JPH10135111A

JPH10135111A - 露光用マスク、露光方法、露光データ作成方法、マスク作成データ作成方法、及び、記憶媒体

Info

Publication number: JPH10135111A
Application number: JP28985196A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Miyajima; 正明宮島
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1998-05-22
Also published as: US5917579A

Abstract

(57)【要約】【課題】耐久性の高い露光用マスクを提供する。【解決手段】搭載ブロック決定装置３１の半導体装置の
レイアウトパターンから共通な部分として抽出したブロ
ックのブロックパターンデータ５１及びブロック配置デ
ータ６１を、ブロック複写条件とに基づいて、ステンシ
ルマスク６５の耐久性低下を招くブロックを搭載ブロッ
クに設定する。更に、ＣＰＵ３２は、搭載ブロックパタ
ーンデータを複数複写するとともに、複写した複数のブ
ロックパターンデータ５１に対して、ブロック配置デー
タ６１をデータ数がほぼ均等になるように複写したブロ
ックの数に対応して分割するようにした。ブロック配置
データ６１を複写したブロックに対応してほぼ均等に分
割することにより、各ブロックが使用される回数がほぼ
均等になり、１つのブロックに対する不純物の付着量が
少なくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光用マスク、露光
方法、露光データ作成方法、マスク作成データ作成方
法、及び、記憶媒体に関するものである。

【０００２】近年のＬＳＩは大規模、微細化が進み、露
光するＬＳＩパターンの露光速度や露光精度を向上させ
る露光技術が必要とされており、その１つの露光方法と
してブロック露光法がある。ブロック露光法は、ＬＳＩ
パターンの共通な部分をブロックとして抽出してステン
シルマスク（又は、ブロックマスクという）上に形成
し、そのブロックにより露光するビームを共通な部分の
パターンに対応させて成形する方法である。この方法を
用いることにより、１ショットで複数のパターンを露光
することができるため、露光時間を短縮化してウェハの
製造時間の短縮化が図られている。ステンシルマスク
は、ショット数に応じて劣化するため、その劣化に応じ
てステンシルマスクの交換などの作業が必要となる。そ
れらの作業は、ウェハの製造時間を長くする原因となる
ことから、ステンシルマスクの耐久性の向上が要求され
ている。

【０００３】

【従来の技術】図１６は、ブロック露光を行う電子ビー
ム（ＥＢ）露光装置の概略構成図である。ＥＢ露光装置
１０は、アパーチャ１１及びステンシルマスク１３（又
はブロックマスクという）を備える。アパーチャ１１に
は所定の面積の矩形窓１２が形成されている。図１７に
示すように、ステンシルマスク１３には、複数のブロッ
ク領域１４及び矩形窓１５が形成されている。

【０００４】ステンシルマスク１３の各ブロック領域１
４には、半導体装置のレイアウトパターンから抽出され
たブロックパターンが形成されている。各ブロックパタ
ーンは、それぞれ複数のパターンよりなり、レイアウト
パターンの共通な部分が１つのブロックパターンとして
抽出され、その抽出されたブロックパターンが搭載ブロ
ックとしてブロック領域１４に形成されている。

【０００５】ＥＢ露光装置１０は、ビーム光源１６から
照射されアパーチャ１１の矩形窓１２を透過して成形さ
れた電子ビームを第１電磁偏向器１７を用いて偏向させ
てステンシルマスク１３上の１つのブロック領域１４に
選択的に照射する。そして、ＥＢ露光装置１０は、ステ
ンシルマスク１３のブロック領域１４を透過した成形ビ
ームを第２電磁偏向器１８により偏向させて抽出したレ
イアウトパターンをウェハ１９上に露光する。

【０００６】各ブロック領域１４には、複数のパターン
よりなるブロックパターンが形成されているので、１シ
ョットにて複数のパターンを一度に露光することができ
る。従って、転写回数の多いブロックパターンを優先的
にステンシルマスク１３に搭載することにより、露光時
間をより短縮することが可能となる。

【０００７】また、１つのブロック領域１４を透過させ
たビームを第２電磁偏向器１８にてレイアウトパターン
に対応してウェハ１９上に複数露光することにより、ウ
ェハ１９上に同一形状のレイアウトパターンを精度良く
複数露光することが可能となる。従って、ウェハ１枚当
たりの露光時間を短縮するとともに、ウェハ１９上には
同一形状のレイアウトパターンを精度良く露光される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＤＲＡＭ等
のような半導体装置の露光に利用されるステンシルマス
ク１３には、メモリセルのように繰り返しの多いレイア
ウトパターンのブロックと、メモリセル以外の入出力回
路などのように繰り返しの少ないレイアウトパターンの
ブロックとが搭載される。半導体装置の１つのチップを
露光する場合、メモリセルから抽出されたブロックを使
用する回数、即ちブロックの転写回数は、メモリセル以
外の回路パターンから抽出したブロックの転写回数と比
べて数百倍から数千倍にもなる。

【０００９】更に、１枚のウェハ１９に転写する場合に
は、ウェハ１９上に複数のチップが形成されるため、メ
モリセルから抽出されたブロックの転写回数は形成され
るチップの個数をかけたものとなる。従って、メモリセ
ルから抽出されたブロックの転写回数は、メモリセル以
外から抽出されたブロックに比べて非常に多くなる。

【００１０】ステンシルマスク１３を使用してウェハ１
９を露光する場合、そのステンシルマスク１３には、ビ
ーム照射によるカーボン等の不純物が付着する。カーボ
ンは、ウェハ１９上に塗布されたレジストに含まれ、電
子ビームにより加熱されて飛散しステンシルマスク１３
に付着する。

【００１１】すると、付着した不純物によってブロック
を透過するビームの透過率が低下する場合がある。ブロ
ックの透過率は、ビーム照射の回数、即ち、ブロックの
転写回数が多くなるほど低くなる。従って、繰り返しの
多いブロックほど透過率が低下する。すると、レイアウ
トパターンが露光不足になったり、レイアウトパターン
のエッジがぼけたりする場合がある。

【００１２】また、ステンシルマスク１３は、ビーム照
射によって発熱し、その発熱量は、ビーム照射の回数、
即ち、ブロックの転写回数が多くなるほど高くなる。そ
の発熱によって、ステンシルマスク１３は、ブロックパ
ターンの欠落が起こり易くなる。

【００１３】即ち、繰り返しの多いブロックは、繰り返
しの少ないブロックに比べて透過率の低下やブロックパ
ターンの欠落などの不良が発生する割合が高い。従っ
て、ブロックの転写回数が多いほど、ステンシルマスク
１３の使用期間、即ち、ステンシルマスク１３の耐久性
が低下する。

【００１４】ステンシルマスク１３の耐久性は、半導体
装置の作成期間に影響する。即ち、他のブロックがまだ
十分に使用可能であるにもかかわらず、繰り返しの多い
１〜数個のブロックのためにステンシルマスク１３の再
作成や、ステンシルマスク１３を交換するための露光停
止、ステンシルマスク１３の交換後の位置調整などを頻
繁に行わなければならなくなる。その結果、一定期間に
露光することができるウェハ数が少なくなる。即ち、１
枚当たりのウェハ１９の作成時間が長時間化する。作成
時間が長時間化すると、半導体集積回路装置の製造コス
トが上昇するという問題がある。

【００１５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、耐久性の高い露光用マスクを提供す
ることを目的とする。また、露光用マスクの耐久性を向
上させることができる露光方法、露光データ作成方法、
及び、マスク作成データ生成方法を提供することを目的
とする。

【００１６】更に、露光用マスクの耐久性を向上させる
ことができるプログラムを記憶した記憶媒体を提供する
ことを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、露光すべきパターン情報
の共通な部分を基本パターンとして形成し、該基本パタ
ーンを繰り返し使用して光源から照射されるビームを所
望のパターンに成形して露光媒体の複数個所に同一形状
のパターンを露光する露光用マスクにおいて、同一形状
の基本パターンを複数形成したことを要旨とする。

【００１８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の露光用マスクにおいて、前記同一形状の複数の
基本パターンを、前記光源から前記露光媒体への光路中
心に対して螺旋状に配置したことを要旨とする。

【００１９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の露光用マスクにおいて、前記同一形状の複数の
基本パターンを、前記光源から前記露光媒体への光路中
心に対して等距離に配置したことを要旨とする。

【００２０】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の露光用マスクにおいて、前記同一形状の複数の
基本パターンが互いに隣接しないように配置したことを
要旨とする。

【００２１】また、請求項５に記載の発明は、露光すべ
きパターン情報の共通な部分を基本パターンとし、同一
形状の基本パターンが複数形成された露光用マスクを用
いて露光媒体の複数個所に同一形状のパターンを露光す
る露光方法であって、前記同一形状の複数の基本パター
ンの内の１つを利用して前記露光媒体を露光することを
要旨とする。

【００２２】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載の露光方法において、前記複数の基本パターン
を、予め設定されたショット分毎に順次選択して同一形
状のパターンを露光媒体の所定位置に露光することを要
旨とする。

【００２３】また、請求項７に記載の発明は、請求項５
に記載の露光方法において、前記複数の基本パターン
を、１つ又は複数ショット毎に順次選択して同一形状の
パターンを露光媒体の所定位置に露光することを要旨と
する。

【００２４】また、請求項８に記載の発明は、露光すべ
きパターン情報の共通な部分を基本パターンとして抽出
し、前記基本パターンのパターン情報と、抽出した共通
な部分の複数の座標値よりなる配置データとを生成する
ステップと、前記パターン情報を複写し、同一形状の基
本パターンとなる複写元パターン情報と複写パターン情
報を前記マスク上の異なるブロックに設定するステップ
と、前記配置データに対して、設定した前記複数のブロ
ックの内の１つを設定するステップと、前記パターン情
報及び配置データに基づいて、前記パターン情報に基づ
いて作成されるマスク上に設けられた同一形状の複数の
ブロックの内の１つを選択するようにビームの第１偏向
データを生成するステップと、前記パターン情報及び配
置データに基づいて、前記選択されたブロックを透過し
たビームを露光対象の所定部に偏向するための第２偏向
データを生成するステップとを備えたことを要旨とす
る。

【００２５】また、請求項９に記載の発明は、請求項８
に記載の露光データ作成方法において、前記パターン情
報を複写するステップは、入力したブロック複写条件に
基づいて、複写するブロック数を演算するステップと、
前記ブロック数に基づいて、前記パターン情報を複写し
て複写パターンを生成するステップとを備えたことを要
旨とする。

【００２６】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
８に記載の露光データ作成方法において、前記配置デー
タに対して、設定した複数のブロックの内の１つを設定
するステップは、前記配置データの座標値の数を前記ブ
ロック数で分配するステップと、その分配した数毎に前
記配置データに対して１つのブロックを設定するステッ
プとを含むことを要旨とする。

【００２７】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
８に記載の露光データ作成方法において、前記配置デー
タに対して、設定した複数のブロックの内の１つを設定
するステップは、前記配置データに対して１つ又は複数
のブロックを順次設定するステップを含むことを要旨と
する。

【００２８】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
８に記載の露光データ作成方法において、前記同一形状
の複数の基本パターンを、前記光源から前記露光媒体へ
の光路中心に対して螺旋状となるように前記複写元パタ
ーン情報と複写パターン情報とを設定したことを要旨と
する。

【００２９】また、請求項１３に記載の発明は、請求項
８に記載の露光データ作成方法において、前記同一形状
の複数の基本パターンを、前記光源から前記露光媒体へ
の光路中心に対して等距離となるように前記複写元パタ
ーン情報と複写パターン情報とを設定したことを要旨と
する。

【００３０】また、請求項１４に記載の発明は、請求項
８に記載の露光データ作成方法において、前記同一形状
の複数の基本パターンが互いに隣接しないように前記複
写元パターン情報と複写パターン情報とを設定したこと
を要旨とする。

【００３１】また、請求項１５に記載の発明は、におい
て、露光すべきパターン情報の共通な部分を基本パター
ンとして抽出し、前記基本パターンのパターン情報と、
抽出した共通な部分の座標値の配置データとを生成する
ステップと、前記パターン情報を複写し、同一形状の基
本パターンとなる複写元パターン情報と複写パターン情
報を前記マスク上の異なるブロックに設定するステップ
と、前記配置データに対して、設定した前記複数のブロ
ックの内の１つを設定するステップと、前記複写元パタ
ーン情報と複写パターン情報とをブロック出力データと
して出力するステップとを備えたことを要旨とする。

【００３２】また、請求項１６に記載の発明は、請求項
５乃至請求項１５のうちの１項に記載のステップよりな
るプログラムを格納したことを要旨とする。（作用）従って、請求項１に記載の発明によれば、露光
すべきパターン情報の共通な部分が基本パターンとして
形成され、該基本パターンが繰り返し使用されて光源か
ら照射されるビームが所望のパターンに成形されて露光
媒体の複数個所に同一形状のパターンを露光する露光用
マスクには、同一形状の基本パターンが複数形成され
る。

【００３３】また、請求項２に記載の発明によれば、同
一形状の複数の基本パターンが、光源から露光媒体への
光路中心に対して螺旋状に配置される。また、請求項３
に記載の発明によれば、同一形状の複数の基本パターン
が、光源から露光媒体への光路中心に対して等距離に配
置される。

【００３４】また、請求項４に記載の発明によれば、同
一形状の複数の基本パターンが互いに隣接しないように
配置される。また、請求項５に記載の発明によれば、露
光すべきパターン情報の共通な部分が基本パターンとさ
れ、同一形状の基本パターンが複数形成された露光用マ
スクに対して、同一形状の複数の基本パターンの内の１
つが利用されて露光媒体が露光される。

【００３５】また、請求項６に記載の発明によれば、複
数の基本パターンが、予め設定されたショット分毎に順
次選択されて同一形状のパターンが露光媒体の所定位置
に露光される。

【００３６】また、請求項７に記載の発明によれば、複
数の基本パターンが、１つ又は複数ショット毎に順次選
択されて同一形状のパターンが露光媒体の所定位置に露
光される。

【００３７】また、請求項８に記載の発明によれば、露
光すべきパターン情報の共通な部分が基本パターンとし
て抽出され、基本パターンのパターン情報と、抽出した
共通な部分の複数の座標値よりなる配置データとが生成
される。そのパターン情報が複写され、同一形状の基本
パターンとなる複写元パターン情報と複写パターン情報
がマスク上の異なるブロックに設定される。そして、配
置データに対して、複数のブロックの内の１つが設定さ
れ、パターン情報及び配置データに基づいて、パターン
情報に基づいて作成されるマスク上に設けられた同一形
状の複数のブロックの内の１つが選択されるようにビー
ムの第１偏向データが生成される。更に、パターン情報
及び配置データに基づいて、選択されたブロックが透過
されたビームが露光対象の所定部に偏向されるための第
２偏向データが生成される。

【００３８】また、請求項９に記載の発明によれば、入
力したブロック複写条件に基づいて、複写するブロック
数が演算され、そのブロック数に基づいて、パターン情
報が複写されて複写パターンが生成される。

【００３９】また、請求項１０に記載の発明によれば、
配置データに対して、設定された複数のブロックの内の
１つが設定される時に、配置データの座標値の数がブロ
ック数で分配され、その分配された数毎に配置データに
対して１つのブロックが設定される。

【００４０】また、請求項１１に記載の発明によれば、
配置データに対して、設定した複数のブロックの内の１
つが設定される時に、配置データに対して１つ又は複数
のブロックが順次設定される。

【００４１】また、請求項１２に記載の発明によれば、
同一形状の複数の基本パターンが、光源から露光媒体へ
の光路中心に対して螺旋状となるように複写元パターン
情報と複写パターン情報とが設定される。

【００４２】また、請求項１３に記載の発明によれば、
同一形状の複数の基本パターンが、光源から露光媒体へ
の光路中心に対して等距離となるように複写元パターン
情報と複写パターン情報とが設定される。

【００４３】また、請求項１４に記載の発明によれば、
同一形状の複数の基本パターンが互いに隣接しないよう
に複写元パターン情報と複写パターン情報とが設定され
る。また、請求項１５に記載の発明によれば、露光すべ
きパターン情報の共通な部分が基本パターンとして抽出
され、基本パターンのパターン情報と、抽出した共通な
部分の座標値の配置データとが生成される。そのパター
ン情報が複写され、同一形状の基本パターンとなる複写
元パターン情報と複写パターン情報がマスク上の異なる
ブロックに設定される。更に、配置データに対して、設
定した複数のブロックの内の１つが設定され、複写元パ
ターン情報と複写パターン情報とがブロック出力データ
として出力される。

【００４４】

【発明の実施の形態】

（第一実施形態）以下、本発明を具体化した第一実施形
態を図１〜図８に従って説明する。

【００４５】図１は、本発明を適用した露光データ作成
装置のシステム構成を示す模式図である。露光データ作
成装置３１は、中央処理装置（以下、ＣＰＵという）３
２、メモリ３３、磁気ディスク３４、表示器３５、キー
ボード３６を備え、それらはバスにより相互に接続され
ている。

【００４６】磁気ディスク３４には、図２及び図３に示
す露光データ作成処理のプログラムデータが予め記憶さ
れている。図１中のＣＰＵ３２は、キーボード３６の操
作に基づいて起動されると、図２及び図３に示されるス
テップに従って露光データ作成処理を実行する。

【００４７】また、磁気ディスク３４には、図２に示さ
れるデータファイル４１が記憶されている。データファ
イル４１には、予め図示しないＣＡＤ装置により回路設
計及びレイアウト設計されたメモリ等の半導体装置（Ｌ
ＳＩ）チップのレイアウトデータが格納されている。図
１に示されるＣＰＵ３２は、データフィル４１からレイ
アウトデータである基データを入力し、その基データに
基づいて露光データ作成処理を実行する。

【００４８】その露光データ作成処理において、図１中
のＣＰＵ３２は、図２に示されるデータファイル４２，
４３，４４を作成し、図１中の磁気ディスク３４に格納
する。ＣＰＵ３２は、図２に示されるデータファイル４
１に格納されたパターン情報としての基データを読み出
し、その基データに対して所定の図形処理を施す。そし
て、ＣＰＵ３２は、図形処理後の基データを中間データ
としてデータファイル４２に格納する。

【００４９】また、図１中の磁気ディスク３４には、図
２に示されるデータファイル４２，４３，４４が格納さ
れる。また、図１中のメモリ３３には、図２に示される
データファイル４５，４６が格納される。

【００５０】図１中のＣＰＵ３２は、図２に示される露
光データ作成処理におけて、データファイル４１に格納
された基データを読み込み、その基データに対して所定
の図形処理を施す。そして、ＣＰＵ３２は、処理後の基
データをデータを中間データとして図２に示されるデー
タファイル４２に一旦格納する。

【００５１】次に、図１中のＣＰＵ３２は、データファ
イル４２に格納した中間データを読み込み、その中間デ
ータから共通な部分をブロックとして抽出し、その抽出
結果のブロックデータをデータファイル４５，４６に格
納する。

【００５２】図４に示すように、ブロックデータは、ブ
ロックパターンデータ５１とブロック配置データ６１と
から構成される。図１に示されるＣＰＵ３２は、ブロッ
クパターンデータ５１をデータファイル４５に、ブロッ
ク配置データ６１をデータファイル４６に格納する。

【００５３】ブロックパターンデータ５１は、ブロック
番号５２、ブロック情報５３、及び、搭載フラグ５４と
から構成される。ブロック番号５２は、各ブロックパタ
ーンデータ５１毎に付与され、各ブロックを区別するた
めに利用される。ブロックの形状やそのブロックとして
抽出した共通な部分の個数（以下、複写個数という）等
のブロック情報が格納される。図４に示すように、ブロ
ック情報５３は、転写個数５５、パターン数５６、任意
角辺フラグ５７、ブロック配置座標値５８、パターンデ
ータ５９により構成される。

【００５４】転写個数５５は、そのブロックを用いて露
光する部分の数を示している。転写個数５５は、図６に
示されるステンシルマスク６５の耐久性に影響する。即
ち、転写個数５５が多いほどそのブロックの劣化が早ま
り、ステンシルマスク６５の耐久性を低下させる。従っ
て、１個のブロック当たりの転写個数５５を少なくする
と、ステンシルマスク６５の劣化、即ち、ステンシルマ
スク６５の耐久性の低下を抑えることができる。

【００５５】パターン数５６は、当該ブロック内に含ま
れるレイアウトデータのパターンの数を示し、本実施形
態では、レイアウトパターンを矩形に分割した場合の個
数をパターン数５６としている。パターン数５６が多い
ブロックを図６に示されるステンシルマスク６５に搭載
することにより、１ショット当たりに露光されるパター
ンの数が多くなるので、露光時間の短縮に効果がある。

【００５６】任意角辺フラグ５７は、そのブロック内に
任意角辺が含まれるか否かを示している。その任意角辺
は、ＬＳＩのレイアウトパターンを露光する基準となる
Ｘ軸又はＹ軸（例えばＬＳＩチップの一辺をＸ軸とし、
そのＸ軸と直行する辺をＹ軸とする）に対して、４５°
の整数倍の角度以外の角度の辺の事を言う。任意角辺が
含まれる場合、そのレイアウトパターンは、基準となる
Ｘ軸又はＹ軸に沿って分割され、図１６に示される電子
ビーム露光装置１０によって矩形の電子ビームにより露
光される。その結果、任意角辺は、階段状に露光される
ため、エッジが直線にならない。

【００５７】従って、図１に示されるＣＰＵ３２は、任
意角辺フラグ５７に対して、任意角辺が含まれる場合に
は「１」をセットし、任意角辺が含まれない場合には
「０」をセットする。任意角辺を含むブロックを図６に
示されるステンシルマスク６５に搭載することにより、
直線のエッジを露光することができると共に、レイアウ
トパターンを分割して描画しない分だけ露光時間の短縮
に効果がある。

【００５８】ブロック配置座標値５８は、ブロックが搭
載される図６に示されるステンシルマスク６５上の座標
値を示している。パターンデータ５９は、ブロックに搭
載されるレイアウトパターンのパターンデータが格納さ
れる。

【００５９】搭載フラグ５４は、そのブロックを図６に
示されるステンシルマスク６５に搭載するブロックとし
て設定したか否かを示している。ステンシルマスク６５
には、搭載されるブロック数が物理的（ステンシルマス
クの面積）により制限されるため、搭載されるブロック
データと搭載されないブロックデータとを区別するため
に利用される。

【００６０】ブロック配置データ６１には、使用ブロッ
ク番号６２、転写座標値６３が格納される。使用ブロッ
ク番号６２は、ブロックパターンデータ５１に格納され
たブロック番号を示し、転写座標値６３は、ブロック番
号のブロックパターンを転写する座標値、即ち、露光媒
体となるウェハ１９上の座標値を示している。

【００６１】即ち、ウェハ１９上から抽出された１つの
部分に対して、１組の使用ブロック番号６２と転写座標
値６３とが格納される。従って、ブロック配置データ６
１には、ウェハ１９上から抽出された部分の数、即ち、
搭載ブロックを転写する数に対応した複数組の使用ブロ
ック番号６２、転写座標値６３が格納される。

【００６２】図１中のＣＰＵ３２は、図２に示されるデ
ータファイル４５に格納したブロックパターンデータ５
１のブロック情報に基づいて、ステンシルマスク６５に
搭載するブロックを決定する。その際、図１中のＣＰＵ
３２は、ステンシルマスク６５の耐久性低下を招くブロ
ックをステンシルマスク６５上に複数配置する。

【００６３】この時、図１中のＣＰＵ３２は、図６に示
されるステンシルマスク６５に搭載するブロックを決定
する際に、図２に示される制御文４８に記述されたブロ
ック複写条件に基づいて、ステンシルマスク６５の耐久
性低下を招くブロックを複数複写する。

【００６４】図５に示すように、ブロック複写条件６４
には、転写限界個数、指定ブロック番号、透過孔面積等
が含まれる。ブロック複写条件６４の転写限界個数や透
過孔面積等は、作成するチップの数や、露光装置１０の
状態等を考慮して予め設定されている。

【００６５】指定ブロック番号は、抽出されたブロック
のパターンデータ５９に基づいて、使用者が図６に示さ
れるステンシルマスク６５上に搭載すべきと判断したブ
ロックパターンデータ５１のブロック番号５２が格納さ
れる。尚、使用者は、抽出されたブロックのパターンデ
ータ５９を、例えばＣＲＴ３５などに表示された図形を
確認し、搭載するか否かを判断する。

【００６６】例えば、転写されるブロックは、その転写
個数５５が多いほど不純物が多く付着して電子ビームの
透過率が低下するので、図６に示されるステンシルマス
ク６５の耐久性が低下する。また、転写個数５５の多い
ブロックは、電子ビームの照射による発熱によってステ
ンシルマスク６５の温度が高くなり、ブロックパターン
が欠落し易くなるので、ステンシルマスク６５の耐久性
が低下する。

【００６７】更に、ブロックパターンによっては、ブロ
ックパターンの面積によって発熱量が多くなったり、電
子ビームの照射により発生する熱が逃げ難い場合があ
る。これらのブロックでは、少ない転写個数５５でも図
６に示されるステンシルマスク６５の温度が高くなって
ブロックパターンが欠落しやすくなるので、やはりステ
ンシルマスク６５の耐久性が低下する。

【００６８】従って、上記の原因となる転写個数５５の
多いブロックを、その転写個数５５に応じた個数分図６
に示されるステンシルマスク６５上に配置することによ
り、１つのブロックに対する不純物の付着が少なくなる
とともに、ステンシルマスク６５の温度上昇が抑えられ
る。その結果、電子ビームの透過率が低下し難くなると
共に、ブロックパターンが欠落し難くなるので、ステン
シルマスク６５の耐久性が向上する。また、熱が逃げ難
いパターンのブロックをステンシルマスク６５上に複数
配置することによりステンシルマスク６５の温度上昇が
抑えられる。その結果、ブロックパターンが欠落し難く
なるので、ステンシルマスク６５の耐久性が向上する。

【００６９】従って、ブロック複写条件には、図６に示
されるステンシルマスク６５の耐久性が低下しないよう
な条件が設定される。例えば、転写限界個数には、ステ
ンシルマスク６５に付着した不純物により透過率に影響
があまり無い転写回数が設定される。また、透過孔面積
には、電子ビームの照射によるステンシルマスク６５の
温度が上昇し難いブロックパターンの面積等が設定され
る。

【００７０】即ち、図１中のＣＰＵ３２は、入力したブ
ロック複写条件と各ブロックのブロック情報とに基づい
て、図６に示されるステンシルマスク６５の耐久性低下
を招くブロックを複写する個数を決定し、その個数分だ
けブロックパターンデータ５１を複写する。更に、複写
した各ブロックパターンのブロックを搭載ブロックに設
定する。そして、ＣＰＵ３２は、設定した複数の同一形
状の搭載ブロックを図２に示されるデータファイル４５
に格納する。

【００７１】更に、図１中のＣＰＵ３２は、図４に示さ
れるブロック配置データ６１を、搭載ブロックとして設
定した複写した複数のブロックに対して、データ数がほ
ぼ均等になるように複写したブロックの数に対応して分
割する。具体的には、図１中のＣＰＵ３２は、図４に示
されるブロック配置データ６１の使用ブロック番号６２
に、複写した各ブロックのブロック番号５２を格納す
る。

【００７２】ブロック配置データ６１を複写したブロッ
クに対応してほぼ均等に分割することにより、各ブロッ
クが使用される回数がほぼ均等になる。その結果、１つ
のブロックに対する不純物の付着量は少なくなるので、
電子ビームの透過率が低下し難くなり、図６に示される
ステンシルマスク６５の耐久性が向上する。また、１つ
のブロック当たりの電子ビームの照射による発熱量は低
くなり、ステンシルマスク６５の温度上昇が抑えられる
ので、ブロックパターンが欠落し難くなり、ステンシル
マスク６５の耐久性が向上する。

【００７３】図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロックを決
定した後、データファイル４５に格納したブロックパタ
ーンデータ５１を入力し、搭載ブロックに決定したブロ
ックのブロック配置データ６１をブロック出力データと
してデータファイル４３に格納する。このブロック出力
データは、図６に示されるステンシルマスク６５の作成
に用いられる。即ち、ブロックパターンデータ５１に基
づいて、ステンシルマスク６５において、各ブロック領
域６６のブロックパターンが形成される。その結果、ス
テンシルマスク６５には、そのステンシルマスク６５の
耐久性低下を招くブロックが複数搭載される。

【００７４】また、図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロッ
クに決定したブロックに対応するブロック配置データ６
１を露光データに変換し、その露光データを図２に示さ
れるデータファイル４４に格納する。更に、図１中のＣ
ＰＵ３２は、搭載ブロック以外のレイアウトデータを図
２に示されるデータファイル４２の中間データから読み
出して露光データに変換し、その露光データをデータフ
ァイル４４に格納する。このデータファイル４４に格納
された露光データは、露光媒体としてのウェハ１９を露
光する場合に利用される。

【００７５】即ち、図１６に示す電子ビーム露光装置１
０において、データファイル４４に格納された搭載ブロ
ックに対応する露光データに基づいて第１，第２電磁偏
向器１７，１８が制御される。第１電磁偏向器１７は、
搭載ブロックとして決定されたブロックに対応するブロ
ックパターンデータ５１の配置座標に基づいて制御され
る。

【００７６】ビーム光源１６から照射された電子ビーム
は、第１電磁偏向器１７により図６に示す図６に示され
るステンシルマスク６５のブロック領域の１つに選択的
に照射され、そのブロック領域に形成されたブロックパ
ターンに基づいて成形される。その成形された電子ビー
ムは、第２電磁偏向器１８により偏向され、ウェハ１９
の所望の位置（転写座標値ＴＸ，ＴＹ）に照射され、ブ
ロックパターンが露光される。

【００７７】また、図１６に示す電子ビーム露光装置１
０において、搭載ブロック以外のレイアウトデータに対
応する露光データに基づいて、第１電磁偏向器１７が制
御され、ビーム光源１６から照射された電子ビームが図
６に示されるステンシルマスク６５の矩形窓６７に対し
てずれて照射される。この矩形窓６７に対するずれ量
は、露光するパターンに対応している。即ち、電子ビー
ムと矩形窓６７とのずれ量に基づいて、電子ビームは所
定の面積を有する断面矩形状に成形される。その成形さ
れた電子ビームは、第２電磁偏向器１８により変更さ
れ、ウェハ１９の所望の位置に照射され、所望のレイア
ウトパターンが露光される。

【００７８】次に、上記のように構成された露光データ
作成装置３１の作用を図２及び図３に示されるフローチ
ャートに従って説明する。露光データ作成装置のＣＰＵ
３２は、キーボード３６の操作により露光データ作成処
理が起動されると、図２及び図３に示される処理フロー
に従って動作する。

【００７９】先ず、図２に示されるステップ７１におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、データフィル４１から基デ
ータを入力する。次に、図２に示されるステップ７２に
おいて、図１中のＣＰＵ３２は、入力した基データに対
して、所定の図形処理、例えば、ＯＲ処理、サイジング
処理、シュリンク処理等のように、ＬＳＩの露光データ
を作成する上で必要となる図形処理を施す。そして、図
１に示されるＣＰＵ３２は、図形処理後のレイアウトデ
ータを中間データとして磁気ディスク３４上のデータフ
ァイル４２に格納する。中間データの格納を終了する
と、図１中のＣＰＵ３２は、図２に示されるステップ７
２からステップ７３に移る。

【００８０】次に、ステップ７３において、図１中のＣ
ＰＵ３２は、図２に示されるデータファイル４２に格納
された中間データを読み込む。次に、ステップ７４にお
いて、図１中のＣＰＵ３２には、図２に示される制御文
４７がキーボード３６から入力される。その制御文４７
には、ブロック抽出条件，搭載ブロック個数等が含まれ
る。ＣＰＵ３２は、入力されたブロック抽出条件に基づ
いて、読み込んだ中間データから共通した部分をブロッ
クとして抽出する。そして、ＣＰＵ３２は、抽出したブ
ロックのブロック情報が含まれるブロックパターンデー
タ５１を図２に示されるデータファイル４５に格納す
る。更に、図１中のＣＰＵ３２は、抽出したブロックの
ブロック配置データ６１を図２に示されるデータファイ
ル４６に格納する。

【００８１】例えば、図７に示すように、共通な部分と
してブロック９１，９２が抽出された場合、図１中のＣ
ＰＵ３２は、図７に示されるブロック９１のブロックパ
ターンデータ５１ａとブロック配置データ６１ａを図２
に示されるデータファイル４５，４６にそれぞれ格納す
る。また、図１中のＣＰＵ３２は、図７に示されるブロ
ック９２のブロックパターンデータ５１ｂとブロック配
置データ６１ｂを図２に示されるデータファイル４５，
４６にそれぞれ格納する。

【００８２】ステップ７５では、図１中のＣＰＵ３２
は、抽出終了か否かを判断する。その判断には、制御文
４７として入力される搭載ブロック個数が利用される。
搭載ブロック個数は、図６に示されるステンシルマスク
６５上に設けられるブロック領域の数（本実施形態では
３２個）である。即ち、ＣＰＵ３２は、図２に示される
データファイル４２の中間データから抽出したブロック
数が搭載ブロック個数になるまでステップ７４を繰り返
し処理する。従って、ステップ７４，７５によりブロッ
ク抽出処理（ブロック抽出手段）が構成される。そし
て、ブロックの抽出を終了すると、図１中のＣＰＵ３２
は、図２に示されるステップ７５からステップ７６に移
る。

【００８３】ステップ７６は搭載ブロック決定処理（搭
載ブロック決定手段）であって、図１中のＣＰＵ３２
は、図３に示されるフローチャートに従って図６に示さ
れるステンシルマスク６５に搭載するブロックを決定す
る。

【００８４】先ず、ステップ８１は複写条件入力処理
（複写条件入力手段）であって、図１中のＣＰＵ３２に
は、図２に示される制御文４８がキーボード３６から入
力される。その制御文４８には、ブロック複写条件が含
まれる。ブロック複写条件には、転写限界個数、指定ブ
ロック番号、透過孔面積等が含まれる。ブロック複写条
件の転写限界個数や透過孔面積等は、作成するチップの
数や、露光装置１０の状態等を考慮して予め設定されて
いる。指定ブロック番号は、抽出されたブロックのブロ
ックパターンデータ５１に基づいて使用者の判断により
ブロック複写条件に含まれる。ブロック複写条件を入力
すると、図１中のＣＰＵ３２は、図３に示されるステッ
プ８１からステップ８２に移る。ステップ８２は並び替
え処理（並び替え手段）であって、図１中のＣＰＵ３２
は、図２に示されるデータファイル４５に格納されたブ
ロックデータを予め設定されたキーに基づいてソーティ
ングする。キーには、ブロックデータのブロック条件の
内、転写個数５５、ブロック内パターン数５６、任意角
辺の有無が用いられる。図１中のＣＰＵ３２は、第１キ
ーを転写個数５５、第２キーをブロック内パターン数５
６、第３キーを任意角辺の有無としてブロックデータを
ソーティングする。ソーティングが終了すると、図１中
のＣＰＵ３２は、図３に示されるステップ８２からステ
ップ８３に移る。

【００８５】ステップ８３はデータ入力処理であって、
図１中のＣＰＵ３２は、データファイル４５に格納され
たブロックパターンデータ５１を入力する。この時、Ｃ
ＰＵ３２は、データ終了の場合、即ち、入力すべきブロ
ックパターンデータ５１が無い場合、搭載ブロック決定
処理を終了し、ブロックパターンデータ５１を入力した
場合には図３に示されるステップ８３からステップ８４
に移る。

【００８６】ステップ８４は搭載ブロック設定処理（搭
載ブロック設定手段）であって、図１中のＣＰＵ３２
は、図３に示されるステップ８３において入力したブロ
ックパターンデータ５１を搭載ブロックとして設定す
る。具体的には、ＣＰＵ３２は、図４に示されるブロッ
クパターンデータ５１のブロック情報の搭載フラグ５４
に「１」をセットする。

【００８７】例えば、図７に示すブロック９１，９２が
図２に示すステップ８２において抽出され並び替えられ
た場合、図１中のＣＰＵ３２は、先ず、図７に示される
ブロック９１のブロックパターンデータ５１ａを入力す
る。そして、図１中のＣＰＵ３２は、ブロック９１のブ
ロックパターンデータ５１ａを構成する搭載フラグ５４
に「１」をセットする。

【００８８】図３に示されるステップ８５は、複写条件
判断処理（複写条件判断手段）であって、図１中のＣＰ
Ｕ３２は、入力したブロックパターンデータ５１が複写
条件に該当するか否かを判断する。例えば、複写条件と
して転写限界個数が設定されている場合、ＣＰＵ３２
は、その転写限界個数と図７に示されるブロックパター
ンデータ５１ａの転写個数５５とを比較する。そして、
転写個数５５が転写限界個数を超えている場合、図１中
のＣＰＵ３２は、入力したブロックパターンデータ５１
が複写条件に該当すると判断する。この場合、ＣＰＵ３
２は、図３に示されるステップ８５からステップ８６に
移る。

【００８９】一方、ブロックパターンデータ５１の転写
個数５５が複写条件として設定された転写限界個数を超
えていない場合、図１中のＣＰＵ３２は、入力したブロ
ックパターンデータ５１が複写条件に該当しないと判断
する。この場合、ＣＰＵ３２は、図３に示されるステッ
プ８５からステップ８９に移る。

【００９０】次に、ステップ８６は複写処理（複写手
段）であって、図１中のＣＰＵ３２は、ブロックパター
ンを複写する。ここで、複写元のブロックパターンデー
タ５１と複写したブロックパターンデータ５１とを区別
するために、以後複写元のブロックパターンデータ５１
を元パターンデータ、複写したブロックパターンデータ
５１を複写パターンデータという。

【００９１】この時、ＣＰＵ３２は、元パターンデータ
と複写パターンデータのブロック情報がブロック複写条
件に該当しないような数だけ複写パターンデータを複写
する。例えば、複写条件として転写限界個数が設定され
ている場合、図１中のＣＰＵ３２は、元パターンデータ
と複写パターンデータの転写個数５５が転写限界個数以
下となるような数だけ複写パターンデータを複写する。
そして、図１中のＣＰＵ３２は、複写パターンデータを
必要なブロック数だけ複写すると、図３に示されるステ
ップ８６からステップ８７に移る。

【００９２】例えば、図１中のＣＰＵ３２は、図７に示
されるブロック９１のブロックパターンデータ５１ａに
格納されたブロック情報５３に基づいて、ブロックパタ
ーンデータ９３のブロック情報５３が複写条件に該当す
ると判断した場合、図８に示すように、元パターンデー
タ９３を複写した複写パターンデータ９３ａを生成す
る。そして、図１中のＣＰＵ３２は、元パターンデータ
９３と複写パターンデータ９３ａを区別するために、元
パターンデータ９３のブロック番号５２に「１」をセッ
トし、複写パターンデータ９３ａのブロック番号５２に
「２」をセットする。

【００９３】図３に示されるステップ８７は搭載ブロッ
ク設定処理（搭載ブロック設定手段）であって、図１中
のＣＰＵ３２は、図３に示されるステップ８６において
複写した複写パターンデータを搭載ブロックに設定す
る。即ち、図１中のＣＰＵ４２は、図８に示される複写
パターンデータ９３ａの搭載フラグ５４に「１」をセッ
トし、複写パターンデータ９３ａを搭載ブロックとして
設定する。

【００９４】ステップ８８は分配処理（分配手段）であ
って、図１中のＣＰＵ３２は、図４に示されるブロック
配置データ６１を複写したブロックに対してそれぞれデ
ータ数がほぼ均等になるように分配する。具体的には、
図１中のＣＰＵ３２は、図８に示されるブロック配置デ
ータ６１の使用ブロック番号に、複写した各ブロックの
ブロック番号を格納する。ブロック番号を格納すると、
図１中のＣＰＵ３２は、図３に示されるステップ８８か
らステップ８９に移る。

【００９５】例えば、図８に示すように、元パターンデ
ータ９３から複写パターンデータ９３ａが複写された場
合、図１中のＣＰＵ３２は、ブロック配置データ９４の
各データを元パターンデータ９３と複写パターンデータ
９３ａとに分配する。例えば、ブロック配置データ９４
のデータ数をｍ個とする。この場合、図１中のＣＰＵ３
２は、図８に示されるブロック配置データ９３の１個め
のデータから（ｍ／２）個目のデータまでの各使用ブロ
ック番号６２に元パターンデータ９２のブロック番号
「１」をセットする。次に、図１中のＣＰＵ３２は、図
８に示される（ｍ／２）＋１個目のデータからｍ個目の
データまでの各使用ブロック番号６２に複写パターンデ
ータ９３ａのブロック番号「２」をセットする。

【００９６】即ち、元パターンデータ９３と複写パター
ンデータ９３ａの複写回数は、それぞれ（ｍ／２）回と
なる。この複写回数（ｍ／２）回は、複写条件の内の転
写限界個数以下となる。即ち、元パターンデータ９３及
び複写パターンデータ９３ａの複写回数は、それぞれ転
写限界個数以下となるため、不純物の付着などによる抽
出された時の複写回数ｍから分配された後の転写回数
（ｍ／２）回となるため、それぞれのブロックに対する
不純物の付着量は少なくなる。

【００９７】次に、図３に示されるステップ８９におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロックとして設定し
たブロック数と、図６に示されるステンシルマスク６５
に搭載可能なブロック数とを比較し、ステンシルマスク
６５にまだブロックの搭載が可能か否かを判断する。そ
して、ＣＰＵ３２は、搭載可能と判断した場合、図３に
示されるステップ８８からステップ８３に移り、次のブ
ロックデータを入力する。

【００９８】図３に示されるステップ８３において、図
１中のＣＰＵ３２は、次のブロックデータとして図７に
示されるブロック９２のブロックパターンデータ９５を
入力する。そして、ＣＰＵ３２は、ブロックパターンデ
ータ９４のブロック情報５３に基づいて、図３に示され
るステップ８４からステップ８８までの処理を行うが、
同じ処理であるため説明を省略する。

【００９９】一方、図３に示されるステップ８９におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、図６に示されるステンシル
マスク６５にこれ以上ブロックを搭載できないと判断し
た場合、図３に示されるステップ８９からステップ９０
に移る。そのステップ９０において、図１中のＣＰＵ３
２は、全てのブロックデータを非搭載ブロックとして設
定し、搭載ブロック決定処理を終了する。そして、搭載
ブロックを全て決定すると、図１中のＣＰＵ３２は、図
３に示される露光データ決定処理を終了し、図２に示さ
れるステップ７７に移る。

【０１００】ステップ７７はブロックデータ出力処理
（ブロックデータ出力手段）であって、図１中のＣＰＵ
３２は、搭載ブロックのブロックデータを図２に示され
るデータファイル４３にブロック出力データとして格納
する。具体的には、図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロッ
クに設定されたブロックパターンデータ５１、即ち、図
８に示される搭載フラグ５４に「１」がセットされたパ
ターンデータ９３，９３ａを図２に示されるデータファ
イル４５から入力する。更に、図１中のＣＰＵ３２は、
搭載ブロックに対応するブロック配置データ９４を図２
に示されるデータファイル４６から入力する。そして、
ＣＰＵ３２は、入力したパターンデータ９３，９３ａと
ブロック配置データ９４とを、ブロック出力データとし
て図２に示されるデータファイル４３に格納する。更
に、図１中のＣＰＵ３２は、図７に示される搭載フラグ
５４に「１」がセットされたブロックパターンデータ９
５とブロック配置データ９６を入力し、ブロック出力デ
ータとして図２に示されるデータファイル４３に格納す
る。

【０１０１】そのブロック出力データに基づいて、図６
に示されるステンシルマスク６５が作成される。そのス
テンシルマスク６５には、適宜なブロック領域６６に対
してパターンデータ９３，９３ａに基づいて２つのブロ
ック領域６６に同一形状のブロックパターンが形成され
る。また、ステンシルマスク６５には、ブロックパター
ンデータ９５に基づいたブロックパターンが所望のブロ
ック領域６６に形成される。

【０１０２】ステップ７８，７９は露光データ変換処理
（露光データ変換手段）であって、図１中のＣＰＵ３２
は、先ず図２に示されるステップ７８において、ブロッ
クにより露光されるレイアウトパターンを露光データに
変換し、データファイル４４に格納する。具体的には、
図１中のＣＰＵ３２は、データファイル４３に格納され
たブロック出力データを入力する。そして、ＣＰＵ３２
は、入力したブロック出力データを露光データに変換
し、その露光データを図２に示されるデータファイル４
４に格納する。

【０１０３】データファイル４３には、ステップ７７に
おいて搭載ブロックの図７，８に示されるパターンデー
タ９３，９３ａ，９５とブロック配置データ９４，９６
とがブロック出力データとして格納されている。従っ
て、図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロックのブロックパ
ターン及びブロック配置データ６１を露光データに変換
してデータファイル４４に格納する。

【０１０４】次に、ステップ７９において、図１中のＣ
ＰＵ３２は、ブロックにより露光されないレイアウトパ
ターンを露光データに変換し、図２に示されるデータフ
ァイル４４に格納する。ブロックにより露光されないレ
イアウトパターンには、ステップ７６において搭載ブロ
ックに設定されなかったブロックのレイアウトパターン
と、ステップ７４においてブロックとして抽出されなか
ったレイアウトパターンとがある。

【０１０５】図１中のＣＰＵ３２は、データファイル４
２から搭載ブロック以外の部分の中間データを読み込
み、その中間データを露光データに変換してデータファ
イル４４に出力する。

【０１０６】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。（１）搭載ブロック決定装置３１の半導体装置のレイア
ウトパターンから共通な部分としてブロックを抽出し、
各ブロックのブロックパターンデータ５１及びブロック
配置データ６１をデータファイル４５，４６に格納す
る。そのデータファイル４５に格納したブロックパター
ンデータ５１のブロック情報５３と入力したブロック複
写条件とに基づいて、ステンシルマスク６５の耐久性低
下を招くブロックを搭載ブロックに設定する。更に、Ｃ
ＰＵ３２は、搭載ブロックパターンデータを複数複写す
るとともに、複写した複数のブロックパターンデータ５
１に対して、ブロック配置データ６１をデータ数がほぼ
均等になるように複写したブロックの数に対応して分割
するようにした。ブロック配置データ６１を複写したブ
ロックに対応してほぼ均等に分割することにより、各ブ
ロックが使用される回数がほぼ均等になる。

【０１０７】従って、１つのブロックに対する不純物の
付着量は少なくなるので、各ブロックを透過する電子ビ
ームの透過率が低下し難くなる。また、１つのブロック
当たりの電子ビームの照射による発熱量は低くなり、図
６に示されるステンシルマスク６５の温度上昇が抑えら
れるので、ブロックパターンが欠落し難くなり、ステン
シルマスク６５の耐久性が向上する。

【０１０８】その結果、従来に比べて図６に示されるス
テンシルマスク６５の耐久性を向上させることができ
る。従って、図１６に示される電子ビーム露光装置１０
において、ステンシルマスク６５を交換する頻度が少な
くなるので、ステンシルマスク６５の再作成や、ステン
シルマスク６５の交換に伴う露光停止時間、調整などの
時間の短縮化を図ることができる。

【０１０９】（第二実施形態）以下、本発明を具体化し
た第二実施形態を図９〜図１２に従って説明する。本実
施形態において、第一実施形態の図３に示される搭載ブ
ロック決定処理が、図９に示される搭載ブロック決定処
理に置き換えられている。従って、本実施形態では、第
一の実施形態と同じ部材及び処理については同じ符号を
付してその詳細な説明を省略し、第一実施形態と相違す
る部分である図９に示された搭載ブロック決定処理を詳
細に説明する。

【０１１０】尚、本実施形態を説明するに当たり、図２
に示されるステップ７４のブロック抽出処理において、
図１０に示されるブロック１０１，１０２，１０３が抽
出されているものとする。各ブロック１０１〜１０３に
ついて説明する。ブロック１０１に対してブロックパタ
ーンデータ１０４とブロック配置データ１０５が図２に
示されるデータファイル４５，４６にそれぞれ格納され
ている。図１０に示すように、ブロック１０１は、転写
個数が１２３個であり、ブロックパターンデータ１０４
のブロック情報５３には、転写個数として「１２３」が
格納されている。また、ブロック配置データ１０５は、
１２３組の使用ブロック番号６２及び転写座標値６３が
格納されている。

【０１１１】同様に、ブロック１０２に対してブロック
パターンデータ１０６とブロック配置データ１０７が図
２に示されるデータファイル４５，４６にそれぞれ格納
されている。図１０に示すように、ブロックパターンデ
ータ１０６のブロック情報５３には、ブロック１０２の
転写個数として「４５６」が格納され、ブロック配置デ
ータ１０７は、４５６組の使用ブロック番号６２及び転
写座標値６３が格納されている。

【０１１２】また、ブロック１０３に対してブロックパ
ターンデータ１０８とブロック配置データ１０９が図２
に示されるデータファイル４５，４６にそれぞれ格納さ
れている。図１０に示すように、ブロックパターンデー
タ１０８のブロック情報５３には、ブロック１０３の転
写個数として「４５０００」が格納され、ブロック配置
データ１０９は、４５０００組の使用ブロック番号６２
及び転写座標値６３が格納されている。

【０１１３】ステップ８１において、図１に示されるＣ
ＰＵ３２は、ブロック複写条件を制御文４８として入力
する。尚、本実施形態では、ブロック複写条件として転
写限界個数のみが設定されているものとする。従って、
図１中のＣＰＵ３２は、ブロック複写条件として転写限
界個数を入力する。

【０１１４】図９に示されるステップ８２の並び替え処
理において、図１中のＣＰＵ３２は、図２に示されるデ
ータファイル４５に格納されたブロックデータを予め設
定されたキーに基づいてソーティングする。図１０に示
すように、ブロック１０１〜１０３の転写個数は、それ
ぞれ１２３個、４５６個、４５０００個である。従っ
て、図１中のＣＰＵ３２は、第１キーの転写個数に基づ
いて、ブロック１０３，ブロック１０２，ブロック１０
１の順に並び替える。

【０１１５】次に、ステップ８３のデータ入力処理にお
いて、図１中のＣＰＵ３２は、データファイル４５に格
納されたブロックパターンデータを順次入力する。この
時、図２に示されるデータファイル４５には、ブロック
１０３，１０２，１０１の順番に並べられているので、
図１中のＣＰＵ３２は、先ず１０３のブロックパターン
データ１０８を入力する。

【０１１６】次に、図９に示されるステップ８４の搭載
ブロック設定処理において、図１中のＣＰＵ３２は、図
９に示されるステップ８３において入力したブロックパ
ターンデータ１０８の搭載フラグ５４に「１」をセット
し、当該ブロック１０３を搭載ブロックとして設定す
る。

【０１１７】ステップ８５の条件判断処理（条件判断手
段）において、図１中のＣＰＵ３２は、入力したブロッ
クパターンデータ１０８の複写個数が、図９に示される
ステップ７１において制御文４８として入力した複写限
度個数を超えているか否かを判断する。

【０１１８】尚、本実施形態では、転写限界個数を１０
０００個として設定している。従って、図１０に示され
るブロック１０３のブロックパターンデータ１０８に格
納された転写個数は４５０００個であり転写限界個数を
超えているため、図１中のＣＰＵ３２は、図９に示され
るステップ８５からステップ１１１に移る。

【０１１９】ステップ１１１は複写個数演算処理（複写
個数演算手段）であって、図１中のＣＰＵ３２は、必要
ブロック数ｎを演算する。この必要ブロック数ｎは、ブ
ロックパターンデータ１０８を複写する際に、そのブロ
ックパターンデータ１０８のブロック情報５３がブロッ
ク複写条件に該当しないようなブロック数である。

【０１２０】即ち、本実施形態において、抽出された転
写個数が転写限界個数以下となるブロック数である。図
１中のＣＰＵ３２は、転写個数をブロック複写条件であ
る転写限界個数で割った除算結果の商をブロック数ｎと
する。また、除算結果に余りがある場合、ＣＰＵ３２
は、除算結果のブロック数ｎに「１」加算する。

【０１２１】図１０に示されるブロック１０３におい
て、そのブロック１０３の転写個数は４５０００個であ
り、転写限界個数は１００００個である。そして、転写
個数を転写限界個数で割ると、商が「４」であまりが
「５０００」となる。従って、図１中のＣＰＵ３２は、
ブロック数ｎを「５」（＝４＋１）に設定する。

【０１２２】ステップ１１２は複写処理（複写手段）で
あって、図１中のＣＰＵ３２は、ブロックパターンを複
写する。この時、ＣＰＵ３２は、図９に示されるステッ
プ９１において演算した必要ブロック数ｎに基づいて、
元パターンデータと複写パターンデータのブロック情報
がブロック複写条件に該当しないような数だけ複写パタ
ーンデータを複写する。

【０１２３】この場合、必要なブロックの数が必要ブロ
ック数ｎ（＝５）であるので、図１中のＣＰＵ３２は、
この必要ブロック数ｎから元パターンデータの数、即
ち、「１」を減算した「ｎ−１」個（＝４個）の複写パ
ターンデータを複写する。従って、図１０に示されるブ
ロック１０３のブロックパターンデータ１０８は、図１
１に示されるように、元パターンデータ１０８と、４個
の複写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄの５個のブロ
ックパターンデータとなる。

【０１２４】次に、ステップ１１３は搭載ブロック設定
処理（搭載ブロック設定手段）であって、図１中のＣＰ
Ｕ３２は、図９に示されるステップ１１２において複写
した複写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄの搭載フラ
グ５４に「１」をセットする。また、図１中のＣＰＵ３
２は、図１１に示されるように、元パターンデータ１０
８と複写パターンデータ１０８ａのブロック番号５２に
それぞれ区別される番号をセットする。

【０１２５】例えば、図１１に示されるように、図１中
のＣＰＵ３２は、元パターンデータ１０８のブロック番
号５２に「１」を、複写パターンデータ１０８ａ〜１０
８ｄのブロック番号５２に「２」〜「５」をセットす
る。

【０１２６】更に、図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロッ
クに設定した元パターンデータ１０８と複写パターンデ
ータ１０８ａ〜１０８ｄの配置座標値（図４に示される
配置座標値５８）を設定する。この時、図１中のＣＰＵ
３２は、図１２に示されるように、ステンシルマスク１
２１のブロック領域に対して各パターンデータ１０８，
１０８ａ〜１０８ｄを渦巻状に配置する。

【０１２７】更に、元パターンデータ１０８を配置した
位置は、図１６に示される露光装置１０において、ビー
ム光源１６からウェハ１９に対する垂線と、ステンシル
マスク１２１の面と交わる位置である。ビーム光源１６
からウェハ１９に対する垂線は、そのビーム光源１６か
ら照射された電子ビームが第１、第２電磁偏向器１７，
１８により偏向されない、即ち、曲げられずに照射され
る電子ビームの光路である。この光路の電子ビームが最
も歪みが少なく、光路から離れるほど歪みが大きくな
り、ステンシルマスク１２１の周辺のブロック領域１２
２を通過する電子ビームには、実用上では問題が無い程
度の歪みが生じる。

【０１２８】従って、転写回数が多いブロックほどビー
ム光源１６からウェハ１９への垂線に近い位置に配置す
ることにより、電子ビームの歪みが少なくなって精度の
高い露光を行うことが可能となる。

【０１２９】ステップ１１４は分配処理（分配手段）で
あって、図１中のＣＰＵ３２は、図１０に示されるブロ
ック配置データ１０９を、図１１に示される元パターン
データ１０８と複数の複写パターンデータ１０８ａ〜１
０８ｄに分配する。従って、図１中のＣＰＵ３２は、図
１１に示されるブロック配置データ１０９の１個目から
９０００個目までの使用ブロック番号６２には元パター
ンデータ１０８のブロック番号「１」を格納する。

【０１３０】同様に、図１中のＣＰＵ３２は、図１１に
示されるブロック配置データ１０９の９００１個目から
１８０００個目までの使用ブロック番号６２には複写パ
ターンデータ１０８ａのブロック番号「２」を、ブロッ
ク配置データ１０９の１８００１個目から２７０００個
目までの使用ブロック番号６２には複写パターンデータ
１０８ｂのブロック番号「３」を格納する。更に同様
に、図１中のＣＰＵ３２は、図１１に示されるブロック
配置データ１０９の２７００１個目から３６０００個目
までの使用ブロック番号６２には複写パターンデータ１
０８ｃのブロック番号「４」を、ブロック配置データ１
０９の３６００１個目から４５０００個目までの使用ブ
ロック番号６２には複写パターンデータ１０８ｄのブロ
ック番号「５」を格納する。

【０１３１】次に、図９に示されるステップ８９におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、まだブロックの搭載が可能
か否かを判断する。この時、ＣＰＵ３２は、図１０に示
されるブロック１０３に対応した５個の元パターンデー
タ１０８及び複写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄを
搭載ブロックに設定しているにすぎず、搭載ブロック数
３２には達していない。従って、図１中のＣＰＵ３２
は、まだブロックが搭載可能であると判断し、図９に示
されるステップ８３に移る。

【０１３２】ステップ８３において、図１中のＣＰＵ３
２は、図１０に示されるブロック１０２のブロックパタ
ーンデータ１０６を入力する。そして、図９に示される
ステップ８４において、図１中のＣＰＵ３２は、入力し
たブロックパターンデータ１０６の搭載フラグ５４に
「１」をセットし、ブロック１０２を搭載ブロックに設
定する。

【０１３３】次に、図９に示されるステップ８５におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、図１０に示されるブロック
パターンデータ１０６のブロック情報５３がブロック搭
載条件に対応するか否かを判断する。図１０において、
ブロックパターンデータ１０６のブロック情報５３に
は、転写個数４５６個が格納されており、この転写個数
は、ブロック複写条件として入力した転写限界個数の１
００００個よりも少ない。従って、図１中のＣＰＵ３２
は、ブロック１０２がブロック複写条件に対応しないと
判断し、図９に示されるステップ８５からステップ８９
に移る。

【０１３４】このステップ８９において、搭載ブロック
に設定されたブロック数が６個であるため、図１中のＣ
ＰＵ３２は、ステップ８９からステップ８３に移り、そ
のステップ８３において、図１０に示される次のブロッ
ク１０１のブロックパターンデータ１０４を入力する。
そして、図１中のＣＰＵ３２は、図９のステップ８４に
おいて、図１０に示されるブロックパターンデータ１０
４の搭載フラグ５４に「１」をセットし、ブロック１０
１を搭載ブロックに設定する。

【０１３５】次に、図９に示されるステップ８５におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、図１０に示されるブロック
パターンデータ１０６のブロック情報５３に格納された
転写個数が１２３個であり、ブロック複写条件として入
力した転写限界個数の１００００個よりも少ない。従っ
て、図１中のＣＰＵ３２は、ブロック１０２がブロック
複写条件に対応しないと判断し、図９に示されるステッ
プ８５からステップ８９に移る。

【０１３６】このステップ８９において、搭載ブロック
に設定されたブロック数が７個であるため、図１中のＣ
ＰＵ３２は、ステップ８９からステップ８３に移り、そ
のステップ８３において、次のブロックパターデータが
無いため、図１に示されるＣＰＵ３２は、搭載ブロック
決定処理を終了する。

【０１３７】そして、図１中のＣＰＵ３２は、上記のよ
うに設定された各パターンデータ１０４，１０６，１０
８，１０８ａ〜１０８ｄとブロック配置データ１０５，
１０７，１０９に基づいて生成したブロック出力データ
と露光データを、図２に示されるデータファイル４３，
４４に格納する。データファイル４３に格納されたブロ
ック出力データに基づいて、図１２に示すステンシルマ
スク１２１が作成される。そのステンシルマスク１２１
のブロック領域１２２には、図１０，１１に示されるブ
ロック１０３に対応する元パターンデータ１０８及び複
写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄのブロックパター
ン、ブロック１０２に対応するブロックパターンデータ
１０６のブロックパターン、及び、ブロック１０１に対
応するブロックパターンデータ１０４のブロックパター
ンが形成される。

【０１３８】そのステンシルマスク１２１を図１６に示
される露光装置１０にセットする。露光装置１０は、図
２に示されるデータファイル４４に格納された露光デー
タに基づいて第１，第２の電磁偏向器１７，１８を制御
する。即ち、露光装置１０は、露光データに基づいて、
先ず、図１１中の元パターンデータ１０８が搭載された
図１２に示されるステンシルマスク１２１のブロック領
域１２２を選択する。そして、露光装置１０は、元パタ
ーンデータ１０８が搭載されたブロック領域１２２のブ
ロックパターンを９０００回転写した後、次の複写パタ
ーンデータ１０８ａが搭載されたブロック領域１２２を
選択する。即ち、露光装置１０は、元パターンデータ１
０８と複写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄが搭載さ
れた各ブロック領域１２２を、９０００回毎に順次選択
してブロックパターンを露光する。

【０１３９】従って、ブロック１０３に対応する各ブロ
ック領域１２２は、転写限界個数の１００００個以下で
使用されるので、各ブロック領域１２２に付着する不純
物の量や、ビーム照射によるステンシルマスク１２１の
温度上昇は、従来に比べて少なくなる。

【０１４０】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。（１）上記第一実施形態と同じ効果を奏する。（２）更に、図１中のＣＰＵ３２は、搭載ブロックに設
定した元パターンデータ１０８と複写パターンデータ１
０８ａ〜１０８ｄの配置座標値（図４に示される配置座
標値５８）を設定する。この時、図１中のＣＰＵ３２
は、図１２に示されるように、ステンシルマスク１２１
のブロック領域１２２に対して各パターンデータ１０
８，１０８ａ〜１０８ｄを渦巻状に配置する。元パター
ンデータ１０８を配置した位置は、図１６に示される露
光装置１０において、ビーム光源１６からウェハ１９に
対する垂線と、ステンシルマスク１２１の面と交わる位
置である。ビーム光源１６からウェハ１９に対する垂線
は、そのビーム光源１６から照射された電子ビームが第
１、第２電磁偏向器１７，１８により偏向されない、即
ち、曲げられずに照射される電子ビームの光路である。
この光路の電子ビームが最も歪みが少なく、光路から離
れるほど歪みが大きくなり、ステンシルマスク１２１の
周辺のブロック領域１２２を通過する電子ビームには、
実用上では問題が無い程度の歪みが生じる。

【０１４１】その結果、転写回数が多いブロックほどビ
ーム光源１６からウェハ１９への垂線に近い位置に配置
することにより、電子ビームの歪みが少なくなって精度
の高い露光を行うことができる。

【０１４２】（第三実施形態）以下、本発明を具体化し
た第三実施形態を図１３〜図１６に従って説明する。本
実施形態において、第二実施形態の図９に示されるステ
ップ１１４の処理が、本実施形態ではステップ１３１の
処理、即ち、図１４に示すステップ１３２〜１３６の処
理に置き換えられている。従って、本実施形態では、第
一，第二実施形態と同じ部材及び処理については同じ符
号を付してその詳細な説明を省略し、第一，第二実施形
態と相違する部分である図１４に示される分配処理につ
いて詳細に説明する。

【０１４３】尚、本実施形態を説明するに当たり、第二
実施形態と同様に、図２に示されるステップ７４のブロ
ック抽出処理において、図１０に示されるブロック１０
１，１０２，１０３が抽出されているものとする。そし
て、各ブロック１０１〜１０３のブロックパターンデー
タ１０４，１０６，１０８とブロック配置データ１０
５，１０７，１０９は、それぞれ図２に示されるデータ
ファイル４５，４６に格納されている。

【０１４４】更に、図１５に示すように、ブロック１０
３のブロックパターンデータ１０８に基づいて、元パタ
ーンデータ１０８から複写パターンデータ１０８ａ〜１
０８ｄが複写され、各パターンデータ１０８，１０８ａ
〜１０８ｄのブロック情報５３には、複写個数として９
０００個が格納されている。

【０１４５】図１４に示されるステップ１３１におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、図１４に示されるフローチ
ャートにしたがって分配処理を実行する。即ち、ステッ
プ１３２において、図１中のＣＰＵ３２は、カウント値
ｂｎに初期値として「１」をセットする。

【０１４６】次に、図１４に示されるステップ１３３に
おいて、図１中のＣＰＵ３２は、図１５に示される１個
めのブロック配置データ１０９ａを入力し、図１４に示
されるステップ１３３からステップ１３４に移る。一
方、図１中のＣＰＵ３２は、データ終了の場合、分配処
理を終了し、図１３に示されるステップ８９に移る。

【０１４７】図１４に示されるステップ１３４におい
て、図１中のＣＰＵ３２は、図１４に示されるステップ
１３３において入力したブロック配置データ６１をカウ
ント値ｂｎに基づいて、ｂｎ番目のブロックパターンデ
ータに対応するブロック配置データとして図２に示され
るデータファイル４６に格納する。

【０１４８】図１５に示される各パターンデータ１０
８，１０８ａ〜１０８ｄにおいて、１番目が元パターン
データ１０８、２番目が複写パターンデータ１０８ａ、
３番目が複写パターンデータ１０８ｂ、４番目が複写パ
ターンデータ１０８ｃ、５番目が複写パターンデータ１
０８ｄである。従って、図１中のＣＰＵ３２は、カウン
ト値ｂｎが「１」であるので、１番目の元パターンデー
タ１０８のブロック番号５２に格納された「１」をブロ
ック配置データ１０９ａの使用ブロック番号６２に格納
する。

【０１４９】そして、図１中のＣＰＵ３２は、１番目の
ブロック配置データ１０９ａを図２に示されるデータフ
ァイル４６に再格納と、図１４に示されるステップ１３
４からステップ１３５に移る。

【０１５０】ステップ１３５において、図１中のＣＰＵ
３２は、カウント値ｂｎをカウントアップする。そし
て、ステップ１３６において、図１中のＣＰＵ３２は、
カウント値ｂｎと、図１３に示されるステップ９１にお
いて演算したブロック数ｎとを比較する。そして、カウ
ント値ｂｎがブロック数ｎを超えていない場合、図１中
のＣＰＵ３２は、図１４に示されるステップ１３３に移
り、次のブロック配置データ６１を入力する。

【０１５１】一方、カウント値ｂｎがブロック数ｎを越
えた場合、図１中のＣＰＵ３２は、図１４に示されるス
テップ１３２に移り、そのステップ１３２においてカウ
ント値ｂｎに初期値をセットする。

【０１５２】即ち、図１中のＣＰＵ３２は、カウント値
ｂｎがブロック数ｎを超えない場合には図１４に示され
るステップ１３３からステップ１３５の処理を繰り返し
実行する。その繰り返しにおいて、図１中のＣＰＵ３２
は、カウントアップしたカウント値ｂｎに基づいて、順
次入力したブロック配置データをｂｎ番目のブロックパ
ターンデータに対応するブロック配置データとして設定
する。

【０１５３】その結果、ブロック配置データ６１の使用
ブロック番号には、元パターンデータ１０８と複写パタ
ーンデータ１０８ａ〜１０８ｄのブロック番号５２の値
が順に格納されるとともに、繰り返し格納される。例え
ば、図１５に示すように、元パターンデータ１０８と複
写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄには「１」〜
「５」がブロック番号として格納されている場合、図１
中のＣＰＵ３２は、ブロック配置データ１０９の１番目
のブロック配置データ１０９ａに１番目の元パターンデ
ータ１０８のブロック番号「１」を格納する。

【０１５４】同様に、ＣＰＵ３２は、２番目〜５番目の
ブロック配置データ１０９ｂ〜１０９ｅには２番目〜５
番目の複写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄのブロッ
ク番号「２」〜「５」を格納する。そして、６番目のブ
ロック配置データ１０９ｆには１番目の元パターンデー
タ１０８のブロック番号「１」を格納する。

【０１５５】そして、図１中のＣＰＵ３２は、上記のよ
うに設定された図１０，１５に示される各パターンデー
タ１０４，１０６，１０８，１０８ａ〜１０８ｄとブロ
ック配置データ１０５，１０７，１０９に基づいて生成
したブロック出力データと露光データを、図２に示され
るデータファイル４３，４４に格納する。データファイ
ル４３に格納されたブロック出力データに基づいて、図
１２に示すステンシルマスク１２１が作成される。尚、
各パターンデータ１０８，１０８ａ〜１０８ｄの配置位
置は第二実施形態と同じとする。

【０１５６】そのステンシルマスク１２１のブロック領
域１２２には、図１０，１５に示されるブロック１０３
に対応する元パターンデータ１０８及び複写パターンデ
ータ１０８ａ〜１０８ｄのブロックパターン、ブロック
１０２に対応するブロックパターンデータ１０６のブロ
ックパターン、及び、ブロック１０１に対応するブロッ
クパターンデータ１０４のブロックパターンが形成され
る。

【０１５７】そのステンシルマスク１２１を図１６に示
される露光装置１０にセットする。露光装置１０は、図
２に示されるデータファイル４４に格納された露光デー
タに基づいて第１，第２の電磁偏向器１７，１８を制御
する。即ち、露光装置１０は、露光データに基づいて、
先ず、図１１中の元パターンデータ１０８が搭載された
図１２に示されるステンシルマスク１２１のブロック領
域１２２を選択する。そして、露光装置１０は、元パタ
ーンデータ１０８が搭載されたブロック領域１２２のブ
ロックパターンを１回転写した後、次の複写パターンデ
ータ１０８ａが搭載されたブロック領域１２２を選択す
る。即ち、露光装置１０は、元パターンデータ１０８と
複写パターンデータ１０８ａ〜１０８ｄが搭載された各
ブロック領域１２２を、１回毎に順次選択してブロック
パターンを露光する。

【０１５８】従って、ブロック１０３に対応する各ブロ
ック領域１２２は、ビーム照射によりステンシルマスク
１２１の温度が上昇しても、他のブロック領域が使用さ
れている間に、その温度は低下する。従って、第二実施
形態のようにブロック領域を連続して使用する場合に比
べて、ビーム照射によるステンシルマスク１２１の温度
上昇は少なくなる。

【０１５９】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。（１）上記第二実施形態と同様の効果を奏する。（２）更に、ＣＰＵ３２はカウント値ｂｎを設け、カウ
ントアップしたカウント値ｂｎに基づいて、順次入力し
たブロック配置データをｂｎ番目のブロックパターンデ
ータに対応するブロック配置データとして設定するよう
にした。その結果、ブロック配置データ６１の使用ブロ
ック番号には、元パターンデータ１０８と複写パターン
データ１０８ａ〜１０８ｄのブロック番号５２の値が順
に格納されるとともに、繰り返し格納される。

【０１６０】露光装置１０は、上記のブロック配置デー
タ１０９に基づいて作成された露光データを用いて第
１，第２の電磁偏向器１７，１８を制御し、各パターン
データ１０８，１０８ａ〜１０８ｄが形成されたブロッ
ク領域１２２のブロックパターンを複写する。即ち、露
光装置１０は、元パターンデータ１０８と複写パターン
データ１０８ａ〜１０８ｄが搭載された各ブロック領域
１２２を、１回毎に順次選択してブロックパターンを露
光する。

【０１６１】その結果、ブロック１０３に対応する各ブ
ロック領域１２２は、ビーム照射によりステンシルマス
ク１２１の温度が上昇しても、他のブロック領域が使用
されている間に、その温度は低下する。従って、第二実
施形態のようにブロック領域を連続して使用する場合に
比べて、ビーム照射によるステンシルマスク１２１の温
度上昇は少なくなり、ステンシルマスク１２１の耐久性
が向上する。

【０１６２】尚、本発明は前記各実施形態の他、以下の
態様で実施してもよい。（１）第二，第三実施形態において、ビーム光源１６か
らウェハ１９に対する垂線に対して、ブロック１０３に
対応する各パターンデータ１０８，１０８ａ〜１０８ｄ
のブロック情報５３に等距離のブロック領域１２２の座
標値を設定する。すると、各パターンデータ１０８，１
０８ａ〜１０８ｄのブロックパターンは、垂線に対して
等距離のブロック領域１２２に形成される。垂線から等
距離の場合、各パターンデータ１０８，１０８ａ〜１０
８ｄに対応するブロック領域１２２を透過した電子ビー
ムの歪みは、実用上問題の無い範囲で均一となる。従っ
て、ウェハ１９上に同一形状のパターンを精度良く形成
することができる。

【０１６３】（２）第二，第三実施形態において、同一
形状のブロックパターンを図１２に示すように隣接した
ブロック領域１２２に配置したが、同一形状のブロック
パターンを隣接しないブロック領域１２２に配置してス
テンシルマスク１２１を作成するようにしてもよい。隣
接したブロック領域１２２に配置して露光を行った場
合、ブロック領域１２２を透過しない電子ビームがステ
ンシルマスク１２２により後方散乱し、続いて隣接した
ブロック領域１２２を使用する場合に散乱した電子ビー
ムの影響を受ける場合がある。そのため、同一形状のブ
ロックパターンを隣接しないブロック領域１２２に形成
することにより、影響を防ぐことが可能となる。

【０１６４】（３）上記第三実施形態において、１ショ
ット毎に次のブロック領域１２２を選択して露光するよ
うに露光データを作成したが、複数ショット毎に次のブ
ロック領域１２２を選択して露光するように露光データ
を作成するようにしても良い。即ち、図１中のＣＰＵ３
２は、図１４に示されるステップ１３４において、カウ
ント値ｂｎに基づいてｂｎ番目のブロックパターンデー
タに対応して図１５に示される複数の使用ブロック番号
６２に同じブロック番号を格納する。この構成により作
成された露光データに基づいてウェハ１９の露光を行う
場合、図１６に示される露光装置１０は、複数の部分を
露光する間、第１電磁偏向器１７により選択するブロッ
ク領域１２２を偏向しないので、制御が容易となる。（４）上記第二、第三実施形態において、ステップ９
２，１１２の判断処理で、転写限界条件に代えて例えば
透過孔面積等の他の複写条件に基づいて処理を行う。ま
た、転写限界個数と他の条件とに基づいて処理を行う。

【０１６５】（５）上記各実施形態において、キーボー
ド３６が操作されることにより転写条件を入力したが、
転写条件を予めファイルとして磁気ディスクに記憶して
おき、各実施形態において磁気ディスクから転写条件を
読み出して処理する。

【０１６６】（６）上記各実施形態において、ブロック
パターンデータ５１を格納するデータファイル４５と、
ブロック配置データ６１を格納するデータファイル４６
をメモリ３３上に設けたが、データファイル４５，４６
をそれぞれ磁気ディスク３４上に設けて実施してもよ
い。

【０１６７】（７）上記各実施形態において、図２に示
される露光データ作成処理と、図３，８，１２に示され
る搭載ブロック決定処理の順序を適宜変更して実施して
もよい。例えば、図２に示すステップ６６の搭載ブロッ
ク決定処理において搭載ブロックを決定して複写し、ブ
ロック配置データ６１を分配する毎にブロック出力デー
タとしてデータファイル４３に格納するようにしてもよ
い。

【０１６８】（８）上記各実施形態では、露光媒体とし
てウェハ１９にＬＳＩのレイアウトパターンを露光する
場合について説明したが、露光媒体としてはウェハ以外
の物でもよく、例えば、ＬＣＤやＰＤＰ等のパネルにパ
ターンを露光する場合に用いてもよい。

【０１６９】（９）上記各実施形態のプログラムを記憶
した記憶媒体は、コンピュータソフトウエアを記録でき
るものならどのようなものでもよい。具体的には、半導
体メモリ、フロッピ−デイスク（ＦＤ）、ハードディス
ク（ＨＤ）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ）、光磁気ディ
スク（ＭＯ，ＭＤ）、相変化ディスク（ＰＤ）、磁気テ
ープなどを含むものである。

【０１７０】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１乃至４に
記載の発明によれば、耐久性の高い露光用マスクを提供
することができる。

【０１７１】また、請求項５乃至１５に記載の発明によ
れば、露光用マスクの耐久性を向上させることができる
露光方法、露光データ作成方法、及び、マスク作成デー
タ生成方法を提供することができる。

【０１７２】更に、請求項１６に記載の発明によれば、
露光用マスクの耐久性を向上させることができるプログ
ラムを記憶した記憶媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】露光データ作成装置の概略構成図。

【図２】露光データ作成処理のフローチャート。

【図３】第一実施形態の搭載ブロック決定処理のフロ
ーチャート。

【図４】搭載ブロック決定処理における各種データの
概略構成図。

【図５】ブロック複写条件を示す説明図。

【図６】第一実施形態のステンシルマスクの平面図。

【図７】第一実施形態のブロックデータを示す説明
図。

【図８】第一実施形態の複写後のブロックデータを示
す説明図。

【図９】第二実施形態の搭載ブロック決定処理のフロ
ーチャート。

【図１０】第二実施形態のブロックデータを示す説明
図。

【図１１】第二実施形態の複写後のブロックデータを
示す説明図。

【図１２】第二実施形態のステンシルマスクの平面
図。

【図１３】第三実施形態の搭載ブロック決定処理のフ
ローチャート。

【図１４】第三実施形態の搭載ブロック決定処理のフ
ローチャート。

【図１５】第三実施形態の複写後のブロックデータを
示す説明図。

【図１６】ブロック露光を行う電子ビーム露光装置の
概略構成図。

【図１７】従来のステンシルマスクの平面図。

【符号の説明】

１６光源としてのビーム光源１９露光媒体としての半導体ウェハ３２ＣＰＵ１２１マスクとしてのステンシルマスク１２２ブロック領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光すべきパターン情報の共通な部分を
基本パターンとして形成し、該基本パターンを繰り返し
使用して光源から照射されるビームを所望のパターンに
成形して露光媒体の複数個所に同一形状のパターンを露
光する露光用マスクにおいて、同一形状の基本パターン
を複数形成した露光用マスク。
【請求項２】前記同一形状の複数の基本パターンを、
前記光源から前記露光媒体への光路中心に対して螺旋状
に配置した請求項１に記載の露光用マスク。
【請求項３】前記同一形状の複数の基本パターンを、
前記光源から前記露光媒体への光路中心に対して等距離
に配置した請求項１に記載の露光用マスク。
【請求項４】前記同一形状の複数の基本パターンが互
いに隣接しないように配置した請求項１に記載の露光用
マスク。
【請求項５】露光すべきパターン情報の共通な部分を
基本パターンとし、同一形状の基本パターンが複数形成
された露光用マスクを用いて露光媒体の複数個所に同一
形状のパターンを露光する露光方法であって、前記同一形状の複数の基本パターンの内の１つを利用し
て前記露光媒体を露光する露光方法。
【請求項６】前記複数の基本パターンを、予め設定さ
れたショット分毎に順次選択して同一形状のパターンを
露光媒体の所定位置に露光する請求項５に記載の露光方
法。
【請求項７】前記複数の基本パターンを、１つ又は複
数ショット毎に順次選択して同一形状のパターンを露光
媒体の所定位置に露光する請求項５に記載の露光方法。
【請求項８】露光すべきパターン情報の共通な部分を
基本パターンとして抽出し、前記基本パターンのパター
ン情報と、抽出した共通な部分の複数の座標値よりなる
配置データとを生成するステップと、前記パターン情報を複写し、同一形状の基本パターンと
なる複写元パターン情報と複写パターン情報を前記マス
ク上の異なるブロックに設定するステップと、前記配置データに対して、設定した前記複数のブロック
の内の１つを設定するステップと、前記パターン情報及び配置データに基づいて、前記パタ
ーン情報に基づいて作成されるマスク上に設けられた同
一形状の複数のブロックの内の１つを選択するようにビ
ームの第１偏向データを生成するステップと、前記パターン情報及び配置データに基づいて、前記選択
されたブロックを透過したビームを露光対象の所定部に
偏向するための第２偏向データを生成するステップとを
備えた露光データ作成方法。
【請求項９】前記パターン情報を複写するステップ
は、入力したブロック複写条件に基づいて、複写するブロッ
ク数を演算するステップと、前記ブロック数に基づいて、前記パターン情報を複写し
て複写パターンを生成するステップとを備えた請求項８
に記載の露光データ作成方法。
【請求項１０】前記配置データに対して、設定した複
数のブロックの内の１つを設定するステップは、前記配置データの座標値の数を前記ブロック数で分配す
るステップと、その分配した数毎に前記配置データに対して１つのブロ
ックを設定するステップとを含む請求項８に記載の露光
データ作成方法。
【請求項１１】前記配置データに対して、設定した複
数のブロックの内の１つを設定するステップは、前記配置データに対して１つ又は複数のブロックを順次
設定するステップを含む請求項８に記載の露光データ作
成方法。
【請求項１２】前記同一形状の複数の基本パターン
を、前記光源から前記露光媒体への光路中心に対して螺
旋状となるように前記複写元パターン情報と複写パター
ン情報とを設定した請求項８に記載の露光データ作成方
法。
【請求項１３】前記同一形状の複数の基本パターン
を、前記光源から前記露光媒体への光路中心に対して等
距離となるように前記複写元パターン情報と複写パター
ン情報とを設定した請求項８に記載の露光データ作成方
法。
【請求項１４】前記同一形状の複数の基本パターンが
互いに隣接しないように前記複写元パターン情報と複写
パターン情報とを設定した請求項８に記載の露光データ
作成方法。
【請求項１５】露光すべきパターン情報の共通な部分
を基本パターンとして抽出し、前記基本パターンのパタ
ーン情報と、抽出した共通な部分の座標値の配置データ
とを生成するステップと、前記パターン情報を複写し、同一形状の基本パターンと
なる複写元パターン情報と複写パターン情報を前記マス
ク上の異なるブロックに設定するステップと、前記配置データに対して、設定した前記複数のブロック
の内の１つを設定するステップと、前記複写元パターン情報と複写パターン情報とをブロッ
ク出力データとして出力するステップとを備えたマスク
作成データ生成方法。
【請求項１６】請求項５乃至請求項１５のうちの１項
に記載のステップよりなるプログラムを格納した記憶媒
体