JPH0855771A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
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- JPH0855771A JPH0855771A JP18972194A JP18972194A JPH0855771A JP H0855771 A JPH0855771 A JP H0855771A JP 18972194 A JP18972194 A JP 18972194A JP 18972194 A JP18972194 A JP 18972194A JP H0855771 A JPH0855771 A JP H0855771A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 可変矩形型電子ビーム装置を用いた、集積回
路の微細な斜め図形の形成技術において、スループット
の高く、エッヂラフネスの少ない高精度な斜め図形を描
画することを目的とする。 【構成】 可変矩形型電子ビーム装置を用い、斜め図形
を描画する方法において、電子ビームをデフォーカス状
態とし、まず斜め図形１を電子ビームレジスト露光しき
い値以上の矩形２に分割を行い、電子ビームレジスト露
光しきい値以下の部分が隣接部と重なり部４を有するよ
うにし、電子ビームレジスト露光しきい値以下の部分の
多重及び近接露光により斜め図形を露光形成する。
路の微細な斜め図形の形成技術において、スループット
の高く、エッヂラフネスの少ない高精度な斜め図形を描
画することを目的とする。 【構成】 可変矩形型電子ビーム装置を用い、斜め図形
を描画する方法において、電子ビームをデフォーカス状
態とし、まず斜め図形１を電子ビームレジスト露光しき
い値以上の矩形２に分割を行い、電子ビームレジスト露
光しきい値以下の部分が隣接部と重なり部４を有するよ
うにし、電子ビームレジスト露光しきい値以下の部分の
多重及び近接露光により斜め図形を露光形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可変矩形型電子ビーム
露光装置を用いて微細な斜め図形を描画する場合におい
て、スループットを低下することなく精度良く斜め図形
を形成することができる電子ビーム露光方法に関する。
露光装置を用いて微細な斜め図形を描画する場合におい
て、スループットを低下することなく精度良く斜め図形
を形成することができる電子ビーム露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、可変成形型電子ビーム露光装置を
用いて斜め図形を描画す際、図３（ａ）に示したような
照射量の強度プロファイルを有するフォーカス電子ビー
ムを用いて描画する場合、たとえば特開平５ー３６５９
５に開示されているように、まず矩形分割を行うが、斜
辺部は矩形に分割ができず非矩形となるため、斜辺部に
最近接した矩形部の近接露光を利用して斜め図形を形成
している。この場合、斜線精度を向上させるためには斜
辺部に最近接した部分の露光量を他の部分に比べ増加さ
せる必要があった。
用いて斜め図形を描画す際、図３（ａ）に示したような
照射量の強度プロファイルを有するフォーカス電子ビー
ムを用いて描画する場合、たとえば特開平５ー３６５９
５に開示されているように、まず矩形分割を行うが、斜
辺部は矩形に分割ができず非矩形となるため、斜辺部に
最近接した矩形部の近接露光を利用して斜め図形を形成
している。この場合、斜線精度を向上させるためには斜
辺部に最近接した部分の露光量を他の部分に比べ増加さ
せる必要があった。
【０００３】しかし、描画には多数の矩形分割を必要と
し、さらに露光量を増減させるといった複雑な操作が必
要とされるため、スループットが低下するといった問題
があった。また、斜線の精度は矩形の大きさによって決
定されてしまうため、エッヂラフネスの少ない図形を描
画することは難しく、微細な図形を精度良く形成するこ
とは不可能であった。
し、さらに露光量を増減させるといった複雑な操作が必
要とされるため、スループットが低下するといった問題
があった。また、斜線の精度は矩形の大きさによって決
定されてしまうため、エッヂラフネスの少ない図形を描
画することは難しく、微細な図形を精度良く形成するこ
とは不可能であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、可変成形型
電子ビーム露光装置を用いて斜め図形を描画する場合に
おいて、多数の矩形分割を必要とせず、露光量の調整の
必要もなく、さらに斜線の描画精度を向上させることを
目的として提供されるものである。
電子ビーム露光装置を用いて斜め図形を描画する場合に
おいて、多数の矩形分割を必要とせず、露光量の調整の
必要もなく、さらに斜線の描画精度を向上させることを
目的として提供されるものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に於ては、微細な斜め図形を露光する際、デ
フォーカス電子ビームを用いることにより、図形を細か
く矩形状に分割することなく、多重露光及び近接効果に
よって斜め部分を解像し、精度良く斜め図形を形成す
る。
に、本発明に於ては、微細な斜め図形を露光する際、デ
フォーカス電子ビームを用いることにより、図形を細か
く矩形状に分割することなく、多重露光及び近接効果に
よって斜め部分を解像し、精度良く斜め図形を形成す
る。
【０００６】
【作用】本発明では、以上説明したような方法により、
デフォーカス電子ビームの多重露光を行うことにより、
スループットの高く、しかも高精度の斜め図形を形成す
ることができる。
デフォーカス電子ビームの多重露光を行うことにより、
スループットの高く、しかも高精度の斜め図形を形成す
ることができる。
【０００７】
【実施例】図１及び図２は本発明の実施例の説明図であ
る。図２に示す線幅０．５ｕｍの斜め図形１を描画する
場合、まず０．４ｕｍ程度の矩形２に分割する。次に、
１０ｕｍ結像をずらせたデフォーカス電子ビーム３によ
り電子ビームレジストの露光を行ない、図１に示す斜め
図形を形成することができる。
る。図２に示す線幅０．５ｕｍの斜め図形１を描画する
場合、まず０．４ｕｍ程度の矩形２に分割する。次に、
１０ｕｍ結像をずらせたデフォーカス電子ビーム３によ
り電子ビームレジストの露光を行ない、図１に示す斜め
図形を形成することができる。
【０００８】このデフォーカス電子ビームの照射量の強
度プロファイルを図３（ａ）に示す。この図のように、
デフォーカスでは、露光される電子ビームレジストに対
して電子ビームの結像がずらされているのであり、デフ
ォーカス電子ビームのエッヂスロープはフォーカス電子
ビームに比較して小さくなっている。また、図３（ｂ）
にはデフォーカス電子ビームの照射強度の投影図を示し
ており、電子ビームレジスト露光しきい値以上の露光部
は矩形となり、この部分はフォーカス電子ビームの矩形
部に相当し、露光しきい値以下の部分は円状あるいは楕
円状の形状となる。
度プロファイルを図３（ａ）に示す。この図のように、
デフォーカスでは、露光される電子ビームレジストに対
して電子ビームの結像がずらされているのであり、デフ
ォーカス電子ビームのエッヂスロープはフォーカス電子
ビームに比較して小さくなっている。また、図３（ｂ）
にはデフォーカス電子ビームの照射強度の投影図を示し
ており、電子ビームレジスト露光しきい値以上の露光部
は矩形となり、この部分はフォーカス電子ビームの矩形
部に相当し、露光しきい値以下の部分は円状あるいは楕
円状の形状となる。
【０００９】本実施例では矩形部分同士に重なりが無い
ため、露光しきい値以下の部分は本来露光されないが、
電子ビームに重なり部４があるため多重露光が行なわ
れ、かつ、近接露光の効果によりエッヂ５のスムーズな
斜め図形が得られる。
ため、露光しきい値以下の部分は本来露光されないが、
電子ビームに重なり部４があるため多重露光が行なわ
れ、かつ、近接露光の効果によりエッヂ５のスムーズな
斜め図形が得られる。
【００１０】本実施例においては、斜め図形の矩形分割
に際し矩形の重なりが無いような分割を示めしたが、デ
フォーカス電子ビームの電流量を調整することにより矩
形部の重なりがあるような分割をも可能である。
に際し矩形の重なりが無いような分割を示めしたが、デ
フォーカス電子ビームの電流量を調整することにより矩
形部の重なりがあるような分割をも可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
斜線図形を露光する場合の矩形分割において、矩形部の
重なりの無い、あるいは、重なりを最少限に抑さえた分
割とすることができるため、スループットの向上が期待
でき、また、電子ビームレジストの露光しきい値以下の
電子ビームの多重近接露光を利用しているので、高精度
かつエッヂラフネスの少ないパターンを描画することが
可能となる。従って、高性能、高密度な半導体集積回路
の製造が可能となる。
斜線図形を露光する場合の矩形分割において、矩形部の
重なりの無い、あるいは、重なりを最少限に抑さえた分
割とすることができるため、スループットの向上が期待
でき、また、電子ビームレジストの露光しきい値以下の
電子ビームの多重近接露光を利用しているので、高精度
かつエッヂラフネスの少ないパターンを描画することが
可能となる。従って、高性能、高密度な半導体集積回路
の製造が可能となる。
【図１】本発明の第一の実施例を示す斜め図形の露光形
成図
成図
【図２】本発明の第一の実施例を示す斜め図形の矩形分
割図
割図
【図３】本発明に用いられるデフォーカス電子ビームの
照射強度プロファイルおよび照射強度投影図
照射強度プロファイルおよび照射強度投影図
１ 斜め図形 ２ 矩形 ３ デフォーカス電子ビーム照射形状 ４ 重なり部 ５ 露光されたエッヂ
Claims (1)
- 【請求項１】 可変矩形型電子ビーム露光装置を用い、
斜め図形を矩形分割し描画する方法において、 電子ビームをデフォーカス状態にし、該電子ビームの解
像度以下の部分が少なくとも重なりを有するようにしな
がら、露光することを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18972194A JP3340248B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18972194A JP3340248B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855771A true JPH0855771A (ja) | 1996-02-27 |
| JP3340248B2 JP3340248B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=16246084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18972194A Expired - Fee Related JP3340248B2 (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340248B2 (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004573A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
| JP2009065036A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスク |
| JP2013503486A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 荷電粒子ビームリソグラフィを用いて可変ビームぼけで表面を製造するための方法および装置 |
| JP2013508972A (ja) * | 2009-10-21 | 2013-03-07 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 引き込みショットを用いて、成形荷電粒子ビーム書込装置により書き込まれるパターンをフラクチャリングするための方法 |
| US8828628B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-09-09 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
| KR20140112439A (ko) * | 2013-03-13 | 2014-09-23 | 디2에스, 인코포레이티드 | 하전 입자 빔 리소그래피를 이용하여 사선 패턴을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US8900778B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-12-02 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US8916315B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-12-23 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| US9034542B2 (en) | 2011-06-25 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography |
| US9038003B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-05-19 | D2S, Inc. | Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography |
| US9043734B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-05-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9091946B2 (en) | 2011-04-26 | 2015-07-28 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9164372B2 (en) | 2009-08-26 | 2015-10-20 | D2S, Inc. | Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography |
| US9323140B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-04-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9448473B2 (en) | 2009-08-26 | 2016-09-20 | D2S, Inc. | Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography |
| JP2016535936A (ja) * | 2013-10-30 | 2016-11-17 | アセルタ ナノグラフィクス | レジスト閾値制御を使用した電子又は光リソグラフィ用のフリーフォーム断片化方法 |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP18972194A patent/JP3340248B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009065036A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスク |
| US9372391B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-06-21 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage |
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| US9268214B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-02-23 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
| US8900778B2 (en) | 2008-09-01 | 2014-12-02 | D2S, Inc. | Method for forming circular patterns on a surface |
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| US9341936B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography |
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| US9274412B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-03-01 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
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| US9400857B2 (en) | 2011-09-19 | 2016-07-26 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US10031413B2 (en) | 2011-09-19 | 2018-07-24 | D2S, Inc. | Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography |
| US9343267B2 (en) | 2012-04-18 | 2016-05-17 | D2S, Inc. | Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR100437817B1 (ko) | 반도체소자의제조를위한노광방법 |
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