JPH02224321A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置Info
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- JPH02224321A JPH02224321A JP4619389A JP4619389A JPH02224321A JP H02224321 A JPH02224321 A JP H02224321A JP 4619389 A JP4619389 A JP 4619389A JP 4619389 A JP4619389 A JP 4619389A JP H02224321 A JPH02224321 A JP H02224321A
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- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 37
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路、光集積回路、ジッセフソン
素子などの製造において、微細かつ高精度パタン描画を
行う電子ビーム描画装置に関するものである。
素子などの製造において、微細かつ高精度パタン描画を
行う電子ビーム描画装置に関するものである。
（従来技術及び発明が解決しようとする課題）半導体集
積回路の高密度化と微細化の傾向は著しく、今後もこの
傾向が続（と考えられる。高精度に微細ビームを制御で
きる電子ビーム描画は、半導体集積回路のようなパタン
を形成する方法の有力な１手段である。
積回路の高密度化と微細化の傾向は著しく、今後もこの
傾向が続（と考えられる。高精度に微細ビームを制御で
きる電子ビーム描画は、半導体集積回路のようなパタン
を形成する方法の有力な１手段である。
電子ビームＩｉ画では、電子レンズや偏向器を用いて電
子ビームを収束、偏向し、これに悪心するレジスト上の
所望の位置に照射し、現像することにより基板上にレジ
ストパタンを形成する。
子ビームを収束、偏向し、これに悪心するレジスト上の
所望の位置に照射し、現像することにより基板上にレジ
ストパタンを形成する。
所望のパタンを形成するには、潜像すなわら蓄積エネル
ギーの分布形状が所望のパタン形状に等しく、そのエネ
ルギー量がパタン形成領域内で一定に分布していること
が必要である。しかるに、パタン形成領域内に電子ビー
ムを照射すると、基板、レジストにおける電子ビームの
散乱のため、照射領域内で不均一な蓄積エネルギー分布
が形成されたり、この照射領域を越えて電子エネルギー
が蓄積されたりする。このため、矩形パタンの角が丸く
なったり、隣接するパタン同士がつながったりする、い
わゆる近接効果が生じる。
ギーの分布形状が所望のパタン形状に等しく、そのエネ
ルギー量がパタン形成領域内で一定に分布していること
が必要である。しかるに、パタン形成領域内に電子ビー
ムを照射すると、基板、レジストにおける電子ビームの
散乱のため、照射領域内で不均一な蓄積エネルギー分布
が形成されたり、この照射領域を越えて電子エネルギー
が蓄積されたりする。このため、矩形パタンの角が丸く
なったり、隣接するパタン同士がつながったりする、い
わゆる近接効果が生じる。
この問題を解決するため、描画パタンを適当な輪郭分解
幅で輪郭部パタン（周辺部パタン）と内部パタンに分割
し、輪郭部パタンの照射量に比べて内部パタンの照射量
を小さくして近接効果を補正し、できるだけ設計パタン
寸法に近いパタンを得ようとする輪郭分解描画方法およ
び装置が提案されている（特願昭５８−８２６１５）。
幅で輪郭部パタン（周辺部パタン）と内部パタンに分割
し、輪郭部パタンの照射量に比べて内部パタンの照射量
を小さくして近接効果を補正し、できるだけ設計パタン
寸法に近いパタンを得ようとする輪郭分解描画方法およ
び装置が提案されている（特願昭５８−８２６１５）。
第３図は、その装置構成を示している。ｌは描画パタン
を記憶するメモリー、２はこのメモリーｌに記憶された
描画パタンの短辺寸法を基準値と比較して基準値を越え
るパタンを分割すべきと判定する輪郭分解判定回路、３
は分割条件に基づいてパタンを輪郭部パタンと内部パタ
ンに分割するとともに、内部パタンの照射量を輪郭部パ
タンの照射量に比べて小さくするように照射量のＩ旨定
を行う分割実行回路、４は分割されたパタンをさらにシ
ョット可能な領域に分解するショット分解回路、５は分
解回路の指示に基づいてビームを偏向制御してパタン描
画を実行する制御回路である。
を記憶するメモリー、２はこのメモリーｌに記憶された
描画パタンの短辺寸法を基準値と比較して基準値を越え
るパタンを分割すべきと判定する輪郭分解判定回路、３
は分割条件に基づいてパタンを輪郭部パタンと内部パタ
ンに分割するとともに、内部パタンの照射量を輪郭部パ
タンの照射量に比べて小さくするように照射量のＩ旨定
を行う分割実行回路、４は分割されたパタンをさらにシ
ョット可能な領域に分解するショット分解回路、５は分
解回路の指示に基づいてビームを偏向制御してパタン描
画を実行する制御回路である。
電子ビームの散乱に起因する近接効果は、当然、描画パ
タンの分布、形状（寸法９面積等）に応じて近接効果の
状況が異なる。一般に、パタン面積。
タンの分布、形状（寸法９面積等）に応じて近接効果の
状況が異なる。一般に、パタン面積。
パタン寸法が大きくなる程、パタンの描画率あるいはパ
タン密度が高くなる程、近接効果の影響が強まりパタン
寸法精度が低下する。ここで、パタンＮＸ１ｉ！ｉｉ率
は、基準面積内に含まれるパタンの面積の和と基準面積
との比である。
タン密度が高くなる程、近接効果の影響が強まりパタン
寸法精度が低下する。ここで、パタンＮＸ１ｉ！ｉｉ率
は、基準面積内に含まれるパタンの面積の和と基準面積
との比である。
従って、描画パタンの形状、描画率に応じて、輪郭分解
条件を最適化する必要がある０輪郭分解幅および輪郭部
パタンと内部パタンとの照射量比（但し、内部パタンの
照射量を１とする）をパラメータとしてパタンの寸法誤
差を測定した実験例を第４図（ａ）及び（ロ）に示す、
同図（ａ）は描画に使用したテストパタン（ギャップパ
タン）を示す、同図（ｂ）は実測した中央スーペスの寸
法誤差（設計寸法Ｈ０，５ｎ）を示す、この例では、輪
郭分解幅すが０、１５１ｒｍ、照射量比に＝Ｑ−／Ｑ、
が０．２のとき、寸法誤差が０となり、これが最適な輪
郭分解条件となる。この場合、従来の発明例と異なり、
内部パタンの照射量に比べて輪郭部パタンの照射量を小
さくして近接効果を補正している。
条件を最適化する必要がある０輪郭分解幅および輪郭部
パタンと内部パタンとの照射量比（但し、内部パタンの
照射量を１とする）をパラメータとしてパタンの寸法誤
差を測定した実験例を第４図（ａ）及び（ロ）に示す、
同図（ａ）は描画に使用したテストパタン（ギャップパ
タン）を示す、同図（ｂ）は実測した中央スーペスの寸
法誤差（設計寸法Ｈ０，５ｎ）を示す、この例では、輪
郭分解幅すが０、１５１ｒｍ、照射量比に＝Ｑ−／Ｑ、
が０．２のとき、寸法誤差が０となり、これが最適な輪
郭分解条件となる。この場合、従来の発明例と異なり、
内部パタンの照射量に比べて輪郭部パタンの照射量を小
さくして近接効果を補正している。
従来の装置では、あらかじめ、輪郭分解基準値、輪郭分
解幅を人力しておき、基準値とパタンの短辺寸法とを比
較し、基準値を満たしたものを分割要と判定して、パタ
ン分布、形状にかかわらず、一定の輪郭分解幅で描画を
行っていた。このため、さまざまな形状のパタンか分布
しているＬＳＩパタンにおいで一部のパタンを除いて最
適な輪郭分解条件で描画できないという問題が生じ、輪
郭分解機能による近接効果の補正効果を十分発揮させる
ことができなかった。
解幅を人力しておき、基準値とパタンの短辺寸法とを比
較し、基準値を満たしたものを分割要と判定して、パタ
ン分布、形状にかかわらず、一定の輪郭分解幅で描画を
行っていた。このため、さまざまな形状のパタンか分布
しているＬＳＩパタンにおいで一部のパタンを除いて最
適な輪郭分解条件で描画できないという問題が生じ、輪
郭分解機能による近接効果の補正効果を十分発揮させる
ことができなかった。
上記の問題を解決するため、本発明は、描画率パタン形
状に応じて、輪郭分解幅、照射量比を可変とする手段を
具備した電子ビーム描画装置を提供することを目的とす
る。
状に応じて、輪郭分解幅、照射量比を可変とする手段を
具備した電子ビーム描画装置を提供することを目的とす
る。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため、描画パタンを適当な
輪郭分解幅で輪郭部パタンと内部パタンとに分割し、輪
郭部パタンと内部パタンとを適当な照射量比で描画する
電子ビーム描画装置において、パタン形状、または、描
画率に対応して、あるいは、その両方に対して輪郭分解
幅、照射量比を可変とする手段を有していることを特徴
とする電子ビーム描画装置を要旨とする。
輪郭分解幅で輪郭部パタンと内部パタンとに分割し、輪
郭部パタンと内部パタンとを適当な照射量比で描画する
電子ビーム描画装置において、パタン形状、または、描
画率に対応して、あるいは、その両方に対して輪郭分解
幅、照射量比を可変とする手段を有していることを特徴
とする電子ビーム描画装置を要旨とする。
（実施例）
以下図面について本発明の詳細な説明する。
なお、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図で、６はシ
ステムの制御、描画パタンデータの転送等を行う計算機
、７は輪郭分解幅を算出する係数と輪郭部の照射量補正
係数及び他の描画パラメータ（ビーム電流、ビームピッ
チ、基準照射量Ｑ等）等を記憶するメモリーである。な
お、基準照射量とは使用レジストの適正感度に相当する
。８は輪郭分解しようとするパタンの描画率、形状に対
応して、指定された輪郭分解幅、照射量比の演算を行う
輪郭分解条件算出回路である。９は分解条件に基づいて
パタンを輪郭部パタンと内部パタンに分解する輪郭分解
回路、ｌＯは照射量補正係数に基づいて描画パタンを制
御する照射量制御回路、４は輪郭分解されたパタンをさ
らにショット可能な領域に分解するショット分解回路、
５はショット分解回路の指示に基づいてビームを偏向制
御してパタン描画を実行する制御回路である。■は描画
パタンを記憶するメモリーである。また、本発明に使用
するパタンのデータは、パタンの描画率ｒ、輪郭分解描
画しない時の照射量補正係数ｑ、 ｘｙＸ方向寸法Ｗ、
Ｈ，ｘ、 Ｘ方向の位置等のデータで構成されて
いる。パタンの描画率データは、ソフトウェアで求める
。全描画領域を一定の小領域に細分し、各領域内に属す
るパタンの面積の和を求めて各領域ごとの描画ｒを算出
し、各領域内に属するパタンに付与する。
ステムの制御、描画パタンデータの転送等を行う計算機
、７は輪郭分解幅を算出する係数と輪郭部の照射量補正
係数及び他の描画パラメータ（ビーム電流、ビームピッ
チ、基準照射量Ｑ等）等を記憶するメモリーである。な
お、基準照射量とは使用レジストの適正感度に相当する
。８は輪郭分解しようとするパタンの描画率、形状に対
応して、指定された輪郭分解幅、照射量比の演算を行う
輪郭分解条件算出回路である。９は分解条件に基づいて
パタンを輪郭部パタンと内部パタンに分解する輪郭分解
回路、ｌＯは照射量補正係数に基づいて描画パタンを制
御する照射量制御回路、４は輪郭分解されたパタンをさ
らにショット可能な領域に分解するショット分解回路、
５はショット分解回路の指示に基づいてビームを偏向制
御してパタン描画を実行する制御回路である。■は描画
パタンを記憶するメモリーである。また、本発明に使用
するパタンのデータは、パタンの描画率ｒ、輪郭分解描
画しない時の照射量補正係数ｑ、 ｘｙＸ方向寸法Ｗ、
Ｈ，ｘ、 Ｘ方向の位置等のデータで構成されて
いる。パタンの描画率データは、ソフトウェアで求める
。全描画領域を一定の小領域に細分し、各領域内に属す
るパタンの面積の和を求めて各領域ごとの描画ｒを算出
し、各領域内に属するパタンに付与する。
以下に、本発明の動作について、第２図の輪郭分解され
たパタン形状を説明する図を参照して説明する。
たパタン形状を説明する図を参照して説明する。
輪郭分解幅を算出する係数ａｍ＋ａＶとあらかしめ作成
した輪郭部の照射量補正係数Ｃｉ＋ｄｋのテーブル（表
１１表２）をメモリー７に人力しておく。
した輪郭部の照射量補正係数Ｃｉ＋ｄｋのテーブル（表
１１表２）をメモリー７に人力しておく。
表 １
表 ２
ここで、Ｃｉ はパタンの描画率ｒ、ｄ、はパタン寸法
Ｗ、Ｈに依存した照射量補正係数である。
Ｗ、Ｈに依存した照射量補正係数である。
他の描画パラメータも、あらかじめメモリー７に人力し
ておく。
ておく。
計算機６は、描画パタンデータをメモリー７に転送する
。輪郭分解条件算出回路８はメモリー１メモリー７から
描画データおよび描画パラメータを読みだして、輪郭分
解幅２輪郭部の照射量の補正係数を求める。Ｘ、Ｘ方向
のパタン寸法Ｗ、 Ｈに基づいてＸ方向の輪郭分解幅
ｗ−ａ工ＸＷ、ｙ方向の輪郭分解幅ｈ＝ａ、ＸＨを算出
する。ここで、■≧ａ、、ａ、である。次に、照射量補
正係数のテーブルからパタンの描画率ｒに対応する補正
係数Ｃ７、パタン寸法Ｗに対応する補正係数ｄ、、パタ
ン寸法［■に対応する補正係数ｄｋ、いを選択する。こ
れらの係数とパタンデータに付与された照射量補正係数
ｑを乗算して照射量補正係数を算出する。Ｘ方向の輪郭
部パタン（輪郭分解後、Ｘ方向の寸法がｗ、Ｘ方向の寸
法がｈ）の照射量補正係数に、はｑ Ｘ Ｃ’ｓ Ｘ
ｄ ｋ＊ａである。ここで、ｎは任意の整数、Ｘ方向の
輪郭部パタン（輪郭分解後、Ｘ方向の寸法がｗ、Ｘ方向
の寸法がＨ−２ｈ）の照射量補正係数につはｑＸｃＩＸ
ｄ、である、求めたｘ、 Ｘ方向の輪郭分解幅ｗ、
ｈ、照射量補正係数に、、に、をそれぞれ輪郭分解回
路９．照射量制御回路１０に転送する０次に、輪郭分解
回路９は、前の工程で求めた輪郭分解幅に基づいて、元
のパタンＰを第５図に示すように２個のＸ方向と２個の
Ｘ方向の輪郭部パタンと１個の内部パタンに分解してシ
ョット分解回路４にパタンデータを転送する。一方、照
射量制御回路１０は、Ｘ方向の輪郭部パタンの照射量Ｑ
−ｔ””ｋうＸＱ、Ｘ方向の輪郭部パタンの照射ｆｉ
Ｑｏｖ＝ ｋ ｙ Ｘ Ｑ、内部パタンの照射量Ｑ＋−
ｑＸＱを与えるように照射時間あるいはビーム走査速度
を決定する。ショット分解回路４は輪郭分解されたパタ
ンをさらにショット可能な領域に分解する。偏向制御回
路５はＸ方向Ｘ方向の輪郭部パタンと内部パタンに対応
した各々の照射時間あるいはビーム走査速度で電子ビー
ムを偏向してパタン描画する。
。輪郭分解条件算出回路８はメモリー１メモリー７から
描画データおよび描画パラメータを読みだして、輪郭分
解幅２輪郭部の照射量の補正係数を求める。Ｘ、Ｘ方向
のパタン寸法Ｗ、 Ｈに基づいてＸ方向の輪郭分解幅
ｗ−ａ工ＸＷ、ｙ方向の輪郭分解幅ｈ＝ａ、ＸＨを算出
する。ここで、■≧ａ、、ａ、である。次に、照射量補
正係数のテーブルからパタンの描画率ｒに対応する補正
係数Ｃ７、パタン寸法Ｗに対応する補正係数ｄ、、パタ
ン寸法［■に対応する補正係数ｄｋ、いを選択する。こ
れらの係数とパタンデータに付与された照射量補正係数
ｑを乗算して照射量補正係数を算出する。Ｘ方向の輪郭
部パタン（輪郭分解後、Ｘ方向の寸法がｗ、Ｘ方向の寸
法がｈ）の照射量補正係数に、はｑ Ｘ Ｃ’ｓ Ｘ
ｄ ｋ＊ａである。ここで、ｎは任意の整数、Ｘ方向の
輪郭部パタン（輪郭分解後、Ｘ方向の寸法がｗ、Ｘ方向
の寸法がＨ−２ｈ）の照射量補正係数につはｑＸｃＩＸ
ｄ、である、求めたｘ、 Ｘ方向の輪郭分解幅ｗ、
ｈ、照射量補正係数に、、に、をそれぞれ輪郭分解回
路９．照射量制御回路１０に転送する０次に、輪郭分解
回路９は、前の工程で求めた輪郭分解幅に基づいて、元
のパタンＰを第５図に示すように２個のＸ方向と２個の
Ｘ方向の輪郭部パタンと１個の内部パタンに分解してシ
ョット分解回路４にパタンデータを転送する。一方、照
射量制御回路１０は、Ｘ方向の輪郭部パタンの照射量Ｑ
−ｔ””ｋうＸＱ、Ｘ方向の輪郭部パタンの照射ｆｉ
Ｑｏｖ＝ ｋ ｙ Ｘ Ｑ、内部パタンの照射量Ｑ＋−
ｑＸＱを与えるように照射時間あるいはビーム走査速度
を決定する。ショット分解回路４は輪郭分解されたパタ
ンをさらにショット可能な領域に分解する。偏向制御回
路５はＸ方向Ｘ方向の輪郭部パタンと内部パタンに対応
した各々の照射時間あるいはビーム走査速度で電子ビー
ムを偏向してパタン描画する。
上記実施例ではパタン寸法に応じて輪郭分解幅を可変と
しているが、これに限定されるものではなく描画率に応
じて輪郭分解幅を可変とすることも可能である。同様に
、パタン面積に応じて、輪郭分解幅、照射量比を可変と
するものである。
しているが、これに限定されるものではなく描画率に応
じて輪郭分解幅を可変とすることも可能である。同様に
、パタン面積に応じて、輪郭分解幅、照射量比を可変と
するものである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明では、描画パタンを適当な
輪郭分解幅で輪郭部パタンと内部パタンとに分割し、輪
郭部パタンと内部パタンとを適当な照射量比で描画する
電子ビーム描画装置において、パタン形状、または、描
画率に対応して、あるいは、その両方に対して輪郭分解
幅、照射量比を可変とする手段を有していることにより
、各パタンについて近接効果補正に最適な輪郭幅と照射
量で輪郭分解可能を実行できるので、パタン寸法の制御
性が高まり高寸法精度でパタンの形成が可能となる。ま
た、パタン寸法に応じて輪郭幅を可変とするため、パタ
ンごとに輪郭分解を必要か否かあるいは輪郭分解可能か
否かを判定する必要がなくなり、輪郭分解判定回路を除
くことができる利点がある。
輪郭分解幅で輪郭部パタンと内部パタンとに分割し、輪
郭部パタンと内部パタンとを適当な照射量比で描画する
電子ビーム描画装置において、パタン形状、または、描
画率に対応して、あるいは、その両方に対して輪郭分解
幅、照射量比を可変とする手段を有していることにより
、各パタンについて近接効果補正に最適な輪郭幅と照射
量で輪郭分解可能を実行できるので、パタン寸法の制御
性が高まり高寸法精度でパタンの形成が可能となる。ま
た、パタン寸法に応じて輪郭幅を可変とするため、パタ
ンごとに輪郭分解を必要か否かあるいは輪郭分解可能か
否かを判定する必要がなくなり、輪郭分解判定回路を除
くことができる利点がある。
第１図は本発明の詳細な説明するブロック図、第２図は
輪郭分解されたパタン形状を説明する図、第３図は従来
発明の詳細な説明する図、第４図（ａ）及び（ｂ）は輪
郭分解幅および輪郭部と内部の照射量比をパラメータと
した実験例を説明する図、である。 １・・・描画パタンを記憶するメモリー２・・・輪郭分
解判定回路 ３・・・分割実行回路 ４・・・ショット分解回路 ５・・・パタン描画を実行する制御回路６・・・計算機 ７・・・輪郭分解幅を算出する係数と輪郭部の照射量補
正係数および描画パラメータ等を記憶するメモリー ８・・・輪郭分解条件算出回路 ９・・・分解条件に基づいてパタンを輪郭分解する輪郭
分解回路 １０・・・照射量補正係数に基づいてｔ１区ベタンを制
御する照射量制御回路
輪郭分解されたパタン形状を説明する図、第３図は従来
発明の詳細な説明する図、第４図（ａ）及び（ｂ）は輪
郭分解幅および輪郭部と内部の照射量比をパラメータと
した実験例を説明する図、である。 １・・・描画パタンを記憶するメモリー２・・・輪郭分
解判定回路 ３・・・分割実行回路 ４・・・ショット分解回路 ５・・・パタン描画を実行する制御回路６・・・計算機 ７・・・輪郭分解幅を算出する係数と輪郭部の照射量補
正係数および描画パラメータ等を記憶するメモリー ８・・・輪郭分解条件算出回路 ９・・・分解条件に基づいてパタンを輪郭分解する輪郭
分解回路 １０・・・照射量補正係数に基づいてｔ１区ベタンを制
御する照射量制御回路
Claims (1)
- 描画パタンを適当な輪郭分解幅で輪郭部パタンと内部パ
タンとに分割し、輪郭部パタンと内部パタンとを適当な
照射量比で描画する電子ビーム描画装置において、パタ
ン形状、または、描画率に対応して、あるいは、その両
方に対して輪郭分解幅、照射量比を可変とする手段を有
していることを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4619389A JPH0722116B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 電子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4619389A JPH0722116B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224321A true JPH02224321A (ja) | 1990-09-06 |
| JPH0722116B2 JPH0722116B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=12740226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4619389A Expired - Fee Related JPH0722116B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722116B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04307723A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-10-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子ビーム・リソグラフィの近接効果補正方法 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP4619389A patent/JPH0722116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04307723A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-10-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子ビーム・リソグラフィの近接効果補正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722116B2 (ja) | 1995-03-08 |
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