JPH0536595A - 電子線露光方法 - Google Patents

電子線露光方法

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JPH0536595A
JPH0536595A JP3193799A JP19379991A JPH0536595A JP H0536595 A JPH0536595 A JP H0536595A JP 3193799 A JP3193799 A JP 3193799A JP 19379991 A JP19379991 A JP 19379991A JP H0536595 A JPH0536595 A JP H0536595A
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Japan
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rectangular
pattern
rectangular pattern
patterns
electron beam
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Keiko Yano
恵子 矢野
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 集積回路のパターン形成技術に係わり，可変
矩形型電子線露光装置を用いて，段差を和らげ，なだら
かな非矩形パターンを精度良く形成する方法を得ること
を目的とする。 【構成】 可変矩形型電子線露光装置を用い，非矩形パ
ターン１を複数個の矩形パターン２に分割し，矩形パタ
ーン２内をショットを繋いで露光する電子線露光方法に
おいて，矩形パターン２のエッジ３が常に非矩形パター
ン１の斜辺４より突出しないように分割し，斜辺４に近
接する矩形ショット５には，その他の矩形パターン２よ
り高い露光量を与えるように，また，前記高い露光量を
与える手段として，２回以上のショットを重ねて露光す
るように，或いは，矩形パターン２のエッジ３が常に非
矩形パターン１の斜辺４より突出するように分割し，斜
辺を含む矩形ショット６には，その他の矩形パターン２
より低い露光量を与えるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，集積回路のパターン形
成技術に係わるものである。近年の集積回路の大容量
化，微細化により，レジストパターンの露光技術もサブ
ミクロン以下の微細パターンが要求されている。それに
ともない，通常の縦方向や横方向の直線パターンの他，
斜め方向の直線パターン，或いは曲線パターンの需要が
高まっている。
【０００２】電子線露光は微細パターンを精度良く形成
するために，非常に優れた手段である。しかし，可変矩
形型電子線露光装置は矩形のショットを繋げてパターン
を形成するため，斜めパターンの形成には必ずしも適当
とは言えない。
【０００３】そのため，可変矩形型電子線露光装置にお
いて，斜めパターンを精度良く形成する方法が求められ
ている。
【０００４】
【従来の技術】図８は従来から使用している可変矩形型
電子線露光装置の電子光学系の断面斜視図，図９は従来
例の説明図である。
【０００５】図において，17は電子銃, 18はブランキン
グ電極, 19は照射レンズ, 20はアパーチャ１，21は成形
偏向器, 22はビーム成形レンズ, 23はアパーチャ２，24
は可変成形ビーム, 25は縮小レンズ, 26は成形ビーム縮
小像, 27は投影レンズ, 28は位置偏向器, 29は描画パタ
ーン, 30は基板, 31は配線パターン, 32はマージン,33
は配線パターン, 34はマージン, 35は斜辺, 36は非矩形
パターン, 37は正方形パターン, 38はショット, 39は長
方形パターン, 40は描画パターンである。
【０００６】従来, 図８に電子光学系の部分を示したよ
うな可変矩形型電子線露光装置において，斜めパターン
を含む非矩形パターンの描画は課題の多いものであっ
た。図９（ａ）に示したような縦横に描画した集積回路
の配線パターン31の配線間の間隔のマージン32に対し
て，図９（ｂ）に示したような斜めパターンを採用した
配線パターン33の場合，配線間の間隔のマージン34が大
きくとれ，それだけ，歩留りが向上し，更に集積度を増
すことができる。
【０００７】一般的な方法として，図９（ｃ）に示すよ
うに, 設計パターンが斜辺35を含む非矩形パターン36の
場合には，図９（ｄ）に示すように，露光のショット38
に対応した多数の小さな正方形パターン37や，図９
（ｅ）に示すような長方形パターン39等の広義の矩形パ
ターンに分解し，１ショットづつ露光して，描画パター
ン40を形成する方法がとられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし，この方法では
図９（ｆ）に示すように，斜面に段差が残った描画パタ
ーン40になってしまう。
【０００９】本発明は，可変矩形型電子線露光装置を用
いて，段差を和らげ，なだらかな非矩形パターンを精度
良く形成する方法を得ることを目的として提供されるも
のである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１は非矩形パターン，２は矩形
パターン，３はエッジ，４は斜辺，５は斜辺に近接する
矩形パターン，６は斜辺を含む矩形パターン，７は描画
パターンである。
【００１１】上記の問題点を解決するためには, 非矩形
パターンを矩形パターンに分割する際，分割された矩形
のエッジを含むショットの露光量を操作し，段差を和ら
げる方法をとる。
【００１２】即ち，可変矩形型電子線露光装置を用い，
非矩形パターン１を複数個の矩形パターン２に分割し,
矩形パターン内を矩形ショットを繋いで露光する電子線
露光方法において，図１（ａ）に示すように，該矩形パ
ターン２のエッジ３が常に該非矩形パターン１の斜辺４
より突出しないように分割し，該斜辺に近接する該矩形
ショット５には，その他の矩形パターン２より高い露光
量を与えることにより，また，前記高い露光量を与える
手段として，２回以上のショットを重ねて露光すること
により，図１（ｂ）に示すような非矩形の描画パターン
７を，或いは，図１（ｃ）に示すように，該矩形パター
ン２のエッジ３が常に該非矩形パターン１の斜辺４より
突出するように分割し，該斜辺を含む該矩形ショット６
には，その他の矩形パターン２より低い露光量を与える
ことにより，図１（ｄ）に示すような非矩形の描画パタ
ーン７を高いパターン精度で得ることができる。
【００１３】
【作用】本発明では，以上説明したような方法により，
斜辺の矩形パターンの露光量を加減して，精度の高い非
矩形パターンが形成される。
【００１４】
【実施例】図２は本発明の露光装置内部データフロー，
図３は本発明の第１の実施例の説明図，図４は本発明の
第２の実施例の説明図，図５は本発明の第３の実施例の
説明図，図６は本発明の第４の実施例の描画用データフ
ロー，図７は本発明の第４の実施例の説明図である。
【００１５】図において，８は非矩形パターン，９は矩
形パターン，10は斜辺, 11は矩形パターン, 12はエッ
ジ, 13はショット, 14はエッジが斜辺に近接するショッ
ト, 15は描画パターン, 16はエッジを含む矩形ショット
である。
【００１６】図2 〜図7 を用いて, 本発明の実施例につ
いて説明する。第１から第３の実施例は露光装置内でデ
ータを処理する場合である。非矩形パターン認識処理を
行う露光装置内部のデータの流れを図２に示す。
【００１７】始めに，請求項１に係る第１の実施例につ
いて，図３により説明する。図３（ａ）に示すような集
積回路パターンを描画する場合，露光装置用のデータを
読み込み，設計パターンを非矩形パターン８と矩形パタ
ーン９に大分割し，矩形パターン９となる部分はそのま
ま露光処理に回す。
【００１８】斜辺を有する２個のパターンは非矩形バタ
ーン８であることを認識して，非矩形パターン処理に回
す。先ず，図３（ｂ）に示すように，決められたパラメ
ーターに沿って非矩形パターン８を矩形パターン11に分
割する。この場合は 0.5μｍ幅の矩形パターン11に分割
し, かつ矩形パターン11のエッジ12が非矩形パターン８
の斜辺10より突出しないように処理する。
【００１９】次に, 図３（ｃ）に示すように，全て，電
子ビームのスポットに相当する 0.5μｍ□のショット13
に分割露光する。そして, エッジが斜辺に近接するショ
ット14（この例では全てエッジ12が非矩形パターン８の
斜辺10に接している) のみに, その他のショット13の
1.4倍の露光量を与えて露光する。
【００２０】その結果, 露光されたレジスト膜の描画パ
ターン15は，図１（ｄ）に示すように，非矩形パターン
８の斜辺10がほぼ直線となって，段差が緩和されたもの
となる。
【００２１】次に，請求項２に係る第２の実施例につい
て，図４により説明する。前述と同様，図３（ａ）に示
すような集積回路パターンを描画する場合，露光装置用
のデータを読み込み，大分割で矩形となる部分はそのま
ま露光処理に回す。
【００２２】斜辺のある２個のパターンは非矩形である
ことを認識して，非矩形パターン処理に回す。先ず，図
４（ａ）に示すように，決められたパラメーターに沿っ
て，矩形パターン11のエッジ12が非矩形パターン８の斜
辺10に接する，幅が0.5,或いは１μｍ幅の種々の大きさ
の矩形パターン11に分割する。この場合，矩形パターン
11のエッジ12が非矩形パターン８の斜辺10より突出しな
いように処理する。
【００２３】次に, 図４（ｂ）に示すように，種々の大
きさに分割された矩形パターン11に電子線ビームを成形
しつつ，一定の露光量で露光を行う。続いて，図４
（ｃ）に示すように，非矩形パターン８の斜辺10に矩形
パターン11のエッジ12が近接するショット13のみ，もう
１回，同じ露光量で重ね露光する。
【００２４】その結果露光されたレジスト膜の描画パタ
ーン15は，図４（ｄ）に示すように，非矩形パターン８
の斜辺10がほぼ直線となって段差が緩和されたものとな
る。続いて，請求項３に係る第３の実施例について，図
５により説明する。
【００２５】図１（ａ）に示すような集積回路パターン
を描画する場合，露光装置用のデータを読み込み，大分
割で矩形となる部分はそのまま露光処理に回し, 斜辺の
ある２個のパターンは非矩形であることを認識して，非
矩形パターン処理に回す工程までは, 前例と同様であ
る。
【００２６】次に，図５（ａ）に示すように，決められ
たパラメーターに沿って矩形に分割する。この場合は0.
25μｍ幅の細長い矩形パターン11に分割し, かつ矩形パ
ターン11のエッジ12が非矩形パターン８の斜辺10より常
に突出するように処理する。
【００２７】次に, 図５（ｂ）に示すように，細長い矩
形パターン11をエッジ12を含む矩形パターン11のショッ
トと，それ以外の矩形パターンのショット11に分割し，
エッジを含む矩形パターン16のショットは，エッジを含
まない矩形パターン11のショットの 0.8倍の露光量で露
光する。
【００２８】その結果露光されたレジスト膜の描画パタ
ーンは，図１（ｄ）に示すように，非矩形パターン８の
斜辺10がほぼ直線となって段差が緩和されたものとな
る。第４の実施例は大型電子計算機械を用いてデータを
処理する場合である。
【００２９】電子線露光装置描画用データ作成フローを
図６に示す。請求項３に係る第４の実施例について，図
７により説明する。図７（ａ）に示すような集積回路パ
ターンを描画する場合，図６で作成した露光装置用のデ
ータを読み込み，非矩形パターン８と矩形パターン９に
大分割して，矩形パターン９となる部分はそのまま露光
処理に回す。
【００３０】図７（ｂ）に示す斜辺10を有する２個の非
矩形パターン８は，非矩形であることを認識して，図６
のフローに示した非矩形パターン処理に回す。そして，
図７（ｃ）に示すように，決められたパラメーターに沿
って矩形パターン11に分割する。この場合は0.５μｍ幅
の細長い矩形パターン11に分割し, かつ矩形パターン11
のエッジ12が非矩形パターン８の斜辺10より常に突出す
るように処理する。
【００３１】次に, 図５（ｄ）に示すように，細長い矩
形パターン11を非矩形パターンのエッジを含む矩形パタ
ーン16のショットと，それ以外の矩形パターンのショッ
ト11に分割し，エッジを含む矩形パターン16のショット
は，エッジを含まない矩形パターン11のショットの0.8
倍の露光量で露光をするように, 計算機に指定する。
【００３２】そのデータを電子線露光装置へ転送して露
光が行われる。図７（ｅ）に示すように，露光されたレ
ジスト膜の描画パターン15は，前述の実施例と同様に，
非矩形パターン８の斜辺10がほぼ直線となって，段差が
緩和されたものとなる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように, 本発明によれば,
高精度な非矩形パターンが形成でき，高密度，高性能の
集積回路装置の製造に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の露光装置内部データフロー
【図３】 本発明の第１の実施例の説明図
【図４】 本発明の第２の実施例の説明図
【図５】 本発明の第３の実施例の説明図
【図６】 本発明の第４の実施例の描画用データフロー
【図７】 本発明の第４の実施例の説明図
【図８】 可変矩形型電子線露光装置の電子光学系
【図９】 従来例の説明図
【符号の説明】
１ 非矩形パターン ２ 矩形パターン ３ エッジ ４ 斜辺 ５ 斜辺に近接する矩形ショット ６ 斜辺を含む矩形ショット ７ 描画パターン ８ 非矩形パターン ９ 矩形パターン 10 斜辺 11 矩形パターン 12 エッジ 13 ショット 14 斜辺に近接するショット 15 描画パターン 16 エッジを含む矩形ショット

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 可変矩形型電子線露光装置を用い，非矩
    形パターン(1) を複数個の矩形パターン(2) に分割し，
    該矩形パターン(2) 内をショットを繋いで露光する電子
    線露光方法において，該矩形パターン(2) のエッジ(3)
    が常に該非矩形パターン(1) の斜辺(4)より突出しない
    ように分割し，該斜辺(4) に近接する矩形ショット(5)
    には，その他の矩形パターン(2) より高い露光量を与え
    ることを特徴とする電子線露光方法。
  2. 【請求項２】 前記高い露光量を与える手段として，２
    回以上のショットを重ねて露光することを特徴とする請
    求項１記載の電子線露光方法
  3. 【請求項３】 可変矩形型電子線露光装置を用い，非矩
    形パターン(1) を複数個の矩形パターン(2) に分割し,
    該矩形パターン(2)内をショットを繋いで露光する電子
    線露光方法において，該矩形パターン(2) のエッジ(3)
    が常に該非矩形パターン(1) の斜辺(4) より突出するよ
    うに分割し，該斜辺を含む矩形ショット(6) には，その
    他の矩形パターン(2) より低い露光量を与えることを特
    徴とする電子線露光方法。
JP3193799A 1991-08-02 1991-08-02 電子線露光方法 Withdrawn JPH0536595A (ja)

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