・修正方
法では、請求項５又は６において例えば図２０（Ｂ）に
示す如く、上記誤差が許容範囲外の、パターンの位置、
幅及び寸法精度を含むエラーパターンリストを画面に表
示させる。この露光用パターン表示・検査・修正方法に
よれば、エラーパターンの詳細を容易迅速に知ることが
できる。請求項８では、請求項７において、上記エラー
パターンリスト中のパターン選択に応答して、選択され
た該パターンを含む所定領域のパターンエッジ付近につ
いて露光シミュレーションを行い、露光強度分布を色分
け表示した露光イメージを画面に表示させる。この露光
用パターン表示・検査・修正方法によれば、高いパター
ン精度が要求されるエラーパターンのみについてその詳
細を知ることができる。請求項９の露光用パターン表示
・検査・修正方法では、請求項５又は６において、上記
横切る部分は、請求項１記載の横切る部分である。請求
項１０の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請
求項５又は６において、上記横切る部分は、請求項１記
載の横切る部分である。請求項１１では、ポリゴンパタ
ーンが基本パターンに分解された対象物露光用パターン
データについて、パターンを検査し、検査結果を表示
し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを修
正する露光用パターン表示・検査・修正方法であって、
実質的に該パターンを露光対象物上への縮小投影パター
ンと対応させ、対応した投影パターンについて検査を行
い、例えば図３０〜図３２に示す如く、該検査は、画面
に表示されたパターンに対し操作者が設定した線の上の
パターンエッジ部分での露光強度分布を算出する露光シ
ミュレーションであり、該検査で、該線上の描画パター
ン幅の予測値の目標値に対する誤差を求め、該検査結果
として、パターンが表示された画面上で該パターンに対
応して該予測値と該目標値又は該誤差とを表示させる。
請求項１によれば、露光対象物全体又は指定領域につい
て、少ない計算量で効果的に描画精度概略を知ることが
できる。しかし、精度が要求される特定箇所の描画パタ
ーン幅が測定されるとは限らない。また、特定箇所の描
画パターン幅のみ知れば充分である場合もある。このよ
うな場合に、この請求項１１の露光用パターン表示・検
査・修正方法は効果的である。請求項１２の露光用パタ
ーン表示・検査・修正方法では、請求項１１において、
操作者が上記画面で領域を指定し、上記線の上のパター
ンエッジ部分は、指定された該領域内に限定され、上記
露光強度分布を、該領域内及び該領域の外側所定範囲内
のパターンからの露光を考慮して算出する。請求項１３
の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請求項１
１又は１２において、上記誤差が許容範囲外である場合
にはこれを画面上で示す。請求項１４では、ポリゴンパ
ターンが基本パターンに分解された対象物露光用パター
ンデータについて、パターンを検査し、検査結果を表示
し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを修
正する露光用パターン表示・検査・修正方法であって、
例えば図３６に示す如く、該検査として、パターンが表
示されている画面上を単位領域で分割し各単位領域での
パターン面積密度を画面上に表示する。近接効果補正
は、計算時間を短縮して効率よく行うために、パターン
面積密度が平均値付近の所定値に近づくほど正確になる
ように、近似的に行われる。このため、パターン面積密
度が該所定値から大きく離れている部分のパターンを修
正する必要が高くなる。パターン面積密度が所定値より
大きい場合には露光量を減少させ、パターン面積密度が
所定値より小さい場合には、補助露光パターンを発生さ
せることにより近接効果補正を修正する。パターン面積
密度は、このような修正を行う箇所を見つけ出すための
情報として重要である。請求項１５の露光用パターン表
示・検査・修正方法では、請求項１４において、上記パ
ターン面積密度を％で数値表示する。請求項１６の露光
用パターン表示・検査・修正方法では、請求項１４又は
１５において、操作者が指定した画面上の点を中心とし
て所定範囲内で上記パターン面積密度の分布を表示す
る。請求項１７では、請求項１４乃至１６のいずれか１
つにおいて、操作者の選択に応じて、上記パターン面積
密度の分布をパターンと重ね合わせて表示し又は該分布
のみを表示する。この重ね合わせにより、パターンとパ
ターン面積密度の関係を容易に把握することができる。
請求項１８では、請求項５乃至１７のいずれか１つにお
いて、操作者の選択に応じて、パターンデータ毎に持っ
ている露光量を変更し、パターンをシフトさせ、論理和
パターンの形状を同一にしてパターン分割の仕方を変更
し、しきい値以下の露光量をもつ補助露光パターンを生
成して被修正パターンに重ね合わせ、又はしきい値以上
の露光量をもつ追加パターンを生成して被修正パターン
に重ね合わせることにより、上記パターン修正を行う。
請求項１９では、ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、操作者が画面上で該ステンシルマスク上のブロ
ックパターンを選択したことに応答して、対象物露光用
パターン中に存在する、選択されたブロックパターンを
その他のパターンと異なる表示方法で表示させる。この
露光用パターン表示・検査・修正方法によれば、ブロッ
クパターンが対象物露光パターン中のどの位置に配置さ
れているかを容易迅速に視認することができる。請求項
２０では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解され
た対象物露光用パターンデータ及び基本パターン群がブ
ロック化されてステンシルマスク上に配置されたブロッ
クパターンについて、パターンを検査し、検査結果を表
示し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを
修正する露光用パターン表示・検査・修正方法であっ
て、該検査として該ステンシルマスク上のブロックパタ
ーンに打抜きパターンが存在するかどうかを調べ、該検
査では、例えば図３９〜図４１に示す如く、辺が互いに
接触しているパターンの論理和パターンを作成し、該論
理和パターンの複数辺が他の１つのパターンの辺に接触
している場合に打抜きパターンが存在すると判定する。
この露光用パターン表示・検査・修正方法によれば、露
光前に、ブロックパターン内に打抜きパターンがあるか
どうかを、比較的簡単な処理で知ることができる。請求
項２１では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解さ
れた対象物露光用パターンデータ及び基本パターン群が
ブロック化されてステンシルマスク上に配置されたブロ
ックパターンについて、パターンを検査し、検査結果を
表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデータ
を修正する露光用パターン表示・検査・修正方法であっ
て、操作者に設定値又は設定範囲を入力させ（図４
２）、該検査として、該ステンシルマスク上又は対象物
露光用パターン中に、該設定値以下又は該設定範囲の幅
を有するパターンを検出し、検出したパターンをその他
のパターンと異なる表示方法で表示させる。この露光用
パターン表示・検査・修正方法によれば、パターン分割
変更すべき部分を容易に見つけることが可能となる。請
求項２２では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解
された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン群
がブロック化されてステンシルマスク上に配置されたブ
ロックパターンについて、パターンを検査し、検査結果
を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデー
タを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法であ
って、該検査として露光シミュレーションを行い描画パ
ターン幅予測値及びその誤差を算出し、例えば図４３
（Ａ）に示す如く、該検査の前に、該露光シミュレーシ
ョンで用いる計算式を操作者に選択させる。請求項２３
の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請求項２
２において、上記検査の前に、上記計算式に用いられて
いるパラメータの値を操作者に設定させる。請求項２４
では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解された対
象物露光用パターンデータ及び基本パターン群がブロッ
ク化されてステンシルマスク上に配置されたブロックパ
ターンについて、パターンを検査し、検査結果を表示
し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを修
正する露光用パターン表示・検査・修正方法であって、
例えば図４４において、操作者に、該ステンシルマスク
上の１つのブロックパターンを選択させ、操作者に、選
択されたブロックパターンを構成している基本パターン
を１つ選択させ、操作者に、選択された基本パターンに
対する修正データを入力させる。この露光用パターン表
示・検査・修正方法によれば、ブロックパターン全体の
より好ましい露光量を決定することが可能となる。請求
項２５の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請
求項２４において例えば図４４（Ｂ）に示す如く、上記
修正は露光量である、請求項２６の露光用パターン表示
・検査・修正方法では、請求項２４において、上記修正
はパターンシフトであり、例えば図４５（Ｂ）に示す如
く、上記修正データは指定辺又は全辺のシフト量を含
む。請求項２７の露光用パターン表示・検査・修正方法
では、請求項２４において、上記修正は、上記選択され
た基本パターンに重ね合わされる追加パターンの生成で
あり、例えば図４６に示す如く、上記修正データは、該
追加パターンのサイズ及び露光量を含む。請求項２８の
露光用パターン表示・検査・修正方法では、請求項２４
において、上記修正は、上記ブロックパターンを基本パ
ターンに分割する仕方の変更であり、上記修正データ
は、例えば図４７（Ｂ）に示す如く、該基本パターンの
サイズを含む。請求項２９では、ポリゴンパターンが基
本パターンに分解された対象物露光用パターンデータ及
び基本パターン群がブロック化されてステンシルマスク
上に配置されたブロックパターンについて、パターンを
検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に基づ
いてパターンデータを修正する露光用パターン表示・検
査・修正方法であって、例えば図４８に示す如く、操作
者に設定値を入力させ、該検査として、該ステンシルマ
スク上に、透過孔面積が該設定値以上のブロックパター
ンを検出し、検出したブロックパターンをその他のブロ
ックパターンと異なる表示方法で表示させる。この露光
用パターン表示・検査・修正方法によれば、クーロン効
果や近接効果に対し補正すべき箇所を容易見つけること
ができる。請求項３０では、請求項１８又は２４におい
て、ポリゴンパターンが基本パターンに分解された対象
物露光用パターンデータ及び基本パターン群がブロック
化されてステンシルマスク上に配置されたブロックパタ
ーンについて、パターンを検査し、検査結果を表示し、
表示された検査結果に基づいてパターンデータを修正す
る露光用パターン表示・検査・修正方法であって、パタ
ーン修正処理終了時に、修正されたパターンが繰り返し
配置情報を持っている場合、操作者に、修正されたパタ
ーンを除くこの繰り返し配置パターンについても同一の
修正を行うかどうかを質問し、これに応答した処理を行
う。この露光用パターン表示・検査・修正方法によれ
ば、一括修正が効率よく行われる。請求項３１では、ポ
リゴンパターンが基本パターンに分解された対象物露光
用パターンデータ及び基本パターン群がブロック化され
てステンシルマスク上に配置されたブロックパターンに
ついて、パターンを検査し、検査結果を表示し、表示さ
れた検査結果に基づいてパターンデータを修正する露光
用パターン表示・検査・修正方法であって、操作者の操
作に応じ、ステンシルマスク上のブロックパターン間を
互いに入れ替え、これに対応して、対象物露光用パター
ン中のブロックパターンデータが持っているブロック配
置座標も入れ替える（図５０（Ａ）及び（Ｂ））。この
露光用パターン表示・検査・修正方法によれば、熟練設
計者が描画精度とスループットの両方を考慮してブロッ
クパターンのレイアウトを容易に変更することができ
る。請求項３２では、ポリゴンパターンが基本パターン
に分解された対象物露光用パターンデータ及び基本パタ
ーン群がブロック化されてステンシルマスク上に配置さ
れたブロックパターンについて、パターンを検査し、検
査結果を表示し、表示された検査結果に基づいてパター
ンデータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方
法であって、操作者の操作に応じ、ステンシルマスク上
のブロックパターンを削除して、これに対応した対象物
露光用パターン中のブロックパターンを可変成形パター
ン群と置き換える（図５０（Ａ））。この露光用パター
ン表示・検査・修正方法によれば、熟練設計者が描画精
度とスループットの両方を考慮してステンシルマスク上
に他のブロックパターンを配置するためのスペースを確
保することが容易にできる。請求項３３では、ポリゴン
パターンが基本パターンに分解された対象物露光用パタ
ーンデータ及び基本パターン群がブロック化されてステ
ンシルマスク上に配置されたブロックパターンについ
て、パターンを検査し、検査結果を表示し、表示された
検査結果に基づいてパターンデータを修正する露光用パ
ターン表示・検査・修正方法であって、操作者の操作に
応じ、対象物露光用パターン中の可変成形パターン群を
ブロック化してそのブロックパターンをステンシルマス
ク上に追加する（図５１（Ａ）及び（Ｂ））。この露光
用パターン表示・検査・修正方法によれば、熟練設計者
が描画精度とスループットの両方を考慮してステンシル
マスク上に新たなブロックパターンを追加配置すること
が容易にできる。
１では、例えば図５、図１４及び図１５に示す如く、ポ
リゴンパターンが基本パターンに分解された対象物露光
用パターンデータについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、実質的に該パターンを露光対象物上への縮小投
影パターンと対応させ、対応した投影パターンにつき、
該検査として、パターンの辺が他のパターンの辺と接触
していない第１非接触部分の端点である非接触端点の間
に第１計算候補点を生成し、この第１非接触部分と対向
する辺の第２非接触部分に、該第１計算候補点に対応し
た第２計算候補点を生成し、該第１計算候補点と該第２
計算候補点とを通る直線上かつ該第１及び第２非接触部
分を横切る部分の各々に複数の計算点を生成し、該計算
点での露光強度を計算し、計算結果に基づいて、該直線
上の描画パターン幅予測値を求め、該予測値の目標値に
対する誤差を該検査結果として算出する。この露光用パ
ターン表示・検査・修正方法によれば、対象物上描画パ
ターンについて短時間で充分な推定誤差情報を得ること
が可能となる。また、この短時間故に、例えばチップ領
域全体について、露光シミュレーションを行うことも可
能となり、ＬＳＩ開発期間短縮化に寄与するところが大
きい。請求項２の露光用パターン表示・検査・修正方法
では、請求項１において、上記第２非接触部分を上記第
１非接触部分に投影したときの論理積部分の中点に一致
するように上記第１計算候補点を生成し、該第１非接触
部分を該第２非接触部分に投影したときの論理積部分の
中点に一致するように上記第２計算候補点を生成する。
請求項３の露光用パターン表示・検査・修正方法では、
請求項２において、上記対応した投影パターンの各々に
つき、各辺の中点に計算候補点を生成し、辺どうしの接
触部に存在する該計算候補点を削除し、残っている該計
算候補点若しくはこれをその辺上で移動させたもの又は
新たな計算候補点を上記第１又は第２計算候補点とす
る。請求項４の露光用パターン表示・検査・修正方法で
は、請求項１において例えば図１７に示す如く、隣り合
う同一矩形パターンが互いに接触し一方向へ階段状に所
定値シフトしたパターン群については、階段状部分を直
線とみなしたときの対向する辺の中間点を通る直線と該
階段状部分との交点に計算候補点を生成し、該直線上か
つ該交点を横切る部分に複数の計算点を生成し、該階段
状部分を除いた対向する辺の中間点を通る直線とこの辺
との交点に計算候補点を生成し、該直線上かつ該交点を
横切る部分に複数の計算点を生成する。この露光用パタ
ーン表示・検査・修正方法によれば、不必要にグリッド
候補点が多くなるのを避けることができ、処理速度が速
くなる。請求項５では、ポリゴンパターンが基本パター
ンに分解された対象物露光用パターンデータについて、
パターンを検査し、検査結果を表示し、表示された検査
結果に基づいてパターンデータを修正する露光用パター
ン表示・検査・修正方法であって、実質的に該パターン
を露光対象物上への縮小投影パターンと対応させ、対応
した投影パターンについて検査を行い、該検査は、パタ
ーンを横切る線上の横切る部分での露光強度分布を算出
する露光シミュレーションであり、該検査で、該線上の
描画パターン幅の予測値の目標値に対する誤差を求め、
該検査結果として、例えば図２０（Ａ）に示す如く、該
誤差のヒストグラムを画面に表示させる。この露光用パ
ターン表示・検査・修正方法によれば、対象物露光用パ
ターンが良好であるかどうかの概略を容易迅速に知るこ
とができる。請求項６では、ポリゴンパターンが基本パ
ターンに分解された対象物露光用パターンデータについ
て、パターンを検査し、検査結果を表示し、表示された
検査結果に基づいてパターンデータを修正する露光用パ
ターン表示・検査・修正方法であって、実質的に該パタ
ーンを露光対象物上への縮小投影パターンと対応させ、
対応した投影パターンについて検査を行い、該検査は、
パターンを横切る線上の横切る部分での露光強度分布を
算出する露光シミュレーションであり、該検査で、該線
上の描画パターン幅の予測値の目標値に対する誤差を求
め、該検査結果として、例えば図２１（Ａ）に示す如
く、該描画パターン幅毎の誤差範囲を示すグラフを画面
に表示させる。この露光用パターン表示・検査・修正方
法によれば、描画パターン幅毎に、対象物露光用パター
ンが良好であるかどうかの概略を容易迅速に知ることが
できる。請求項７の露光用パターン表示・検査・修正方
法では、請求項５又は６において例えば図２０（Ｂ）に
示す如く、上記誤差が許容範囲外の、パターンの位置、
幅及び寸法精度を含むエラーパターンリストを画面に表
示させる。この露光用パターン表示・検査・修正方法に
よれば、エラーパターンの詳細を容易迅速に知ることが
できる。請求項８では、請求項７において、上記エラー
パターンリスト中のパターン選択に応答して、選択され
た該パターンを含む所定領域のパターンエッジ付近につ
いて露光シミュレーションを行い、露光強度分布を色分
け表示した露光イメージを画面に表示させる。この露光
用パターン表示・検査・修正方法によれば、高いパター
ン精度が要求されるエラーパターンのみについてその詳
細を知ることができる。請求項９の露光用パターン表示
・検査・修正方法では、請求項５又は６において、上記
横切る部分は、請求項１記載の横切る部分である。請求
項１０の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請
求項５又は６において、上記横切る部分は、請求項１記
載の横切る部分である。請求項１１では、ポリゴンパタ
ーンが基本パターンに分解された対象物露光用パターン
データについて、パターンを検査し、検査結果を表示
し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを修
正する露光用パターン表示・検査・修正方法であって、
実質的に該パターンを露光対象物上への縮小投影パター
ンと対応させ、対応した投影パターンについて検査を行
い、例えば図３０〜図３２に示す如く、該検査は、画面
に表示されたパターンに対し操作者が設定した線の上の
パターンエッジ部分での露光強度分布を算出する露光シ
ミュレーションであり、該検査で、該線上の描画パター
ン幅の予測値の目標値に対する誤差を求め、該検査結果
として、パターンが表示された画面上で該パターンに対
応して該予測値と該目標値又は該誤差とを表示させる。
請求項１によれば、露光対象物全体又は指定領域につい
て、少ない計算量で効果的に描画精度概略を知ることが
できる。しかし、精度が要求される特定箇所の描画パタ
ーン幅が測定されるとは限らない。また、特定箇所の描
画パターン幅のみ知れば充分である場合もある。このよ
うな場合に、この請求項１１の露光用パターン表示・検
査・修正方法は効果的である。請求項１２の露光用パタ
ーン表示・検査・修正方法では、請求項１１において、
操作者が上記画面で領域を指定し、上記線の上のパター
ンエッジ部分は、指定された該領域内に限定され、上記
露光強度分布を、該領域内及び該領域の外側所定範囲内
のパターンからの露光を考慮して算出する。請求項１３
の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請求項１
１又は１２において、上記誤差が許容範囲外である場合
にはこれを画面上で示す。請求項１４では、ポリゴンパ
ターンが基本パターンに分解された対象物露光用パター
ンデータについて、パターンを検査し、検査結果を表示
し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを修
正する露光用パターン表示・検査・修正方法であって、
例えば図３６に示す如く、該検査として、パターンが表
示されている画面上を単位領域で分割し各単位領域での
パターン面積密度を画面上に表示する。近接効果補正
は、計算時間を短縮して効率よく行うために、パターン
面積密度が平均値付近の所定値に近づくほど正確になる
ように、近似的に行われる。このため、パターン面積密
度が該所定値から大きく離れている部分のパターンを修
正する必要が高くなる。パターン面積密度が所定値より
大きい場合には露光量を減少させ、パターン面積密度が
所定値より小さい場合には、補助露光パターンを発生さ
せることにより近接効果補正を修正する。パターン面積
密度は、このような修正を行う箇所を見つけ出すための
情報として重要である。請求項１５の露光用パターン表
示・検査・修正方法では、請求項１４において、上記パ
ターン面積密度を％で数値表示する。請求項１６の露光
用パターン表示・検査・修正方法では、請求項１４又は
１５において、操作者が指定した画面上の点を中心とし
て所定範囲内で上記パターン面積密度の分布を表示す
る。請求項１７では、請求項１４乃至１６のいずれか１
つにおいて、操作者の選択に応じて、上記パターン面積
密度の分布をパターンと重ね合わせて表示し又は該分布
のみを表示する。この重ね合わせにより、パターンとパ
ターン面積密度の関係を容易に把握することができる。
請求項１８では、請求項５乃至１７のいずれか１つにお
いて、操作者の選択に応じて、パターンデータ毎に持っ
ている露光量を変更し、パターンをシフトさせ、論理和
パターンの形状を同一にしてパターン分割の仕方を変更
し、しきい値以下の露光量をもつ補助露光パターンを生
成して被修正パターンに重ね合わせ、又はしきい値以上
の露光量をもつ追加パターンを生成して被修正パターン
に重ね合わせることにより、上記パターン修正を行う。
請求項１９では、ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、操作者が画面上で該ステンシルマスク上のブロ
ックパターンを選択したことに応答して、対象物露光用
パターン中に存在する、選択されたブロックパターンを
その他のパターンと異なる表示方法で表示させる。この
露光用パターン表示・検査・修正方法によれば、ブロッ
クパターンが対象物露光パターン中のどの位置に配置さ
れているかを容易迅速に視認することができる。請求項
２０では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解され
た対象物露光用パターンデータ及び基本パターン群がブ
ロック化されてステンシルマスク上に配置されたブロッ
クパターンについて、パターンを検査し、検査結果を表
示し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを
修正する露光用パターン表示・検査・修正方法であっ
て、該検査として該ステンシルマスク上のブロックパタ
ーンに打抜きパターンが存在するかどうかを調べ、該検
査では、例えば図３９〜図４１に示す如く、辺が互いに
接触しているパターンの論理和パターンを作成し、該論
理和パターンの複数辺が他の１つのパターンの辺に接触
している場合に打抜きパターンが存在すると判定する。
この露光用パターン表示・検査・修正方法によれば、露
光前に、ブロックパターン内に打抜きパターンがあるか
どうかを、比較的簡単な処理で知ることができる。請求
項２１では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解さ
れた対象物露光用パターンデータ及び基本パターン群が
ブロック化されてステンシルマスク上に配置されたブロ
ックパターンについて、パターンを検査し、検査結果を
表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデータ
を修正する露光用パターン表示・検査・修正方法であっ
て、操作者に設定値又は設定範囲を入力させ（図４
２）、該検査として、該ステンシルマスク上又は対象物
露光用パターン中に、該設定値以下又は該設定範囲の幅
を有するパターンを検出し、検出したパターンをその他
のパターンと異なる表示方法で表示させる。この露光用
パターン表示・検査・修正方法によれば、パターン分割
変更すべき部分を容易に見つけることが可能となる。請
求項２２では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解
された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン群
がブロック化されてステンシルマスク上に配置されたブ
ロックパターンについて、パターンを検査し、検査結果
を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデー
タを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法であ
って、該検査として露光シミュレーションを行い描画パ
ターン幅予測値及びその誤差を算出し、例えば図４３
（Ａ）に示す如く、該検査の前に、該露光シミュレーシ
ョンで用いる計算式を操作者に選択させる。請求項２３
の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請求項２
２において、上記検査の前に、上記計算式に用いられて
いるパラメータの値を操作者に設定させる。請求項２４
では、ポリゴンパターンが基本パターンに分解された対
象物露光用パターンデータ及び基本パターン群がブロッ
ク化されてステンシルマスク上に配置されたブロックパ
ターンについて、パターンを検査し、検査結果を表示
し、表示された検査結果に基づいてパターンデータを修
正する露光用パターン表示・検査・修正方法であって、
例えば図４４において、操作者に、該ステンシルマスク
上の１つのブロックパターンを選択させ、操作者に、選
択されたブロックパターンを構成している基本パターン
を１つ選択させ、操作者に、選択された基本パターンに
対する修正データを入力させる。この露光用パターン表
示・検査・修正方法によれば、ブロックパターン全体の
より好ましい露光量を決定することが可能となる。請求
項２５の露光用パターン表示・検査・修正方法では、請
求項２４において例えば図４４（Ｂ）に示す如く、上記
修正は露光量である、請求項２６の露光用パターン表示
・検査・修正方法では、請求項２４において、上記修正
はパターンシフトであり、例えば図４５（Ｂ）に示す如
く、上記修正データは指定辺又は全辺のシフト量を含
む。請求項２７の露光用パターン表示・検査・修正方法
では、請求項２４において、上記修正は、上記選択され
た基本パターンに重ね合わされる追加パターンの生成で
あり、例えば図４６に示す如く、上記修正データは、該
追加パターンのサイズ及び露光量を含む。請求項２８の
露光用パターン表示・検査・修正方法では、請求項２４
において、上記修正は、上記ブロックパターンを基本パ
ターンに分割する仕方の変更であり、上記修正データ
は、例えば図４７（Ｂ）に示す如く、該基本パターンの
サイズを含む。請求項２９では、ポリゴンパターンが基
本パターンに分解された対象物露光用パターンデータ及
び基本パターン群がブロック化されてステンシルマスク
上に配置されたブロックパターンについて、パターンを
検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に基づ
いてパターンデータを修正する露光用パターン表示・検
査・修正方法であって、例えば図４８に示す如く、操作
者に設定値を入力させ、該検査として、該ステンシルマ
スク上に、透過孔面積が該設定値以上のブロックパター
ンを検出し、検出したブロックパターンをその他のブロ
ックパターンと異なる表示方法で表示させる。この露光
用パターン表示・検査・修正方法によれば、クーロン効
果や近接効果に対し補正すべき箇所を容易見つけること
ができる。請求項３０では、請求項１８又は２４におい
て、ポリゴンパターンが基本パターンに分解された対象
物露光用パターンデータ及び基本パターン群がブロック
化されてステンシルマスク上に配置されたブロックパタ
ーンについて、パターンを検査し、検査結果を表示し、
表示された検査結果に基づいてパターンデータを修正す
る露光用パターン表示・検査・修正方法であって、パタ
ーン修正処理終了時に、修正されたパターンが繰り返し
配置情報を持っている場合、操作者に、修正されたパタ
ーンを除くこの繰り返し配置パターンについても同一の
修正を行うかどうかを質問し、これに応答した処理を行
う。この露光用パターン表示・検査・修正方法によれ
ば、一括修正が効率よく行われる。請求項３１では、ポ
リゴンパターンが基本パターンに分解された対象物露光
用パターンデータ及び基本パターン群がブロック化され
てステンシルマスク上に配置されたブロックパターンに
ついて、パターンを検査し、検査結果を表示し、表示さ
れた検査結果に基づいてパターンデータを修正する露光
用パターン表示・検査・修正方法であって、操作者の操
作に応じ、ステンシルマスク上のブロックパターン間を
互いに入れ替え、これに対応して、対象物露光用パター
ン中のブロックパターンデータが持っているブロック配
置座標も入れ替える（図５０（Ａ）及び（Ｂ））。この
露光用パターン表示・検査・修正方法によれば、熟練設
計者が描画精度とスループットの両方を考慮してブロッ
クパターンのレイアウトを容易に変更することができ
る。請求項３２では、ポリゴンパターンが基本パターン
に分解された対象物露光用パターンデータ及び基本パタ
ーン群がブロック化されてステンシルマスク上に配置さ
れたブロックパターンについて、パターンを検査し、検
査結果を表示し、表示された検査結果に基づいてパター
ンデータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方
法であって、操作者の操作に応じ、ステンシルマスク上
のブロックパターンを削除して、これに対応した対象物
露光用パターン中のブロックパターンを可変成形パター
ン群と置き換える（図５０（Ａ））。この露光用パター
ン表示・検査・修正方法によれば、熟練設計者が描画精
度とスループットの両方を考慮してステンシルマスク上
に他のブロックパターンを配置するためのスペースを確
保することが容易にできる。請求項３３では、ポリゴン
パターンが基本パターンに分解された対象物露光用パタ
ーンデータ及び基本パターン群がブロック化されてステ
ンシルマスク上に配置されたブロックパターンについ
て、パターンを検査し、検査結果を表示し、表示された
検査結果に基づいてパターンデータを修正する露光用パ
ターン表示・検査・修正方法であって、操作者の操作に
応じ、対象物露光用パターン中の可変成形パターン群を
ブロック化してそのブロックパターンをステンシルマス
ク上に追加する（図５１（Ａ）及び（Ｂ））。この露光
用パターン表示・検査・修正方法によれば、熟練設計者
が描画精度とスループットの両方を考慮してステンシル
マスク上に新たなブロックパターンを追加配置すること
が容易にできる。
【発明の実施の形態】［目次］ １．概略 ２．ウェーハ露光用パターンデータについての表示・検
査・修正 ２−１．露光シミュレーション ２−２．露光シミュレーションの結果の表示 ２−３．露光シミュレーション結果に基づいた露光デー
タ修正 （１）露光量変更 （２）パターンシフト （３）補助露光 （４）追加パターン （５）パターン分割の変更 ２−４．自動幅測定 ２−５．面積密度 ３．ステンシルマスク上のブロックパターンについての
表示・検査・修正 ３−１．ウェーハ露光用パターン中に存在するブロック
パターンの検出 ３−２．ブロックパターン中の打抜きパターンの検出 ３−３．微細パターンの検出 ３−４．クーロン効果の検査 ３−５．クーロン効果検査結果に基づいたパターンデー
タ修正 （１）露光量変更 （２）パターンシフト （３）追加パターン （４）パターン分割の変更 ３−６．透過孔面積の検査 ３−７．近接効果の検査 ３−８．近接効果検査結果に基づいたパターンデータ修
正 ４．ステンシルマスク上のブロックパターンのレイアウ
ト変更 （１）ステンシルマスク上のブロックパターンをレイア
ウト変更 （２）ステンシルマスク上の全ブロックパターンを削除
しその各々を可変成形パターン群に変更 （３）ステンシルマスク上の一部のブロックパターンを
削除しその各々を可変成形パターン群に変更 （４）可変成形パターン群をブロックパターン化してス
テンシルマスク上に配置 以下、図面を参照して本発明の一実施形態を上記目次順
に説明する。 １．概略 ウェーハ上の露光領域は、主偏向器走査範囲であるフィ
ールドで分割され、このフィールドは、副偏向器走査範
囲であるサブフィールドで分割されている。設計された
露光用ＣＡＤパターンデータは、階層化され、サブフィ
ールド単位で存在し、単独配置サブフィールドか繰り返
し配置サブフィールドかの区別、繰り返し配置数、配置
番号及び配置範囲などの情報を有している。また、サブ
フィールド内に存在するパターンデータは、可変成形パ
ターンかステンシルマスク上のブロックパターンかの区
別、パターン繰り返し配置数、パターンデータ番号及び
パターン位置などの情報を有している。図１は、露光用
パターンデータ作成手順を示す概略フローチャートであ
る。 （Ｓ０１）ポリゴンのＣＡＤパターンデータから、所定
の基準に従ってステンシルマスク用ブロックパターンを
抽出する。例えば、繰り返し回数の多い順に、１枚のス
テンシルマスクに納まる数のブロックパターンを抽出す
る。 （Ｓ０２）ＣＡＤパターンを図７（Ａ）〜（Ｊ）に示す
ような基本パターンに分解する。ブロックパターンはＣ
ＡＤパターンから抽出されたものであるので、この分解
によりブロックパターンも基本パターンに分解される。 （Ｓ０３）近接効果補正を行う。計算量が膨大であるの
で、この補正は近似的に行われる。 （Ｓ０４）後述のパターン表示・検査・修正処理を行
う。 （Ｓ０５）修正されたパターンデータを露光装置用のデ
ータにフォーマット変換する。この変換により、基本パ
ターンがさらにショット用パターンに分解される。ステ
ップＳ０４でもブロックパターン抽出及び近接効果補正
を行うことができるので、ステップＳ０１又は／及びＳ
０３は必須ではない。図２は、本発明の特徴部分である
上記ステップＳ０４の処理を行う露光用パターン表示・
検査・修正装置の概略ブロック図である。この装置は、
コンピュータ１０に手操作入力装置１１、表示装置１２
及び外部記憶装置１３が接続された一般的なコンピュー
タシステムであり、外部記憶装置１３に格納されている
露光用パターンデータについて対話的に処理が行われ
る。図３は、図２の装置を用いて行われる露光用パター
ン表示・検査・修正処理の手順を示す概略フローチャー
トである。 （Ｓ１１）パターンデータを入力すると、これと、表
示、検査及び修正の未作成データとを組み合わせたデー
タベースが作成される。 （Ｓ１２）操作者は、コマンドボタン配列形式の階層メ
ニューを選択する。図４（Ａ）は、画面上の初期メニュ
ーボックス２０内に配置された表示切換ボタン２１、検
査・修正ボタン２２及びブロックパターンレイアウトボ
タン２３を示す。表示切換ボタン２１を押す毎に、すな
わち画面上の表示切換ボタン２１をマウスでポイントし
てマウスをクリックする毎に、画面上表示パターンとし
てステンシルマスク上のブロックパターンとウェーハ露
光用パターンとが交互に切り換えられる。この切り換え
に応じて、表示切換ボタン２１上のキャプションが「ス
テンシルマスク」又は「ウェーハ露光用パターン」に変
わる。検査・修正ボタン２２を押すと、下階層のメニュ
ーとして検査・修正ダイアログボックス２２１が画面上
に表示される。このメニューは、展開されたブロックパ
ターンを含むウェーハ露光用パターンの検査・修正を行
うためのコマンドボタン列と、ブロックパターンの検査
・修正を行うためのコマンドボタン列とに分類されてい
る。前者のコマンドボタン列には、面積密度表示ボタン
３０、自動幅測定ボタン３１、露光シミュレーションボ
タン３２、精度分布表示ボタン３３、幅ばらつき表示ボ
タン３４及びパターンデータ修正ボタン３５が有る。後
者のコマンドボタン列には、チップ上ブロックパターン
配置検出ボタン４０、微細パターン検出ボタン４１、ク
ーロン効果検査・修正ボタン４２、透過孔面積検査・修
正ボタン４３、打抜きパターン検出・修正ボタン４４及
び近接効果検査・修正ボタン４５が有る。図３に戻っ
て、ステップＳ１２で選択されたメニュー項目（押され
たコマンドボタン）に応じて、ウェーハ露光用パターン
に関してはステップＳ１３及びＳ１４へ進み、ステップ
Ｓ１５での表示、ステップＳ１６での検査またはステッ
プＳ１７での修正が行われ、ステンシルマスク上のブロ
ックパターンに関してはステップＳ１３及びＳ２４へ進
み、ステップＳ２５での表示、ステップＳ２６での検査
またステップＳ２７での修正が行われる。例えば、ステ
ップＳ１６で露光シミュレーションを行い、ステップＳ
１５でその結果を表示させ、ステップＳ１７でこの結果
に基づいてウェーハ露光用パターンデータを修正する。
図１のステップＳ０５では、展開されたブロックパター
ンを含むウェーハ露光用パターンデータが用いられるの
で、ステンシルマスク上のブロックパターンを修正した
場合には、この展開されたブロックパターンも、後述の
ように操作者の了解を得て自動的に一括修正される。図
３の処理の詳細を以下に説明する。最初に、ウェーハ露
光用パターンデータについての表示・検査・修正を説明
する。 ２．ウェーハ露光用パターンデータについての表示・検
査・修正 ２−１．露光シミュレーション 図５は、ウェーハ露光用パターンについての露光シミュ
レーションの手順を示すフローチャートである。このシ
ミュレーションは、図４（Ａ）で検査・修正ボタン２２
を押して図４（Ｂ）の検査・修正ダイアログボックス２
２１を表示させ、次に露光シミュレーションボタン３２
を押し、不図示の実行ボタンを押すことにより、図３の
ステップＳ１６で行われる処理である。この実行ボタン
を押す前に、図４（Ａ）の表示切換ボタン２１を押して
ウェーハ露光用パターンに切り換え、画面上で例えば図
８に示すような、露光シミュレーションを行おうとする
領域を示す枠５０を設定する。枠上のパターン５１及び
５２については、パターン幅が意味をなさないので、図
５の処理の対象外とされる。このＳ字形パターンは、Ｃ
ＡＤパターンの段階では１つのポリゴンパターンであっ
たものが、図１のステップＳ０２で基本パターンに分解
されたものである。このように分解すれば、各パターン
毎に露光量を決定することができ、また、シミュレーシ
ョン結果に応じて各パターン毎に露光量やパターンサイ
ズなどを修正することが可能となる。しかし、従来のよ
うにＳ字形の外形線に沿って連続的に計算グリッドを生
成し露光シミュレーションを行うと、計算時間が膨大と
なる。そこで、図５の処理によりこの問題を解決してい
る。 （３１）枠５０内のパターン５１及び５２を除く基本パ
ターンのデータを始点座標ＸＳの昇順にソートする。各
基本パターンデータは、図６に示す如く構成されてい
る。このデータは、基本部と、第１拡張部と第２拡張部
とを備えている。基本部の構成は、次の通りである。 可変成形／ブロック：可変成形マスクをもちいて形成さ
れるパターンであるかステンシルマスク上のブロックパ
ターンを用いて形成されるパターンであるかを示すフラ
グを有する。後述の繰り返しパターンの場合には、ここ
に繰り返し情報が格納される。 露光量：荷電粒子銃から放射される荷電粒子ビームの電
流と露光時間との積に比例した値 形状コード：図７（Ａ）〜（Ｊ）に示す基本パターンの
形状コード０〜９ 始点座標：図７（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｊ）に示すような
基本パターンの始点座標（ＸＳ，ＹＳ） パターンの幅及び長さ：図７（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｊ）
に示すような基本パターンの幅Ｗ及び長さＨ（ブロック
パターンの場合にはステンシルマスク上のブロックパタ
ーンを識別するためのブロックパターンコードＢＰＣが
パターン幅Ｗの替わりに用いられ、この場合、Ｈ＝０と
される。） 図７（Ａ）及び（Ｃ）のようなパターンは基本部のみで
形状が定まるが、図７（Ｊ）の場合には基本部のみで形
状が定まらない。第１拡張部は、これを定めるためと、
計算の高速化のためであり、パターン左下隅座標（Ｓ
Ｌ，ＹＬ）と、パターン右上隅座標（ＸＲ．ＹＲ）とか
らなる。 （Ｓ３２）同じ始点座標値ＸＳの基本パターンデータ
を、始点座標値ＹＳの昇順にソートする。ステップＳ３
１及びＳ３２により、図８中の基本パターンは、図９に
示す基本パターンＰ１〜Ｐ２３の順にソートされる。 （Ｓ３３）各パターンの各辺の中点に、図９中にドット
で示す計算グリッド候補点ＣＧＰＰを設定する。露光強
度計算は、ウェーハ露光用パターンを露光対象物上へ仮
想的に縮小投影したパターンに対して行う必要がある
が、理想的な場合、両者は相似形であるので、ウェーハ
露光用パターンを縮小投影パターンとみなして計算す
る。そして、パターン幅の計算結果に縮小率を乗ずる。
これにより、縮小投影したパターンに対して露光強度を
計算した場合と実質的に同一になる。ここで、計算グリ
ッド候補点ＣＧＰＰの意味を、露光シミュレーションに
おける計算及びその結果との関係で概説する。計算グリ
ッド候補点ＣＧＰＰは、図１８（Ａ）に示すような計算
グリッドＣＧを決定するためのものである。パターン５
３の左辺上に計算グリッド候補点ＣＧＰＰを決定する
と、この点を中心として、Ｘ方向に伸びた１行の計算グ
リッドＣＧが決定される。計算グリッドＣＧの枡目内
は、相対露光強度ＲＥの計算値が同一であると近似す
る。例えば計算グリッドＣＧ上のドットで示す位置（グ
リッド点）で相対露光強度ＲＥが計算される。この相対
露光強度ＲＥは、露光によりレジストに形成される潜像
が現像されるしきい値が１になるように規格化したもの
でる。パターン５３の右辺についても左辺と同様に、計
算グリッドＣＧが決定され、相対露光強度ＲＥが計算さ
れる。これにより、パターン５３でウェーハ上に露光し
たら得られるであろう描画パターンの幅（予測値）ＷＥ
が求まり、その目標値に対する誤差ΔＷＥも求まる。 （Ｓ３４）各パターンデータについて、図６の第２拡張
部に接触情報を作成する。この接触情報は、基本パター
ンの右辺、左辺、上辺及び下辺の接触パターン数ＮＲ、
ＮＬ、ＮＵ及びＮＤと、右辺、左辺、上辺及び下辺に接
触するパターンデータのアドレスをリスト構造で表すた
めの最初のアドレスＡＲ１、ＡＬ１、ＡＵ１及びＡＤ１
とからなる。パターンの右辺、左辺、上辺及び下辺は、
図７中に示すように定義されている。例えばＮＬ＝２の
場合、アドレスＡＬ１には、左辺に接触している他のパ
ターンのデータの先頭アドレスＰＡＬ１と次のアドレス
ＡＬ２とが格納されており、アドレスＡＬ２には、さら
に他の接触パターンのデータの先頭アドレスＰＡＬ２
と、他に接触パターンが無いことを示す０とが格納され
ている。ＮＲ＝０の場合、右辺接触パターンアドレスＡ
Ｒ１は無効である。 （Ｓ３５）各パターンの各辺について、図６のデータを
参照し、この辺に接触する他のパターンの辺があれば、
その接触範囲内に存在する計算グリッド候補点を削除す
る。例えば図９のパターンＰ４の辺Ｐ４−１はパターン
Ｐ８の辺Ｐ８−４と接触しており、辺Ｐ８−４且つ辺Ｐ
４−１上に計算グリッド候補点が存在するので、これら
を削除する。このような削除処理により、計算グリッド
候補点は図１０に示す如く、Ｓ字形の外形線上のみに存
在する。計算グリッド候補点の概略位置はこれで定まる
が、次のような問題が生ずる。例えば図１０において、
パターンＰ１１及びＰ１０のサイズが異なる場合、代表
点としての計算グリッド候補点ＣＧＰＰ２は、パターン
Ｐ１１の左下隅点とパターンＰ１０の左上隅点との中点
の方が好ましい。この中点に計算グリッド候補点ＣＧＰ
Ｐ２を移動させると、Ｘ方向パターン幅を計算するため
には計算グリッド候補点ＣＧＰＰ１もこれに応じて移動
させる必要がある。パターンＰ１２の計算グリッド候補
点ＣＧＰＰ５とＣＧＰＰ６とについても同様である。ま
た、パターンＰ７について、計算グリッド候補点ＣＧＰ
Ｐ３をパターンＰ１０から遠ざかる方向へ移動させる
と、これに伴って計算グリッド候補点ＣＧＰＰ４も移動
させる必要があるので、計算グリッド候補点ＣＧＰＰ４
がパターンＰ１５側に接近し、代表点として好ましくな
くなる。パターンＰ１４の計算グリッド候補点ＣＧＰＰ
７については、Ｓ字形パターンの対向辺上に対応する計
算グリッド候補点が存在しないので、これを生成する必
要がある。そこで、以下のステップＳ３６〜Ｓ４６によ
りこれらの問題を解決している。 （Ｓ３６）パターンデータＰＤｉの識別変数ｉに初期値
１を代入する。 （Ｓ３７）ｉがその最大値ｉmax以下であればステップ
Ｓ３８へ進み、そうでなければステップ４６へ進む。 （Ｓ３８）パターンデータＰＤｉのパターンの右辺又は
左辺上に計算グリッド候補点ＣＧＰＰが存在するか否か
を調べる。 （Ｓ３９）存在しなければステップＳ４０へ進み、存在
すればステップＳ４１へ進む。 （Ｓ４０）ｉを１だけインクリメントし、ステップＳ３
７へ戻る。 （Ｓ４１）計算グリッド候補点ＣＧＰＰを含む辺と、こ
れに対向しＸ方向側に存在する辺とについて、非接触端
点を通るＸ方向の上辺及び下辺を想定する。例えば、図
１０の点ＣＧＰＰ２が存在する辺に対向しＸ方向に存在
する辺は、点ＣＧＰＰ１が存在する辺である。計算グリ
ッド候補点ＣＧＰＰ２については、図１２（Ａ）に示す
如く、非接触端点Ａ１を通る点線の下辺Ａ１・Ｄ１を想
定し、非接触端点Ｂ１を通る上辺Ｂ１・Ｃ１を想定す
る。なお、辺Ｐ１−１に対向しＸ方向に存在する辺はＰ
２０−１である。 （Ｓ４２）この仮想上辺と仮想下辺の中点へ計算グリッ
ド候補点ＣＧＰＰを移動させる。例えば図１２（Ａ）の
上記計算グリッド候補点ＣＧＰＰ２を、点Ａ１と点Ｂ１
の中点ＣＧＰＰ２Ａへ移動させる。 （Ｓ４３〜Ｓ４５）ステップＳ４１の対向辺上に計算グ
リッド候補点が存在すれば、上記同様に仮想上辺と仮想
下辺の中点へこれを移動させ、なければこの中点に計算
グリッド候補点を生成する。図１２（Ａ）では、ステッ
プＳ４４において計算グリッド候補点ＣＧＰＰ１を点Ｃ
１と点Ｄ１の中点ＣＧＰＰ１Ａへ移動させる。次にステ
ップＳ４０へ戻る。 （Ｓ４６）上辺又は下辺上の計算グリッド候補点につい
ても、ステップＳ３６〜Ｓ４５と同様の処理を行う。こ
の処理において、ステップＳ４１の「計算グリッド候補
点を含む辺とこれに対向しＸ方向側に存在する辺」は
「計算グリッド候補点を含む辺とこれに対向しＹ方向側
に存在する辺」と読み替える。例えば、図１０のパター
ンＰ７の計算グリッド候補点ＣＧＰＰ３については、図
１２（Ａ）に示す如く、非接触端点Ｃ２を通る点線の左
辺Ｃ２・Ｄ２と、非接触端点Ａ２を通る点線の右辺Ａ２
・Ｂ２とを想定し、計算グリッド候補点ＣＧＰＰ３を点
Ｂ２と点Ｃ２の中点ＣＧＰＰ３Ａへ移動させ、同様に、
計算グリッド候補点ＣＧＰＰ４を点Ｄ２と点Ａ２の中点
ＣＧＰＰ４Ａへ移動させる。図１０のパターンＰ１２の
計算グリッド候補点ＣＧＰＰ５については、図１３
（Ａ）に示す如く、非接触端点Ｃ３を通る点線の左辺Ｃ
３・Ｄ３と、非接触端点Ｂ３を通る点線の右辺Ｂ３・Ａ
３とを想定し、計算グリッド候補点ＣＧＰＰ５を点Ｂ３
と点Ｃ３の中点ＣＧＰＰ５Ａへ移動させ、同様に、計算
グリッド候補点ＣＧＰＰ６を点Ｄ３と点Ａ３の中点ＣＧ
ＰＰ６Ａへ移動させる。図１０のパターンＰ１２の計算
グリッド候補点ＣＧＰＰ７については、図１３（Ｂ）に
示す如く、非接触端点Ｃ４を通る左辺Ｃ４・Ｄ４と、非
接触端点Ｂ４を通る右辺Ｂ４・Ａ４とを想定し、点Ｄ４
と点Ａ４の中点に計算グリッド候補点ＣＧＰＰ８を生成
する。このようにして最終的に、図１１中にドットで示
すような計算グリッド候補点が決定される。各計算グリ
ッド候補点は、論理和図形の外形の対向する一対の辺の
非接触部分の一方側を他方側に投影したときの論理積部
分の中点に一致している。なお、図１０の辺Ｐ１−１に
対向しＹ方向側に存在する辺は辺Ｐ２−３である。 （Ｓ４７）上記想定したものではない上辺及び下辺上の
計算グリッド候補点に対しては、この候補点を中心とし
Ｙ方向に伸びた所定範囲の計算グリッドを生成し、上記
想定したものではない右辺及び左辺上の計算グリッド候
補点に対しては、この候補点を中心としＸ方向に伸びた
所定範囲の計算グリッドを生成する。例えば図１４
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すような計算グリッド候
補点に対しては、それぞれ図１５（Ａ）、（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すような計算グリッドが生成される。 （Ｓ４８）生成した計算グリッドのみについて、露光シ
ミュレーションを行う。例えば図１８（Ｂ）に示すよう
な相対露光強度ＲＥを計算し、グリッド間の相対露光強
度ＲＥを直線又は曲線により補間し、ＲＥ＝１となる位
置座標を決定する。図１８（Ａ）中のグリッド点ＧＰの
相対露光強度ＲＥの計算においては、図１９に示す如
く、計算グリッド候補点ＣＧＰＰを中心とする点線で示
すよな所定範囲内のすべてのパターン５３、５４及び５
５内の各点からグリッド点ＧＰへの露光寄与を、公知の
次式で計算する。 ＲＥ＝（露光量１／Qth）∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ１／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ｛− （ｒ１／Ｃ）2｝］dXdY ＋（露光量２／Qth）∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ２／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ｛−（ｒ２ ／Ｃ）2｝］dXdY ＋（露光量３／Qth）∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ３／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ｛−（ｒ３ ／Ｃ）2｝］dXdY ・・・（１） 上式右辺第１〜３積分の積分範囲はそれぞれ、パターン
５３〜５５の領域である。各積分の第１項及び第２項は
それぞれ、前方散乱及び後方散乱によるものである。露
光量１〜３はそれぞれ、パターン５３〜５５について図
６中の基本部に設定された露光量である。定数Ａ、Ｂ及
びＣは、値が与えられる。また、敷居値Qthは、比較的
大きい単一パターンを露光した場合に現像されるぎりぎ
りのエネルギーであり、定数Ethを与えて、次式で計算
される値である。 Qth＝Ｅth∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ
｛−（ｒ／Ｃ）2｝］dXdY 積分範囲は、該単一パターンの範囲である。 （Ｓ４９）対向する各１対の計算候補グリッド点（図１
１の点線の端点）に関して、例えば図１８（Ｂ）に示す
ような描画パターン幅ＷＥとその目標値に対する誤差Δ
ＷＥとを算出し、データベースに格納する。以上のよう
な代表点に計算グリッド点を生成することにより、ウェ
ーハ描画パターンについて短時間で充分な推定誤差情報
を得ることができる。また、この短時間故に、チップ領
域全体について露光シミュレーションを行うことも可能
となる。なお、図１６に示すような、矩形パターンが一
様にずれて配列された短冊状パターンについては、グリ
ッド候補点が多いために、処理速度が少し遅くなる。こ
の場合のグリッド候補点を少なくするために、図１のス
テップＳ０２においてパターン分解する際に、短冊状で
あることを示すフラグを立てておき、このフラグが立っ
ている場合には、階段上の辺を１つの辺とみなし、図１
７に示す如く、各辺の中間点をグリッド候補点とし、対
向する辺のグリッド候補点間を結ぶ線上に計算グリッド
を生成してもよい。 ２−２．露光シミュレーションの結果の表示 チップ全体又は所定範囲以上について露光シミュレーシ
ョンを行った場合、図４の精度分布表示ボタン３３を押
すことにより、図３のステップＳ１５が処理され、表示
形式選択に応じて図２０（Ａ）又は図２１（Ａ）の表示
が行われる。図２０（Ａ）中のグラフの横軸はパターン
幅の誤差（推定誤差）であり、縦軸は頻度である。点線
の内側は誤差の許容範囲である。これにより、ウェーハ
露光用パターンが良好であるかどうかの概略を容易迅速
に知ることができる。グラフの下に表示されているエラ
ーパターンリスト表示ボタンを押すと、許容範囲外のエ
ラーリストが図２０（Ｂ）に示す如く表示される。これ
により、エラーパターンの詳細を容易迅速に知ることが
できる。高いパターン精度が要求されるために上記代表
点に限定されずにエラーパターンの詳細を知りたい場合
には、リスト内の行を選択、例えばマウスでこの行をポ
イントしてマウスをクリックし、図２０（Ａ）のエラー
パターン露光イメージ表示ボタンを押す。これにより、
そのエラーパターンを中心とする所定範囲内について、
従来と同様に、図５２に示すような計算グリッドが生成
され、露光シミュレーションが行われて図５３に示すよ
うな露光イメージが表示される。これにより、高いパタ
ーン精度が要求されるエラーパターンのみについてその
詳細を知ることができる。線幅ばらつき分布表示を選択
した場合には、図２１（Ａ）に示すように、線幅毎の正
の誤差の最大値及び負の誤差の最大値が棒グラフ表示さ
れる。点線で示す範囲は許容範囲である。これにより、
線幅毎に、ウェーハ露光用パターンが良好であるかどう
かの概略を容易迅速に知ることができる。グラフの下の
２つのボタンを押したときの処理は、上記と同じであ
る。 ２−３．露光シミュレーション結果に基づいた露光デー
タ修正 操作者は、上記露光シミュレーションの結果を見て、露
光データを修正すべきであると判断すると、図４のパタ
ーンデータ修正ボタン３５を押す。これにより、図２の
ステップＳ１７の処理が開始され、画面上に図２２に示
すようなコマンドボタンが配列されたパターン修正ダイ
ヤログボックス５９が表示される。ウェーハ露光用パタ
ーンデータの修正方法は、露光量変更ボタン６０、パタ
ーンシフトボタン６１、パターン分割変更ボタン６２、
補助露光パターン発生ボタン６３又は追加パターン発生
ボタン６４を押すことにより選択される。次にこれらの
修正を概説する。これらの修正方法自体は公知である。 （１）露光量変更 図２３に示すように、繰り返しパターンから離れて細い
配線パターン６０１が配置されているために、配線パタ
ーン６０１の幅が目標値より狭い場合には、図６の基本
部の露光量を増加させる。逆に、配線パターン６０１が
繰り返しパターンに接近し過ぎて太っている場合には、
この露光量を減少させる。 （２）パターンシフト 図２４（Ａ）に示すように、配線パターン６１１の周辺
にパターン面積密度が高い部分と低い部分とがある場合
に、低い部分が細くなり過ぎて配線パターン６１１を太
らせる必要がある場合には、図６の基本部のパターン幅
Ｗを増加させて図２４（Ｂ）に示す如くする。逆に、パ
ターン面積密度が高い部分で太り過ぎて配線パターン６
１１を細くする必要がある場合には、このパターン幅Ｗ
を減少させて図２４（Ｃ）に示す如くする。 （３）補助露光 図２２中の補助露光パターン発生ボタン６３を押した場
合には、図２５（Ａ）に示すようなダイヤログボックス
が表示される。補助露光とは、パターン面積密度の低い
部分に対し補助露光パターンを生成して被修正パターン
に重ね合わせることにより、被修正パターンを太らせる
ためのものである。補助露光パターンは、可変成形パタ
ーン又はブロックパターンである。矩形の補助露光パタ
ーンは、その位置とサイズと露光量とにより定められ
る。例えば図２４（Ａ）の配線パターン６１１の面積密
度の低い部分のみを太らせたい場合には、図２５に示す
如く、この部分に矩形の補助露光パターン６３１〜６３
６を重ね合わせることにより、この目的を達成する。図
２６（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ補助露光の前及び後
の、パターンを横切る線上の相対露光強度分布を示す線
図である。ブロックパターンで補助露光を行う場合に
は、図２５（Ａ）中のステンシルマスク表示編集ボタン
を押してステンシルマスクを表示させ、図２の手操作入
力装置１１を操作して空きブロックに補助露光パターン
を作成する。このパターンを作成後に、その位置をずら
す必要がある場合には、図２５（Ａ）中のブロック補助
露光パターン位置ずれ量入力ボックス内にその値を記入
する。 （４）追加パターン 偏向器走査範囲であるフィールドやサブフィールドの境
界の繋ぎ精度を向上させるために、追加パターンを生成
してフィールドやサブフィールドの境界部分のパターン
に重ね合わせて、パターンを太らせる。例えば、図２７
に示す如く、この境界部分の配線パターン６１１のパタ
ーン面積密度の低い部分に追加パターン６４１を生成し
て重ね合わせることにより、この部分のパターンを太ら
せて繋ぎ精度を向上させる。 （５）パターン分割の変更 論理和パターンの形状を同一にしてパターン分割の仕方
を変更する。細幅パターンと広幅パターンとが接触して
いる場合、例えば図２８（Ａ）に示す如く、幅５ｎｍの
パターン６２１と幅５μｍのパターン６２２とが接触し
ている場合、近接効果によりパターン６２１が太り過ぎ
る。この場合、パターン６２１と６２２との分割を、図
２８（Ｂ）に示す如く、パターン６２１Ａと６２２Ａと
の分割に変更することにより、細幅のパターン６２１を
消失させる。他の例として、図２９（Ａ）に示す如く、
小さなパターン６２４がパターン６２５と接触している
場合、パターン６２４とパターン６２５との分割を、図
２９（Ｂ）に示す如く１つのパターン６２６に変更す
る。これにより、パターン６２６で描かれる像の太り過
ぎが低減される。以上のような修正処理を行ったパター
ンが繰り返しパターンとして配置されている場合には、
すなわちパターンデータ中にＸ方向及びＹ方向の繰り返
しピッチ及び繰り返し数の情報が存在する場合には、図
２２中のＯＫボタンを押すと、画面上に繰り返しパター
ンが表示されると共に、修正したパターンのみ修正する
か、修正したパターンと同一サブフィールド内の繰り返
し同一パターンの全て又は一部について修正するかどう
かを選択させるダイアログボックスが表示され、これに
応答する。前記サブフィールドと同一パターンのサブフ
ィールドが繰り返し配置されている場合には、すなわち
前記同様の繰り返し情報が存在する場合にはさらに、画
面上に繰り返しサブフィールドが表示されると共に、全
ての該繰り返しサブフィールドについて、前記応答と同
じように修正するかどうかを選択させるダイアログボッ
クスが表示され、これに応答する。このような処理は、
後述のステンシルマスク上のブロックパターンの修正に
ついても同様であり、これにより一括修正が効率よく行
われる。繰り返しパターンの位置によっては、パターン
面積密度が他の部分と異なるために、一括修正しない方
がよい場合がある。 ２−４．自動幅測定 図５の方法によれば、チップ全体又は指定領域につい
て、少ない計算量で効果的に描画精度概略を知ることが
できる。しかし、精度が要求される特定箇所の描画パタ
ーン幅が測定されるとは限らない。また、特定箇所の描
画パターン幅のみ知れば充分である場合もある。図３０
は、このような問題を解決し要求を満たすための自動幅
測定手順を示すフローチャートである。この方法は、ブ
ロックパターンに対しても適用可能であるが、以下では
ウェーハ用露光パターンに適用した場合を説明する。 （Ｓ５１）画面上のウェーハ露光用パターンに対し、パ
ターン幅及びパターン間のスペース幅を知りたい箇所を
含む領域を設定する。例えば図３１に示す如く、１対の
対角点を指定して枠６５を設定する。 （Ｓ５２）次にこの領域内で、上記知りたい箇所を通る
測定ラインを設定する。例えば図３１に示す幅測定ライ
ン６６及び６７をそれぞれ、２点を指定して設定する。
この測定ラインは、斜めであってもよい。また、枠６５
上に端点が存在しなくてもよい。枠６５の範囲を超えて
測定ラインを設定した場合には、その測定ラインと枠６
５との交点が計算対象ラインの端点となる。 （Ｓ５３）この測定ラインと交差するパターンのデータ
を見つけ出す。 （Ｓ５４）測定ラインとパターンの辺との交点座標を算
出する。 （Ｓ５５、Ｓ５６）交点に２以上のパターンの辺が存在
する場合には、描画パターンのエッジに対応しないの
で、その交点を削除する。例えば図３４において、枠６
５Ａ内に引いた幅測定ライン６８上の交点６８１は、削
除される。 （Ｓ５７）削除されずに残っている交点を中心として、
測定ラインに沿った上述のような計算グリッドを発生さ
せる。 （Ｓ５８）計算グリッドの各グリッド点での相対露光強
度ＲＥを上述のように算出する。この場合、枠６５内の
周囲部での相対露光強度ＲＥの計算精度が落ちるのを避
けるため、枠６５内のパターンのみならず枠６５の外側
所定範囲内、例えば枠６５の外側２０μｍの範囲内のパ
ターンからの露光を考慮して相対露光強度ＲＥを算出す
る （Ｓ５９）図１８（Ｂ）に示すような描画パターン幅Ｗ
Ｅ、及び、パターン間のスペース幅を算出する。 （Ｓ６０）算出結果を画面上に表示させる。図３２及び
図３３は、測定結果表示例を示す部分拡大図である。こ
れらの図において、Ｌ２〜Ｌ４及びＬ７〜Ｌ９は描画パ
ターン幅を示しており、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ８及びＳ９はス
ペース幅を示している。また、括弧内及び括弧外の数値
はそれぞれ、目標値及びシミュレーションによる測定値
（予測値）を示している。この数値の単位は、μｍであ
る。［−Ｗ］は、シミュレーションによる測定値が負の
方向に許容範囲外となっていることを示している。正の
方向に許容範囲外となっている場合には、［＋Ｗ］と表
示される。なお、ステップＳ５１及びＳ５２を省略し
て、測定ラインから測定領域を自動的に定めるようにし
てもよい。 ２−５．面積密度 図１のステップＳ０３での近接効果補正は、計算時間を
短縮して効率よく行うために、パターン面積密度が平均
値付近の所定値に近づくほど正確になるように、近似的
に行われる。このため、パターン面積密度が該所定値か
ら大きく離れている部分のパターンを修正する必要が高
くなる。パターン面積密度が所定値より大きい場合には
露光量を減少させ、パターン面積密度が所定値より小さ
い場合には、補助露光パターンを発生させることにより
該ステップＳ０３での近接効果補正を修正する。パター
ン面積密度は、このような修正を行う箇所を見つけ出す
ための情報として重要である。図４（Ｂ）中の面積密度
表示ボタン３０を押すと、図３５に示すような、正方形
の升目の一辺のサイズをボックス内に入力するためのダ
イアログが表示される。この入力ボックス内には、サイ
ズ変更前は前回値が表示され、前回値が存在しない場合
にはディフォルト値が表示される。画面に表示されてい
るウェーハ露光用パターン上にマウスをポイントしてマ
ウスをクリックすると、その点を中心として面積密度が
計算され、図３６に示すようなパターン面積密度情報が
表示される。この時、数値が読め且つパターンとパター
ン面積密度の関係を容易に把握できるようにするため、
パターンが薄く表示されている。このパターン表示は、
コマンドボタンにより消去させることができる。升目中
の数値は、例えば５μｍ×５μｍの升目面積に対するこ
の升目内のパターンの面積の割合を％で示している。ま
た、パターン面積密度の概略を容易に把握できるように
するため、算出された面積密度分布の最小値、最大値及
び平均値も画面上に表示される。表示結果に基づいて、
操作者がコマンドボタンを押すことにより、上述のよう
な露光シミュレーション又は自動幅測定が行われ、その
結果に基づいてさらに上述のパターンデータ修正が行わ
れる。次に、ステンシルマスク上のブロックパターンに
ついての表示・検査・修正を説明する。 ３．ステンシルマスク上のブロックパターンについての
表示・検査・修正 以下のいずれの処理においても、最初に、表示切換ボタ
ン２１を操作して画面上表示パターンが例えば図３７に
示すようなステンシルマスク上のブロックパターンに切
り換えらているとする。これらブロックパターンは例え
ば、図１のステップＳ０１の処理により抽出されたもの
である。図３７中、黒で塗りつぶした部分は透過孔であ
り、正方形はブロック境界を示している。 ３−１．ウェーハ露光用パターン中に存在するブロック
パターンの検出 画面上に表示されているステンシルマスク中のブロック
パターンをマウスでポイントしてクリックすることによ
りブロックパターンを選択し、表示切換ボタン２１で画
面表示をウェーハ露光パターンに切り換える。次いで図
４（Ｂ）のチップ上ブロックパターン配置検出ボタン４
０を押すと、ウェーハ露光パターン中に存在する、選択
したブロックパターンがその他のブロックパターンと異
なる表示方法で表示、例えば点滅表示される。これによ
り、ブロックパターンがウェーハ露光パターン中のどの
位置に配置されているかを容易迅速に視認することがで
きる。チップ上ブロックパターン配置検出ボタン４０は
手動復帰式ボタンであり、再度チップ上ブロックパター
ン配置検出ボタン４０を押すと上記点滅表示が終了す
る。 ３−２．ブロックパターン中の打抜きパターンの検出 図４０に示すようなブロックパターン７０中に、基本パ
ターンＰ３〜Ｐ６で形成されるような閉じたパターンが
含まれている場合、その内側の荷電粒子ビーム遮断片が
欠落するので、所望のブロックパターンを描画すること
ができない。そこで、このようなパターンを検出して修
正する必要がある。図４（Ｂ）中の打抜きパターン検出
・修正ボタン４４を押すと、図３８に示すような打ち抜
きパターン検出及び修正のためのダイアログボックス５
８が表示される。欠落条件は入力しなくてもよい。打抜
きパターン検出処理において、ある幅以下の微細パター
ンを除外する場合にはこれを欠落条件として入力する。
実行ボタンを押すと、図３９に示すブロックパターン中
の打抜きパターン検出処理が実行される。 （Ｓ６１）ブロックパターン内の基本パターンデータを
始点座標ＸＳの昇順にソートする。各基本パターンのデ
ータは、上述の図６のように構成されている。 （Ｓ６２）同じ始点座標値ＸＳの基本パターンデータ
を、始点座標値ＹＳの昇順にソートする。ステップＳ３
１及びＳ３２により、図４０のブロックパターン７０内
の基本パターンは、Ｐ１〜Ｐ８の順にソートされる。 （Ｓ６３）各パターンデータについて、図６の第２拡張
部に接触情報を作成する。 （Ｓ６４）パターン識別変数ｉに初期値１を代入する。 （Ｓ６５）ｉが最大値ｎ以下であればステップＳ６６へ
進み、そうでなければ処理を終了する。 （Ｓ６６）ソートされたｉ番目の基本パターンデータを
取り出す。図４０のブロックパターン７０の場合には、
最初にパターンＰ１のパターンデータが取り出される。 （Ｓ６７）取り出したパターンのいずれかの辺が他のパ
ターンの辺と接触していなければ、ステップＳ６８へ進
み、接触していればステップＳ６９へ進む。 （Ｓ６８）ｉを１だけインクリメントし、ステップＳ６
５へ戻る。 （Ｓ６９）ステップＳ６６で取り出したパターンと、ス
テップＳ６７で接触していると判定されたパターンとの
ＯＲパターンを作成する。例えば図４１（Ａ）に示す如
くパターンＰ１にＰ３が接触している場合、図４１
（Ｂ）に示すような、接触辺が除去されたＯＲパターン
Ｐ１０を作成する。ＯＲパターンデータは、各頂点の座
標の集合からなるポリゴンデータである。 （Ｓ７０）パターン識別変数ｊに初期値（ｉ＋１）を代
入する。 （Ｓ７１）ｊ＞ｎであればステップＳ６８へ戻り、そう
でなければステップＳ７２へ進む。 （Ｓ７２）ｊ番目の基本パターンデータＰＤｊを取り出
す。 （ＳＰＣ）取り出したパターンの辺が、ステップＳ６９
のＯＲパターンの辺と接触しているかどうかを判定す
る。接触していなければステップＳ７４へ進み、接触し
ていればステップＳ７５へ進む。 （Ｓ７４）ｊを１だけインクリメントし、ステップＳ７
１へ戻る。 （Ｓ７５）この接触している辺が１つであればステップ
Ｓ７６へ進み、複数であればステップＳ７７へ進む。例
えば図４１（Ｃ）に示すように、ＯＲパターンＰ１１の
複数辺が、ステップＳ７２で取り出したパターンＰ６の
一辺と接触している場合、打抜きパターンである。ま
た、図４１（Ｄ）に示す如く、ＯＲパターンＰ１２の複
数辺が、ステップＳ７２で取り出したパターンＰ１３の
異なる辺と接触している場合も、打抜きパターンであ
る。パターンが透過孔であるので、いずれの場合もルー
プの内側の部分が欠落する。 （Ｓ７６）ステップＳ６９のＯＲパターンとステップＳ
７２で取り出したパターンとのＯＲパターンを作成し
て、ステップＳ６９のＯＲパターンを更新する。次に、
ステップＳ７４へ進む。 （Ｓ７７）打抜きパターンと判定し、操作者にこのパタ
ーンを修正させるために、画面上に表示されているブロ
ックパターンの欠落部をその他の部分と異なる表示方法
で表示し、例えば欠落部を赤色で表示し、警告音を発し
て処理を終了する。このような比較的簡単な処理によ
り、露光前に、ブロックパターン内に打抜きパターンが
あるかどうかを知ることができる。 ３−３．微細パターンの検出 微細パターン検出ボタン４１を押すと、図４２に示すよ
うな微細パターン検出ダイアログボックスが表示され
る。検出しようとする微細パターンのサイズを入力ボッ
クス内に設定する。例えば「０.１３−０.１５」と設定
し、ＯＫボタンを押すと、０．１３μｍから０．１５μ
ｍ迄の幅の基本パターンが探索され、画面上にそのパタ
ーンを含むブロックパターンがその他のブロックパター
ンと異なる表示方法で表示、例えば点滅表示される。ウ
ェーハ露光パターン表示にした場合には、基本パターン
単位で、設定範囲内の幅を有する基本パターンが点滅表
示される。この表示結果に基づいて、パターン分割変更
すべき部分を容易に見つけることが可能となる。ＣＡＮ
ＣＥＬボタンを押すと、この設定値が無効になる。ＥＮ
Ｄボタンを押すと、微細パターンデータ検出処理が終了
する。なお、下限値を０にし又は上限値のみ入力するこ
とにより、パターン幅設定値以下の微細パターンを検出
するようにしてもよい。 ３−４．クーロン効果の検査 図４（Ｂ）のクーロン効果検査・修正ボタン４２を押す
と、図４３（Ａ）に示すようなクーロン効果検査・修正
ダイアログボックスが表示される。クーロン効果検査
（露光シミュレーション）においてトリプルガウシアン
を用いた計算式、ダブルガウシアンを用いた上式（１）
又はユーザー定義計算式のどれを使用するかを、ダイア
ログボックス内左側のオプションボタンで選択する。次
に、選択した計算式に含まれるパラメータ及び荷電粒子
ビームの電流密度の値をダイアログボックス内右側の入
力ボックス内に設定する。確定１ボタンを押すと、前記
設定を有効にしデータベース内に書き込む。取消１ボタ
ンを押すと、該設定が無効になってデータベースに書き
込まれない。この場合、デフォルト値が設定される。以
上の露光シミュレーション条件の設定は、上述のウェー
ハ露光用パターンについての露光シミュレーションにお
いても同様に行われる。実行ボタンを押すと、ステンシ
ルマスク上の各ブロックパターンについて、上述の図５
の処理が行われて、パターン幅予測値及び誤差が算出さ
れる。但し、計算グリッドについては、ブロック枠を越
えては発生させないという点でウェーハ露光用パターン
の場合と異なる。検査結果は、ブロックパターン毎に区
別して表示される。１箇所でも予測値が許容範囲外であ
ると判定されたブロックパターンは、その他のブロック
パターンと異なる表示方法で表示、例えば、ブロックパ
ターン内部が赤色で表示される。なお、図２０（Ａ）、
図２０（Ｂ）又は図２１（Ａ）のように検査結果を表示
させてもよい。図４３（Ａ）中の終了１ボタンを押す
と、クーロン効果の検査及びその結果の表示の処理を終
了し、図４３（Ｂ）に示すような、結果をデータベース
に保存するか否かのダイアログボックスが表示される。
結果をデータベースに格納する場合はＹＥＳボタンを押
し、格納しない場合にはＮＯボタンを押す。ＹＥＳボタ
ンを押した場合には、この計算結果が、計算の高速化の
ために、上述のウェーハ露光パターンについての露光シ
ミュレーションの計算において利用される。 ３−５．クーロン効果検査結果に基づいたパターンデー
タ修正 パターンデータ修正ダイアログボックス５９は、図２２
のそれと同一である。ブロックパターンに対して、ウェ
ーハ露光用パターンに対する上述の修正処理と同様の処
理が行われる。修正方法は、押した修正ボタンで決定さ
れる。次に、上述のウェーハ露光用パターンでの修正処
理と異なる点を説明する。ステンシルマスク上の修正し
たいブロックパターンをマウスでポイントしてクリック
すると、そのブロックのみが拡大表示されて該ブロック
に対する修正が可能となる。この点は、以下の修正処理
において共通である。 （１）露光量変更 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
の露光量変更ボタン６０を押すと、図４４（Ａ）の露光
量変更ダイアログボックス７２が表示される。「ブロッ
ク全体の露光量を変える」ボタンを押すと、図４４
（Ｂ）の露光量変更ダイアログボックス７３が表示され
る。変更後の露光量を入力ボックス内に設定し、OKボタ
ンを押すとメモリ内の設定値が確定して画面上からこの
露光量変更ダイアログボックス７３が消える。また、CA
NCELボタンを押すと、変更後の露光量に設定した値は消
滅して無効になり、画面上から露光量変更ダイアログボ
ックス７３が消える。ダイアログボックス７２内の「ブ
ロック内パターンデータに対して露光量を変える」ボタ
ンを押し、例えば図４４（Ｃ）中の基本パターンＰＣを
マウスでポイントしてクリックすることにより選択する
と、このパターンが異色表示（他のパターンと異なる色
での表示）され、さらに、図４４（Ｂ）の露光量変更ダ
イアログボックス７３が画面に現れる。この選択された
パターンの異色表示は、以下の他の修正についても同様
である。入力ボックス内に露光量を設定し、OKボタンを
押すと、選択した基本パターンに対するメモリ内設定値
が確定し、画面上から露光量変更ダイアログボックス７
３が消える。また、CANCELボタンを押すと、この設定値
が消滅して無効になり、画面上から露光量変更ダイアロ
グボックス７３が消える。このような操作を、ブロック
パターン内の各基本パターンに対し行なうことにより、
誤設定を防止することが可能となる。ブロックパターン
は１ショットで露光されるので、ブロックパターン内の
各基本パターンの露光量は、実際の露光においては意味
を持たない。しかし、ブロックパターンの近接効果やク
ーロン効果の検査において、露光シミュレーションする
場合に意味をもち、その結果から、ブロックパターン全
体のより好ましい露光量を決定することが可能となる。
確定２ボタンを押すと、露光量変更が確定しデータベー
ス内に書き込まれる。取消２ボタンを押すと、露光量変
更が無効になってデータベース内に書き込まれない。作
成ボタンを押すと、ウェーハ露光用パターンデータ内に
展開されている、対応するブロックパターンの露光量が
一括変更される。この場合、１つのブロックパターン内
に複数の露光量が存在する場合には、ブロックパターン
内の最小幅の基本パターンの露光量がブロックパターン
の露光量とみなされる。ステンシルマスクデータの露光
量は実際の露光において用いられないが、この効率的な
一括変更のために露光量を持っている。また、露光用パ
ターンデータを、ファイル名を付けて保存することによ
り、変更前後の露光用パターンデータをデータベース内
に存在させることもできる。終了２ボタンを押すと、露
光量変更処理が終了する。以下の修正処理において、確
定２ボタン、取消２ボタン、作成ボタン及び終了２ボタ
ンを押した後の処理は、上述と同じであるのでその説明
を省略する。前後するが、図３８についても同様であ
る。 （２）パターンシフト 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
のパターンシフトボタン６１を押すと、図４５（Ａ）の
編集ダイアログボックス７４が表示される。簡易エディ
タを使用してシフト値を設定する場合には、「エディタ
を使用する」ボタンを押して、図４５（Ｂ）のパターン
シフトダイアログボックス７５を表示させる。ＬＩＳＴ
ボタンを押すと、図４５（Ｃ）のＬＩＳＴダイアログボ
ックス７６が表示される。ダイアログボックス７６内に
は、ＡＬＬと、ブロックパターン内のパターン配置番
号、例えばＰＡ、ＰＢ及びＰＣが記入されている。Ｐ
Ａ、ＰＢ及びＰＣは、図４４（Ｃ）内のパターンであ
る。ＡＬＬを選択するとブロックパターン内の全ての基
本パターンが異色表示され、パターンシフトダイアログ
ボックス７５内のシフト対象パターンデータはＡＬＬと
表示される。また、ＬＩＳＴダイアログボックス７６内
でＰＡを選択すると、ブロックパターン内のパターンＰ
Ａのみ異色表示され、パターンシフトダイアログボック
ス７５内のシフト対象パターンはＰＡと表示される。選
択されたパターンの全辺に対してシフトを行なう場合に
は、「全辺に対して」のチェックボックスをマークし、
入力ボックス内にシフト量を設定する。「右辺に対し
て」、「左辺に対して」、「上辺に対して」又は「下辺
に対して」についても同様である。パターンシフトダイ
アログボックス７５内のＯＫボタンを押すとメモリ内の
設定内容が有効になり、ＣＡＮＣＥＬボタンを押すとこ
の設定内容が初期値に戻り、ＥＮＤボタンを押すとエデ
ィタでの修正が終了する。ブロックパターン内の基本パ
ターンを直接修正する場合には、パターンシフトダイア
ログボックス７５内の「画面上で操作を行なう」ボタン
を押す。これにより、画面上での操作が可能となり、画
面上の基本パターンの辺をマウスで移動させる。 （３）追加パターン 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
の追加パターン発生ボタン６４を押すと、図４６の追加
パターン発生ダイアログボックスが表示される。追加矩
形パターンの幅及び長さの入力ボックス内に設定値を記
入する。この設定の替わりにＦＲＥＥボタンを押すこと
により、ブロックパターン上でマウスを操作して追加パ
ターンを描くことが可能となる。追加パターンを描く
と、その幅及び長さが決定される。「追加パターン位置
ずれ量」ボタンを押し、入力ボックス内にずれ量を設定
すると、追加パターンがその位置から設定値だけずれ
る。追加パターンの露光量を入力ボックス内に設定す
る。ＯＫボタン、ＣＡＮＣＥＬボタン及び終了ボタンを
押したときの処理は、既述のものと同じである。 （４）パターン分割の変更 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
のパターン分割変更ボタン６２を押すと、図４５（Ａ）
と同じ図４７（Ａ）の編集ダイアログボックス７４が表
示される。簡易エディタを使用してパターン分割の変更
を行なう場合には、「エディタを使用する」ボタンを押
して、図４７（Ｂ）のパターン分割変更ダイアログボッ
クス７７を表示させる。ダイアログボックス７７内のＰ
ＡＴＴＥＲＮボタンを押し、画面上のブロックパターン
内の基本パターンをポイントしてクリックすると、その
パターンの情報が表示される。この情報に基づき、該基
本パターンと置換するパターンを選択するために、ダイ
アログボックス７７内の図系選択ボックス内のパターン
をポイントしクリックする。斜辺を有するパターンを選
択した場合には、その傾きを入力ボックス内に設定す
る。選択したパターンについて、そのサイズ、始点及び
露光量も同様に設定する。例えば上述の図２８（Ａ）に
ついて、パターン６２１の幅を変え、パターン６２２の
始点及び長さを換えて図２８（Ｂ）のようにする。同様
に図２９（Ａ）について、パターン６２５の形状を変
え、パターン６２４のサイズを０にして、図２９（Ｂ）
のようにする。ＯＫボタンを押すと、メモリ内の設定が
有効になり、ＣＡＮＣＥＬボタンを押すとこの設定が無
効になる。このようなパターン置換処理を、ブロックパ
ターン内の他の基本パターンに対しても行う。なお、パ
ターン分割の変更には、１つの基本パターンを複数の小
さなパターンに変更することも含まれる。これにより、
ブロックパターンの透過孔面積が減少してクーロン効果
が低減する編集ダイアログボックス７４内の「画面上で
操作を行なう」ボタンを押した後の処理は、図４５
（Ａ）のそれと同じである。 終了１ ３−６．透過孔面積の検査 図４（Ｂ）の透過孔面積検査・修正ボタン４３を押す
と、図４８に示すような透過孔面積検査・修正ダイアロ
グボックスが表示される。透過孔面積が広すぎると一般
に、クーロン効果や近接効果が問題になる。入力ボック
ス内に透過孔面積を設定し、確定１ボタンを押すと設定
値が確定し、取消１ボタンを押すと設定値が取り消され
てデフォルト値が設定される。実行ボタンを押すと、ス
テンシルマスク上の全ブロックパターンから、設定値以
上の透過孔面積を有するブロックパターンが検出され、
検出されたブロックパターンが異色表示、例えば赤色塗
り潰し表示される。これにより、クーロン効果や近接効
果に対し補正すべき箇所を容易見つけることができる。
検査結果に基づいたパターンデータ修正は、上記３−５
の場合と同一である。 ３−７．近接効果の検査 図４（Ｂ）の近接効果検査・修正ボタン４５を押すと、
図４９に示すような近接効果検査ダイアログボックスが
表示される。図４９は、クーロン相互作用のパラメータ
及び電流密度の設定がない他は、図４３（Ａ）と同一で
ある。 ３−８．近接効果検査結果に基づいたパターンデータ修
正 上記３−５の場合と同一である。 ４．ステンシルマスク上のブロックパターンのレイアウ
ト変更 ステンシルマスク上のブロックパターンで露光する場
合、偏向器で荷電粒子ビームを偏向させて、荷電粒子ビ
ームを透過させるブロックパターンを選択し、偏向器で
荷電粒子ビームを振り戻す。このため、ブロックパター
ンがステンシルマスク上の中心部に近いほど、描画パタ
ーン精度が高くなる。従って、高い描画パターン精度が
要求されるブロックパターンはステンシルマスク上の中
心部付近に配置する必要がある。また、使用頻度の高い
ブロックパターンをステンシルマスク上の中心部付近に
配置すれば、描画パターン精度の平均値が高くなる。ス
テンシルマスク上のブロックパターンのレイアウトを変
更する場合、図４（Ａ）の表示切換ボタン２１で表示対
象をステンシルマスクに切換える。ブロックパターンレ
イアウトボタン２３を押すと、図５０（Ａ）のブロック
レイアウトダイアログボックスブロック８０が表示され
る。このダイアログボックス８０で選択できる機能は、
次の４つである。 （１）ステンシルマスク上のブロックパターンをレイア
ウト変更 （２）ステンシルマスク上の全ブロックパターンを削除
しその各々を可変成形パターン群に変更 （３）ステンシルマスク上の一部のブロックパターンを
削除しその各々を可変成形パターン群に変更 （４）可変成形パターン群をブロックパターン化してス
テンシルマスク上に配置 以下、これらの各機能を説明する。 （１）ステンシルマスク上のブロックパターンをレイア
ウト変更 （１ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「ブロックパターンレイアウト変更」ボタン
を押す。 （１ｂ）これに応答して、図５０（Ｂ）のブロックパタ
ーンリスト８１が表示される。 （１ｃ）このブロックパターンリスト８１内のブロック
配置座標（又は配置位置識別コード）をマウスで選択す
ると、それに該当するブロックパターンがステンシルマ
スク上で異色表示、例えば点滅又は色が変更されて表示
される。異色表示されている時に、ブロックパターンが
移動可能な状態になっている。 （１ｄ）ステンシルマスク上の移動させたいブロックパ
ターンをマウスで選択すると、このブロックパターンと
異色表示されているブロックパターンとがステンシルマ
スク上でスワップされ、ブロックパターンリスト内のブ
ロック配置座標もスワップされる。 （１ｅ）ダイアログボックス８０内のキャンセルボタン
を押すと、メモリ上で変更されたブロックパターンの配
置情報が消され、変更前の状態に戻る。 （１ｆ）さらなる変更がなければダイアログボックス８
０内のＯＫボタンを押し、さらに変更する場合には（１
ｃ）へ戻る。 （１ｇ）上記（１ｃ）から（１ｆ）までの処理を繰り返
して、ステンシルマスク上のブロックパターンレイアウ
トを変更し、次に確定ボタンを押すと、元のブロックパ
ターンレイアウトデータが保存されたまま、変更された
ブロックパターンレイアウトデータがデータベースに追
加される。 （１ｈ）作成ボタンを押すと、元のウェーハ露光用パタ
ーンデータが保存されたまま、ウェーハ露光用パターン
データ内に展開されているブロック配置座標が変更され
た新たなウェーハ露光用パターンデータが作成されて、
データベースに追加される。 （１ｉ）全て変更前の状態に戻すには、復元ボタンを押
す。復元ボタンを押すと、新しく作成された露光用パタ
ーンデータはデータベースから削除され、元のブロック
パターンレイアウトデータが用いられてステンシルマス
ク上のブロックパターン配置が復元される。このような
処理により、熟練設計者が描画精度とスループットの両
方を考慮してブロックパターンのレイアウトを容易に変
更することができる。終了ボタンを押すと、ステンシル
マスク上でのレイアウト変更処理が終了し、ブロックパ
ターンリスト８１及びレイアウトダイアログボックス８
０も画面上から消える。 （２）ステンシルマスク上の全ブロックパターンを削除
しその各々を可変成形パターン群に変更 （２ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「全ブロック削除」ボタンを押す。 （２ｂ）これにより、ステンシルマスク上の全ブロック
パターンが削除される。この削除はメモリ上であり、デ
ータベース上のブロックパターンデータは削除されずに
保存されている。 （２ｃ）ダイアログボックス８０内のキャンセルボタン
を押すと、メモリ上での削除が取り消され、削除前の状
態に戻る。 （２ｄ）ダイアログボックス８０内のＯＫボタンを押す
と全削除がメモリ内で有効になり、確定ボタンを押す
と、元のステンシルマスクのデータを保存したまま全ブ
ロックパターンが削除されたステンシルマスクのデータ
がデータベースに追加格納される。 （２ｅ）作成ボタンを押すと、元のウェーハ露光用パタ
ーンデータを保存したまま、全ブロックパターンが可変
成形パターン群に変更された新たなウェーハ露光用パタ
ーンデータが作成される。 （２ｆ）全て変更前の状態に戻すには、復元ボタンを押
す。復元ボタンを押すと、新しく追加作成された露光用
データがデータベースから削除され、元の露光用データ
が用いられて元のステンシルマスクが復元される。 （２ｇ）終了ボタンを押すと、ブロックパターン削除処
理が終了し、ブロックリスト８１及びダイアログボック
ス８０が画面上から消える。 （３）ステンシルマスク上の一部のブロックパターンを
削除しその各々を可変成形パターン群に変更 （３ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「ブロックパターン→可変成形」ボタンを押
す。 （３ｂ）これにより、ブロックパターンリスト８１が表
示される。 （３ｃ）ステンシルマスク上の削除したいブロックパタ
ーンをマウスで選択すると、選択されたブロックパター
ン及びブロックパターンリスト中のブロック配置情報が
削除される。この削除はメモリ内であり、データベース
上のブロックパターンデータは削除されずに保存されて
いる。 （３ｄ）ダイアログボックス８０内のキャンセルボタン
を押すと、メモリ上での削除が取り消され、削除前の状
態に戻る。 （３ｅ）さらなる削除が無ければダイアログボックス８
０内のＯＫボタンを押す。また、さらに削除する場合に
は（３ｃ）に戻る。 （３ｆ）上記（３ｃ）から（３ｅ）迄の処理を繰り返し
てステンシルマスク上のブロックパターンを削除する。
確定ボタンを押すと、ブロックパターンをできるだけス
テンシルマスク中心側へ配置するため、ステンシルマス
ク上の削除されたブロックパターンの位置に、別のブロ
ックパターンが詰められる。また、元のステンシルマス
クのデータを保存したまま削除後のステンシルマスクの
データがデータベースに追加格納される。 （３ｇ）作成ボタンを押すと、元のウェーハ露光用パタ
ーンデータを保存したまま、削除によりブロックパター
ンが可変成形パターン群に変更された新たなウェーハ露
光用パターンデータが作成される。 （３ｈ）全て変更前の状態に戻すには、復元ボタンを押
す。復元ボタンを押すと、新しく追加作成された露光用
データがデータベースから削除され、元の露光用データ
が用いられて元のステンシルマスクが復元される。この
ような処理により、熟練設計者が描画精度とスループッ
トの両方を考慮してステンシルマスク上に他のブロック
パターンを配置するためのスペースを確保することが容
易にできる。 （３ｉ）終了ボタンを押すと、ブロックパターン削除処
理が終了し、ブロックリスト８１及びダイアログボック
ス８０が画面上から消える。 （４）可変成形パターン群をブロックパターン化してス
テンシルマスク上に配置 （４ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「可変成形→ブロックパターン」ボタンを押
す。 （４ｂ）これにより、図５１（Ａ）の可変成形パターン
群ブロック化ダイアログボックス８２が表示され、画面
上のステンシルマスク表示がウェーハ露光用パターンに
自動的に切り替わる。 （４ｃ）マウスを操作して、例えば図５１（Ｂ）のよう
なウェーハ露光用パターン上でブロック化したいパター
ン群を枠で囲む。 （４ｄ）可変成形パターン群ブロック化ダイアログボッ
クス８２内のＯＫ１ボタンを押すと、メモリ上にブロッ
ク化情報が蓄えられ、ＣＡＮＣＥＬ１ボタンを押すと、
選択したパターン群の枠が消える。 （４ｅ）上記（４ｃ）及び（４ｄ）の処理を必要回数繰
り返した後、確定１ボタンを押すと、ブロック化する可
変成形パターンデータがデータベース内に格納される。 （４ｆ）作成１ボタンを押すと、この格納された可変成
形パターンデータを使用して、ステンシルマスク上に形
成するブロックパターンが作成される。また、図５０
（Ｂ）のブロックパターンリスト８１が表示され、空い
ているブロック配置座標格納部が表示される。空いてい
ない場合は、ブロックパターンを作成できない。 （４ｇ）終了１ボタンを押すと、ウェーハ露光用パター
ン表示がステンシルマスク表示に自動的に切り替わり、
新しいブロックパターンが形成されたステンシルマスク
が表示される。レイアウトの変更を行なう場合には、以
降の手順を終了した後に上述のレイアウト変更処理を行
なう。 （４ｈ）可変成形パターン群ブロック化ダイアログボッ
クス８２内のオプションボタンを押して、「選んだ箇所
のみ」、「Ｘ方向で同じ形状を選ぶ（１次元マトリクス
配置を行なう）」、「Ｙ方向で同じ形状を選ぶ（１次元
マトリクス配置を行なう）」又は「Ｘ、Ｙ方向で同じ形
状を選ぶ（２次元マトリクス配置を行なう）」を選択す
る。次にＯＫ２ボタンを押すと、メモリ上で、この選択
に従ってウェーハ露光用パターンデータをブロックパタ
ーン使用データに変更するための処理を行なうのに必要
な情報が作成される。ＣＡＮＣＥＬ２ボタンを押すと、
この情報が削除される。 （４ｉ）確定２ボタンを押すと、（４ｅ）でデータベー
スに格納されたデータにこの情報が付加される。 （４ｊ）作成２ボタンを押すと、このデータと付加情報
とがデータベースからメモリ上に読み出され、ウェーハ
露光用パターンデータ内に展開されている該当する可変
成形用パターンデータ群を探索し、これをブロックパタ
ーンデータに書き換えることにより、ウェーハ露光用パ
ターンデータを新たに作成する。元のウェーハ露光用パ
ターンデータは、後で使用する可能性があるので保存し
ておく。このような処理により、熟練設計者が描画精度
とスループットの両方を考慮してステンシルマスク上に
新たなブロックパターンを追加配置することが容易にで
きる。 （４ｋ）終了２ボタンを押すと、可変成形パターン群ブ
ロック化ダイアログボックス８２が画面上から消える。
元の露光用データを復元したい場合には、ダイアログボ
ックス８０内の復元ボタンを押す。
査・修正 ２−１．露光シミュレーション ２−２．露光シミュレーションの結果の表示 ２−３．露光シミュレーション結果に基づいた露光デー
タ修正 （１）露光量変更 （２）パターンシフト （３）補助露光 （４）追加パターン （５）パターン分割の変更 ２−４．自動幅測定 ２−５．面積密度 ３．ステンシルマスク上のブロックパターンについての
表示・検査・修正 ３−１．ウェーハ露光用パターン中に存在するブロック
パターンの検出 ３−２．ブロックパターン中の打抜きパターンの検出 ３−３．微細パターンの検出 ３−４．クーロン効果の検査 ３−５．クーロン効果検査結果に基づいたパターンデー
タ修正 （１）露光量変更 （２）パターンシフト （３）追加パターン （４）パターン分割の変更 ３−６．透過孔面積の検査 ３−７．近接効果の検査 ３−８．近接効果検査結果に基づいたパターンデータ修
正 ４．ステンシルマスク上のブロックパターンのレイアウ
ト変更 （１）ステンシルマスク上のブロックパターンをレイア
ウト変更 （２）ステンシルマスク上の全ブロックパターンを削除
しその各々を可変成形パターン群に変更 （３）ステンシルマスク上の一部のブロックパターンを
削除しその各々を可変成形パターン群に変更 （４）可変成形パターン群をブロックパターン化してス
テンシルマスク上に配置 以下、図面を参照して本発明の一実施形態を上記目次順
に説明する。 １．概略 ウェーハ上の露光領域は、主偏向器走査範囲であるフィ
ールドで分割され、このフィールドは、副偏向器走査範
囲であるサブフィールドで分割されている。設計された
露光用ＣＡＤパターンデータは、階層化され、サブフィ
ールド単位で存在し、単独配置サブフィールドか繰り返
し配置サブフィールドかの区別、繰り返し配置数、配置
番号及び配置範囲などの情報を有している。また、サブ
フィールド内に存在するパターンデータは、可変成形パ
ターンかステンシルマスク上のブロックパターンかの区
別、パターン繰り返し配置数、パターンデータ番号及び
パターン位置などの情報を有している。図１は、露光用
パターンデータ作成手順を示す概略フローチャートであ
る。 （Ｓ０１）ポリゴンのＣＡＤパターンデータから、所定
の基準に従ってステンシルマスク用ブロックパターンを
抽出する。例えば、繰り返し回数の多い順に、１枚のス
テンシルマスクに納まる数のブロックパターンを抽出す
る。 （Ｓ０２）ＣＡＤパターンを図７（Ａ）〜（Ｊ）に示す
ような基本パターンに分解する。ブロックパターンはＣ
ＡＤパターンから抽出されたものであるので、この分解
によりブロックパターンも基本パターンに分解される。 （Ｓ０３）近接効果補正を行う。計算量が膨大であるの
で、この補正は近似的に行われる。 （Ｓ０４）後述のパターン表示・検査・修正処理を行
う。 （Ｓ０５）修正されたパターンデータを露光装置用のデ
ータにフォーマット変換する。この変換により、基本パ
ターンがさらにショット用パターンに分解される。ステ
ップＳ０４でもブロックパターン抽出及び近接効果補正
を行うことができるので、ステップＳ０１又は／及びＳ
０３は必須ではない。図２は、本発明の特徴部分である
上記ステップＳ０４の処理を行う露光用パターン表示・
検査・修正装置の概略ブロック図である。この装置は、
コンピュータ１０に手操作入力装置１１、表示装置１２
及び外部記憶装置１３が接続された一般的なコンピュー
タシステムであり、外部記憶装置１３に格納されている
露光用パターンデータについて対話的に処理が行われ
る。図３は、図２の装置を用いて行われる露光用パター
ン表示・検査・修正処理の手順を示す概略フローチャー
トである。 （Ｓ１１）パターンデータを入力すると、これと、表
示、検査及び修正の未作成データとを組み合わせたデー
タベースが作成される。 （Ｓ１２）操作者は、コマンドボタン配列形式の階層メ
ニューを選択する。図４（Ａ）は、画面上の初期メニュ
ーボックス２０内に配置された表示切換ボタン２１、検
査・修正ボタン２２及びブロックパターンレイアウトボ
タン２３を示す。表示切換ボタン２１を押す毎に、すな
わち画面上の表示切換ボタン２１をマウスでポイントし
てマウスをクリックする毎に、画面上表示パターンとし
てステンシルマスク上のブロックパターンとウェーハ露
光用パターンとが交互に切り換えられる。この切り換え
に応じて、表示切換ボタン２１上のキャプションが「ス
テンシルマスク」又は「ウェーハ露光用パターン」に変
わる。検査・修正ボタン２２を押すと、下階層のメニュ
ーとして検査・修正ダイアログボックス２２１が画面上
に表示される。このメニューは、展開されたブロックパ
ターンを含むウェーハ露光用パターンの検査・修正を行
うためのコマンドボタン列と、ブロックパターンの検査
・修正を行うためのコマンドボタン列とに分類されてい
る。前者のコマンドボタン列には、面積密度表示ボタン
３０、自動幅測定ボタン３１、露光シミュレーションボ
タン３２、精度分布表示ボタン３３、幅ばらつき表示ボ
タン３４及びパターンデータ修正ボタン３５が有る。後
者のコマンドボタン列には、チップ上ブロックパターン
配置検出ボタン４０、微細パターン検出ボタン４１、ク
ーロン効果検査・修正ボタン４２、透過孔面積検査・修
正ボタン４３、打抜きパターン検出・修正ボタン４４及
び近接効果検査・修正ボタン４５が有る。図３に戻っ
て、ステップＳ１２で選択されたメニュー項目（押され
たコマンドボタン）に応じて、ウェーハ露光用パターン
に関してはステップＳ１３及びＳ１４へ進み、ステップ
Ｓ１５での表示、ステップＳ１６での検査またはステッ
プＳ１７での修正が行われ、ステンシルマスク上のブロ
ックパターンに関してはステップＳ１３及びＳ２４へ進
み、ステップＳ２５での表示、ステップＳ２６での検査
またステップＳ２７での修正が行われる。例えば、ステ
ップＳ１６で露光シミュレーションを行い、ステップＳ
１５でその結果を表示させ、ステップＳ１７でこの結果
に基づいてウェーハ露光用パターンデータを修正する。
図１のステップＳ０５では、展開されたブロックパター
ンを含むウェーハ露光用パターンデータが用いられるの
で、ステンシルマスク上のブロックパターンを修正した
場合には、この展開されたブロックパターンも、後述の
ように操作者の了解を得て自動的に一括修正される。図
３の処理の詳細を以下に説明する。最初に、ウェーハ露
光用パターンデータについての表示・検査・修正を説明
する。 ２．ウェーハ露光用パターンデータについての表示・検
査・修正 ２−１．露光シミュレーション 図５は、ウェーハ露光用パターンについての露光シミュ
レーションの手順を示すフローチャートである。このシ
ミュレーションは、図４（Ａ）で検査・修正ボタン２２
を押して図４（Ｂ）の検査・修正ダイアログボックス２
２１を表示させ、次に露光シミュレーションボタン３２
を押し、不図示の実行ボタンを押すことにより、図３の
ステップＳ１６で行われる処理である。この実行ボタン
を押す前に、図４（Ａ）の表示切換ボタン２１を押して
ウェーハ露光用パターンに切り換え、画面上で例えば図
８に示すような、露光シミュレーションを行おうとする
領域を示す枠５０を設定する。枠上のパターン５１及び
５２については、パターン幅が意味をなさないので、図
５の処理の対象外とされる。このＳ字形パターンは、Ｃ
ＡＤパターンの段階では１つのポリゴンパターンであっ
たものが、図１のステップＳ０２で基本パターンに分解
されたものである。このように分解すれば、各パターン
毎に露光量を決定することができ、また、シミュレーシ
ョン結果に応じて各パターン毎に露光量やパターンサイ
ズなどを修正することが可能となる。しかし、従来のよ
うにＳ字形の外形線に沿って連続的に計算グリッドを生
成し露光シミュレーションを行うと、計算時間が膨大と
なる。そこで、図５の処理によりこの問題を解決してい
る。 （３１）枠５０内のパターン５１及び５２を除く基本パ
ターンのデータを始点座標ＸＳの昇順にソートする。各
基本パターンデータは、図６に示す如く構成されてい
る。このデータは、基本部と、第１拡張部と第２拡張部
とを備えている。基本部の構成は、次の通りである。 可変成形／ブロック：可変成形マスクをもちいて形成さ
れるパターンであるかステンシルマスク上のブロックパ
ターンを用いて形成されるパターンであるかを示すフラ
グを有する。後述の繰り返しパターンの場合には、ここ
に繰り返し情報が格納される。 露光量：荷電粒子銃から放射される荷電粒子ビームの電
流と露光時間との積に比例した値 形状コード：図７（Ａ）〜（Ｊ）に示す基本パターンの
形状コード０〜９ 始点座標：図７（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｊ）に示すような
基本パターンの始点座標（ＸＳ，ＹＳ） パターンの幅及び長さ：図７（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｊ）
に示すような基本パターンの幅Ｗ及び長さＨ（ブロック
パターンの場合にはステンシルマスク上のブロックパタ
ーンを識別するためのブロックパターンコードＢＰＣが
パターン幅Ｗの替わりに用いられ、この場合、Ｈ＝０と
される。） 図７（Ａ）及び（Ｃ）のようなパターンは基本部のみで
形状が定まるが、図７（Ｊ）の場合には基本部のみで形
状が定まらない。第１拡張部は、これを定めるためと、
計算の高速化のためであり、パターン左下隅座標（Ｓ
Ｌ，ＹＬ）と、パターン右上隅座標（ＸＲ．ＹＲ）とか
らなる。 （Ｓ３２）同じ始点座標値ＸＳの基本パターンデータ
を、始点座標値ＹＳの昇順にソートする。ステップＳ３
１及びＳ３２により、図８中の基本パターンは、図９に
示す基本パターンＰ１〜Ｐ２３の順にソートされる。 （Ｓ３３）各パターンの各辺の中点に、図９中にドット
で示す計算グリッド候補点ＣＧＰＰを設定する。露光強
度計算は、ウェーハ露光用パターンを露光対象物上へ仮
想的に縮小投影したパターンに対して行う必要がある
が、理想的な場合、両者は相似形であるので、ウェーハ
露光用パターンを縮小投影パターンとみなして計算す
る。そして、パターン幅の計算結果に縮小率を乗ずる。
これにより、縮小投影したパターンに対して露光強度を
計算した場合と実質的に同一になる。ここで、計算グリ
ッド候補点ＣＧＰＰの意味を、露光シミュレーションに
おける計算及びその結果との関係で概説する。計算グリ
ッド候補点ＣＧＰＰは、図１８（Ａ）に示すような計算
グリッドＣＧを決定するためのものである。パターン５
３の左辺上に計算グリッド候補点ＣＧＰＰを決定する
と、この点を中心として、Ｘ方向に伸びた１行の計算グ
リッドＣＧが決定される。計算グリッドＣＧの枡目内
は、相対露光強度ＲＥの計算値が同一であると近似す
る。例えば計算グリッドＣＧ上のドットで示す位置（グ
リッド点）で相対露光強度ＲＥが計算される。この相対
露光強度ＲＥは、露光によりレジストに形成される潜像
が現像されるしきい値が１になるように規格化したもの
でる。パターン５３の右辺についても左辺と同様に、計
算グリッドＣＧが決定され、相対露光強度ＲＥが計算さ
れる。これにより、パターン５３でウェーハ上に露光し
たら得られるであろう描画パターンの幅（予測値）ＷＥ
が求まり、その目標値に対する誤差ΔＷＥも求まる。 （Ｓ３４）各パターンデータについて、図６の第２拡張
部に接触情報を作成する。この接触情報は、基本パター
ンの右辺、左辺、上辺及び下辺の接触パターン数ＮＲ、
ＮＬ、ＮＵ及びＮＤと、右辺、左辺、上辺及び下辺に接
触するパターンデータのアドレスをリスト構造で表すた
めの最初のアドレスＡＲ１、ＡＬ１、ＡＵ１及びＡＤ１
とからなる。パターンの右辺、左辺、上辺及び下辺は、
図７中に示すように定義されている。例えばＮＬ＝２の
場合、アドレスＡＬ１には、左辺に接触している他のパ
ターンのデータの先頭アドレスＰＡＬ１と次のアドレス
ＡＬ２とが格納されており、アドレスＡＬ２には、さら
に他の接触パターンのデータの先頭アドレスＰＡＬ２
と、他に接触パターンが無いことを示す０とが格納され
ている。ＮＲ＝０の場合、右辺接触パターンアドレスＡ
Ｒ１は無効である。 （Ｓ３５）各パターンの各辺について、図６のデータを
参照し、この辺に接触する他のパターンの辺があれば、
その接触範囲内に存在する計算グリッド候補点を削除す
る。例えば図９のパターンＰ４の辺Ｐ４−１はパターン
Ｐ８の辺Ｐ８−４と接触しており、辺Ｐ８−４且つ辺Ｐ
４−１上に計算グリッド候補点が存在するので、これら
を削除する。このような削除処理により、計算グリッド
候補点は図１０に示す如く、Ｓ字形の外形線上のみに存
在する。計算グリッド候補点の概略位置はこれで定まる
が、次のような問題が生ずる。例えば図１０において、
パターンＰ１１及びＰ１０のサイズが異なる場合、代表
点としての計算グリッド候補点ＣＧＰＰ２は、パターン
Ｐ１１の左下隅点とパターンＰ１０の左上隅点との中点
の方が好ましい。この中点に計算グリッド候補点ＣＧＰ
Ｐ２を移動させると、Ｘ方向パターン幅を計算するため
には計算グリッド候補点ＣＧＰＰ１もこれに応じて移動
させる必要がある。パターンＰ１２の計算グリッド候補
点ＣＧＰＰ５とＣＧＰＰ６とについても同様である。ま
た、パターンＰ７について、計算グリッド候補点ＣＧＰ
Ｐ３をパターンＰ１０から遠ざかる方向へ移動させる
と、これに伴って計算グリッド候補点ＣＧＰＰ４も移動
させる必要があるので、計算グリッド候補点ＣＧＰＰ４
がパターンＰ１５側に接近し、代表点として好ましくな
くなる。パターンＰ１４の計算グリッド候補点ＣＧＰＰ
７については、Ｓ字形パターンの対向辺上に対応する計
算グリッド候補点が存在しないので、これを生成する必
要がある。そこで、以下のステップＳ３６〜Ｓ４６によ
りこれらの問題を解決している。 （Ｓ３６）パターンデータＰＤｉの識別変数ｉに初期値
１を代入する。 （Ｓ３７）ｉがその最大値ｉmax以下であればステップ
Ｓ３８へ進み、そうでなければステップ４６へ進む。 （Ｓ３８）パターンデータＰＤｉのパターンの右辺又は
左辺上に計算グリッド候補点ＣＧＰＰが存在するか否か
を調べる。 （Ｓ３９）存在しなければステップＳ４０へ進み、存在
すればステップＳ４１へ進む。 （Ｓ４０）ｉを１だけインクリメントし、ステップＳ３
７へ戻る。 （Ｓ４１）計算グリッド候補点ＣＧＰＰを含む辺と、こ
れに対向しＸ方向側に存在する辺とについて、非接触端
点を通るＸ方向の上辺及び下辺を想定する。例えば、図
１０の点ＣＧＰＰ２が存在する辺に対向しＸ方向に存在
する辺は、点ＣＧＰＰ１が存在する辺である。計算グリ
ッド候補点ＣＧＰＰ２については、図１２（Ａ）に示す
如く、非接触端点Ａ１を通る点線の下辺Ａ１・Ｄ１を想
定し、非接触端点Ｂ１を通る上辺Ｂ１・Ｃ１を想定す
る。なお、辺Ｐ１−１に対向しＸ方向に存在する辺はＰ
２０−１である。 （Ｓ４２）この仮想上辺と仮想下辺の中点へ計算グリッ
ド候補点ＣＧＰＰを移動させる。例えば図１２（Ａ）の
上記計算グリッド候補点ＣＧＰＰ２を、点Ａ１と点Ｂ１
の中点ＣＧＰＰ２Ａへ移動させる。 （Ｓ４３〜Ｓ４５）ステップＳ４１の対向辺上に計算グ
リッド候補点が存在すれば、上記同様に仮想上辺と仮想
下辺の中点へこれを移動させ、なければこの中点に計算
グリッド候補点を生成する。図１２（Ａ）では、ステッ
プＳ４４において計算グリッド候補点ＣＧＰＰ１を点Ｃ
１と点Ｄ１の中点ＣＧＰＰ１Ａへ移動させる。次にステ
ップＳ４０へ戻る。 （Ｓ４６）上辺又は下辺上の計算グリッド候補点につい
ても、ステップＳ３６〜Ｓ４５と同様の処理を行う。こ
の処理において、ステップＳ４１の「計算グリッド候補
点を含む辺とこれに対向しＸ方向側に存在する辺」は
「計算グリッド候補点を含む辺とこれに対向しＹ方向側
に存在する辺」と読み替える。例えば、図１０のパター
ンＰ７の計算グリッド候補点ＣＧＰＰ３については、図
１２（Ａ）に示す如く、非接触端点Ｃ２を通る点線の左
辺Ｃ２・Ｄ２と、非接触端点Ａ２を通る点線の右辺Ａ２
・Ｂ２とを想定し、計算グリッド候補点ＣＧＰＰ３を点
Ｂ２と点Ｃ２の中点ＣＧＰＰ３Ａへ移動させ、同様に、
計算グリッド候補点ＣＧＰＰ４を点Ｄ２と点Ａ２の中点
ＣＧＰＰ４Ａへ移動させる。図１０のパターンＰ１２の
計算グリッド候補点ＣＧＰＰ５については、図１３
（Ａ）に示す如く、非接触端点Ｃ３を通る点線の左辺Ｃ
３・Ｄ３と、非接触端点Ｂ３を通る点線の右辺Ｂ３・Ａ
３とを想定し、計算グリッド候補点ＣＧＰＰ５を点Ｂ３
と点Ｃ３の中点ＣＧＰＰ５Ａへ移動させ、同様に、計算
グリッド候補点ＣＧＰＰ６を点Ｄ３と点Ａ３の中点ＣＧ
ＰＰ６Ａへ移動させる。図１０のパターンＰ１２の計算
グリッド候補点ＣＧＰＰ７については、図１３（Ｂ）に
示す如く、非接触端点Ｃ４を通る左辺Ｃ４・Ｄ４と、非
接触端点Ｂ４を通る右辺Ｂ４・Ａ４とを想定し、点Ｄ４
と点Ａ４の中点に計算グリッド候補点ＣＧＰＰ８を生成
する。このようにして最終的に、図１１中にドットで示
すような計算グリッド候補点が決定される。各計算グリ
ッド候補点は、論理和図形の外形の対向する一対の辺の
非接触部分の一方側を他方側に投影したときの論理積部
分の中点に一致している。なお、図１０の辺Ｐ１−１に
対向しＹ方向側に存在する辺は辺Ｐ２−３である。 （Ｓ４７）上記想定したものではない上辺及び下辺上の
計算グリッド候補点に対しては、この候補点を中心とし
Ｙ方向に伸びた所定範囲の計算グリッドを生成し、上記
想定したものではない右辺及び左辺上の計算グリッド候
補点に対しては、この候補点を中心としＸ方向に伸びた
所定範囲の計算グリッドを生成する。例えば図１４
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すような計算グリッド候
補点に対しては、それぞれ図１５（Ａ）、（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すような計算グリッドが生成される。 （Ｓ４８）生成した計算グリッドのみについて、露光シ
ミュレーションを行う。例えば図１８（Ｂ）に示すよう
な相対露光強度ＲＥを計算し、グリッド間の相対露光強
度ＲＥを直線又は曲線により補間し、ＲＥ＝１となる位
置座標を決定する。図１８（Ａ）中のグリッド点ＧＰの
相対露光強度ＲＥの計算においては、図１９に示す如
く、計算グリッド候補点ＣＧＰＰを中心とする点線で示
すよな所定範囲内のすべてのパターン５３、５４及び５
５内の各点からグリッド点ＧＰへの露光寄与を、公知の
次式で計算する。 ＲＥ＝（露光量１／Qth）∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ１／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ｛− （ｒ１／Ｃ）2｝］dXdY ＋（露光量２／Qth）∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ２／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ｛−（ｒ２ ／Ｃ）2｝］dXdY ＋（露光量３／Qth）∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ３／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ｛−（ｒ３ ／Ｃ）2｝］dXdY ・・・（１） 上式右辺第１〜３積分の積分範囲はそれぞれ、パターン
５３〜５５の領域である。各積分の第１項及び第２項は
それぞれ、前方散乱及び後方散乱によるものである。露
光量１〜３はそれぞれ、パターン５３〜５５について図
６中の基本部に設定された露光量である。定数Ａ、Ｂ及
びＣは、値が与えられる。また、敷居値Qthは、比較的
大きい単一パターンを露光した場合に現像されるぎりぎ
りのエネルギーであり、定数Ethを与えて、次式で計算
される値である。 Qth＝Ｅth∫∫［ＥＸＰ｛−（ｒ／Ａ）2｝＋Ｂ・ＥＸＰ
｛−（ｒ／Ｃ）2｝］dXdY 積分範囲は、該単一パターンの範囲である。 （Ｓ４９）対向する各１対の計算候補グリッド点（図１
１の点線の端点）に関して、例えば図１８（Ｂ）に示す
ような描画パターン幅ＷＥとその目標値に対する誤差Δ
ＷＥとを算出し、データベースに格納する。以上のよう
な代表点に計算グリッド点を生成することにより、ウェ
ーハ描画パターンについて短時間で充分な推定誤差情報
を得ることができる。また、この短時間故に、チップ領
域全体について露光シミュレーションを行うことも可能
となる。なお、図１６に示すような、矩形パターンが一
様にずれて配列された短冊状パターンについては、グリ
ッド候補点が多いために、処理速度が少し遅くなる。こ
の場合のグリッド候補点を少なくするために、図１のス
テップＳ０２においてパターン分解する際に、短冊状で
あることを示すフラグを立てておき、このフラグが立っ
ている場合には、階段上の辺を１つの辺とみなし、図１
７に示す如く、各辺の中間点をグリッド候補点とし、対
向する辺のグリッド候補点間を結ぶ線上に計算グリッド
を生成してもよい。 ２−２．露光シミュレーションの結果の表示 チップ全体又は所定範囲以上について露光シミュレーシ
ョンを行った場合、図４の精度分布表示ボタン３３を押
すことにより、図３のステップＳ１５が処理され、表示
形式選択に応じて図２０（Ａ）又は図２１（Ａ）の表示
が行われる。図２０（Ａ）中のグラフの横軸はパターン
幅の誤差（推定誤差）であり、縦軸は頻度である。点線
の内側は誤差の許容範囲である。これにより、ウェーハ
露光用パターンが良好であるかどうかの概略を容易迅速
に知ることができる。グラフの下に表示されているエラ
ーパターンリスト表示ボタンを押すと、許容範囲外のエ
ラーリストが図２０（Ｂ）に示す如く表示される。これ
により、エラーパターンの詳細を容易迅速に知ることが
できる。高いパターン精度が要求されるために上記代表
点に限定されずにエラーパターンの詳細を知りたい場合
には、リスト内の行を選択、例えばマウスでこの行をポ
イントしてマウスをクリックし、図２０（Ａ）のエラー
パターン露光イメージ表示ボタンを押す。これにより、
そのエラーパターンを中心とする所定範囲内について、
従来と同様に、図５２に示すような計算グリッドが生成
され、露光シミュレーションが行われて図５３に示すよ
うな露光イメージが表示される。これにより、高いパタ
ーン精度が要求されるエラーパターンのみについてその
詳細を知ることができる。線幅ばらつき分布表示を選択
した場合には、図２１（Ａ）に示すように、線幅毎の正
の誤差の最大値及び負の誤差の最大値が棒グラフ表示さ
れる。点線で示す範囲は許容範囲である。これにより、
線幅毎に、ウェーハ露光用パターンが良好であるかどう
かの概略を容易迅速に知ることができる。グラフの下の
２つのボタンを押したときの処理は、上記と同じであ
る。 ２−３．露光シミュレーション結果に基づいた露光デー
タ修正 操作者は、上記露光シミュレーションの結果を見て、露
光データを修正すべきであると判断すると、図４のパタ
ーンデータ修正ボタン３５を押す。これにより、図２の
ステップＳ１７の処理が開始され、画面上に図２２に示
すようなコマンドボタンが配列されたパターン修正ダイ
ヤログボックス５９が表示される。ウェーハ露光用パタ
ーンデータの修正方法は、露光量変更ボタン６０、パタ
ーンシフトボタン６１、パターン分割変更ボタン６２、
補助露光パターン発生ボタン６３又は追加パターン発生
ボタン６４を押すことにより選択される。次にこれらの
修正を概説する。これらの修正方法自体は公知である。 （１）露光量変更 図２３に示すように、繰り返しパターンから離れて細い
配線パターン６０１が配置されているために、配線パタ
ーン６０１の幅が目標値より狭い場合には、図６の基本
部の露光量を増加させる。逆に、配線パターン６０１が
繰り返しパターンに接近し過ぎて太っている場合には、
この露光量を減少させる。 （２）パターンシフト 図２４（Ａ）に示すように、配線パターン６１１の周辺
にパターン面積密度が高い部分と低い部分とがある場合
に、低い部分が細くなり過ぎて配線パターン６１１を太
らせる必要がある場合には、図６の基本部のパターン幅
Ｗを増加させて図２４（Ｂ）に示す如くする。逆に、パ
ターン面積密度が高い部分で太り過ぎて配線パターン６
１１を細くする必要がある場合には、このパターン幅Ｗ
を減少させて図２４（Ｃ）に示す如くする。 （３）補助露光 図２２中の補助露光パターン発生ボタン６３を押した場
合には、図２５（Ａ）に示すようなダイヤログボックス
が表示される。補助露光とは、パターン面積密度の低い
部分に対し補助露光パターンを生成して被修正パターン
に重ね合わせることにより、被修正パターンを太らせる
ためのものである。補助露光パターンは、可変成形パタ
ーン又はブロックパターンである。矩形の補助露光パタ
ーンは、その位置とサイズと露光量とにより定められ
る。例えば図２４（Ａ）の配線パターン６１１の面積密
度の低い部分のみを太らせたい場合には、図２５に示す
如く、この部分に矩形の補助露光パターン６３１〜６３
６を重ね合わせることにより、この目的を達成する。図
２６（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ補助露光の前及び後
の、パターンを横切る線上の相対露光強度分布を示す線
図である。ブロックパターンで補助露光を行う場合に
は、図２５（Ａ）中のステンシルマスク表示編集ボタン
を押してステンシルマスクを表示させ、図２の手操作入
力装置１１を操作して空きブロックに補助露光パターン
を作成する。このパターンを作成後に、その位置をずら
す必要がある場合には、図２５（Ａ）中のブロック補助
露光パターン位置ずれ量入力ボックス内にその値を記入
する。 （４）追加パターン 偏向器走査範囲であるフィールドやサブフィールドの境
界の繋ぎ精度を向上させるために、追加パターンを生成
してフィールドやサブフィールドの境界部分のパターン
に重ね合わせて、パターンを太らせる。例えば、図２７
に示す如く、この境界部分の配線パターン６１１のパタ
ーン面積密度の低い部分に追加パターン６４１を生成し
て重ね合わせることにより、この部分のパターンを太ら
せて繋ぎ精度を向上させる。 （５）パターン分割の変更 論理和パターンの形状を同一にしてパターン分割の仕方
を変更する。細幅パターンと広幅パターンとが接触して
いる場合、例えば図２８（Ａ）に示す如く、幅５ｎｍの
パターン６２１と幅５μｍのパターン６２２とが接触し
ている場合、近接効果によりパターン６２１が太り過ぎ
る。この場合、パターン６２１と６２２との分割を、図
２８（Ｂ）に示す如く、パターン６２１Ａと６２２Ａと
の分割に変更することにより、細幅のパターン６２１を
消失させる。他の例として、図２９（Ａ）に示す如く、
小さなパターン６２４がパターン６２５と接触している
場合、パターン６２４とパターン６２５との分割を、図
２９（Ｂ）に示す如く１つのパターン６２６に変更す
る。これにより、パターン６２６で描かれる像の太り過
ぎが低減される。以上のような修正処理を行ったパター
ンが繰り返しパターンとして配置されている場合には、
すなわちパターンデータ中にＸ方向及びＹ方向の繰り返
しピッチ及び繰り返し数の情報が存在する場合には、図
２２中のＯＫボタンを押すと、画面上に繰り返しパター
ンが表示されると共に、修正したパターンのみ修正する
か、修正したパターンと同一サブフィールド内の繰り返
し同一パターンの全て又は一部について修正するかどう
かを選択させるダイアログボックスが表示され、これに
応答する。前記サブフィールドと同一パターンのサブフ
ィールドが繰り返し配置されている場合には、すなわち
前記同様の繰り返し情報が存在する場合にはさらに、画
面上に繰り返しサブフィールドが表示されると共に、全
ての該繰り返しサブフィールドについて、前記応答と同
じように修正するかどうかを選択させるダイアログボッ
クスが表示され、これに応答する。このような処理は、
後述のステンシルマスク上のブロックパターンの修正に
ついても同様であり、これにより一括修正が効率よく行
われる。繰り返しパターンの位置によっては、パターン
面積密度が他の部分と異なるために、一括修正しない方
がよい場合がある。 ２−４．自動幅測定 図５の方法によれば、チップ全体又は指定領域につい
て、少ない計算量で効果的に描画精度概略を知ることが
できる。しかし、精度が要求される特定箇所の描画パタ
ーン幅が測定されるとは限らない。また、特定箇所の描
画パターン幅のみ知れば充分である場合もある。図３０
は、このような問題を解決し要求を満たすための自動幅
測定手順を示すフローチャートである。この方法は、ブ
ロックパターンに対しても適用可能であるが、以下では
ウェーハ用露光パターンに適用した場合を説明する。 （Ｓ５１）画面上のウェーハ露光用パターンに対し、パ
ターン幅及びパターン間のスペース幅を知りたい箇所を
含む領域を設定する。例えば図３１に示す如く、１対の
対角点を指定して枠６５を設定する。 （Ｓ５２）次にこの領域内で、上記知りたい箇所を通る
測定ラインを設定する。例えば図３１に示す幅測定ライ
ン６６及び６７をそれぞれ、２点を指定して設定する。
この測定ラインは、斜めであってもよい。また、枠６５
上に端点が存在しなくてもよい。枠６５の範囲を超えて
測定ラインを設定した場合には、その測定ラインと枠６
５との交点が計算対象ラインの端点となる。 （Ｓ５３）この測定ラインと交差するパターンのデータ
を見つけ出す。 （Ｓ５４）測定ラインとパターンの辺との交点座標を算
出する。 （Ｓ５５、Ｓ５６）交点に２以上のパターンの辺が存在
する場合には、描画パターンのエッジに対応しないの
で、その交点を削除する。例えば図３４において、枠６
５Ａ内に引いた幅測定ライン６８上の交点６８１は、削
除される。 （Ｓ５７）削除されずに残っている交点を中心として、
測定ラインに沿った上述のような計算グリッドを発生さ
せる。 （Ｓ５８）計算グリッドの各グリッド点での相対露光強
度ＲＥを上述のように算出する。この場合、枠６５内の
周囲部での相対露光強度ＲＥの計算精度が落ちるのを避
けるため、枠６５内のパターンのみならず枠６５の外側
所定範囲内、例えば枠６５の外側２０μｍの範囲内のパ
ターンからの露光を考慮して相対露光強度ＲＥを算出す
る （Ｓ５９）図１８（Ｂ）に示すような描画パターン幅Ｗ
Ｅ、及び、パターン間のスペース幅を算出する。 （Ｓ６０）算出結果を画面上に表示させる。図３２及び
図３３は、測定結果表示例を示す部分拡大図である。こ
れらの図において、Ｌ２〜Ｌ４及びＬ７〜Ｌ９は描画パ
ターン幅を示しており、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ８及びＳ９はス
ペース幅を示している。また、括弧内及び括弧外の数値
はそれぞれ、目標値及びシミュレーションによる測定値
（予測値）を示している。この数値の単位は、μｍであ
る。［−Ｗ］は、シミュレーションによる測定値が負の
方向に許容範囲外となっていることを示している。正の
方向に許容範囲外となっている場合には、［＋Ｗ］と表
示される。なお、ステップＳ５１及びＳ５２を省略し
て、測定ラインから測定領域を自動的に定めるようにし
てもよい。 ２−５．面積密度 図１のステップＳ０３での近接効果補正は、計算時間を
短縮して効率よく行うために、パターン面積密度が平均
値付近の所定値に近づくほど正確になるように、近似的
に行われる。このため、パターン面積密度が該所定値か
ら大きく離れている部分のパターンを修正する必要が高
くなる。パターン面積密度が所定値より大きい場合には
露光量を減少させ、パターン面積密度が所定値より小さ
い場合には、補助露光パターンを発生させることにより
該ステップＳ０３での近接効果補正を修正する。パター
ン面積密度は、このような修正を行う箇所を見つけ出す
ための情報として重要である。図４（Ｂ）中の面積密度
表示ボタン３０を押すと、図３５に示すような、正方形
の升目の一辺のサイズをボックス内に入力するためのダ
イアログが表示される。この入力ボックス内には、サイ
ズ変更前は前回値が表示され、前回値が存在しない場合
にはディフォルト値が表示される。画面に表示されてい
るウェーハ露光用パターン上にマウスをポイントしてマ
ウスをクリックすると、その点を中心として面積密度が
計算され、図３６に示すようなパターン面積密度情報が
表示される。この時、数値が読め且つパターンとパター
ン面積密度の関係を容易に把握できるようにするため、
パターンが薄く表示されている。このパターン表示は、
コマンドボタンにより消去させることができる。升目中
の数値は、例えば５μｍ×５μｍの升目面積に対するこ
の升目内のパターンの面積の割合を％で示している。ま
た、パターン面積密度の概略を容易に把握できるように
するため、算出された面積密度分布の最小値、最大値及
び平均値も画面上に表示される。表示結果に基づいて、
操作者がコマンドボタンを押すことにより、上述のよう
な露光シミュレーション又は自動幅測定が行われ、その
結果に基づいてさらに上述のパターンデータ修正が行わ
れる。次に、ステンシルマスク上のブロックパターンに
ついての表示・検査・修正を説明する。 ３．ステンシルマスク上のブロックパターンについての
表示・検査・修正 以下のいずれの処理においても、最初に、表示切換ボタ
ン２１を操作して画面上表示パターンが例えば図３７に
示すようなステンシルマスク上のブロックパターンに切
り換えらているとする。これらブロックパターンは例え
ば、図１のステップＳ０１の処理により抽出されたもの
である。図３７中、黒で塗りつぶした部分は透過孔であ
り、正方形はブロック境界を示している。 ３−１．ウェーハ露光用パターン中に存在するブロック
パターンの検出 画面上に表示されているステンシルマスク中のブロック
パターンをマウスでポイントしてクリックすることによ
りブロックパターンを選択し、表示切換ボタン２１で画
面表示をウェーハ露光パターンに切り換える。次いで図
４（Ｂ）のチップ上ブロックパターン配置検出ボタン４
０を押すと、ウェーハ露光パターン中に存在する、選択
したブロックパターンがその他のブロックパターンと異
なる表示方法で表示、例えば点滅表示される。これによ
り、ブロックパターンがウェーハ露光パターン中のどの
位置に配置されているかを容易迅速に視認することがで
きる。チップ上ブロックパターン配置検出ボタン４０は
手動復帰式ボタンであり、再度チップ上ブロックパター
ン配置検出ボタン４０を押すと上記点滅表示が終了す
る。 ３−２．ブロックパターン中の打抜きパターンの検出 図４０に示すようなブロックパターン７０中に、基本パ
ターンＰ３〜Ｐ６で形成されるような閉じたパターンが
含まれている場合、その内側の荷電粒子ビーム遮断片が
欠落するので、所望のブロックパターンを描画すること
ができない。そこで、このようなパターンを検出して修
正する必要がある。図４（Ｂ）中の打抜きパターン検出
・修正ボタン４４を押すと、図３８に示すような打ち抜
きパターン検出及び修正のためのダイアログボックス５
８が表示される。欠落条件は入力しなくてもよい。打抜
きパターン検出処理において、ある幅以下の微細パター
ンを除外する場合にはこれを欠落条件として入力する。
実行ボタンを押すと、図３９に示すブロックパターン中
の打抜きパターン検出処理が実行される。 （Ｓ６１）ブロックパターン内の基本パターンデータを
始点座標ＸＳの昇順にソートする。各基本パターンのデ
ータは、上述の図６のように構成されている。 （Ｓ６２）同じ始点座標値ＸＳの基本パターンデータ
を、始点座標値ＹＳの昇順にソートする。ステップＳ３
１及びＳ３２により、図４０のブロックパターン７０内
の基本パターンは、Ｐ１〜Ｐ８の順にソートされる。 （Ｓ６３）各パターンデータについて、図６の第２拡張
部に接触情報を作成する。 （Ｓ６４）パターン識別変数ｉに初期値１を代入する。 （Ｓ６５）ｉが最大値ｎ以下であればステップＳ６６へ
進み、そうでなければ処理を終了する。 （Ｓ６６）ソートされたｉ番目の基本パターンデータを
取り出す。図４０のブロックパターン７０の場合には、
最初にパターンＰ１のパターンデータが取り出される。 （Ｓ６７）取り出したパターンのいずれかの辺が他のパ
ターンの辺と接触していなければ、ステップＳ６８へ進
み、接触していればステップＳ６９へ進む。 （Ｓ６８）ｉを１だけインクリメントし、ステップＳ６
５へ戻る。 （Ｓ６９）ステップＳ６６で取り出したパターンと、ス
テップＳ６７で接触していると判定されたパターンとの
ＯＲパターンを作成する。例えば図４１（Ａ）に示す如
くパターンＰ１にＰ３が接触している場合、図４１
（Ｂ）に示すような、接触辺が除去されたＯＲパターン
Ｐ１０を作成する。ＯＲパターンデータは、各頂点の座
標の集合からなるポリゴンデータである。 （Ｓ７０）パターン識別変数ｊに初期値（ｉ＋１）を代
入する。 （Ｓ７１）ｊ＞ｎであればステップＳ６８へ戻り、そう
でなければステップＳ７２へ進む。 （Ｓ７２）ｊ番目の基本パターンデータＰＤｊを取り出
す。 （ＳＰＣ）取り出したパターンの辺が、ステップＳ６９
のＯＲパターンの辺と接触しているかどうかを判定す
る。接触していなければステップＳ７４へ進み、接触し
ていればステップＳ７５へ進む。 （Ｓ７４）ｊを１だけインクリメントし、ステップＳ７
１へ戻る。 （Ｓ７５）この接触している辺が１つであればステップ
Ｓ７６へ進み、複数であればステップＳ７７へ進む。例
えば図４１（Ｃ）に示すように、ＯＲパターンＰ１１の
複数辺が、ステップＳ７２で取り出したパターンＰ６の
一辺と接触している場合、打抜きパターンである。ま
た、図４１（Ｄ）に示す如く、ＯＲパターンＰ１２の複
数辺が、ステップＳ７２で取り出したパターンＰ１３の
異なる辺と接触している場合も、打抜きパターンであ
る。パターンが透過孔であるので、いずれの場合もルー
プの内側の部分が欠落する。 （Ｓ７６）ステップＳ６９のＯＲパターンとステップＳ
７２で取り出したパターンとのＯＲパターンを作成し
て、ステップＳ６９のＯＲパターンを更新する。次に、
ステップＳ７４へ進む。 （Ｓ７７）打抜きパターンと判定し、操作者にこのパタ
ーンを修正させるために、画面上に表示されているブロ
ックパターンの欠落部をその他の部分と異なる表示方法
で表示し、例えば欠落部を赤色で表示し、警告音を発し
て処理を終了する。このような比較的簡単な処理によ
り、露光前に、ブロックパターン内に打抜きパターンが
あるかどうかを知ることができる。 ３−３．微細パターンの検出 微細パターン検出ボタン４１を押すと、図４２に示すよ
うな微細パターン検出ダイアログボックスが表示され
る。検出しようとする微細パターンのサイズを入力ボッ
クス内に設定する。例えば「０.１３−０.１５」と設定
し、ＯＫボタンを押すと、０．１３μｍから０．１５μ
ｍ迄の幅の基本パターンが探索され、画面上にそのパタ
ーンを含むブロックパターンがその他のブロックパター
ンと異なる表示方法で表示、例えば点滅表示される。ウ
ェーハ露光パターン表示にした場合には、基本パターン
単位で、設定範囲内の幅を有する基本パターンが点滅表
示される。この表示結果に基づいて、パターン分割変更
すべき部分を容易に見つけることが可能となる。ＣＡＮ
ＣＥＬボタンを押すと、この設定値が無効になる。ＥＮ
Ｄボタンを押すと、微細パターンデータ検出処理が終了
する。なお、下限値を０にし又は上限値のみ入力するこ
とにより、パターン幅設定値以下の微細パターンを検出
するようにしてもよい。 ３−４．クーロン効果の検査 図４（Ｂ）のクーロン効果検査・修正ボタン４２を押す
と、図４３（Ａ）に示すようなクーロン効果検査・修正
ダイアログボックスが表示される。クーロン効果検査
（露光シミュレーション）においてトリプルガウシアン
を用いた計算式、ダブルガウシアンを用いた上式（１）
又はユーザー定義計算式のどれを使用するかを、ダイア
ログボックス内左側のオプションボタンで選択する。次
に、選択した計算式に含まれるパラメータ及び荷電粒子
ビームの電流密度の値をダイアログボックス内右側の入
力ボックス内に設定する。確定１ボタンを押すと、前記
設定を有効にしデータベース内に書き込む。取消１ボタ
ンを押すと、該設定が無効になってデータベースに書き
込まれない。この場合、デフォルト値が設定される。以
上の露光シミュレーション条件の設定は、上述のウェー
ハ露光用パターンについての露光シミュレーションにお
いても同様に行われる。実行ボタンを押すと、ステンシ
ルマスク上の各ブロックパターンについて、上述の図５
の処理が行われて、パターン幅予測値及び誤差が算出さ
れる。但し、計算グリッドについては、ブロック枠を越
えては発生させないという点でウェーハ露光用パターン
の場合と異なる。検査結果は、ブロックパターン毎に区
別して表示される。１箇所でも予測値が許容範囲外であ
ると判定されたブロックパターンは、その他のブロック
パターンと異なる表示方法で表示、例えば、ブロックパ
ターン内部が赤色で表示される。なお、図２０（Ａ）、
図２０（Ｂ）又は図２１（Ａ）のように検査結果を表示
させてもよい。図４３（Ａ）中の終了１ボタンを押す
と、クーロン効果の検査及びその結果の表示の処理を終
了し、図４３（Ｂ）に示すような、結果をデータベース
に保存するか否かのダイアログボックスが表示される。
結果をデータベースに格納する場合はＹＥＳボタンを押
し、格納しない場合にはＮＯボタンを押す。ＹＥＳボタ
ンを押した場合には、この計算結果が、計算の高速化の
ために、上述のウェーハ露光パターンについての露光シ
ミュレーションの計算において利用される。 ３−５．クーロン効果検査結果に基づいたパターンデー
タ修正 パターンデータ修正ダイアログボックス５９は、図２２
のそれと同一である。ブロックパターンに対して、ウェ
ーハ露光用パターンに対する上述の修正処理と同様の処
理が行われる。修正方法は、押した修正ボタンで決定さ
れる。次に、上述のウェーハ露光用パターンでの修正処
理と異なる点を説明する。ステンシルマスク上の修正し
たいブロックパターンをマウスでポイントしてクリック
すると、そのブロックのみが拡大表示されて該ブロック
に対する修正が可能となる。この点は、以下の修正処理
において共通である。 （１）露光量変更 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
の露光量変更ボタン６０を押すと、図４４（Ａ）の露光
量変更ダイアログボックス７２が表示される。「ブロッ
ク全体の露光量を変える」ボタンを押すと、図４４
（Ｂ）の露光量変更ダイアログボックス７３が表示され
る。変更後の露光量を入力ボックス内に設定し、OKボタ
ンを押すとメモリ内の設定値が確定して画面上からこの
露光量変更ダイアログボックス７３が消える。また、CA
NCELボタンを押すと、変更後の露光量に設定した値は消
滅して無効になり、画面上から露光量変更ダイアログボ
ックス７３が消える。ダイアログボックス７２内の「ブ
ロック内パターンデータに対して露光量を変える」ボタ
ンを押し、例えば図４４（Ｃ）中の基本パターンＰＣを
マウスでポイントしてクリックすることにより選択する
と、このパターンが異色表示（他のパターンと異なる色
での表示）され、さらに、図４４（Ｂ）の露光量変更ダ
イアログボックス７３が画面に現れる。この選択された
パターンの異色表示は、以下の他の修正についても同様
である。入力ボックス内に露光量を設定し、OKボタンを
押すと、選択した基本パターンに対するメモリ内設定値
が確定し、画面上から露光量変更ダイアログボックス７
３が消える。また、CANCELボタンを押すと、この設定値
が消滅して無効になり、画面上から露光量変更ダイアロ
グボックス７３が消える。このような操作を、ブロック
パターン内の各基本パターンに対し行なうことにより、
誤設定を防止することが可能となる。ブロックパターン
は１ショットで露光されるので、ブロックパターン内の
各基本パターンの露光量は、実際の露光においては意味
を持たない。しかし、ブロックパターンの近接効果やク
ーロン効果の検査において、露光シミュレーションする
場合に意味をもち、その結果から、ブロックパターン全
体のより好ましい露光量を決定することが可能となる。
確定２ボタンを押すと、露光量変更が確定しデータベー
ス内に書き込まれる。取消２ボタンを押すと、露光量変
更が無効になってデータベース内に書き込まれない。作
成ボタンを押すと、ウェーハ露光用パターンデータ内に
展開されている、対応するブロックパターンの露光量が
一括変更される。この場合、１つのブロックパターン内
に複数の露光量が存在する場合には、ブロックパターン
内の最小幅の基本パターンの露光量がブロックパターン
の露光量とみなされる。ステンシルマスクデータの露光
量は実際の露光において用いられないが、この効率的な
一括変更のために露光量を持っている。また、露光用パ
ターンデータを、ファイル名を付けて保存することによ
り、変更前後の露光用パターンデータをデータベース内
に存在させることもできる。終了２ボタンを押すと、露
光量変更処理が終了する。以下の修正処理において、確
定２ボタン、取消２ボタン、作成ボタン及び終了２ボタ
ンを押した後の処理は、上述と同じであるのでその説明
を省略する。前後するが、図３８についても同様であ
る。 （２）パターンシフト 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
のパターンシフトボタン６１を押すと、図４５（Ａ）の
編集ダイアログボックス７４が表示される。簡易エディ
タを使用してシフト値を設定する場合には、「エディタ
を使用する」ボタンを押して、図４５（Ｂ）のパターン
シフトダイアログボックス７５を表示させる。ＬＩＳＴ
ボタンを押すと、図４５（Ｃ）のＬＩＳＴダイアログボ
ックス７６が表示される。ダイアログボックス７６内に
は、ＡＬＬと、ブロックパターン内のパターン配置番
号、例えばＰＡ、ＰＢ及びＰＣが記入されている。Ｐ
Ａ、ＰＢ及びＰＣは、図４４（Ｃ）内のパターンであ
る。ＡＬＬを選択するとブロックパターン内の全ての基
本パターンが異色表示され、パターンシフトダイアログ
ボックス７５内のシフト対象パターンデータはＡＬＬと
表示される。また、ＬＩＳＴダイアログボックス７６内
でＰＡを選択すると、ブロックパターン内のパターンＰ
Ａのみ異色表示され、パターンシフトダイアログボック
ス７５内のシフト対象パターンはＰＡと表示される。選
択されたパターンの全辺に対してシフトを行なう場合に
は、「全辺に対して」のチェックボックスをマークし、
入力ボックス内にシフト量を設定する。「右辺に対し
て」、「左辺に対して」、「上辺に対して」又は「下辺
に対して」についても同様である。パターンシフトダイ
アログボックス７５内のＯＫボタンを押すとメモリ内の
設定内容が有効になり、ＣＡＮＣＥＬボタンを押すとこ
の設定内容が初期値に戻り、ＥＮＤボタンを押すとエデ
ィタでの修正が終了する。ブロックパターン内の基本パ
ターンを直接修正する場合には、パターンシフトダイア
ログボックス７５内の「画面上で操作を行なう」ボタン
を押す。これにより、画面上での操作が可能となり、画
面上の基本パターンの辺をマウスで移動させる。 （３）追加パターン 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
の追加パターン発生ボタン６４を押すと、図４６の追加
パターン発生ダイアログボックスが表示される。追加矩
形パターンの幅及び長さの入力ボックス内に設定値を記
入する。この設定の替わりにＦＲＥＥボタンを押すこと
により、ブロックパターン上でマウスを操作して追加パ
ターンを描くことが可能となる。追加パターンを描く
と、その幅及び長さが決定される。「追加パターン位置
ずれ量」ボタンを押し、入力ボックス内にずれ量を設定
すると、追加パターンがその位置から設定値だけずれ
る。追加パターンの露光量を入力ボックス内に設定す
る。ＯＫボタン、ＣＡＮＣＥＬボタン及び終了ボタンを
押したときの処理は、既述のものと同じである。 （４）パターン分割の変更 図４３（Ａ）のパターン修正ダイアログボックス５９内
のパターン分割変更ボタン６２を押すと、図４５（Ａ）
と同じ図４７（Ａ）の編集ダイアログボックス７４が表
示される。簡易エディタを使用してパターン分割の変更
を行なう場合には、「エディタを使用する」ボタンを押
して、図４７（Ｂ）のパターン分割変更ダイアログボッ
クス７７を表示させる。ダイアログボックス７７内のＰ
ＡＴＴＥＲＮボタンを押し、画面上のブロックパターン
内の基本パターンをポイントしてクリックすると、その
パターンの情報が表示される。この情報に基づき、該基
本パターンと置換するパターンを選択するために、ダイ
アログボックス７７内の図系選択ボックス内のパターン
をポイントしクリックする。斜辺を有するパターンを選
択した場合には、その傾きを入力ボックス内に設定す
る。選択したパターンについて、そのサイズ、始点及び
露光量も同様に設定する。例えば上述の図２８（Ａ）に
ついて、パターン６２１の幅を変え、パターン６２２の
始点及び長さを換えて図２８（Ｂ）のようにする。同様
に図２９（Ａ）について、パターン６２５の形状を変
え、パターン６２４のサイズを０にして、図２９（Ｂ）
のようにする。ＯＫボタンを押すと、メモリ内の設定が
有効になり、ＣＡＮＣＥＬボタンを押すとこの設定が無
効になる。このようなパターン置換処理を、ブロックパ
ターン内の他の基本パターンに対しても行う。なお、パ
ターン分割の変更には、１つの基本パターンを複数の小
さなパターンに変更することも含まれる。これにより、
ブロックパターンの透過孔面積が減少してクーロン効果
が低減する編集ダイアログボックス７４内の「画面上で
操作を行なう」ボタンを押した後の処理は、図４５
（Ａ）のそれと同じである。 終了１ ３−６．透過孔面積の検査 図４（Ｂ）の透過孔面積検査・修正ボタン４３を押す
と、図４８に示すような透過孔面積検査・修正ダイアロ
グボックスが表示される。透過孔面積が広すぎると一般
に、クーロン効果や近接効果が問題になる。入力ボック
ス内に透過孔面積を設定し、確定１ボタンを押すと設定
値が確定し、取消１ボタンを押すと設定値が取り消され
てデフォルト値が設定される。実行ボタンを押すと、ス
テンシルマスク上の全ブロックパターンから、設定値以
上の透過孔面積を有するブロックパターンが検出され、
検出されたブロックパターンが異色表示、例えば赤色塗
り潰し表示される。これにより、クーロン効果や近接効
果に対し補正すべき箇所を容易見つけることができる。
検査結果に基づいたパターンデータ修正は、上記３−５
の場合と同一である。 ３−７．近接効果の検査 図４（Ｂ）の近接効果検査・修正ボタン４５を押すと、
図４９に示すような近接効果検査ダイアログボックスが
表示される。図４９は、クーロン相互作用のパラメータ
及び電流密度の設定がない他は、図４３（Ａ）と同一で
ある。 ３−８．近接効果検査結果に基づいたパターンデータ修
正 上記３−５の場合と同一である。 ４．ステンシルマスク上のブロックパターンのレイアウ
ト変更 ステンシルマスク上のブロックパターンで露光する場
合、偏向器で荷電粒子ビームを偏向させて、荷電粒子ビ
ームを透過させるブロックパターンを選択し、偏向器で
荷電粒子ビームを振り戻す。このため、ブロックパター
ンがステンシルマスク上の中心部に近いほど、描画パタ
ーン精度が高くなる。従って、高い描画パターン精度が
要求されるブロックパターンはステンシルマスク上の中
心部付近に配置する必要がある。また、使用頻度の高い
ブロックパターンをステンシルマスク上の中心部付近に
配置すれば、描画パターン精度の平均値が高くなる。ス
テンシルマスク上のブロックパターンのレイアウトを変
更する場合、図４（Ａ）の表示切換ボタン２１で表示対
象をステンシルマスクに切換える。ブロックパターンレ
イアウトボタン２３を押すと、図５０（Ａ）のブロック
レイアウトダイアログボックスブロック８０が表示され
る。このダイアログボックス８０で選択できる機能は、
次の４つである。 （１）ステンシルマスク上のブロックパターンをレイア
ウト変更 （２）ステンシルマスク上の全ブロックパターンを削除
しその各々を可変成形パターン群に変更 （３）ステンシルマスク上の一部のブロックパターンを
削除しその各々を可変成形パターン群に変更 （４）可変成形パターン群をブロックパターン化してス
テンシルマスク上に配置 以下、これらの各機能を説明する。 （１）ステンシルマスク上のブロックパターンをレイア
ウト変更 （１ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「ブロックパターンレイアウト変更」ボタン
を押す。 （１ｂ）これに応答して、図５０（Ｂ）のブロックパタ
ーンリスト８１が表示される。 （１ｃ）このブロックパターンリスト８１内のブロック
配置座標（又は配置位置識別コード）をマウスで選択す
ると、それに該当するブロックパターンがステンシルマ
スク上で異色表示、例えば点滅又は色が変更されて表示
される。異色表示されている時に、ブロックパターンが
移動可能な状態になっている。 （１ｄ）ステンシルマスク上の移動させたいブロックパ
ターンをマウスで選択すると、このブロックパターンと
異色表示されているブロックパターンとがステンシルマ
スク上でスワップされ、ブロックパターンリスト内のブ
ロック配置座標もスワップされる。 （１ｅ）ダイアログボックス８０内のキャンセルボタン
を押すと、メモリ上で変更されたブロックパターンの配
置情報が消され、変更前の状態に戻る。 （１ｆ）さらなる変更がなければダイアログボックス８
０内のＯＫボタンを押し、さらに変更する場合には（１
ｃ）へ戻る。 （１ｇ）上記（１ｃ）から（１ｆ）までの処理を繰り返
して、ステンシルマスク上のブロックパターンレイアウ
トを変更し、次に確定ボタンを押すと、元のブロックパ
ターンレイアウトデータが保存されたまま、変更された
ブロックパターンレイアウトデータがデータベースに追
加される。 （１ｈ）作成ボタンを押すと、元のウェーハ露光用パタ
ーンデータが保存されたまま、ウェーハ露光用パターン
データ内に展開されているブロック配置座標が変更され
た新たなウェーハ露光用パターンデータが作成されて、
データベースに追加される。 （１ｉ）全て変更前の状態に戻すには、復元ボタンを押
す。復元ボタンを押すと、新しく作成された露光用パタ
ーンデータはデータベースから削除され、元のブロック
パターンレイアウトデータが用いられてステンシルマス
ク上のブロックパターン配置が復元される。このような
処理により、熟練設計者が描画精度とスループットの両
方を考慮してブロックパターンのレイアウトを容易に変
更することができる。終了ボタンを押すと、ステンシル
マスク上でのレイアウト変更処理が終了し、ブロックパ
ターンリスト８１及びレイアウトダイアログボックス８
０も画面上から消える。 （２）ステンシルマスク上の全ブロックパターンを削除
しその各々を可変成形パターン群に変更 （２ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「全ブロック削除」ボタンを押す。 （２ｂ）これにより、ステンシルマスク上の全ブロック
パターンが削除される。この削除はメモリ上であり、デ
ータベース上のブロックパターンデータは削除されずに
保存されている。 （２ｃ）ダイアログボックス８０内のキャンセルボタン
を押すと、メモリ上での削除が取り消され、削除前の状
態に戻る。 （２ｄ）ダイアログボックス８０内のＯＫボタンを押す
と全削除がメモリ内で有効になり、確定ボタンを押す
と、元のステンシルマスクのデータを保存したまま全ブ
ロックパターンが削除されたステンシルマスクのデータ
がデータベースに追加格納される。 （２ｅ）作成ボタンを押すと、元のウェーハ露光用パタ
ーンデータを保存したまま、全ブロックパターンが可変
成形パターン群に変更された新たなウェーハ露光用パタ
ーンデータが作成される。 （２ｆ）全て変更前の状態に戻すには、復元ボタンを押
す。復元ボタンを押すと、新しく追加作成された露光用
データがデータベースから削除され、元の露光用データ
が用いられて元のステンシルマスクが復元される。 （２ｇ）終了ボタンを押すと、ブロックパターン削除処
理が終了し、ブロックリスト８１及びダイアログボック
ス８０が画面上から消える。 （３）ステンシルマスク上の一部のブロックパターンを
削除しその各々を可変成形パターン群に変更 （３ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「ブロックパターン→可変成形」ボタンを押
す。 （３ｂ）これにより、ブロックパターンリスト８１が表
示される。 （３ｃ）ステンシルマスク上の削除したいブロックパタ
ーンをマウスで選択すると、選択されたブロックパター
ン及びブロックパターンリスト中のブロック配置情報が
削除される。この削除はメモリ内であり、データベース
上のブロックパターンデータは削除されずに保存されて
いる。 （３ｄ）ダイアログボックス８０内のキャンセルボタン
を押すと、メモリ上での削除が取り消され、削除前の状
態に戻る。 （３ｅ）さらなる削除が無ければダイアログボックス８
０内のＯＫボタンを押す。また、さらに削除する場合に
は（３ｃ）に戻る。 （３ｆ）上記（３ｃ）から（３ｅ）迄の処理を繰り返し
てステンシルマスク上のブロックパターンを削除する。
確定ボタンを押すと、ブロックパターンをできるだけス
テンシルマスク中心側へ配置するため、ステンシルマス
ク上の削除されたブロックパターンの位置に、別のブロ
ックパターンが詰められる。また、元のステンシルマス
クのデータを保存したまま削除後のステンシルマスクの
データがデータベースに追加格納される。 （３ｇ）作成ボタンを押すと、元のウェーハ露光用パタ
ーンデータを保存したまま、削除によりブロックパター
ンが可変成形パターン群に変更された新たなウェーハ露
光用パターンデータが作成される。 （３ｈ）全て変更前の状態に戻すには、復元ボタンを押
す。復元ボタンを押すと、新しく追加作成された露光用
データがデータベースから削除され、元の露光用データ
が用いられて元のステンシルマスクが復元される。この
ような処理により、熟練設計者が描画精度とスループッ
トの両方を考慮してステンシルマスク上に他のブロック
パターンを配置するためのスペースを確保することが容
易にできる。 （３ｉ）終了ボタンを押すと、ブロックパターン削除処
理が終了し、ブロックリスト８１及びダイアログボック
ス８０が画面上から消える。 （４）可変成形パターン群をブロックパターン化してス
テンシルマスク上に配置 （４ａ）ブロックパターンレイアウトダイアログボック
ス８０内の「可変成形→ブロックパターン」ボタンを押
す。 （４ｂ）これにより、図５１（Ａ）の可変成形パターン
群ブロック化ダイアログボックス８２が表示され、画面
上のステンシルマスク表示がウェーハ露光用パターンに
自動的に切り替わる。 （４ｃ）マウスを操作して、例えば図５１（Ｂ）のよう
なウェーハ露光用パターン上でブロック化したいパター
ン群を枠で囲む。 （４ｄ）可変成形パターン群ブロック化ダイアログボッ
クス８２内のＯＫ１ボタンを押すと、メモリ上にブロッ
ク化情報が蓄えられ、ＣＡＮＣＥＬ１ボタンを押すと、
選択したパターン群の枠が消える。 （４ｅ）上記（４ｃ）及び（４ｄ）の処理を必要回数繰
り返した後、確定１ボタンを押すと、ブロック化する可
変成形パターンデータがデータベース内に格納される。 （４ｆ）作成１ボタンを押すと、この格納された可変成
形パターンデータを使用して、ステンシルマスク上に形
成するブロックパターンが作成される。また、図５０
（Ｂ）のブロックパターンリスト８１が表示され、空い
ているブロック配置座標格納部が表示される。空いてい
ない場合は、ブロックパターンを作成できない。 （４ｇ）終了１ボタンを押すと、ウェーハ露光用パター
ン表示がステンシルマスク表示に自動的に切り替わり、
新しいブロックパターンが形成されたステンシルマスク
が表示される。レイアウトの変更を行なう場合には、以
降の手順を終了した後に上述のレイアウト変更処理を行
なう。 （４ｈ）可変成形パターン群ブロック化ダイアログボッ
クス８２内のオプションボタンを押して、「選んだ箇所
のみ」、「Ｘ方向で同じ形状を選ぶ（１次元マトリクス
配置を行なう）」、「Ｙ方向で同じ形状を選ぶ（１次元
マトリクス配置を行なう）」又は「Ｘ、Ｙ方向で同じ形
状を選ぶ（２次元マトリクス配置を行なう）」を選択す
る。次にＯＫ２ボタンを押すと、メモリ上で、この選択
に従ってウェーハ露光用パターンデータをブロックパタ
ーン使用データに変更するための処理を行なうのに必要
な情報が作成される。ＣＡＮＣＥＬ２ボタンを押すと、
この情報が削除される。 （４ｉ）確定２ボタンを押すと、（４ｅ）でデータベー
スに格納されたデータにこの情報が付加される。 （４ｊ）作成２ボタンを押すと、このデータと付加情報
とがデータベースからメモリ上に読み出され、ウェーハ
露光用パターンデータ内に展開されている該当する可変
成形用パターンデータ群を探索し、これをブロックパタ
ーンデータに書き換えることにより、ウェーハ露光用パ
ターンデータを新たに作成する。元のウェーハ露光用パ
ターンデータは、後で使用する可能性があるので保存し
ておく。このような処理により、熟練設計者が描画精度
とスループットの両方を考慮してステンシルマスク上に
新たなブロックパターンを追加配置することが容易にで
きる。 （４ｋ）終了２ボタンを押すと、可変成形パターン群ブ
ロック化ダイアログボックス８２が画面上から消える。
元の露光用データを復元したい場合には、ダイアログボ
ックス８０内の復元ボタンを押す。
【図１】露光用パターンデータ作成手順を示す概略フロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図２】図１のステップＳ０４の処理を行うための露光
用パターン表示・検査・修正装置の概略ブロック図であ
る。
用パターン表示・検査・修正装置の概略ブロック図であ
る。
【図３】図２の装置を用いて行われる露光用パターン表
示・検査・修正処理の手順を示す概略フローチャートで
ある。
示・検査・修正処理の手順を示す概略フローチャートで
ある。
【図４】（Ａ）は初期メニューボックス上に配置された
コマンドボタンを示し、（Ｂ）は（Ａ）中の検査修正ボ
タンを押すと表示されるメニューボックス上に配置され
たコマンドボタンを示す図である。
コマンドボタンを示し、（Ｂ）は（Ａ）中の検査修正ボ
タンを押すと表示されるメニューボックス上に配置され
たコマンドボタンを示す図である。
【図５】露光シミュレーションの手順を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図６】図５の処理で用いられるパターンデータの構成
図である。
図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｊ）は基本パターンを示す図であ
る。
る。
【図８】露光シミュレーション領域の一例を示す図であ
る。
る。
【図９】図５のステップＳ３１〜Ｓ３３の説明図であ
る。
る。
【図１０】図５のステップＳ３５の説明図である。
【図１１】最終的に決定された計算グリッド候補点を示
す図である。
す図である。
【図１２】（Ａ）は図５のステップＳ４１〜Ｓ４５の説
明図であり、（Ｂ）は図５のステップＳ４６の説明図で
ある。
明図であり、（Ｂ）は図５のステップＳ４６の説明図で
ある。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は図５のステップＳ４６の
説明図である。
説明図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも他のパターンの計
算グリッド候補点のパターン上配置図である。
算グリッド候補点のパターン上配置図である。
【図１５】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図１４（Ａ）〜
（Ｃ）の計算グリッド候補点に対応して生成された計算
グリッドのパターン上配置図である。
（Ｃ）の計算グリッド候補点に対応して生成された計算
グリッドのパターン上配置図である。
【図１６】短冊状パターンの計算グリッド候補点のパタ
ーン上配置図である。
ーン上配置図である。
【図１７】短冊状パターンに対する他の計算グリッド候
補点決定方法の説明図である。
補点決定方法の説明図である。
【図１８】（Ａ）はパターンの辺上の計算グリッド候補
点と、計算グリッドとの関係を示す図であり、（Ｂ）は
（Ａ）の各計算グリッド点について算出された露光強度
の分布を示す図である。
点と、計算グリッドとの関係を示す図であり、（Ｂ）は
（Ａ）の各計算グリッド点について算出された露光強度
の分布を示す図である。
【図１９】露光強度計算説明図である。
【図２０】（Ａ）は露光シミュレーションで得られたパ
ターン精度分布を示すヒストグラムであり、横軸は予測
幅の目標値に対する誤差であり、（Ｂ）はこの誤差が許
容範囲外であるエラーパターンのリストを示す図であ
る。
ターン精度分布を示すヒストグラムであり、横軸は予測
幅の目標値に対する誤差であり、（Ｂ）はこの誤差が許
容範囲外であるエラーパターンのリストを示す図であ
る。
【図２１】（Ａ）は露光シミュレーションで得られた線
幅毎の正の誤差の最大値及び負の誤差の最大値を示す棒
グラフであり、（Ｂ）は許容誤差範囲外のエラーパター
ンのリストを示す図である。
幅毎の正の誤差の最大値及び負の誤差の最大値を示す棒
グラフであり、（Ｂ）は許容誤差範囲外のエラーパター
ンのリストを示す図である。
【図２２】図４（Ｂ）中のパターンデータ修正ボタンを
押すと表示される、コマンドボタンが配列されたパター
ン修正ダイヤログボックスである。
押すと表示される、コマンドボタンが配列されたパター
ン修正ダイヤログボックスである。
【図２３】露光量変更によるパターンデータ修正の対象
の一例を示すパターン図である。
の一例を示すパターン図である。
【図２４】（Ａ）はパターンシフトによるパターンデー
タ修正の対象の一例を示すパターン図であり、（Ｂ）及
び（Ｃ）はこの対象がシフトされたパターン図である。
タ修正の対象の一例を示すパターン図であり、（Ｂ）及
び（Ｃ）はこの対象がシフトされたパターン図である。
【図２５】（Ａ）は図２２（Ａ）中の補助露光パターン
発生ボタンを押すと表示されるダイヤログボックスであ
り、（Ｂ）は補助露光パターン発生によるパターンデー
タ修正を示すパターン図である。
発生ボタンを押すと表示されるダイヤログボックスであ
り、（Ｂ）は補助露光パターン発生によるパターンデー
タ修正を示すパターン図である。
【図２６】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ補助露光の前及
び後の、パターンを横切る線上の相対露光強度分布を示
す線図である。
び後の、パターンを横切る線上の相対露光強度分布を示
す線図である。
【図２７】追加パターン発生によるパターンデータ修正
を示すパターン図である。
を示すパターン図である。
【図２８】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれパターン分割変
更の前及び後のパターン図である。
更の前及び後のパターン図である。
【図２９】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、他のパターン
分割変更の前及び後のパターン図である。
分割変更の前及び後のパターン図である。
【図３０】自動幅測定手順を示すフローチャートであ
る。
る。
【図３１】図３０のステップＳ５１及びＳ５２の説明図
である。
である。
【図３２】図３０のステップＳ６０を説明するための部
分拡大図である。
分拡大図である。
【図３３】図３０のステップＳ６０を説明するための部
分拡大図である。
分拡大図である。
【図３４】図３０のステップＳ５５及びＳ５６の説明図
である。
である。
【図３５】図４（Ｂ）中の面積密度表示ボタンを押すと
表示される、面積密度計算単位（正方形）の一辺のサイ
ズを入力するためのダイアログボックスを示す図であ
る。
表示される、面積密度計算単位（正方形）の一辺のサイ
ズを入力するためのダイアログボックスを示す図であ
る。
【図３６】面積密度表示例を示す図である。
【図３７】ステンシルマスク上のブロックパターンを示
す図である
す図である
【図３８】図４（Ｂ）中の打抜きパターン検出・修正ボ
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
ある。
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
ある。
【図３９】ブロックパターン中の打抜きパターン検出手
順を示すフローチャートである。
順を示すフローチャートである。
【図４０】図３９の処理対象の一例を示すブロックパタ
ーン図である。
ーン図である。
【図４１】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ図３９のステッ
プＳ６７及びＳ６９の説明図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）
はいずれも図３９のステップＳ７３、Ｓ７５及びＳ７７
の説明図である。
プＳ６７及びＳ６９の説明図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）
はいずれも図３９のステップＳ７３、Ｓ７５及びＳ７７
の説明図である。
【図４２】図４（Ｂ）中の微細パターン検出ボタンを押
すと表示されるダイアログボックスを示す図である。
すと表示されるダイアログボックスを示す図である。
【図４３】（Ａ）は図４（Ｂ）中のクーロン効果検査・
修正ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを示
す図であり、（Ｂ）は（Ａ）中の終了１ボタンを押すと
表示されるダイアログボックスを示す図である。
修正ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを示
す図であり、（Ｂ）は（Ａ）中の終了１ボタンを押すと
表示されるダイアログボックスを示す図である。
【図４４】（Ａ）は図４３（Ａ）中の露光量変更ボタン
を押すと表示されるダイアログボックスを示す図であ
り、（Ｂ）は（Ａ）中のいずれかのボタンを押すと表示
されるダイアログボックスを示す図であり、（Ｃ）は修
正対象のブロックパターンの一例を示す図である。
を押すと表示されるダイアログボックスを示す図であ
り、（Ｂ）は（Ａ）中のいずれかのボタンを押すと表示
されるダイアログボックスを示す図であり、（Ｃ）は修
正対象のブロックパターンの一例を示す図である。
【図４５】（Ａ）は図４３（Ａ）中のパターンシフトボ
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
あり、（Ｂ）は（Ａ）中の「エディタを使用する」ボタ
ンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図であ
り、（Ｃ）は（Ｂ）中のＬＩＳＴボタンを押すと表示さ
れるダイアログボックスを示す図である。
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
あり、（Ｂ）は（Ａ）中の「エディタを使用する」ボタ
ンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図であ
り、（Ｃ）は（Ｂ）中のＬＩＳＴボタンを押すと表示さ
れるダイアログボックスを示す図である。
【図４６】図４３（Ａ）中の追加パターン発生ボタンを
押すと表示されるダイアログボックスを示す図である。
押すと表示されるダイアログボックスを示す図である。
【図４７】（Ａ）は図４３（Ａ）中のパターン分割変更
ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図
であり、（Ｂ）は（Ａ）中の「エディタを使用する」ボ
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
ある。
ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図
であり、（Ｂ）は（Ａ）中の「エディタを使用する」ボ
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
ある。
【図４８】図４（Ｂ）中の透過孔面積検査・修正ボタン
を押すと表示されるダイアログボックスを示す図であ
る。
を押すと表示されるダイアログボックスを示す図であ
る。
【図４９】図４（Ｂ）中の近接効果検査・修正ボタンを
押すと表示されるダイアログボックスを示す図である。
押すと表示されるダイアログボックスを示す図である。
【図５０】（Ａ）は図４（Ａ）中のブロックレイアウト
ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図
であり、（Ｂ）は（Ａ）中のブロックレイアウト変更ボ
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
ある。
ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図
であり、（Ｂ）は（Ａ）中のブロックレイアウト変更ボ
タンを押すと表示されるダイアログボックスを示す図で
ある。
【図５１】（Ａ）は図５０（Ａ）中の「可変成形→ブロ
ック」ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを
示す図であり、（Ｂ）は可変成形パターン群中のブロッ
ク化処理で表示されるパターン図である。
ック」ボタンを押すと表示されるダイアログボックスを
示す図であり、（Ｂ）は可変成形パターン群中のブロッ
ク化処理で表示されるパターン図である。
【図５２】領域指定して露光シミュレーションを行う場
合の従来の計算グリッド配置図である。
合の従来の計算グリッド配置図である。
【図５３】従来の露光シミュレーション結果表示を示す
露光イメージ図である。
露光イメージ図である。
【図５４】ウェーハ露光用パターン図である。
【図５５】図５４のパターンが表示されているときにマ
ウスで画面上の点を指定すると異色表示されるブロック
パターンを示す従来図である。
ウスで画面上の点を指定すると異色表示されるブロック
パターンを示す従来図である。
【図５６】従来の、指定されたブロックパターンの情報
表示を示す図である。
表示を示す図である。
１０ コンピュータ １１ 手操作入力装置 １２ 表示装置 １３ 外部記憶装置 ２０ 初期メニューボックス ２１ 表示切換ボタン ２２ 検査・修正ボタン ２２１ 検査・修正ダイアログボックス ２３ ブロックパターンレイアウトボタン ３０ 面積密度表示ボタン ３１ 自動幅測定ボタン ３２ 露光シミュレーションボタン ３３ 精度分布表示ボタン ３４ 幅ばらつき表示ボタン ３５ パターンデータ修正ボタン ４０ チップ上ブロックパターン配置検出ボタン ４１ 微細パターン検出ボタン ４２ クーロン効果検査・修正ボタン ４３ 透過孔面積検査・修正ボタン ４４ 打抜きパターン検出・修正ボタン ４５ 近接効果検査・修正ボタン ５０、６５、６５Ａ 枠 ５１〜５５ パターン ５９ パターン修正ダイアログボックス ６０ 露光量変更ボタン ６１ パターンシフトボタン ６２ パターン分割変更ボタン ６３ 補助露光パターン発生ボタン ６４ 追加パターン発生ボタン ６６〜６８ 幅測定ライン ６０１、６１１ 配線パターン ６２１〜６２６、６２１Ａ、６２２Ａ パターン ６３１ 補助露光パターン ６４１ 追加パターン ６８１ 交点 ７０ ブロックパターン ７２、７３ 露光量変更ダイアログボックス ７４ 編集ダイアログボックス ７５ パターンシフトダイアログボックス ７６ ＬＩＳＴダイアログボックス ７７ パターン分割変更ダイアログボックス ８０ ブロックパターンレイアウトダイアログボックス ８１ ブロックパターンリスト ８２ 可変成形パターン群ブロック化ダイアログボック
ス Ｐ１〜Ｐ９、Ｐ１０〜Ｐ１９、Ｐ２０〜Ｐ２３ パター
ン ＣＧＰＰ、ＣＧＰＰ１〜ＣＧＰＰ８、ＣＧＰＰ１Ａ、Ｃ
ＧＰＰ２Ａ、ＣＧＰＰ３Ａ、ＣＧＰＰ４Ａ、ＣＧＰＰ５
Ａ、ＣＧＰＰ６Ａ 計算グリッド候補点 ＣＧ 計算グリッド ＧＰ グリッド点 ＲＥ 相対露光強度 ＷＥ 描画パターン幅
ス Ｐ１〜Ｐ９、Ｐ１０〜Ｐ１９、Ｐ２０〜Ｐ２３ パター
ン ＣＧＰＰ、ＣＧＰＰ１〜ＣＧＰＰ８、ＣＧＰＰ１Ａ、Ｃ
ＧＰＰ２Ａ、ＣＧＰＰ３Ａ、ＣＧＰＰ４Ａ、ＣＧＰＰ５
Ａ、ＣＧＰＰ６Ａ 計算グリッド候補点 ＣＧ 計算グリッド ＧＰ グリッド点 ＲＥ 相対露光強度 ＷＥ 描画パターン幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｖ ５０２Ｗ 21/82 Ｚ Ｆターム(参考） 2H095 BB01 5B046 AA08 BA04 GA01 HA05 JA04 KA05 5F046 AA25 DA02 DA11 DD01 5F064 DD03 HH06 HH10 HH14
Claims (33)
- 【請求項１】 ポリゴンパターンが基本パターンに分解
された対象物露光用パターンデータについて、パターン
を検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に基
づいてパターンデータを修正する露光用パターン表示・
検査・修正方法であって、実質的に該パターンを露光対
象物上への縮小投影パターンと対応させ、対応した投影
パターンにつき、該検査として、 パターンの辺が他のパターンの辺と接触していない第１
非接触部分の端点である非接触端点の間に第１計算候補
点を生成し、この第１非接触部分と対向する辺の第２非
接触部分に、該第１計算候補点に対応した第２計算候補
点を生成し、該第１計算候補点と該第２計算候補点とを
通る直線上かつ該第１及び第２非接触部分を横切る部分
の各々に複数の計算点を生成し、 該計算点での露光強度を計算し、 計算結果に基づいて、該直線上の描画パターン幅予測値
を求め、 該予測値の目標値に対する誤差を該検査結果として算出
する、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項２】 上記第２非接触部分を上記第１非接触部
分に投影したときの論理積部分の中点に一致するように
上記第１計算候補点を生成し、 該第１非接触部分を該第２非接触部分に投影したときの
論理積部分の中点に一致するように上記第２計算候補点
を生成する、 ことを特徴とする請求項１記載の露光用パターン表示・
検査・修正方法。 - 【請求項３】 上記対応した投影パターンの各々につ
き、各辺の中点に計算候補点を生成し、 辺どうしの接触部に存在する該計算候補点を削除し、 残っている該計算候補点若しくはこれをその辺上で移動
させたもの又は新たな計算候補点を上記第１又は第２計
算候補点とする、 ことを特徴とする請求項２記載の露光用パターン表示・
検査・修正方法。 - 【請求項４】 隣り合う同一矩形パターンが互いに接触
し一方向へ階段状に所定値シフトしたパターン群につい
ては、 階段状部分を直線とみなしたときの対向する辺の中間点
を通る直線と該階段状部分との交点に計算候補点を生成
し、該直線上かつ該交点を横切る部分に複数の計算点を
生成し、 該階段状部分を除いた対向する辺の中間点を通る直線と
この辺との交点に計算候補点を生成し、該直線上かつ該
交点を横切る部分に複数の計算点を生成する、ことを特
徴とする請求項１記載の露光用パターン表示・検査・修
正方法。 - 【請求項５】 ポリゴンパターンが基本パターンに分解
された対象物露光用パターンデータについて、パターン
を検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に基
づいてパターンデータを修正する露光用パターン表示・
検査・修正方法であって、実質的に該パターンを露光対
象物上への縮小投影パターンと対応させ、対応した投影
パターンについて検査を行い、 該検査は、パターンを横切る線上の横切る部分での露光
強度分布を算出する露光シミュレーションであり、該検
査で、該線上の描画パターン幅の予測値の目標値に対す
る誤差を求め、 該検査結果として、該誤差のヒストグラムを画面に表示
させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項６】 ポリゴンパターンが基本パターンに分解
された対象物露光用パターンデータについて、パターン
を検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に基
づいてパターンデータを修正する露光用パターン表示・
検査・修正方法であって、実質的に該パターンを露光対
象物上への縮小投影パターンと対応させ、対応した投影
パターンについて検査を行い、 該検査は、パターンを横切る線上の横切る部分での露光
強度分布を算出する露光シミュレーションであり、該検
査で、該線上の描画パターン幅の予測値の目標値に対す
る誤差を求め、 該検査結果として、該描画パターン幅毎の誤差範囲を示
すグラフを画面に表示させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項７】 上記誤差が許容範囲外の、パターンの位
置、幅及び寸法精度を含むエラーパターンリストを画面
に表示させることを特徴とする請求項５又は６記載の露
光用パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項８】 上記エラーパターンリスト中のパターン
選択に応答して、選択された該パターンを含む所定領域
のパターンエッジ付近について露光シミュレーションを
行い、露光強度分布を色分け表示した露光イメージを画
面に表示させることを特徴とする請求項７記載の露光用
パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項９】 上記横切る部分は、請求項１記載の横切
る部分であることを特徴とする請求項５又は６記載の露
光用パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項１０】 上記横切る部分は、請求項１記載の横
切る部分であることを特徴とする請求項５又は６記載の
露光用パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項１１】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータについて、パター
ンを検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に
基づいてパターンデータを修正する露光用パターン表示
・検査・修正方法であって、実質的に該パターンを露光
対象物上への縮小投影パターンと対応させ、対応した投
影パターンについて検査を行い、 該検査は、画面に表示されたパターンに対し操作者が設
定した線の上のパターンエッジ部分での露光強度分布を
算出する露光シミュレーションであり、該検査で、該線
上の描画パターン幅の予測値の目標値に対する誤差を求
め、 該検査結果として、パターンが表示された画面上で該パ
ターンに対応して該予測値と該目標値又は該誤差とを表
示させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項１２】 操作者が上記画面で領域を指定し、 上記線の上のパターンエッジ部分は、指定された該領域
内に限定され、 上記露光強度分布を、該領域内及び該領域の外側所定範
囲内のパターンからの露光を考慮して算出する、 ことを特徴とする請求項１１記載の露光用パターン表示
・検査・修正方法。 - 【請求項１３】 上記誤差が許容範囲外である場合には
これを画面上で示すことを特徴とする請求項１１又は１
２記載の露光用パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項１４】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータについて、パター
ンを検査し、検査結果を表示し、表示された検査結果に
基づいてパターンデータを修正する露光用パターン表示
・検査・修正方法であって、 該検査として、パターンが表示されている画面上を単位
領域で分割し各単位領域でのパターン面積密度を画面上
に表示する、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項１５】 上記パターン面積密度を％で数値表示
することを特徴とする請求項１４記載の露光用パターン
表示・検査・修正方法。 - 【請求項１６】 操作者が指定した画面上の点を中心と
して所定範囲内で上記パターン面積密度の分布を表示す
ることを特徴とする請求項１４又は１５記載の露光用パ
ターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項１７】 操作者の選択に応じて、上記パターン
面積密度の分布をパターンと重ね合わせて表示し又は該
分布のみを表示することを特徴とする請求項１４乃至１
６のいずれか１つに記載の露光用パターン表示・検査・
修正方法。 - 【請求項１８】 操作者の選択に応じて、パターンデー
タ毎に持っている露光量を変更し、パターンをシフトさ
せ、論理和パターンの形状を同一にしてパターン分割の
仕方を変更し、しきい値以下の露光量をもつ補助露光パ
ターンを生成して被修正パターンに重ね合わせ、又はし
きい値以上の露光量をもつ追加パターンを生成して被修
正パターンに重ね合わせることにより、上記パターン修
正を行うことを特徴とする請求項５乃至１７のいずれか
１つに記載の露光用パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項１９】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者が画面上で該ステンシルマスク上のブロックパタ
ーンを選択したことに応答して、対象物露光用パターン
中に存在する、選択されたブロックパターンをその他の
パターンと異なる表示方法で表示させる、ことを特徴と
する露光用パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項２０】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、該検査として該ステンシルマスク上のブロック
パターンに打抜きパターンが存在するかどうかを調べ、
該検査では、 辺が互いに接触しているパターンの論理和パターンを作
成し、 該論理和パターンの複数辺が他の１つのパターンの辺に
接触している場合に打抜きパターンが存在すると判定す
る、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項２１】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者に設定値又は設定範囲を入力させ、 該検査として、該ステンシルマスク上又は対象物露光用
パターン中に、該設定値以下又は該設定範囲の幅を有す
るパターンを検出し、 検出したパターンをその他のパターンと異なる表示方法
で表示させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項２２】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、該検査として露光シミュレーションを行い描画
パターン幅予測値及びその誤差を算出し、 該検査の前に、該露光シミュレーションで用いる計算式
を操作者に選択させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項２３】 上記検査の前に、上記計算式に用いら
れているパラメータの値を操作者に設定させることを特
徴とする請求項２２記載の露光用パターン表示・検査・
修正方法。 - 【請求項２４】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者に、該ステンシルマスク上の１つのブロックパタ
ーンを選択させ、 操作者に、選択されたブロックパターンを構成している
基本パターンを１つ選択させ、 操作者に、選択された基本パターンに対する修正データ
を入力させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項２５】 上記修正は露光量であることを特徴と
する請求項２４記載の露光用パターン表示・検査・修正
方法。 - 【請求項２６】 上記修正はパターンシフトであり、 上記修正データは指定辺又は全辺のシフト量を含む、 ことを特徴とする請求項２４記載の露光用パターン表示
・検査・修正方法。 - 【請求項２７】 上記修正は、上記選択された基本パタ
ーンに重ね合わされる追加パターンの生成であり、 上記修正データは、該追加パターンのサイズ及び露光量
を含む、 ことを特徴とする請求項２４記載の露光用パターン表示
・検査・修正方法。 - 【請求項２８】 上記修正は、上記ブロックパターンを
基本パターンに分割する仕方の変更であり、 上記修正データは、該基本パターンのサイズを含む、 ことを特徴とする請求項２４記載の露光用パターン表示
・検査・修正方法。 - 【請求項２９】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者に設定値を入力させ、 該検査として、該ステンシルマスク上に、透過孔面積が
該設定値以上のブロックパターンを検出し、 検出したブロックパターンをその他のブロックパターン
と異なる表示方法で表示させる、 ことを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正方
法。 - 【請求項３０】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 パターン修正処理終了時に、修正されたパターンが繰り
返し配置情報を持っている場合、操作者に、修正された
パターンを除くこの繰り返し配置パターンについても同
一の修正を行うかどうかを質問し、これに応答した処理
を行う、 ことを特徴とする請求項１８又は２４記載の露光用パタ
ーン表示・検査・修正方法。 - 【請求項３１】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者の操作に応じ、ステンシルマスク上のブロックパ
ターン間を互いに入れ替え、これに対応して、対象物露
光用パターン中のブロックパターンデータが持っている
ブロック配置座標も入れ替えることを特徴とする露光用
パターン表示・検査・修正方法。 - 【請求項３２】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者の操作に応じ、ステンシルマスク上のブロックパ
ターンを削除して、これに対応した対象物露光用パター
ン中のブロックパターンを可変成形パターン群と置き換
えることを特徴とする露光用パターン表示・検査・修正
方法。 - 【請求項３３】 ポリゴンパターンが基本パターンに分
解された対象物露光用パターンデータ及び基本パターン
群がブロック化されてステンシルマスク上に配置された
ブロックパターンについて、パターンを検査し、検査結
果を表示し、表示された検査結果に基づいてパターンデ
ータを修正する露光用パターン表示・検査・修正方法で
あって、 操作者の操作に応じ、対象物露光用パターン中の可変成
形パターン群をブロック化してそのブロックパターンを
ステンシルマスク上に追加することを特徴とする露光用
パターン表示・検査・修正方法。
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| JP25897698A JP2000089448A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 露光用パターン表示・検査・修正方法 |
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