JPH01191416A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01191416A JPH01191416A JP63014737A JP1473788A JPH01191416A JP H01191416 A JPH01191416 A JP H01191416A JP 63014737 A JP63014737 A JP 63014737A JP 1473788 A JP1473788 A JP 1473788A JP H01191416 A JPH01191416 A JP H01191416A
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- JP
- Japan
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- pattern
- charged beam
- exposure
- optical reduction
- reduction projection
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 15
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に素子パター
ンの形成方法に関する。
ンの形成方法に関する。
近年、半導体素子の高集積化、微細化が進められ、半導
体ウェハ上に素子パターンを形成する際に高精度な転写
性能を有する荷電ビーム描画装置、或いは光縮小投影露
光装置が用いられている。第３図は荷電ビーム描画装置
の概略構成図であり、ステージ１１上に載置されたウェ
ハ１の表面に、電子レンズ１３で収束されかつ偏向され
た電子銃１２からの電子又はイオンビームを照射してパ
ターン形成を行っている。また、第４図は光縮小投影露
光装置の概略構成図であり、マスク１４に形成したパタ
ーンを、遮蔽Ｆｉ１５で光源１６の照射領域を限定しな
がら光学レンズ１７によりウェハ１の表面に結像させて
パターン形成を行っている。
体ウェハ上に素子パターンを形成する際に高精度な転写
性能を有する荷電ビーム描画装置、或いは光縮小投影露
光装置が用いられている。第３図は荷電ビーム描画装置
の概略構成図であり、ステージ１１上に載置されたウェ
ハ１の表面に、電子レンズ１３で収束されかつ偏向され
た電子銃１２からの電子又はイオンビームを照射してパ
ターン形成を行っている。また、第４図は光縮小投影露
光装置の概略構成図であり、マスク１４に形成したパタ
ーンを、遮蔽Ｆｉ１５で光源１６の照射領域を限定しな
がら光学レンズ１７によりウェハ１の表面に結像させて
パターン形成を行っている。
上述した従来のパッケージ形成方法において、第３図の
荷電ビーム描画装置では、０．３μｍ前後の非常に微細
なパターンの形成が可能であるが描画に多大な時間を費
やすだけでなく、非常に高価な装置であるため、生産性
の点で問題がある。
荷電ビーム描画装置では、０．３μｍ前後の非常に微細
なパターンの形成が可能であるが描画に多大な時間を費
やすだけでなく、非常に高価な装置であるため、生産性
の点で問題がある。
また、第４図の光縮小投影露光装置では、高精度、高生
産性を有しているが、０．３μｍ前後の微細パターンを
形成することができないという問題がある。
産性を有しているが、０．３μｍ前後の微細パターンを
形成することができないという問題がある。
そこで、互いの短所を補うために、荷電ビーム描画装置
と光縮小投影露光装置を組み合わせた、いわゆるハイブ
リッド露光装置が提案されてきている。即ち、この装置
では、第５図（ａ）に示すように、荷電ビーム描画と光
縮小投影露光を夫々ウェハの単位チップ毎に設けたアラ
イメントマーク２Ａを共用してパターン形成を行ってい
る。
と光縮小投影露光装置を組み合わせた、いわゆるハイブ
リッド露光装置が提案されてきている。即ち、この装置
では、第５図（ａ）に示すように、荷電ビーム描画と光
縮小投影露光を夫々ウェハの単位チップ毎に設けたアラ
イメントマーク２Ａを共用してパターン形成を行ってい
る。
しかしながらこの装置では、第５図（ｂ）のように、荷
電ビーム描画装置に存在する露光歪Ａ（破線で示す）と
、光縮小投影露光装置に存在する露光歪Ｂ（実線で示す
）が通常では一致しないため、逆に両者のパターン間に
誤差が生じ易く、パターンの形成精度が低下してしまう
という問題がある。
電ビーム描画装置に存在する露光歪Ａ（破線で示す）と
、光縮小投影露光装置に存在する露光歪Ｂ（実線で示す
）が通常では一致しないため、逆に両者のパターン間に
誤差が生じ易く、パターンの形成精度が低下してしまう
という問題がある。
本発明は上述したハイブリッド露光装置におけるパター
ンの形成精度を向上して、高精度かつ高生産性を得るこ
とができるパターン形成方法を提供することを目的とし
ている。
ンの形成精度を向上して、高精度かつ高生産性を得るこ
とができるパターン形成方法を提供することを目的とし
ている。
［課題を解決するための手段］
本発明のパターン形成方法は、先に光縮小投影露光装置
によりパターン転写すると同時に、各露光フィールド内
に複数個の荷電ビーム用位置決めマークを形成し、その
後この位置決めマークを利用して荷電ビーム描画装置に
より所望パターンを描画して所要のパターンを得ている
。
によりパターン転写すると同時に、各露光フィールド内
に複数個の荷電ビーム用位置決めマークを形成し、その
後この位置決めマークを利用して荷電ビーム描画装置に
より所望パターンを描画して所要のパターンを得ている
。
〔作用］
上述した方法では、光縮小投影露光装置により形成され
たパターン内で微細領域毎に荷電ビーム描画装置での描
画を行うことになり、光縮小投影露光装置の露光歪に追
従した露光歪を有する荷電ビーム描画パターンを形成す
る。
たパターン内で微細領域毎に荷電ビーム描画装置での描
画を行うことになり、光縮小投影露光装置の露光歪に追
従した露光歪を有する荷電ビーム描画パターンを形成す
る。
［実施例］
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例方法を説明するための図で
あり、同図（ａ）はウェハΦ全体平面図。
あり、同図（ａ）はウェハΦ全体平面図。
同図（ｂ）は光縮小投影露光終了後の単位チップの平面
図、同図（ｃ）は荷電ビーム描画後の単位チップの平面
図である。
図、同図（ｃ）は荷電ビーム描画後の単位チップの平面
図である。
このパターン形成方法では、先ず第１図（ａ）のように
、光縮小投影装置を用いてウェハ１に比較的大きな寸法
のパターン３を単位チップ毎に露光する。このとき、第
１図（ｂ）に示すように、各単位チップを更に細分した
露光フィールド毎にｉｔビーム描画用のアライメントマ
ーク２を複数個ずつ形成しておく。この荷電ビーム描画
用のアライメントマーク２は、縦、横共に、０．５ ｍ
ｍ〜２胴の間隔で配列させるのが良い。もちろん、最適
間隔は露光フィールドのサイズ（通常は６ ｍｍ−１４
ｍｍ）によって変えられる必要がある。
、光縮小投影装置を用いてウェハ１に比較的大きな寸法
のパターン３を単位チップ毎に露光する。このとき、第
１図（ｂ）に示すように、各単位チップを更に細分した
露光フィールド毎にｉｔビーム描画用のアライメントマ
ーク２を複数個ずつ形成しておく。この荷電ビーム描画
用のアライメントマーク２は、縦、横共に、０．５ ｍ
ｍ〜２胴の間隔で配列させるのが良い。もちろん、最適
間隔は露光フィールドのサイズ（通常は６ ｍｍ−１４
ｍｍ）によって変えられる必要がある。
しかる上で、第１図（Ｃ）に示すように上記荷電ビーム
用アライメントマーク２を用いて、荷電ビーム描画４を
行ない、微細なパターンを形成する。
用アライメントマーク２を用いて、荷電ビーム描画４を
行ない、微細なパターンを形成する。
したがって、このパターン形成方法では、光縮小投影露
光装置と荷電ビーム描画装置との間に、第５図（ｂ）に
示したような露光歪の相違が生じるとしても、荷電ビー
ム描画装置による露光は、単位チップ内の微細領域毎に
アライメントマークを変えて行っているので、両者の露
光歪の影響は極めて小さくなり、実用上問題となるよう
なパターン誤差が生じることない。
光装置と荷電ビーム描画装置との間に、第５図（ｂ）に
示したような露光歪の相違が生じるとしても、荷電ビー
ム描画装置による露光は、単位チップ内の微細領域毎に
アライメントマークを変えて行っているので、両者の露
光歪の影響は極めて小さくなり、実用上問題となるよう
なパターン誤差が生じることない。
これにより、光縮小投影露光装置の高生産性と、荷電ビ
ーム描画装置の高精度を夫々生かした好適なパターン形
成が実現できる。
ーム描画装置の高精度を夫々生かした好適なパターン形
成が実現できる。
第２図は、本発明の他の実施例を説明するための図であ
り、同図（ａ）乃至（Ｃ）は夫々第１図（ａ）乃至（ｃ
）と同様の図である。
り、同図（ａ）乃至（Ｃ）は夫々第１図（ａ）乃至（ｃ
）と同様の図である。
この実施例では、第２図（ａ）のように、ウェハに光縮
小投影露光装置での露光を行ない、このとき同時に第２
図（ｂ）のように各単位チップ３毎に複数個のアライメ
ントマーク２を形成するが、ここではアライメントマー
ク２を単位チップ内の必要な場所のみに形成している。
小投影露光装置での露光を行ない、このとき同時に第２
図（ｂ）のように各単位チップ３毎に複数個のアライメ
ントマーク２を形成するが、ここではアライメントマー
ク２を単位チップ内の必要な場所のみに形成している。
その他の場所については、ウェハ単位或いはチップ単位
のアライメント基準として従来から用意されている指定
のアライメントマークのデータを用いて、第２図（ｃ）
のように荷電ビーム描画４を行う。
のアライメント基準として従来から用意されている指定
のアライメントマークのデータを用いて、第２図（ｃ）
のように荷電ビーム描画４を行う。
このようにすることにより、光縮小投影露光と荷電ビー
ム描画との露光歪が問題になりそうな場所のみを補正し
、その他は代表的なマークのデータを利用して描画する
ため描画時間の短縮化がはかれるという利点がある。
ム描画との露光歪が問題になりそうな場所のみを補正し
、その他は代表的なマークのデータを利用して描画する
ため描画時間の短縮化がはかれるという利点がある。
以上説明したように本発明は、先に光縮小投影露光装置
によりパターン転写する際に複数個の荷電ビーム用位置
決めマークを形成し、その後この位置決めマークを利用
して荷電ビーム描画装置により所望パターンを描画して
いるので、光縮小投影露光装置により形成したパターン
内で微細領域毎に荷電ビーム描画装置での描画を行うこ
とになり、荷電ビーム描画による露光歪を光縮小投影露
光による露光歪に追従させて両者の露光歪を極力小さく
なるように自動補正し、パターン転写精度を著しく向上
させることができる効果が得られる。
によりパターン転写する際に複数個の荷電ビーム用位置
決めマークを形成し、その後この位置決めマークを利用
して荷電ビーム描画装置により所望パターンを描画して
いるので、光縮小投影露光装置により形成したパターン
内で微細領域毎に荷電ビーム描画装置での描画を行うこ
とになり、荷電ビーム描画による露光歪を光縮小投影露
光による露光歪に追従させて両者の露光歪を極力小さく
なるように自動補正し、パターン転写精度を著しく向上
させることができる効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例のパターン形成方法を説明す
るための図で、同図（ａ）はウェハの平面図、同図（ｂ
）は光縮小投影露光が終了した時点での単位チップの拡
大平面図、同図（Ｃ）は荷電ビーム描画が終了した時点
での単位チップの拡大平面図、第２図は本発明の他の方
法を説明するための図で、同図（ａ）乃至（Ｃ）は夫々
第１図（ａ）乃至（Ｃ）と同様の図、第３図は一般的な
荷電ビーム描画装置の概略図、第°４図は一般的な光縮
小投影露光装置の概略図、第５図は従来方法の問題を説
明するための図であり、同図（ａ）はウェハの平面図、
同図（ｂ）は単位チップにおける露光歪の平面図である
。 １・・・ウェハ、２・・・アライメントマーク、３・・
・光縮小露光パターン、４・・・荷電ビーム描画パター
ン、１１・・・ステージ、１２・・・電子銃、１３・・
・電子レンズ、１４・・・マスク、１５・・・遮蔽板、
１６・・・光源、１７・・・光学レンズ。 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第２図 （ａ） （ｂ） （Ｃ）
るための図で、同図（ａ）はウェハの平面図、同図（ｂ
）は光縮小投影露光が終了した時点での単位チップの拡
大平面図、同図（Ｃ）は荷電ビーム描画が終了した時点
での単位チップの拡大平面図、第２図は本発明の他の方
法を説明するための図で、同図（ａ）乃至（Ｃ）は夫々
第１図（ａ）乃至（Ｃ）と同様の図、第３図は一般的な
荷電ビーム描画装置の概略図、第°４図は一般的な光縮
小投影露光装置の概略図、第５図は従来方法の問題を説
明するための図であり、同図（ａ）はウェハの平面図、
同図（ｂ）は単位チップにおける露光歪の平面図である
。 １・・・ウェハ、２・・・アライメントマーク、３・・
・光縮小露光パターン、４・・・荷電ビーム描画パター
ン、１１・・・ステージ、１２・・・電子銃、１３・・
・電子レンズ、１４・・・マスク、１５・・・遮蔽板、
１６・・・光源、１７・・・光学レンズ。 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） 第２図 （ａ） （ｂ） （Ｃ）
Claims (1)
- １、半導体ウェハ上に荷電ビームを走査してパターンを
描画する荷電ビーム描画装置と、光学レンズを用いてマ
スクパターンを半導体ウェハ上に縮小転写する光縮小投
影露光装置とを併用して半導体ウェハー上にパターンを
形成する方法において、先に光縮小投影露光装置により
パターン転写すると同時に、各露光フィールド内に複数
個の荷電ビーム用位置決めマークを形成し、その後この
位置決めマークを利用して荷電ビーム描画装置により所
望パターンを描画して所要のパターンを得ることを特徴
とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014737A JP2659203B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014737A JP2659203B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191416A true JPH01191416A (ja) | 1989-08-01 |
| JP2659203B2 JP2659203B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=11869434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014737A Expired - Lifetime JP2659203B2 (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2659203B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034319A1 (fr) * | 1996-03-06 | 1997-09-18 | Hitachi, Ltd. | Fabrication de composants a semi-conducteur |
| JPH1079339A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
| JP2001203162A (ja) * | 2000-12-18 | 2001-07-27 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
| JP2002110516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101846878B (zh) * | 2010-06-21 | 2012-07-04 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 一种大尺寸菲林母版设计及其组合方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102739A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63014737A patent/JP2659203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102739A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン形成方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034319A1 (fr) * | 1996-03-06 | 1997-09-18 | Hitachi, Ltd. | Fabrication de composants a semi-conducteur |
| US6159644A (en) * | 1996-03-06 | 2000-12-12 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating semiconductor circuit devices utilizing multiple exposures |
| JPH1079339A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
| JP2002110516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| JP2001203162A (ja) * | 2000-12-18 | 2001-07-27 | Hitachi Ltd | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2659203B2 (ja) | 1997-09-30 |
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