JPS6030131A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS6030131A JPS6030131A JP58138854A JP13885483A JPS6030131A JP S6030131 A JPS6030131 A JP S6030131A JP 58138854 A JP58138854 A JP 58138854A JP 13885483 A JP13885483 A JP 13885483A JP S6030131 A JPS6030131 A JP S6030131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aperture
- rectangular
- sides
- mask
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光装置に係わり、特にア・千−
チャマスクの改良をはかった可変成形ビーム方式の電子
ビーム露光装置に関する。
チャマスクの改良をはかった可変成形ビーム方式の電子
ビーム露光装置に関する。
ＬＳＩのノリーンは、近年益々微細かつ複雑になってお
り、このようなノ臂ターンを形成する装置としては電子
ビーム話光装置が用いられている。従来の電子ビーム露
光装置は、パターンの最小寸法のｌ／２〜１／４程度の
直径の円形断面を有する電子ビームで感電子ビームレジ
ストを目的のパターンに従って露光する方式であった。
り、このようなノ臂ターンを形成する装置としては電子
ビーム話光装置が用いられている。従来の電子ビーム露
光装置は、パターンの最小寸法のｌ／２〜１／４程度の
直径の円形断面を有する電子ビームで感電子ビームレジ
ストを目的のパターンに従って露光する方式であった。
この方式は、露光すべきパターンを微小な断面形状のビ
ームで順次塗潰す方式であるため、単位時間当りの露光
可能面積が小さい。
ームで順次塗潰す方式であるため、単位時間当りの露光
可能面積が小さい。
上記欠点を解消するものとして近年、可変成形ビーム方
式の電子ビーム露光面装置が開発された。これは、第１
及び第２の矩形アパーチャ１．２の像を第１図に示す如
く重ね合わせハツチング部の如き合成された矩形のアノ
クーチャ像３を形成し、アミ４−チヤ１．２の相対位置
を制御することにより、所望のノ臂ターン形状に合わせ
合成アノク−チャ像３の寸法を変化しつつ、レソストを
露光するものである。この装置により、例えば第２図の
如きパターン４を露光するには従来の円形ビームで１０
０回近い露光が必要であったのに対し、第３図に示す如
くわずか２回の露光で済むことになった。
式の電子ビーム露光面装置が開発された。これは、第１
及び第２の矩形アパーチャ１．２の像を第１図に示す如
く重ね合わせハツチング部の如き合成された矩形のアノ
クーチャ像３を形成し、アミ４−チヤ１．２の相対位置
を制御することにより、所望のノ臂ターン形状に合わせ
合成アノク−チャ像３の寸法を変化しつつ、レソストを
露光するものである。この装置により、例えば第２図の
如きパターン４を露光するには従来の円形ビームで１０
０回近い露光が必要であったのに対し、第３図に示す如
くわずか２回の露光で済むことになった。
しかしながら、この装置では、斜め線を含むｉ’？ター
ンに対しては、露光時間の短縮ができないと云う問題が
あった。すなわち、第４図の始きＡ？ターン５の斜め線
部は、■〜■の様に分割して矩形に近似して露光する方
法が行われる。
ンに対しては、露光時間の短縮ができないと云う問題が
あった。すなわち、第４図の始きＡ？ターン５の斜め線
部は、■〜■の様に分割して矩形に近似して露光する方
法が行われる。
この場合、斜め線部に階段形状が生じて・やターン寸法
精度が低下するので、目的の精度を得るには階段形状が
無視し得るまで分割数を多くせねばならず、従って露光
時間が増大してしまう。
精度が低下するので、目的の精度を得るには階段形状が
無視し得るまで分割数を多くせねばならず、従って露光
時間が増大してしまう。
一方、斜線部分を高速で露光する方式として、最近第５
図に示す如く第２のアノ母−チャ２を４５°回転した電
子ビーム露光装置が提案された。
図に示す如く第２のアノ母−チャ２を４５°回転した電
子ビーム露光装置が提案された。
この装置では矩形及び４５°の斜線よりなる・臂ターン
を全て直角三角形に分割して露光する方式であるので、
斜線部を少ない露光回数で寸法精度良く露光することが
できる。しかし、矩形部分に対する露光回数は少くとも
２倍に増加する。
を全て直角三角形に分割して露光する方式であるので、
斜線部を少ない露光回数で寸法精度良く露光することが
できる。しかし、矩形部分に対する露光回数は少くとも
２倍に増加する。
すなわち、斜線を含まない・母ターンに対する露光時間
は通常の可変成形ビーム方式の場合に比べて２倍になっ
てしまう。
は通常の可変成形ビーム方式の場合に比べて２倍になっ
てしまう。
本発明の目的は、斜線を含まないツクターンに対する描
画速度を低下させることなく、斜線を含むノ４ターンに
対する描画速度の向上をはかり得る可変寸法ビーム方式
の電子ビーム露光装置を提供することにある。
画速度を低下させることなく、斜線を含むノ４ターンに
対する描画速度の向上をはかり得る可変寸法ビーム方式
の電子ビーム露光装置を提供することにある。
本発明の骨子は、アパーチャマスクの改良により、矩形
及び直角３角形の電子ビームを選択的に形成することに
ある。
及び直角３角形の電子ビームを選択的に形成することに
ある。
すなわち少なくとも２枚のビーム成形用アノ４−チャマ
スクを備え、これらのマスクの各アパーチャの光学的重
なシにより電子ビームの寸法及び形状を成形し、この成
形ビームを試料上に照射して該試料を所望パターンに露
光する電子ビーム露光装置において、前記マスクの一方
に直角を挟む２つの矩形ビーム用直線とこれらの直線の
いずれかに対し４５度の角度をなす４つの３角形ビーム
用直線とからなる少なくとも６ビーム用直線と共に矩形
ビームを形成し、かつ上記３角形ビーム用直線と共に直
角３角形ビームを形成する少なくとも２辺を有するアパ
ーチャが形成するようにしたものである。
スクを備え、これらのマスクの各アパーチャの光学的重
なシにより電子ビームの寸法及び形状を成形し、この成
形ビームを試料上に照射して該試料を所望パターンに露
光する電子ビーム露光装置において、前記マスクの一方
に直角を挟む２つの矩形ビーム用直線とこれらの直線の
いずれかに対し４５度の角度をなす４つの３角形ビーム
用直線とからなる少なくとも６ビーム用直線と共に矩形
ビームを形成し、かつ上記３角形ビーム用直線と共に直
角３角形ビームを形成する少なくとも２辺を有するアパ
ーチャが形成するようにしたものである。
本発明によれば、ビーム成形用アパーチャマスクの各ア
パーチャの光学的重なりにより、矩形及び直角３角形状
の断面を有する電子ビームを選択的に形成することがで
きる。このため、矩形パターンは矩形ビームで、斜線部
パターンは直角３角形ビームで露光することができ、高
速で高精度なパターン描画が可能となる。また、従来装
置に比してアパーチャマスクのアパーチャ形状を改良す
るのみで、簡易に実現し得る等の利点がある。
パーチャの光学的重なりにより、矩形及び直角３角形状
の断面を有する電子ビームを選択的に形成することがで
きる。このため、矩形パターンは矩形ビームで、斜線部
パターンは直角３角形ビームで露光することができ、高
速で高精度なパターン描画が可能となる。また、従来装
置に比してアパーチャマスクのアパーチャ形状を改良す
るのみで、簡易に実現し得る等の利点がある。
第７番は本発明の一実施例に係わる可変寸法ビーム方式
電子ビーム露光装置を示す概略構成図である。１ノは電
子銃、１２は第１のビーム成形用アパーチャマスク、１
３は第２のビーム成形用ア／’Ｐ−チャマスク、１４．
１５はコンデンサレンズ、１６はマスク１２のアパーチ
ャ像をマスク１３上に結像するだめの投影レンズ、１７
．１８は合成された成形アパーチャ像を縮小するための
縮小レンズ、１９は縮小された成形アパーチャ像を試料
面２０上に結像するための対物レンズである。また、２
１．２２は試料面２０上でのビーム位置を制御するだめ
の偏向コイル、２３．２４は偏向板、２５．２６は焦点
補正及び非点補正のための制御コイル、２７はビームを
オン、オフするだめのブランキング偏向板、２Ｂ、２９
．３０はマスク１２のアパーチャ像をマスク１３に対し
て位置合わせし、合成アノ！−チャの寸法・形状を制御
するための偏向器である。
電子ビーム露光装置を示す概略構成図である。１ノは電
子銃、１２は第１のビーム成形用アパーチャマスク、１
３は第２のビーム成形用ア／’Ｐ−チャマスク、１４．
１５はコンデンサレンズ、１６はマスク１２のアパーチ
ャ像をマスク１３上に結像するだめの投影レンズ、１７
．１８は合成された成形アパーチャ像を縮小するための
縮小レンズ、１９は縮小された成形アパーチャ像を試料
面２０上に結像するための対物レンズである。また、２
１．２２は試料面２０上でのビーム位置を制御するだめ
の偏向コイル、２３．２４は偏向板、２５．２６は焦点
補正及び非点補正のための制御コイル、２７はビームを
オン、オフするだめのブランキング偏向板、２Ｂ、２９
．３０はマスク１２のアパーチャ像をマスク１３に対し
て位置合わせし、合成アノ！−チャの寸法・形状を制御
するための偏向器である。
上記の基本構成は従来装置と同様であり、本実施例が従
来装置と異なる点は、ビーム成形用アパーチャマスク１
２．１３の各アパーチャ形状にある。すなわち、第１の
アパーチャマスク１２は第８図（、）に示す如く矩形ア
パーチャ１２ａが形成されたもので、第２のアパーチャ
マスク１３は同図（ｂ）に示す如く上記アパーチャ１２
ｍといずれかの辺に平行な３辺ａｂｅと、これらの辺ａ
ｂｅのいずれかに対し４５°の角度を有する４つの辺ｄ
ｅｆｇとの７辺を有するアノＪ？−チャ１３ａが形成さ
れたものである。
来装置と異なる点は、ビーム成形用アパーチャマスク１
２．１３の各アパーチャ形状にある。すなわち、第１の
アパーチャマスク１２は第８図（、）に示す如く矩形ア
パーチャ１２ａが形成されたもので、第２のアパーチャ
マスク１３は同図（ｂ）に示す如く上記アパーチャ１２
ｍといずれかの辺に平行な３辺ａｂｅと、これらの辺ａ
ｂｅのいずれかに対し４５°の角度を有する４つの辺ｄ
ｅｆｇとの７辺を有するアノＪ？−チャ１３ａが形成さ
れたものである。
このような構成であれば、第１及び第２のマスク１２．
１３の各アノＪ？−チャ１２ ａ 、 １２ ｂの光学
的重なりにより、第９図に示す如く矩形及び直角３角形
の断面を有する電子ビームを得ることができる。すなわ
ち、アノや一チャ１２ｈとアパーチャ１３ｈの辺ａｂ若
しくは辺ｂｅとカラ矩形ヒームヲ、アパーチャ１２＊と
アＡ−チャＪＪａの辺ｄｅｆｇのいずれか１つとから直
角３角形ビームを形成することができる。
１３の各アノＪ？−チャ１２ ａ 、 １２ ｂの光学
的重なりにより、第９図に示す如く矩形及び直角３角形
の断面を有する電子ビームを得ることができる。すなわ
ち、アノや一チャ１２ｈとアパーチャ１３ｈの辺ａｂ若
しくは辺ｂｅとカラ矩形ヒームヲ、アパーチャ１２＊と
アＡ−チャＪＪａの辺ｄｅｆｇのいずれか１つとから直
角３角形ビームを形成することができる。
したがって、例えば第１０図に示す如き矩形及び斜線を
含むパターンを描画する場合、矩形ビームで分割パター
ン０■を描画し、３角形ビームで分割パターン■■■■
を描画すると云う６回の露光で済むことになる。これに
対し、従来装置のように直角３角形ビームのみで上記／
ｆターンを描画するには８回の露光が必要であった。ま
た、第１１図に示す如きノにターンを描曲Ｊする場合、
矩形ビームで分割ノリーン■〜■を描画し、直角３角形
ビームで分割ノ臂ターン■〜［相］を描画すると云う１
３回の露光で済むことになる。これに対し３角形ビーム
のみでこれを描画するには２１回の露光が必要であった
。
含むパターンを描画する場合、矩形ビームで分割パター
ン０■を描画し、３角形ビームで分割パターン■■■■
を描画すると云う６回の露光で済むことになる。これに
対し、従来装置のように直角３角形ビームのみで上記／
ｆターンを描画するには８回の露光が必要であった。ま
た、第１１図に示す如きノにターンを描曲Ｊする場合、
矩形ビームで分割ノリーン■〜■を描画し、直角３角形
ビームで分割ノ臂ターン■〜［相］を描画すると云う１
３回の露光で済むことになる。これに対し３角形ビーム
のみでこれを描画するには２１回の露光が必要であった
。
なお、前記第２のア・や−チャマスク１３としては、高
融点金属の板を加工して製作することができる。例えば
、第１２図（ａ）に示す如く、２つのマスク片３１．３
２に分割し、各々を機械加工で製作すること−もてきる
し、また、第１２図（ｂ）に示す如く、線ａ、ｃ、ｄ＋
ｇ＋ｈ＋１でかこまれた開口部を有するマスク片３３と
す。
融点金属の板を加工して製作することができる。例えば
、第１２図（ａ）に示す如く、２つのマスク片３１．３
２に分割し、各々を機械加工で製作すること−もてきる
し、また、第１２図（ｂ）に示す如く、線ａ、ｃ、ｄ＋
ｇ＋ｈ＋１でかこまれた開口部を有するマスク片３３と
す。
ｓ＋ｆでかこまれた？Ｊ口部を有するマスク片３４とを
各々、通常のりソグラフィ技術を用いてエツチング加工
し、位置合せて重ねる事で製作することができる。そし
て、このアパーチャマスク１３はその辺ａ、 ｂ、ｃを
第１のマスク１２のア・千−チャ１２ａの辺に対し高精
度で平行或いは直角に合せる。この位置合わせは、従来
の矩形アパーチャを２枚用いる可変成形ビーム方式に於
て用いられているアパーチャ角度の検出及び合せ方法を
用いれは容易である。したがって、辺ａ、ｂ、ｃのいず
れかを第１のマスク１２のアパーチャ１２ｔｈの一辺に
対し、高精度に角度合せすることにより、４５°の辺ｄ
＋ ＠ ＋ｆ、ｇも高８’Ｗ度で第１のマスク１２に
対し角度合せがなされる。
各々、通常のりソグラフィ技術を用いてエツチング加工
し、位置合せて重ねる事で製作することができる。そし
て、このアパーチャマスク１３はその辺ａ、 ｂ、ｃを
第１のマスク１２のア・千−チャ１２ａの辺に対し高精
度で平行或いは直角に合せる。この位置合わせは、従来
の矩形アパーチャを２枚用いる可変成形ビーム方式に於
て用いられているアパーチャ角度の検出及び合せ方法を
用いれは容易である。したがって、辺ａ、ｂ、ｃのいず
れかを第１のマスク１２のアパーチャ１２ｔｈの一辺に
対し、高精度に角度合せすることにより、４５°の辺ｄ
＋ ＠ ＋ｆ、ｇも高８’Ｗ度で第１のマスク１２に
対し角度合せがなされる。
このように本装置によれば、矩形及び直角３角形の電子
ビームをノＲターンに応じて使い分けることにより、従
来よりも速い速度で高精度なパターン描画を行うことが
できる。例えば、前記第１θ図に示すパターンでは従来
の１／４だけ、前記＄４ｘｔ図に示すパターンでは従来
の８／２１だけｈ光回数が少なくて済むことになる。こ
のため、斜辺部を含むパターンを高ＫＭ度に、かつ高速
に描画することができ、半導体製造技術分野における有
用性は絶大である。また、従来装置のアパーチャマスク
構造を変えるのみで実現することができ、実用性も極め
て大きい。
ビームをノＲターンに応じて使い分けることにより、従
来よりも速い速度で高精度なパターン描画を行うことが
できる。例えば、前記第１θ図に示すパターンでは従来
の１／４だけ、前記＄４ｘｔ図に示すパターンでは従来
の８／２１だけｈ光回数が少なくて済むことになる。こ
のため、斜辺部を含むパターンを高ＫＭ度に、かつ高速
に描画することができ、半導体製造技術分野における有
用性は絶大である。また、従来装置のアパーチャマスク
構造を変えるのみで実現することができ、実用性も極め
て大きい。
なお、本発明は上述した実施°例に限定されるものでは
ない。例えば、前記第２のマスクのアパーチャ形状は前
記第７図（ｂ）に示す形状に限るものではなく、第１３
図に示す如きものでおつれかに対し４５°の角度をなす
少なくとも６辺を有するものであればよい。さらに、ア
パーチャマスクの材質や作り方法は、仕様に応じて適宜
変更可能である。
ない。例えば、前記第２のマスクのアパーチャ形状は前
記第７図（ｂ）に示す形状に限るものではなく、第１３
図に示す如きものでおつれかに対し４５°の角度をなす
少なくとも６辺を有するものであればよい。さらに、ア
パーチャマスクの材質や作り方法は、仕様に応じて適宜
変更可能である。
また、電子ビーム光学系の構造も何ら実施例に限定され
るものではなく、適宜変更可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
るものではなく、適宜変更可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
第１図乃至第６図はそれぞれ従来の問題点を説明するだ
めの図、第７図は本発明の一実施例に係わる可変寸法ビ
ーム方式電子ビーム露光装置を示す概略構成図、第８図
（ａ） （ｂ）は上記装置の要部構成を示す平面図、第
９図は上記装置のアパーチャ重なりによるビーム成形法
を説明するだめの模式図、第１０図及び第１１図は上記
装置を用いたパターン描画例を説明するための模式図、
第１２図（ａ） （ｂ）は上記装置に使用したアパーチ
ャマスクの製造法を説明するだめの平面図、第１３図は
変形例を説明するための平面図である。 １ノ・・・電子銃、１２．１３・・・ビーム成形用アバ
−チャマスク、１２ａ、１３ａ・・アｉ！ −チャ、１
４、〜，１９・・・レンズ、２０・・・試料面、２１゜
２２・・・偏向コイル、２３．２４・・・偏向板、２８
１〜，３０・・・ビーム成形用偏向器、３Ｊ 、 ３２
。 、９３．３４・・・マスク片、３５・・・ビン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図 第２図 第５１ 第３図 第７図
めの図、第７図は本発明の一実施例に係わる可変寸法ビ
ーム方式電子ビーム露光装置を示す概略構成図、第８図
（ａ） （ｂ）は上記装置の要部構成を示す平面図、第
９図は上記装置のアパーチャ重なりによるビーム成形法
を説明するだめの模式図、第１０図及び第１１図は上記
装置を用いたパターン描画例を説明するための模式図、
第１２図（ａ） （ｂ）は上記装置に使用したアパーチ
ャマスクの製造法を説明するだめの平面図、第１３図は
変形例を説明するための平面図である。 １ノ・・・電子銃、１２．１３・・・ビーム成形用アバ
−チャマスク、１２ａ、１３ａ・・アｉ！ −チャ、１
４、〜，１９・・・レンズ、２０・・・試料面、２１゜
２２・・・偏向コイル、２３．２４・・・偏向板、２８
１〜，３０・・・ビーム成形用偏向器、３Ｊ 、 ３２
。 、９３．３４・・・マスク片、３５・・・ビン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第４図 第２図 第５１ 第３図 第７図
Claims (2)
- （１） 少なくとも２枚のビーム成形層ア・や−チャマ
スクを備え、これらのマスクの各ア／Ｊ−チャの電子光
学的重なシにより電子ビームの寸法及び形状を成形し、
この成形ビームを試料上に照射して該試料を所望パター
ンに露光する電子ビーム露光装置において、前記マスク
の一方は直角を狭む２つの矩形ビーム用直線とこれらの
直線のいずれかに対し４５度の角度をなす４つの３角形
ビーム用直線とからなる少なくとも６り上記矩形ビーム
用直線と共に矩形ビームを形成し、かつ上記３角形ビー
ム用直線と共に直角形ビームを形成する少なくとも２辺
を有するアノヤーチャが形成されたものであることを特
徴とする電子ビーム露光装置。 - （２） 前記マスクの一方は矩形及び該矩形の一辺の一
部を斜辺とする直角２等辺３角形からなる６辺を有する
ア・や−チャが形成されたもので、前記マスクの他方は
矩形のアノ４−チャが形成されたものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138854A JPH0697648B2 (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138854A JPH0697648B2 (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030131A true JPS6030131A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0697648B2 JPH0697648B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=15231702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138854A Expired - Lifetime JPH0697648B2 (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697648B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172724A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光方法 |
| JPS63114125A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPS63185027A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| JPH01175737A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
| JPH04364716A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Fujitsu Ltd | 荷電ビーム露光方法 |
| JP2012043987A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526620A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Electronic beam exposure device |
| JPS56116621A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Electron beam painting device |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58138854A patent/JPH0697648B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526620A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Electronic beam exposure device |
| JPS56116621A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Electron beam painting device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172724A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光方法 |
| JPS63114125A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| US4914304A (en) * | 1986-10-31 | 1990-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged-beam exposure system |
| JPS63185027A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Toshiba Corp | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| JPH01175737A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
| JPH04364716A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Fujitsu Ltd | 荷電ビーム露光方法 |
| JP2012043987A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697648B2 (ja) | 1994-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0536595A (ja) | 電子線露光方法 | |
| JPS63114125A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JPS6030131A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPS59184524A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH0554251B2 (ja) | ||
| JP2002141281A (ja) | 電子ビーム投影装置及びフォーカシング方法 | |
| JP2874688B2 (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
| JPH08236428A (ja) | 荷電粒子線露光方法及びそれに用いるマスク | |
| JPH09180987A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JPS62152125A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JPH11176720A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPS62285418A (ja) | 微細幅パタ−ンの露光方法 | |
| JPH01191416A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02165617A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JP3163885B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| JPH0359569B2 (ja) | ||
| JP3279746B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置の調整方法 | |
| JPH06140309A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| JPH11176738A (ja) | 荷電ビーム露光装置及び荷電ビーム露光方法 | |
| JPH0466321B2 (ja) | ||
| JPH03104112A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPS61125126A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH1154401A (ja) | 電子ビーム描画方法及び描画装置 | |
| JPH11238660A (ja) | パターン描画装置 | |
| JPH0582424A (ja) | 電子線露光方法 |