JPH04307723A - 電子ビーム・リソグラフィの近接効果補正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム・リソグラ
フィのための近接効果補正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム・リソグラフィ技術において
、電子ビームは、電子ビーム感応レジストで被覆された
基板に選択的に照射され、半導体デバイスのパターンを
描画するのに用いられる。電子ビームは、レジストに必
要な形状を定めるように、正確に偏向され、かつ成形さ
れる。パターンはレジスト内で現像される。基板は、直
接描画リソグラフィの場合は半導体ウェハ、半導体デバ
イスの製造において続いて使用される高分解能マスクの
場合はガラス，金属，またはその他の物質のいずれかで
ある。

【０００３】電子ビームが、電子ビーム感応レジストま
たは基板のような物質を貫通するとき、ビーム中の電子
は物質内の分子と衝突し、レジストおよび基板からあら
ゆる方向へ散乱する。電子は、主にレジストからは前方
に散乱し、主に基板からは横方向または後方へ散乱する
。この散乱は、直接露光されるレジスト領域に近接する
領域をさらに散乱電子で露光させる。これは本技術の分
解能を減少させる影響を有する。基板からの後方散乱で
ある電子は、レジストからの前方散乱である電子よりも
、レジストのより広い領域に影響を及ぼす。後方散乱電
子による電子ビームの拡がりは、通常、パラメータβ、
すなわち約２μｍ〜１０μｍの後方散乱範囲によって特
徴付けられる。前方散乱と、ビームのデフォーカスと、
光学収差との組合せの影響による電子ビームの広がりは
、通常、約０．１μｍのパラメータαによって特徴付け
られる。

【０００４】直接に露光を受ける２つの領域が密接して
位置するとき、それぞれの領域は、その領域へ照射中の
電子ビーム露光（以後“入射照射線量”と呼ぶ）のみな
らず、電子の横方向散乱による余剰の露光も受け、隣接
領域まで直接に露光してしまう。結果的に、近接した領
域は、孤立した領域よりも過度に、同じ入射照射線量で
露光される。近接した２つの形状間の間隙にあるレジス
トは、両形状の散乱電子から露光を受ける。これによっ
て、形状間の間隙が狭くなる。

【０００５】この現象は“近接効果”と呼ばれる。電子
ビーム・リソグラフィによるＶＬＳＩマスクおよびチッ
プ、またはそのいずれかの製造において、現像形状に歪
を生じ、特に最小間隙または形状の寸法が１μｍ未満の
ときは、大きな問題となる。

【０００６】近接効果を排除または減少させるために、
多くの技術が用いられてきた。例えば、電子ビームのエ
ネルギー，電子ビームの供給領域，基板物質，およびレ
ジストを変化させたり、多層レジストを用いたりするこ
とが含まれる。

【０００７】近接効果補正の第１の方法は、設計形状を
変更することなく、必要なチップまたはマスクのレイア
ウトを考慮して、レジストの各点に与えられる電子ビー
ム入射“照射線量”を変更することである。各点で必要
な電子ビーム照射線量変更の計算は面倒で、均一形状の
照射線量の非負性や入射照射線量の解の安定性のような
さらにいくつかの技術的要件を処理しないことには、正
確に行えない。

【０００８】この方法で近接効果を排除する１つの手法
は、ＧＨＯＳＴと呼ばれ、Ｊ．　　Ａｐｐｌ．　　Ｐｈ
ｙｓ．　　５４（６）　　ｐｐ．３６７３−３６８１（
１９８３）ａｎｄ　　ＥＰ−Ａ−９７　　４１７　　ｏ
ｆ　　Ｏｗｅｎ　　ａｎｄ　　Ｒｉｓｓｍａｎに開示さ
れている。この手法は、“オフ形状露光の均一化”とい
う手法を用いる。この手法では、均一形状の照射線量の
他に、不均一形状点も、後方散乱電子による不均一な露
光を補うために照射線量で直接に露光される。その結果
、レジストは、全表面に亘る全均一形状点に一定のオフ
セットのバックグラウンド露光を受け、パターンは歪ま
ない。しかしこの方法は、不均一形状露光のために、よ
り低いコントラストおよびより低いスループットという
欠点がある。

【０００９】近接効果補正の他の手法は、“露光等化”
方法と呼ばれる。“露光等化”方法では、レジスト表面
における入射照射線量値は、全均一形状点で等しい露光
値を達成するように変更される。

【００１０】“露光等化”型の特定の方法は、いわゆる
つじつまのあう技術で、Ｊ．　　Ｖａｃ．　　Ｓｃｉ．
　　Ｔｅｃｈ．　　１５，　　ｐ．９３１，（１９７８
）およびＩＢＭＪ　　Ｒｅｓ．　　Ｄｅｖｅｌｏｐ．　
　２４　　ｐｐ．４３８−４５１（１９８０）に開示さ
れている。設計された形状の組はまず、十分小さい細分
形状の組に分割され、補正係数は各細分形状において一
定であると仮定することができる。つじつまのあう技術
の要件は、全形状に対して平均露光量が等しいことであ
る。これによって、補正係数のための連立１次方程式が
完全に決定される。この方法は優れた結果をもたらす。 しかし、連立１次方程式は通常、特に細分形状が多数の
ときは、良い結果が得られない。これによって得られる
非常に不安定な解は、入力パラメータの精度に依存し、
大きな誤差を生じがちである。この技術の他の欠点は、
非常に大きな計算負荷であり、特にサブミクロン技術お
よび高加速電圧、またはそのいずれか一方に対して負荷
が大きい。

【００１１】“露光等化”型のまた別の方法は、Ｐａｖ
ｋｏｖｉｃｈによるＥＰ−Ａ−１６６　　５４９　　Ｐ
ａｖｋｏｖｉｃｈ　　ａｎｄ　　ｉｎ　　Ｊ．　　Ｖａ
ｃ．　　Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．　　Ｂ　　４（１）　　ｐ
ｐ．１５９−１６３（１９８６）に開示されている。こ
の方法は基本的な積分方程式の近似解を使用し、等しい
均一形状露光が必要であるとしている。この方法は、解
として粗い格子を用い、つじつまのあう技術の高計算負
荷の問題を克服している。

【００１２】しかし露光等化方法は一般に、処理時の誤
差に敏感で、満足な結果を与える開始パラメータに到達
するために多くの試行錯誤を必要とする。基本パラメー
タ、例えば現像時間等は、一般的にチップおよびマスク
、またはそのいずれか一方の像密度に依存し、各設計は
通常、個別の処理および現像補正を必要とする。

【００１３】露光等化型の方法に関する別の問題は、前
方散乱による電子ビームの拡がりについての有限な数値
（パラメータαで表わされる）を考慮する試みが、誤り
を含んだ問題を提起するということである。この結果、
高振動性の入射照射線量が生じ、入射照射線量に対する
非現実的な負の解さえもたらす。

【００１４】他のグループの方法、例えば、Ｈａｓｌａ
ｍとＭｃＤｏｎａｌｄによるＪ．Ｖａｃ．　　Ｓｃｉ．
　　Ｔｅｃｈｎｏｌ．　　Ｂ　　４（１）ｐｐ．１６８
−１７５（１９８６）、およびＧｅｒｂｅｒによるＪ．
　　Ｖａｃ．　　Ｓｃｉ．　　Ｔｅｃｈｎｏｌ．　　Ｂ
　　６（１）ｐｐ．４３２−４３５において発表された
方法は、露光量が均一形状で一定、不均一形状で零とな
るように入射照射線量を選ぶ試みを行っている。露光量
は後方散乱のために、不均一形状で零となることはでき
ないので、これらの技術は、対応する積分方程式を解く
ことにより、非物理的な負の入射不均一形状照射線量を
得る。値が零の照射線量を切り捨てると、制御不可能な
像歪をさらにもたらす。

【００１５】つじつまのあう技術の重要な改良は、まず
Ｂｅｒｋｏｗｉｔｚ，Ｃｏｏｋ，Ｋｗｉａｔｋｏｗｓｋ
ｉ　　ａｎｄ　　Ｇｏｏｄｒｅａｕによる“Ｅｄｇｅ−
Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ，　　Ｓｅｌｆ−Ｃｏｎｓｉｓｔ
ｅｎｔ　　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　　Ｅｆｆｅｃｔ　　Ｃ
ｏｒｒｅｃｔｉｏｎｓ，”　　ｐｐ．１２５−１４２　
　ｉｎ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｐｒｏｃｅ
ｓｓｉｎｇ，　　ＡＳＴＭ　　ＳＴＰ８５０，ｅｄｉｔ
ｅｄ　　ｂｙ　　Ｄ．Ｃ．Ｇｕｐｔａ，　　Ａｍｅｒｉ
ｃａｎ　　Ｓｏｃｉｅｔｙ　　ｆｏｒ　　Ｔｅｓｔｉｎ
ｇ　　ａｎｄ　　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ｐｕｂｌｉｓｈ
ｅｒ），１９８４に開示されている。この方法では、つ
じつまのあう技術は、細分形状の各外部端における平均
露光は、その端がちょうど所望の位置に現像されるよう
な、“閾値”と呼ばれる臨界露光値に等しくなるように
拡張される。

【００１６】これを更に発展させた方法が、Ｏｔｔｏと
ＧｒｉｆｆｉｔｈによるＪ．　　Ｖａｃ．　　Ｓｃｉ．
　　Ｔｅｃｈｎｏｌ．　　Ｂ　　６（１），ｐｐ．４４
３−４４７（１９８８）に発表された。この論文では、
検査点が各細分形状に対して定められる。検査点は、端
部細分形状に対して端上で選ばれ、これらの検査点での
露光は、閾値となるように制限される。内部細分形状に
対して、検査点は中央で選ばれ、その露光は閾値以上の
値で特定される。解かなければならない連立１次方程式
は、つじつまのあう方法によく似ている。この方法は、
より良いパターン精度を与えるが、つじつまのあう技術
の他の欠点すべてを継承し、特に、長大なＣＰＵ時間を
必要とする。

【００１７】近接効果補正の第２の主たる方法は、最終
現像パターンの正しい寸法を与えるために、入射照射線
量の与えられる領域を変更する方法である。

【００１８】この一例としてＥＰ−Ａ−１１０　　０４
２　　ｏｆ　　Ｆ．　　Ｊｏｎｅｓにおいて開示された
手法がある。この手法においては、一定の照射線量が、
端部および内部細分形状を含む各細分形状の縮小された
領域内に与えられる。この縮小は、“バイアス”と呼ば
れる一定の距離だけ細分形状の全側面を削減することに
より実行される。この方法は、照射線量値変更による補
正に対して適応性を欠くので、この方法で高品質なリソ
グラフィック・パターンを得ることは一般に不可能であ
る。

【００１９】明白なのは、前述の近接効果補正の２つの
主たる方法の組合せはサブミクロン域でのパターンの再
現性の改良およびリソグラフィ寸法の更なる減少、また
はそのいずれか一方を与える。所望の形状に“バイアス
”を与えること、すなわち、形状の拡大につながるＶＬ
ＳＩ製造工程における種々の係数を考慮するために元の
設計より小さい形状を露光することは普通に行われる。 例えば、リソグラフィ工程における一定の光学的現象に
よって、最終パターンはマスクと比較して拡大すること
ができる。このため、電子ビーム・リソグラフィによっ
て製造されるマスクは、僅かに縮小していなければなら
ない。電子ビーム・リソグラフィ技術を用いた製造工程
によって支配される全バイアスに加えて、近接効果によ
る形状拡大、および現像工程での横方向でのレジスト溶
解を考慮するために、通例、所望の形状に余分の“バイ
アス”を与える。

【００２０】Ｃｈｅｎ，　　Ｎｅｕｒｅｕｔｈｅｒ，お
よびＰａｖｋｏｖｉｃｈによる論文Ｊ．　　Ｖａｃ．　
　Ｓｃｉ．　　Ｔｅｃｈｎｏｌ．　　Ｂ　　３（１）ｐ
ｐ．１４８−１５２（１９８５）において、異なる幅の
長い絶縁線を製造するために現像バイアスを均一化する
試みが開示されている。しかし、この手法は特定の場合
に対する大雑把な近似にすぎず、一般的な方法に発展し
てはいない。 なぜなら、このバイアスは補正パラメータを用いて表現
されていないからである。

【００２１】従来の近接効果補正方法は、サブミクロン
域の設計規則でもってＶＬＳＩパターンを製造する電子
ビーム・リソグラフィにとっては不十分であることがわ
かる。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、製造
環境での使用に適した、系統的な近接効果補正方法を提
供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明によって、電子ビ
ーム感応レジストにおいて少なくとも１つの設計形状を
含む設計を露光するための電子ビーム・リソグラフィ・
システムにおける近接効果補正方法が提供される。この
方法は、現像の際、形状制御要件が満足されるような与
えられた任意の設計点で必要な電子ビーム照射線量を決
定する。電子ビーム照射線量の決定は、設計の任意の点
の近接効果の程度を示すインディケータと、必要な電子
ビーム照射線量との予め定められた関係によって行われ
、さらにこの決定は、設計形状上にない点で照射線量が
零になるように制限され、インディケータを電子ビーム
照射線量の配分に結びつける積分方程式の解を、設計上
の少なくとも大半の点で計算するステップを含んでいる
。

【００２４】直線状の端部で拡がる形状の量は一般に、
入射照射線量と、形状端の周辺の後方散乱に依存し、形
状の寸法には依存しない。これは、形状がそれほど小さ
くなく前方散乱の影響が大きい限り事実であるから、考
慮する必要がある。

【００２５】もし全設計形状に対して等しい形状拡大を
与える照射線量値が決定できるなら、形状拡大を、露光
に先立って設計形状を縮小させるためのバイアスまたは
エッチング・パラメータとして用いて、最終端位置の正
しさが確信できる。この要件はここでは“エッチング等
化”原理と呼ばれる。

【００２６】故に、本発明の好適な形態において、この
方法は、縮小した設計形状を形成するために予め定めら
れたバイアスによって各設計形状を縮小させる前ステッ
プを含み、形状制御要件は、各縮小設計形状が現像の際
に予め定められたバイアス値によって拡大されることで
ある。

【００２７】形状縮小すなわち“前エッチング”は、後
工程の一部として行われる。通常ポストプロセッサは、
全形状に適用される単一のエッチング値を用いる。

【００２８】本発明の方法は、近接効果補正の実施を可
能にし、結果として正確なチップまたはマスク・イメー
ジを生成し、同時に、リソグラフィ処理のパラメータに
おける比較的“緩やかな”許容誤差、および電子ビーム
描画装置スループットにおける利得を許す。動作パラメ
ータに対するこれらの緩やかな許容誤差、および計算効
率の増大は、この方法を製造環境での使用に特に適した
ものとする。

【００２９】好適には、電子ビーム照射線量の決定は、
多数の点のうちのあるものにおけるインディケータ値を
結合するステップを含む。これによって、必要な照射線
量値を、そこにおいて積分方程式が解かれる中間設計上
の位置のインディケータを補間することにより、得るこ
とができる。

【００３０】インディケータは、近接効果の程度または
大きさを表わす任意の関数とすることができる。好適に
は、インディケータは電子の後方散乱であるが、しかし
、インディケータは、設計上に与えられた任意の点で、
その点の形状端が現像の際に正しい位置に収まるような
照射線量値を与える照射線量増大関数のような別の後方
散乱関数とすることもできる。この場合、インディケー
タと必要な照射線量の予め定められた関係は、必要な電
子ビーム照射線量が、縮小した設計形状上に存在する点
のインディケータと等しくなるということである。

【００３１】インディケータが電子の後方散乱である場
合、予め定められた関係は、電子ビーム・リソグラフィ
・システムと、予め定められたバイアス値と、次のよう
な関係、すなわち設計形状端のある点での後方散乱と、
設計形状端が現像の際バイアス値によって動くような点
で必要な電子ビーム照射線量との間の関係、とによって
決定される。

【００３２】形状拡大の入射照射線量への依存およびバ
ックグラウンド後方散乱は、特定のリソグラフィ・シス
テムの実験による較正によるか、または現像工程のコン
ピュータ・モデル化により決定することができる。

【００３３】全形状端において等しい形状拡大を得るの
に必要な入射照射線量Ｄは、バックグラウンド後方散乱
Ｓに依存する。これにより形状拡大が形状拡大の所定の
エッチング値に対する入射照射線量に依存することから
、動作曲線Ｄ＝ｆ（Ｓ）が推定される。このことから、
この動作曲線Ｄ＝ｆ（Ｓ）はＤ−Ｓ図と呼ばれる。

【００３４】Ｄ−Ｓ図は、全均一形状点に対する動作曲
線として適用することができる。バックグラウンド後方
散乱Ｓは逆に、入射照射線量配分によって定められる。 すなわち、バックグラウンド後方散乱は、後方散乱核Ｂ
（ｘ，ｙ）の照射線量配分Ｄ（ｘ，ｙ）に関する繰込み
に等しく、最終照射線量配分は、最終照射線量割当てに
先立って解かねばならない積分方程式を満足する。

【００３５】多層レジストにおけるイメージ層のような
、一定の薄くてコントラストが強いか、またはそのどち
らかであるレジストは少なくとも、技術基本原則に対す
る３αより大きな“閾値モデル”として好適に説明され
る。閾値モデルによると、露光量が閾値より大きい全レ
ジスト点は、完全に現像液によって溶解するが、他の全
レジスト点における残りの層厚は現像後も残る。この場
合、入射照射線量値は、全形状端において等しい露光値
を与えるように割当てることができる。その単一端露光
値は、閾値に等しい。この要件が満足されると、露光は
任意の形状端において鋭い曲線となり、端点は勾配が最
大の点である。通常、前方散乱は狭対称核によって特徴
付けられるので、露光曲線は閾値レベルに関して対称で
もある。この要件は、このため、“露光対称化”原理と
呼ばれる。本発明のこの形態において、後方散乱と必要
な照射線量との間の予め定められた関係は、式Ｄ＝２ｔ
−２Ｓによって表わされ、Ｄは必要な照射線量、Ｓは後
方散乱、ｔは閾値である。この場合、もしレジスト上の
点に与えられる照射線量が閾値照射線量より大きければ
、そのレジストは現像の際その点で完全に溶解する。

【００３６】形状端からの距離が２αより大きい各形状
の内点に対して、必要な入射照射線量は、最終端位置に
決定的に影響することなく、Ｄ−Ｓ図によって与えられ
る照射線量より小さくすることができる。バックグラウ
ンド後方散乱を減少させるためには、これらの点におけ
るできるだけ小さい入射照射線量値を用いるのが有利で
ある。

【００３７】これによって、本発明は、等しい拡大要件
が外短冊のみに適用され、内点に対してさらなる要件が
保有されるという、選択を与える。これは、内点におけ
る照射線量が、レジストの全厚がオーバー照射線量とい
うある安全な要因によって溶解することを保証するよう
に選ばれるということである。このため、２つの異なる
Ｄ−Ｓ図が外短冊および内点に対して用いられる。

【００３８】このため、本発明の好適な形態において、
本方法はさらに、必要な照射線量の決定に先立って設計
の形状を端部領域と内部領域とに分割するステップを含
み、各内部領域は完全に端部領域によって囲まれる。こ
のとき内部領域の各点における電子ビーム照射線量は、
現像の際その点の全レジストが溶解するという付加的制
限と共に決定される。

【００３９】細分形状に対する入射照射線量、すなわち
大きさが５α以下の入射照射線量は、前方散乱およびビ
ーム発散の組合せ効果を補正するために、さらに増大す
ることができる。補正係数すなわちα増大係数は、主と
して形状の大きさに依存し、後方散乱Ｓにもわずかに依
存する。α増大係数の依存は、較正実験において、また
はリソグラフィ工程のコンピュータ・モデル化によって
示される。本発明の更に好適な形態において、必要な照
射線量を決定するステップは、照射線量に補正係数を掛
けるステップを含み、この補正係数は、レジストからの
電子の前方散乱による形状歪をほぼ補正する。

【００４０】本発明は、形状に亘ってゆっくりと変化す
るのみの後方散乱のようなインディケータ関数のための
積分方程式を解くステップを含む。この積分方程式の解
は非常に粗い格子において求められ、その粗さは設計形
状自体より粗く、２５ｋｅＶの装置に対し約１μｍとい
うのが典型であった。

【００４１】このため、本発明の好適な形態において、
積分方程式が解かれる複数の点は、直交格子上に配置さ
れ、格子点の間隔は最小設計形状の１次元の最小寸法よ
り大きい。比較的粗い格子を使用すると、この方法の速
度および計算効率が増大する。

【００４２】本発明はさらに、前述の近接効果補正方法
を含む電子ビーム・リソグラフィ工程と、電子ビーム・
リソグラフィ工程を含む集積回路の製造方法とを提供す
る。

【００４３】本発明の他の面によると、電子ビーム・リ
ソグラフィ・システムのための近接効果補正装置が提供
される。少なくとも１つの設計図形を含む設計パターン
が電子ビーム感応レジストにおいて露光され、この装置
は、予め定められたバイアスによって縮小した設計形状
を形成するための各設計形状縮小手段と、各縮小設計形
状が現像の際予め定められたバイアス値によって拡大さ
れる与えられた任意の設計点において必要な電子ビーム
照射線量を決定するための論理回路とを含み、必要な電
子ビーム照射線量の決定は、インディケータと必要な電
子ビーム照射線量との間の予め定められた関係によって
行われ、このインディケータは任意の設計点における近
接効果の程度を示し、必要な電子ビーム照射線量は設計
形状上にない点では零に制限され、決定するための論理
回路は、複数の設計点において、電子ビーム照射線量配
分インディケータに関する積分方程式の解を計算する論
理回路を含んでいる。

【００４４】

【実施例】本発明の実施例は、２つの部分、すなわち照
射線量の計算とそれに先立つ較正段とからなる方法であ
る。

【００４５】照射線量の計算は、ポスト・プロセッサに
よって行われ、ソフトウェアまたはハードウェアにより
、またはソフトウェアとハードウェアの組合せにより、
実行することができる。ポスト・プロセッサは設計の仕
様を、電子ビーム描画装置のための数値制御（ＮＣ）デ
ータに変換する。図１はこのようなポスト・プロセッサ
の略図である。近接効果補正モジュール１１は近接効果
補正計算を実行する。すなわち、電子後方散乱に対して
、電子の後方散乱を粗い格子点に与えられた照射線量配
分に関係付ける積分方程式を解く。モジュール１１は、
入力１２において入力設計データを受取り、そのデータ
は前分割器１３で前分割される。近接効果補正モジュー
ル１１は、特定の電子ビーム・リソグラフィ・システム
を特徴付ける較正データ１６を使用する。“電子ビーム
・リソグラフィ・システム”という用語は、電子ビーム
・レジスト，現像液，現像工程，および電子ビーム描画
装置の特定の組合せを表わすのに用いられる。

【００４６】近接効果補正モジュールによって作成され
たデータは、設計形状を、一定の照射線量がレジストに
与えられる初期細分形状に分割するために、選択的に適
応分割器１８において処理される。照射線量割当てモジ
ュール１９は近接効果補正モジュール１１からのデータ
を、好適に分割された設計データと共に使用し、各初期
細分形状を露光するのに必要な入射照射線量の最後的な
計算を実施する。分割データは割当て照射線量と共に、
電子ビーム描画装置２０を制御するのに用いられる。

【００４７】較正処理は、特定の電子ビーム・リソグラ
フィ・システムの関連した特性を記述するデータ１６を
決定する。このデータは、電子ビーム描画装置によって
レジストに描画され現像される特定パターンの組と、現
像パターンを分析して測定データを処理する測定手続き
、および、システムに必要なパラメータを得るためのレ
ジストの振舞いのシミュレーション、またはそのどちら
か一方を含む。較正処理は、ポスト・プロセッサの近接
効果補正モジュールが必要とするデータを与える。

【００４８】形状端付近の各設計点において特定量の形
状拡大を与えるのに必要な照射線量は、その点における
電子後方散乱の関数である。これは、近接効果の大きさ
は後方散乱の量に依存するからである。形状内にあり端
付近にはない点における照射線量は、形状拡大に重大な
影響を持たないので、現像の際、レジストが完全に除去
されるのに十分な、最小の有効値を持たなければならな
い。レジスト除去の信頼性を高めるために、所定量のオ
ーバー照射線量を内部領域で使用することもできる。

【００４９】図２は基板上に形成すべき電子回路の形状
を示す。所望の形状２２は、均一形状でＭ（ｘ，ｙ）＝
１，不均一形状でＭ（ｘ，ｙ）＝０となる特性関数Ｍ（
ｘ，ｙ）によって記述される。電子ビームで露光される
べき縮小形状２４は、形状２４の輪郭線内でＭ′（ｘ，
ｙ）＝１，他の所でＭ′（ｘ，ｙ）＝０となるような特
性関数Ｍ′（ｘ，ｙ）によって記述される。

【００５０】縮小は、図１の前分割１３に先立つ段にお
いてポスト・プロセッサが実施する。この段は従来技術
を用いるので、図１には示していない。

【００５１】縮小設計形状は、端近辺の領域２６（“端
部領域”）と内部の領域２８（“内部領域”）とに分割
される。この前段階の分割は、図１の前分割器１３によ
って実施される。内部領域と端部領域に対する照射線量
は、異なるように決定される。このエッチング・パラメ
ータは距離３０によって代表される。格子点３２は正方
形の直交格子の中に配置される。格子と設計形状の相対
位置は特に問題にしない。

【００５２】本発明の第１の実施例において、特定の度
合いの形状拡大を特定の点における一定量の後方散乱に
与えるのに必要な照射線量値は、いわゆるＤ−Ｓ関数表
またはＤ−Ｓ図から参照される。これらの表は、各点で
必要な照射線量値を、その点における後方散乱Ｓの関数
として、端部領域の点の場合は正しい端拡大を、内部領
域の点の場合は正しいオーバー照射線量を保証するよう
に関係付ける。

【００５３】ＤおよびＳに関する関数は、較正処理中に
決定され、端部領域に対してはＤ＝ｆｅ　（Ｓ）、内部
領域に対してはＤ＝ｆｉ　（Ｓ）と表わされる。これら
の関数は選択された現像時間に依存し、エッチング・パ
ラメータの各値に対して異った関数が存在する。この関
数も、一定のエッチング値がレジストの底部またはレジ
ストの上部で必要なのか否かに依存している。ｆｅ　（
Ｓ）は通常、放物線によって良好に近似されるため、較
正処理において３つのパラメータを決定する必要がある
。ｆｉ　（Ｓ）は通常、直線によって良好に近似される
ため、較正処理では２つのパラメータを決定するだけで
よい。 等しい形状拡大の要件は、これらＤ−Ｓ関数によって言
い換えられる。注目すべきは、Ｄ−Ｓ図は予め計算して
参照用テーブルに格納することもでき、Ｄの値は、そこ
で参照されるか、または近似関数から計算されることが
できることである。

【００５４】図３は、α＝０．１μｍ，バイアス＝エッ
チング値＝０．０７５μｍとして計算したＤ−Ｓ関数の
例である。破線３６は、端部領域に対して直線で近似さ
れた照射線量曲線に対応している。

【００５５】内部領域のＤ−Ｓ関数と端部領域のＤ−Ｓ
関数は、ｆｅ　とｆｉ　の間を切替わるためにクロスオ
ーバー関数を用いて単一の関数に統一され、Ｄ＝ｆｅ／
ｉ　と書き、関数ｆｅ／ｉ　はｆｅ　からｆｉ　へ切替
わる。例えば：　　ｆｅ／ｉ　（Ｓ）＝ｆｅ　（Ｓ）（
１−ｇ（ｘ，ｙ））＋ｆｉ　（Ｓ）ｇ（ｘ，ｙ）　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　（１）このときクロスオーバー関数ｇ（
ｘ，ｙ）は、形状端での値０から内部領域点での値１に
、急に切替わる。注目すべきは、ｇ（ｘ，ｙ）は選択的
に１と０の間で滑らかに切替わり、例えば、点（ｘ，ｙ
）から形状端までの距離ｄ（ｘ，ｙ）の比として定義す
ることができることで、例えば関数ｇの最大値５αは、
１：ｇ（ｄ）＝ｍｉｎ｛１，５α／ｄ｝に制限される。

【００５６】細分形状の照射線量は、電子の前方散乱を
補正するために、さらに増大されなければならない。こ
れは、形状内近接効果と呼ばれ、設計の寸法が５α未満
の形状に補正する必要がある。但し、αは、主として電
子の前方散乱による電子ビームの拡散を特徴付ける大き
さパラメータである。

【００５７】αは通常、約０．１μｍである。５α未満
の寸法の小さな長方形形状に対して、その照射線量は、
後方散乱Ｓ（ｘ，ｙ）と形状の大きさに依存するα増大
係数を更に割り当てられる。幅ｗの長いライン状領域に
対し、α増大係数はこの幅に依存する。大きさがｗｘ　
×ｗｙ　の長方形初期形状に対し、α増大係数はｘ方向
とｙ方向のα増大係数の積に等しくなる。

【００５８】図４は、α＝０．１μｍ，バイアス＝エッ
チング・パラメータ＝０．０７５μｍのときのα増大係
数の例を示す。これは、異なるライン寸法に対してそれ
ぞれの曲線を示す。０．５μｍ（５α）以上の寸法に対
して、α増大係数は１に等しい。

【００５９】形状寸法と後方散乱へのα増大係数の依存
を示す表は、較正処理において決定される。α増大曲線
は通常、放物線によって良好に近似されるため、３つの
パラメータを較正処理で決定する必要がある。Ｓ（ｘ，
ｙ）へのα増大係数の依存は、あまり強くなく、第１の
近似では無視することができる。この結果、近似α増大
係数

【数１】 は、設計の各点に割当てられる。これは、寸法が５αよ
り大きい形状に対しては１に等しく、寸法が５αより小
さい形状に対しては１より大きい。近接効果補正過程の
最後に、α増大係数の近似値は、各点で後方散乱Ｓに依
存する、より正確な値によって置換えられる。これらの
計算は、照射線量割当てモジュール１９において実施さ
れる。

【００６０】照射線量に対するＤ−Ｓ関数は、設計にお
ける後方散乱フィールドＳ（ｘ，ｙ）の非線形積分方程
式に組入れられる。入射照射線量は縮小形状Ｍ′（ｘ，
ｙ）内でのみ適用される。Ｍ′（ｘ，ｙ）は、各端にお
いてエッチング・パラメータの値によって一様に縮小さ
れた形状に関する設計パターンを示す。よって、任意の
点（ｘ，ｙ）における照射線量は次の方程式を満足する
。

【数２】 逆に、後方散乱フィールドＳ（ｘ，ｙ）は、演算子関係

【数３】 による入射照射線量配分Ｄ（ｘ，ｙ）に依存する。この
とき、演算子

【数４】 は後方散乱の正規核Ｂ（ｘ，ｙ）の繰込み演算子であり
、全ｘ−ｙ平面における核の積分に等しい。これら２つ
の方程式の結果は次の通りである。

【数５】 インデックス“ｅ”および“ｉ”はそれぞれ端部領域内
の点と内部領域内の点に対応する。

【００６１】積分方程式（４）は粗い長方形格子上に離
散化して解かれる。後方散乱は設計パターン上を緩やか
に変化するので、格子点の間隔は、広域散乱パラメータ
のほぼ何分の１かにできる。これは補間法に従えば、０
．２β〜βの範囲とすることができる。

【００６２】設計パターンを示す関数Ｍ′は格子点の間
隔より短いスケール長で変化するので、特性関数Ｍ′（
ｘ，ｙ）の離散化は、Ｍ′（ｘ，ｙ）を各格子セルにお
ける積分Ｍｉｊで置換することによって達成される。す
なわち、Ｍ′（ｘ，ｙ）はＭ′（ｘ，ｙ）＝１である各
格子セルの面積に比例して置換される。この処理は“ラ
スタ化”と呼ばれる。

【００６３】α増大係数はラスタ化において、各形状が
基となる加重と考えることができる。

【００６４】この結果、離散化形態の積分方程式（４）
において、後方散乱関数Ｓ（ｘ，ｙ）は格子点において
値Ｓｉｊによって表現され、関数

【数６】 はラスタ値Ｍｉｊによって表現される。このラスタ化は
内部領域点および端部領域点に対して個別に計算される
。 Ｍｅｉｊ　は、格子セルｉ，ｊの端部領域における関数
（数６）の積分に等しく、Ｍｉｉｊ　は格子ｉ，ｊの積
分領域における関数（数６）の積分に等しい。内部領域
に対しては

【数７】 である。これらの値Ｍｅ／ｊｉｊ　は予め計算され、近
接効果補正処理の最初にエッチング・パラメータの所定
値として格納される。

【００６５】後方散乱Ｓｉｊに対する離散化積分方程式
は、近接効果補正モジュール１１により、全格子点にお
いて、予め割当てられたα増大係数の近似値を考慮した
反復法を用いて解かれる。

【００６６】積分方程式を解くために、Ｄ−Ｓ関数は次
のように線形化される。

【００６７】 　　　　ｆｅ　（Ｓ）＝Ｄｅ　−ｋｅ　Ｓ＋Ｒｅ　（Ｓ
）　　　　ｆｉ　（Ｓ）＝Ｄｉ　−ｋｉ　Ｓ＋Ｒｉ　（
Ｓ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（
５）このとき典型的に、線形化誤差Ｒｉ　（Ｓ）は関数
値の１０％〜２０％の範囲にあり、線形化誤差Ｒｉ　（
Ｓ）はこの関数値の割合の２倍より小さい。

【００６８】ラスタ化された縮小設計パターンＭ′ｅ／
ｉｉｊ　と核Ｂは予め計算され、積分方程式の解に使用
される。これらは内部点と端部点に対してそれぞれ、

【
数８】 として表現される。格子に付くインデックスｉおよびｊ
はここでは、簡略化のために省略される。インデックス
“ｅ”または“ｉ”は、端部領域および内部領域それぞ
れの貢献に対応している。

【００６９】後方散乱に対する基本積分方程式は：

【数
９】 である。

【００７０】第１番目の反復は次のように計算される：
　　　　　　Ｓ１　（ｘ，ｙ）＝ｃ（Ｄｅ　ｈｅ　＋Ｄ
ｉ　ｈｉ　）／［１＋ｃ（ｋｅ　ｈｅ　＋ｋｉ　ｈｉ　
）］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　（８）ｋ番目の反復は次のように計算さ
れる：

【数１０】 この積分方程式は、全格子点における後方散乱フィール
ドＳｉｊについて解かれる。形状上の与えられた任意の
点において所望の形状拡大を得るために必要な照射線量
値は、格子点間の後方散乱を補間し、計算された後方散
乱のためのＤ−Ｓ関数表において必要な照射線量を捜す
ことにより得られる。この照射線量計算は、図１の照射
線量割当てモジュール１９によって行われる。

【００７１】最後に、照射線量に正確なα増大係数を掛
ける。すなわち、形状寸法および後方散乱フィールドを
考慮するα増大関数を用いる。

【００７２】その現像作用が“閾値モデル”として記述
されるレジストに対して、すなわち露光量が、このレジ
ストが完全に現像液に溶解する所定の閾値を超える全て
の点において、および、いくらかのレジストは現像後も
残ったままである他のすべての点において、本発明の第
２の実施例は用いられる。この場合、全形状が現像の際
、設計位置に存在するという要件は、全形状端において
等しい露光を保証するように照射線量値が割当てられる
なら満足させられる。全形状端における等しい露光の要
件は、端部領域に対して露光量Ｅが 　　　　Ｅ＋２ｔ＝Ｓ　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　（１０）となるように適用されるなら達成
できる。但し、ｔは　　　　ｔ＝０．５＋ｃ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　（１１）によって与えら
れる閾値である。これは端部領域におけるＤとＳの関係
が 　　　　Ｄ＝２ｔ−２Ｓ＝１＋２ｃ−２Ｓ　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１２
）であることを意味する。内部領域に対しては次のよう
に仮定される 　　　　Ｄ＝１＋ｃ−Ｓ　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　（１３）この手法の長所は、ｔがグローバル
定数であること、すなわち、ｔは露光される形状の特定
の組に依存せずウェハにおいて、またはウェハからウェ
ハにかけて変化しないことである。特定の設計に対して
閾値を調整する必要はない。

【００７３】設計に適用される照射線量に後方散乱を結
合する積分方程式は、前述のように、ラスタ化関数Ｍｅ
／ｉ　およびｈｅ／ｉ　を反復して用いることにより解
かれる。

【００７４】第１の反復は次式によって与えられるＳ１
　＝ｃ［（１＋２ｃ）ｈｅ　＋（１＋ｃ）ｈｉ　］／［
１＋ｃ（２ｈｅ　＋ｈｉ）］　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　（１４）次の反復は次式によって与え
られる。

【数１１】 計算を実施した結果、十分な精度を得るために必要な反
復は２回であることが分かった。

【００７５】一旦後方散乱Ｓに対する解が見つかると、
この方法は第１の実施例のように処理される。すなわち
、形状が一定照射線量の長方形に分割され、この照射線
量は関係式（１２）を用いて、各長方形における後方散
乱の平均値から計算される。

【００７６】ここに説明した本発明の特定の実施例は、
一定照射線量が長方形に与えられる種々の電子ビーム描
画装置に対してである。このような電子ビーム描画装置
に制御データを与えるために、設計は、一定照射線量が
与えられる多数の長方形に分割されなければならない。 これにはいくつかの方法がある。

【００７７】例えば、設計形状はまず、前分割器１３に
よって多数の初期細分形状、例えば長方形に分割される
。照射線量は、これらの初期細分形状それぞれの内で一
定であると仮定される。各細分形状における後方散乱表
現値（例えば後方散乱平均）は、基本積分方程式の解と
して得られる格子定数Ｓｉｊの補間によって計算される
。照射線量値は、後方散乱表現値のためのＤ−Ｓ図にお
いて探索される。照射線量は、初期細分形状の寸法およ
び後方散乱表現値を用いて、α増大係数表で探索される
正確なα増大係数を乗ぜられる。入射照射線量の最終値
は、当該初期細分形状を実際に露光するために使用され
る。

【００７８】選択的に、適応分割器１９は、近接効果補
正後に設計形状を長方形に分割する。前分割器１３は、
形状を端部領域および内部領域に細分するだけである。 適応分割器１９はさらに、後方散乱フィールドを分析し
て、細分領域の初期細分形状への分割を定める。一旦適
応分割が行われると、各初期細分形状において必要な一
定照射線量は、前述の正確なα増大係数を用いてＤ−Ｓ
関数表において後方散乱値を探索することにより、正確
に計算される。

【００７９】上記近接効果を補正するのに必要な較正を
以下に説明する。

【００８０】本発明の実施に必要なパラメータの全組は
次の通りである １．後方散乱演算子Ｂ（ｘ，ｙ）、または、ガウシアン
（Ｇａｕｓｓｉａｎ）によって近似されたβの値および
大きさ係数ｃ ２．形状端の各点に対するＤ−Ｓ関数、すなわちエッチ
ング・パラメータおよび現像時間の所定値に対するＤ＝
ｆｅ　（Ｓ） ３．内部領域の各点に対するＤ−Ｓ関数、すなわちエッ
チング・パラメータおよび現像時間の同じ値に対するＤ
＝ｆｉ　（Ｓ） ４．α増大関数、すなわち、パラメータとしての形状寸
法を有する、α増大係数対後方散乱Ｓのための一連の曲
線

【数１２】 実験による較正方法は、これらの入力パラメータを与え
るために用いられる。実験による較正では、特別の較正
パターンが露光，現像，および測定される。サブミクロ
ン技術では、それらは電子ビーム顕微鏡によって測定さ
れる。特別の較正プログラム・モジュールは、測定結果
プラス付加的エンジニアリング・データ、すなわち基準
電流密度／現像時間，内部領域点での所望のオーバー照
射線量，現像時間公差等を用い、電子ビーム・リソグラ
フィ要素のエッチング値と、現像時間および基本照射線
量（もし入力時に特定されていないなら）またはそのい
ずれか一方と、近接効果補正モジュールに与えられるべ
き一組の表とを計算する。測定データを処理すると必要
なパラメータと関数が得られる。

【００８１】特別の較正パターンは、照射線量，寸法，
および後方散乱の適切な全組合せについて十分密な試料
を含んでいなければならず、そうならば現像後のライン
幅測定によってＤ−Ｓ図およびα増大係数図を導くこと
が可能である。ライン幅は、ライン幅制御がレジストの
上部または下部で必要とされるかどうかに従って、レジ
ストの上部、または下部で測定することができる。ここ
では較正処理の主要な段階を概説し、較正形状パターン
の例を説明する。

【００８２】αの値は明白に用いられない。しかし、較
正を開始するためには、α，β，およびｃについてのい
くつかの大雑把な初期評価が必要である。エッチング・
パラメータが与えられたと仮定する。選択的に大形状の
ためのオーバー照射線量を与えることができる。現像時
間は固定する。

【００８３】大抵のアプリケーションでは、内部点に対
するＤ−Ｓ関数は直線によって十分近似され、端部点に
対するＤ−Ｓ関数は放物線によって十分近似される。Ｓ
の関数としてのα増大係数は、形状寸法の各値に対して
、放物線によって十分近似される。そのため、端部点に
対するＤ−Ｓ図とα増大係数図の較正は、曲線１本につ
き３個の点で十分である。

【００８４】較正処理は露光と、現像と、図５に示した
基本パターンの繰り返しである特別のパターンの幅の測
定とを含み、その照射線量は暗領域に与えられる。照射
線量の量はｙ軸に沿って緩やかに増大する。図５に示し
た基本パターンは、異なるライン幅、すなわち約５α以
下に始まるｗで繰り返される。図５において細いライン
４２，４４，５０，および残りの領域に対する照射線量
Ｄ（ｙ）は、ｙ軸に沿って緩やかに増大し、（β／Ｄ（
ｙ））×（ｄＤ（ｙ）／ｄｙ）＜＜１である。図５の４
２，４４で示される細いラインは、追加の増大係数φ１
　およびφ２　でそれぞれ露光される。

【００８５】約５αのライン幅ｗを有する基本パターン
は、Ｄ−Ｓ図の決定に役立つ。このために、図５の細い
ライン４２および５０のライン幅は、測定され、高さｈ
１　およびｈ２　は、ライン幅がｗから所定のエッチン
グ値を引いたものに等しくなる場所に配置される。配置
された高さに対応する照射線量Ｄ１　＝φ１　Ｄ（ｈ１
　）およびＤ３　＝Ｄ（ｈ３　）は、それぞれＳ１　＝
０およびＳ３＝ｃＤ３　としたときのＤ−Ｓ図照射線量
であり、このとき後方散乱Ｓ３　＝ｃＤ３　は正確に大
形状内の最大後方散乱Ｓ０　であり、照射線量Ｄ３　は
大形状の内部点に対する基本照射線量Ｄ０　である。

【００８６】基本パターンの中心における端部領域４６
の回りの後方散乱は、精密な近似によると、Ｄ（ｙ）＊
ｃ／２に等しい。端部領域４６の左側にある細いライン
４４の幅は測定され、この幅がｗからエッチング値を引
いたものに等しくなる場所に高さｈ２　は配置される。 この高さに対応する照射線量Ｄ２　＝φ２　Ｄ（ｈ２　
）対後方散乱Ｄ（ｈ２　）＊ｃ／２はＤ−Ｓ図の中央に
１つの点を作り出す。

【００８７】精度を上げるために、さらに端４６の右側
の細い間隙の幅を測定し、この幅がｗにエッチング値を
加えたものに等しくなる場所に高さｈ５　を配置するこ
とができる。この高さ対後方散乱Ｄ（ｈ５　）＊ｃ／２
に対応する照射線量Ｄ（ｈ５　）はＤ−Ｓ図の制御点と
して役立つ。

【００８８】正確に、同じ手続きが５αより小さい幅の
他の基本パターンに適用され、その結果、α増大関数の
３つの（または４つの）点は、各寸法パラメータのため
に計算される。

【００８９】注目すべきことに、システムの完全な較正
は、レジスト溶解速度の特徴付け、および、レジスト現
像処理のさらなるソフトウェア・シミュレーションのよ
うな他の方法によって行うことができる。較正処理は、
レジストに吸収されたエネルギーの配分、および、各レ
ジスト・システムに対して機械的に実施される溶解速度
実験のモンテカルロ・シミュレーションを利用する。レ
ジスト溶解モデルは特に、Ｄ−Ｓ図およびα増大係数図
の作業に適する。実験的方法は、レジスト現像処理のコ
ンピュータ・シミュレーション方法にまさる。なぜなら
、現像処理のコンピュータ・シミュレーションは、結果
としての形状寸法に影響するいくつかの効果を不正確に
シミュレートしたり、見落としたりする可能性があるか
らである。

【００９０】

【発明の効果】ここに、エッチング等化原理に基づいた
電子ビーム近接効果補正のための新しい手法を開示した
。本発明は、基本原則に基づきビーム幅の約２倍に至る
高品質のマスクを系統的に提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】ポスト・プロセッサの略図である。

【図２】基板上に形成される設計パターンの一実施例を
示す図である。

【図３】端部領域点および内部領域点の双方に対するＤ
−Ｓ図の例である。

【図４】α増大係数図の一例を示す図である。

【図５】近接効果補正システムの較正に使用するテスト
・パターンの一実施例を示す図である。

【符号の説明】

１１　　近接効果補正モジュール １２　　設計パターン入力 １７　　前分割器 １６　　較正データ １８　　適応分割器（選択） １９　　照射線量割当てモジュール ２０　　電子ビーム描画装置

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電子ビーム感応レジスト上に少なくとも１
   つの設計形状を含む設計パターンを露光する電子ビーム
   ・リソグラフィ・システムにおける近接効果補正方法で
   あって、現像の際、ある形状制御要件を満足する与えら
   れた任意の設計点で必要な電子ビーム照射線量を決定す
   るステップを含む近接効果補正方法において、電子ビー
   ム照射線量の決定は、前記設計パターン上の任意の点で
   近接効果補正の程度を表わすインディケータと、前記必
   要な電子ビーム照射線量との間の予め定められた関係に
   よって行われ、設計形状上にない点では前記照射線量が
   零になるように制限され、少なくとも複数の前記設計点
   において、前記電子ビーム照射線量配分のための前記イ
   ンディケータに関する積分方程式の解を計算するステッ
   プ、を含む近接効果補正方法。
2. 【請求項２】縮小した設計形状を形成するために予め定
   められたバイアスによって各設計形状を縮小させる前段
   階のステップを含み、前記形状制御要件は、各縮小した
   設計形状が、現像の際、予め定められたバイアス値によ
   って拡大されることである、請求項１記載の近接効果補
   正方法。
3. 【請求項３】前記インディケータは電子の後方散乱であ
   る、請求項１または２記載の近接効果補正方法。
4. 【請求項４】前記予め定められた関係が、前記電子ビー
   ム・リソグラフィ・システムおよび予め定められたバイ
   アス値に対して、設計形状の端上の点における前記後方
   散乱と、前記設計形状の端が前記バイアス値によって現
   像の際移動するように前記点で要求される電子ビーム照
   射線量との関係を決定することにより予め定められる、
   請求項３記載の近接効果補正方法。
5. 【請求項５】Ｄは必要な照射線量、Ｓは電子の後方散乱
   、ｔは閾値照射線量として、前記予め定められた関係が
   式Ｄ＝２ｔ−２Ｓによって表わされ、もしレジスト上の
   点に与えられる前記照射線量が前記閾値照射線量より大
   きければ、現像の際その点で前記レジストが完全に溶解
   される、請求項３記載の近接効果補正方法。
6. 【請求項６】前記インディケータと必要な照射線量との
   間の予め定められた関係は、前記必要な電子ビーム照射
   線量が、縮小した設計形状上に存在する点に対する前記
   インディケータに等しいことである、請求項１記載の近
   接効果補正方法。
7. 【請求項７】前記設計パターン上の与えられた任意の点
   における前記電子ビーム照射線量の決定は、複数の点の
   いずれかにおける前記インディケータの前記値を結合す
   るステップを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の近
   接効果補正方法。
8. 【請求項８】前記設計パターンの前記形状を前記必要な
   照射線量の決定に先立って端部領域と完全に端部領域に
   よって囲まれる内部領域とに分割するステップを含み、
   内部領域の点に対する前記電子ビーム照射線量は、その
   点の全レジストが現像の際溶解するという付加的制限に
   よって決定される、請求項１〜７のいずれかに記載の近
   接効果補正方法。
9. 【請求項９】前記積分方程式の解法は、前記複数の点の
   それぞれに対して、試行照射線量関数のインディケータ
   を決定するステップと、前記予め定められた関係により
   、および前記複数の点それぞれにおけるインディケータ
   値により、前記形状制御要件を満足するような前記複数
   の点それぞれにおいて必要な照射線量を決定し、次回の
   試行照射線量関数として前記定められた必要な照射線量
   値を用いるステップと、を繰り返し実行する、請求項１
   〜８のいずれかに記載の近接効果補正方法。
10. 【請求項１０】前記必要な照射線量を決定するステップ
    は、前記レジストから電子の前方散乱によって生じた形
    状歪を補正する補正係数を、前記照射線量に掛けるステ
    ップを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の近接効果
    補正方法。
11. 【請求項１１】前記複数の点は直交格子に配置され、前
    記格子点の間隔は最小設計形状の最小直線長さより大き
    い、請求項１〜１０のいずれかに記載の近接効果補正方
    法。
12. 【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかに記載された
    方法を含む、電子ビーム・リソグラフィの処理方法。
13. 【請求項１３】請求項１２に記載の電子ビーム・リソグ
    ラフィ処理方法を含む、集積回路の製造方法。
14. 【請求項１４】少なくとも１つの設計形状を含む設計パ
    ターンが電子ビーム感応レジスト上に露光される電子ビ
    ーム・リソグラフィ・システムのための近接効果補正装
    置であって、予め定められたバイアスによって縮小した
    設計形状を形成するように各設計形状を縮小させる手段
    と、各縮小した設計形状が現像の際予め定められたバイ
    アス値によって拡大されるように前記設計の与えられた
    任意の点において必要な電子ビーム照射線量を決定する
    論理回路とを有する近接効果補正装置において、必要な
    電子ビーム照射線量の決定は、前記設計パターン上の任
    意の点における近接効果の程度を表わすインディケータ
    と必要な電子ビーム照射線量との予め定められた関係に
    よって行われ、前記必要な電子ビーム照射線量は、設計
    形状上にない点では零に制限され、前記決定論理回路は
    、前記設計パターンの前記複数の点において前記電子ビ
    ーム照射線量配分に対するインディケータに関する積分
    方程式の解を計算する論理回路を有する、近接効果補正
    装置。