JP2000091191A - 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法 - Google Patents

電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法

Info

Publication number
JP2000091191A
JP2000091191A JP25530998A JP25530998A JP2000091191A JP 2000091191 A JP2000091191 A JP 2000091191A JP 25530998 A JP25530998 A JP 25530998A JP 25530998 A JP25530998 A JP 25530998A JP 2000091191 A JP2000091191 A JP 2000091191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
electron beam
mask
divided
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25530998A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Oshino
哲也 押野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP25530998A priority Critical patent/JP2000091191A/ja
Publication of JP2000091191A publication Critical patent/JP2000091191A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光パターンの形状及び／または位置の歪み
を生じさせる原因となるステンシルパターンの変形を低
減させた電子線露光用のマスクとそれを備えた電子線露
光装置及びそのマスクを用いた電子線露光方法を提供す
ること。 【解決手段】 パターン状の貫通穴２１、２２により感
応基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレン１
１、１２が支持部材により支持されてなる電子線露光用
ステンシルマスクにおいて、単一の貫通孔により形成さ
れるパターンのうち少なくとも一つのパターン４１が分
割されて、複数の領域１１、１２に配置されていること
を特徴とする電子線露光用ステンシルマスク。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線露光用のマ
スクと露光装置及び電子線露光方法に関するものであ
り、特に、最小パターンサイズ0.2μｍ以下の回路パタ
ーンの縮小露光に適した電子線露光用マスク、露光装置
及び電子線露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の進展は目ざ
ましく、半導体素子の微細化、高集積化の傾向も著し
い。半導体ウェハに集積回路パターンを焼き付けるため
のリソグラフィー装置としては、これまで光を用いた所
謂光ステッパー装置が一般的であった。
【０００３】しかし、集積回路の高集積化に伴い、長年
微細パタンを形成する手段の主流であった光を用いたフ
ォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子線（例え
ば電子線やイオンビーム）やＸ線を利用する新しい露光
方式が検討され、実用化されている。このうち、電子線
を利用してパタン形成する電子線露光は、電子線そのも
のを数Åにまで絞ることができるため、１μｍまたはそ
れ以下の微細パターンを作製できる点に大きな特徴を有
している。
【０００４】しかし、従来からある電子線露光方式は一
筆書きの方式であったため、微細パタンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長く
なりスループットに大きく影響を与えることになった。
そこで考え出されたのが、所定パターンを有するマスク
に電子線を照射し、その照射範囲にあるパターンを投影
光学系によりウェハに縮小転写する（マスク上のパター
ンを部分部分一括して露光する）方式である。
【０００５】この方式を用いて電子線露光を行う装置の
構成例を図５に示す。本装置は、少なくともマスクステ
ージ、該マスクステージに保持されたマスク６、該マス
ク６に電子線51を照射する電子線照射系１、基板ステー
ジ、マスク６を透過した電子線12を基板ステージに保持
された感応基板４に投影する電子線結像系３により構成
される。
【０００６】電子線照射系１から射出された電子線51は
マスク６に入射し、マスク６を透過した電子線52は電子
線結像系３を介して感応基板４に照射される。感応基板
４は、例えばレジストを塗布したシリコンウエハであ
り、感応基板４に入射した電子線はレジストを感光させ
る。即ち、電子線結像系３はマスク６の回路パターンを
感応基板４のレジスト上に縮小投影して、その結果、レ
ジスト上に微細な回路パターンを焼き付ける。
【０００７】図６、図８にマスク６の断面を示す。この
マスクは、薄板10に所定のパターン形状に電子線通過部
の開口（貫通孔）10aを設けたステンシルタイプのマス
クとなっている。なお、マスクは電子線を吸収するのに
十分な厚さ（例えば５０μｍ）を有する。図６に示すよ
うに、マスクの貫通孔10aに向かう電子線54は貫通孔10a
を透過するが、その他の部分10bに向かう電子線55は薄
板10により殆ど吸収される（一部は散乱される）。
【０００８】ここで、マスク６の貫通孔10aのみを通過
した電子線ＥＢを一対の投影レンズ３ａ、３ｂ（電子線
結像系３）にて感応基板（例えば、レジストを塗布した
シリコンウェハ）４のレジスト面に集束させると、感応
基板４に貫通孔10aの形状に対応したパターンが転写さ
れる。かかるステンシルマスク６は、電子線の殆どを薄
板10の非貫通孔部分10bにより吸収すべく、薄板10の厚
さを大きくしているので、大量の熱がマスクに発生して
マスクの大きな熱変形（パターン歪み）を引き起こす。
【０００９】そこで、電子線が照射される薄板の厚さを
10μm以下まで薄くしてメンブレンとし、このメンブレ
ンに貫通孔のパターンを形成した散乱ステンシルマスク
とすれば、前記熱変形の問題 を解決することができ
る。この散乱ステンシルマスクを用いる場合には、図８
の電子光学系において、投影レンズ３ａによる電子線の
クロスオーバ像ＣＯの近傍にアパーチャを設置すればよ
い。
【００１０】即ち、メンブレンを透過して散乱する電子
線（アパーチャにより遮蔽される）と、貫通孔を通過す
る電子線（アパーチャを通過する）とで、コントラスト
が得られ、その結果、マスク上の貫通孔パターンが感応
基板上に転写される。この薄くしたメンブレンは、熱的
及び強度的に弱いので、これを保持する構造が必要であ
り、そのため、電子線露光用の散乱ステンシルマスクと
して、「感応基板に転写すべきパターンをメンブレン上
にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在し
ない境界領域により区分され、前記境界領域に対応する
部分に支柱が設けられたマスク（メンブレンを熱的及び
強度的に保持する構造を有するマスク）」が使用されて
いる。
【００１１】例えば、電子線縮小転写装置用の散乱ステ
ンシルマスクとしては、感応基板（例えばレジストを塗
布したウェハ）４に転写すべき貫通孔20aのパターンを
それぞれ備えた多数の小領域20mが境界領域（パターン
が存在しない領域）20nにより格子状に区分され、境界
領域に対応する部分に格子状の支柱Ｘが設けられたもの
が使用されており、その一例を図９に示す。
【００１２】図９のマスク20は、電子線を透過させるメ
ンブレン20bの上面のうち、前記多数の小領域20mのそれ
ぞれに貫通孔20aのパターンが形成され、またメンブレ
ン20bの下面のうち、前記格子状の境界領域20nに対応す
る部分に格子状の支柱Ｘが設けられている（図９
（b））。各小領域20mは、感応基板の１チップ（１チッ
プの半導体）分の領域に転写すべきパターンの部分パタ
ーンをそれぞれ備えている。
【００１３】即ち、一回に電子線により露光されるマス
ク上の小領域は１ｍｍ角程度であり、半導体チップ全体
を焼くために、１ｍｍ角程度のパターン小領域20mをマ
スク20上に多数設けている。これは、電子線結像系３が
その光学的な制約から、１mm角程度の微小な領域でしか
高い解像度を得ることができないからである。そして、
半導体チップの大きさは20mm角以上もあるため、一括で
１チップ分を露光することはできない。
【００１４】そこで、このような電子線縮小転写用マス
ク20を用いたパターン転写では、各小領域20mに対して
電子線が走査され、各小領域20mのパターンが感応基板
４に順次、縮小転写される。即ち、電子線露光装置は、
電子線51をマスク20の一部に照射し、さらに電子線51を
走査することにより、所望の露光領域を露光する（図
５）。また、走査は電子線51だけでなく、マスク20を走
査する場合もある。
【００１５】この場合に、マスク20はマスクステージに
より走査させればよい。例えば、電子線51及びマスク20
を一方向に走査し、それぞれの走査方向を直交させる
と、広い視野を露光することができる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】前記散乱ステンシルマ
スク20は、自重によるたわみを低減するために、引張り
内部応力を有している。メンブレンに引張り内部応力を
与える手法としては、例えば、メンブレンに添加物を加
えること等が挙げられる。かかるメンブレンにステンシ
ルパターンを作製するには、例えば、メンブレン表面に
レジストパターンを形成して、ドライエッチング等によ
りメンブレンを除去加工（レジストパターンをメンブレ
ンに転写）して貫通孔をパターン状に形成すればよい。
【００１７】しかしながら、引張り内部応力を有するメ
ンブレンに貫通孔を形成すると、内部応力によりメンブ
レンとともにステンシルパターンが変形するという問題
があった。例えば、図７（ｄ）に示すような長方形の回
路パターン４１を露光するための貫通孔29を引張り内部
応力を有するメンブレン17に形成すると、ステンシルパ
ターンは内部応力により図７（ｂ）に示すような樽型に
変形して、露光したパターンも図７（ｃ）に示すように
樽型となってしまう。
【００１８】このように、引張り内部応力を有するメン
ブレンに貫通孔をパターン状に設けた従来の電子線露光
用の散乱ステンシルマスクにおいては、ステンシルパタ
ーンの変形が露光パターンの形状及び位置の歪みを生じ
させるという問題があった。そして、この歪みの量は、
メンブレンの内部応力を強化するほど大きくなるため、
内部応力が強い場合には特に問題であった。
【００１９】本発明は、かかる問題に鑑みてなされたも
のであり、露光パターンの形状及び／または位置の歪み
を生じさせる原因となるステンシルパターンの変形を低
減させた電子線露光用のマスクとそれを備えた電子線露
光装置及びそのマスクを用いた電子線露光方法を提供す
ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に、「パターン状の貫通孔により感応基板に転写すべき
パターンが形成されたメンブレンが支持部材により支持
されてなる電子線露光用ステンシルマスクにおいて、単
一の貫通孔により形成されるパターンのうち少なくとも
一つのパターンが分割されて、複数の領域に配置されて
いることを特徴とする電子線露光用ステンシルマスク
（請求項１）」を提供する。
【００２１】また、本発明は第二に、「パターン状の貫
通孔により形成された感応基板に転写すべきパターンを
メンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パタ
ーン状の貫通孔が存在しない境界領域により区分され、
該境界領域に対応する部分に支柱が設けられた電子線露
光用ステンシルマスクにおいて、単一の貫通孔により形
成されるパターンのうち少なくとも一つのパターンが分
割されて、複数の前記小領域に配置されていることを特
徴とする電子線露光用ステンシルマスク（請求項２）」
を提供する。
【００２２】また、本発明は第三に、「単一の貫通孔に
より形成される前記パターンのうち、最も長いパターン
が少なくとも分割されていることを特徴とする請求項１
または２に記載の電子線露光用ステンシルマスク（請求
項３）」を提供する。また、本発明は第四に、「パター
ンの設計値からのずれ量がマスク上パターンの最小サイ
ズの1/3以下となるように、前記パターンの分割及び配
置がなされていることを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の電子線露光用ステンシルマスク（請求項
４）」を提供する。
【００２３】また、本発明は第五に、「分割されたパタ
ーンの最大長が、分割前のパターンの最大長よりも小さ
くなるようにパターンが分割されていることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれかに記載の電子線露光用ステン
シルマスク（請求項５）」を提供する。また、本発明は
第六に、「前記分割されたパターンに3角形のパターン
が含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
記載の電子線露光用ステンシルマスク（請求項６）」を
提供する。
【００２４】また、本発明は第七に、「請求項１〜６に
記載のマスク、マスクステージ、電子線照射系、電子線
結像系、基板ステージを備えた電子線露光装置であり、
マスク上の複数の領域に分割配置されたパターンを多重
露光することにより、分割前のパターンを基板ステージ
上の感応基板に転写する機能を有する電子線露光装置
（請求項７）」を提供する。
【００２５】また、本発明は第八に、「請求項１〜６に
記載のマスクを用いて、マスク上の複数の領域に分割配
置されたパターンを多重露光することにより、分割前の
パターンを感応基板に転写することを特徴とする電子線
露光方法（請求項８）」を提供する。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明（請求項１〜８）にかか
る、電子線露光用のステンシルマスクは、感応基板に転
写すべきパターン（例えば、複数の回路パターン）を構
成する、単一の貫通孔により形成されるパターンのうち
少なくとも一つのパターンが分割されて、複数の領域に
配置されているので、露光パターンの形状及び／または
位置の歪みを生じさせる原因となるステンシルパターン
の変形が小さい。
【００２７】例えば、図１（ｄ）に示すような単一の貫
通孔により形成される長方形の回路パターン41を感応基
板上に転写露光する場合、本発明の一例であるステンシ
ルマスク２では、回路パターン41を四つに分割して、図
１（ａ）に示すように、二つのメンブレン小領域11、12
にそれぞれ分割パターン21、22を配置している。このマ
スク２のステンシルパターンも内部応力により図１
（ｂ）に示すパターン23のように多少変形するが、その
変形量はパターンを分割して設けていない従来のマスク
の場合と比較して小さくなる（図７ｂ参照）。
【００２８】図１のマスク２を用いて露光を行う場合に
は、まずメンブレン小領域11のパターン21を感応基板上
に転写露光し、さらに基板の同じ場所にメンブレン小領
域12のパターン22を転写露光（２重露光）することによ
り、回路の露光パターン31を得ることができる。この露
光パターン31は、図１（ｃ）に示すように、従来マスク
20による露光パターン33（図７ｃ参照）に比べて形状や
位置の誤差が小さい。
【００２９】即ち、図１のマスク２では、二つの分割さ
れたマスクパターン21,22を２重露光することにより、
形状及び／または位置の歪みが小さい転写パターンを得
ることができる。本発明にかかるパターンの分割と配置
は、各マスクパターンの変形量が、マスクに要求される
形状精度及び位置精度より小さくなるように行うとよ
い。
【００３０】具体的には、本発明にかかるパターンの分
割は、貫通孔の内部応力による変形が小さくなるよう
に、変形量の大きいパターンほど優先的に分割すること
が好ましい。例えば、マスクパターンの変形量は、概し
て長さの大きなパターンほど大きくなるので、長いパタ
ーンを優先的に分割することが好ましい。
【００３１】即ち、単一の貫通孔により形成されるパタ
ーンのうち、最も長いパターンが少なくとも分割されて
いることが好ましい（請求項３）。特に変形量が大きな
パターンについては、分割の数を多くすることで、変形
量を小さくすることができる。また、本発明にかかるパ
ターンの分割（例えば、分割パターンの長さ、各パター
ンの分割数）と配置は、パターンの設計値からのずれ量
がマスク上パターンの最小サイズの1/3以下となるよう
にすることが好ましい（請求項４）。
【００３２】また、本発明にかかるパターンの分割は、
各マスクパターンの変形量が低減するように、分割され
たパターンの最大長が、分割前のパターンの最大長より
も小さくなるよう行うことが好ましい（請求項５）。例
えば、図２（ｄ）に示す回路パターン41を分割する際
に、図２（ａ）に示すように分割した場合（分割された
パターン24,25の最大長と分割前のパターン41の最大長
が等しい）、マスクパターンは内部応力により図２
（ｂ）に示すように変形して、露光パターンは図２
（ｃ）に示すように歪んだ形状となる。
【００３３】つまり、パターンを分割したにもかかわら
ず、形状歪み量の大きな露光パターンしか得ることがで
きない。一方、図１（ａ）に示すように、回路等のパタ
ーン41の長さよりも分割されたパターン21,22の長さが
小さくなるように分割すると、変形量を小さくすること
ができる。
【００３４】また、本発明においては、各マスクパター
ンの変形量が低減するように、分割されたパターンに3
角形のパターンが含まれることが好ましい（請求項
６）。例えば、図３（ｂ）に示すような正方形等の矩形
パターン42を露光する場合は、図３（ａ）に示すような
3角形のパターン28を用いて分割するとよい。このよう
に構成することにより、正方形等の矩形パターンも従来
のマスクに比べて変形量を小さく抑えることができる。
【００３５】なお、図１、図３には、パターンを二つの
メンブレン小領域11,12、15,16にそれぞれ分割配置した
場合について示したが、分割配置するメンブレン小領域
の数は３以上でもかまわない。分割配置するメンブレン
小領域の数を増やすことにより、パターンをより細かく
分割して、パターン歪みを小さく抑えることが可能であ
る。
【００３６】本発明にかかるマスクを搭載した請求項７
記載の電子線露光装置は、マスク上の複数の領域に分割
配置されたパターンを多重露光することにより、分割前
のパターンを感応基板に転写する機能を有する。また、
本発明にかかるマスクを用いて行う請求項８記載の電子
線露光方法によれば、マスク上の複数の領域に分割配置
されたパターンを多重露光することにより、分割前のパ
ターンを感応基板に転写することができる（請求項
８）。
【００３７】本発明にかかる露光装置の一例である電子
線露光装置の概略構成を図４に示す。本露光装置は主と
して、電子線照射系１、マスク２とマスクステージ、電
子線結像系３、感応基板４を保持する基板ステージによ
り構成される。マスク２には、感応基板に転写すべきパ
ターンの等倍または拡大パターンが形成されているが、
単一の貫通孔により形成されるパターンのうちのいくつ
かのパターンが分割されて、メンブレン上の複数の微少
領域11,12、15,16に配置されている電子線照射系１は、
電子線51をマスク２の微小領域11,12、15,16に照射し、
マスク２を透過した電子線52は、電子線結像系３により
感応基板４上に照射される。この際に、マスク上の複数
の微小領域11,12、15,16に分割配置されたパターンは、
多重露光することにより分割前のパターンとして感応基
板４に転写することができる。
【００３８】そして、マスク２上に描かれた回路パター
ンの等倍像または縮小像が基板４上に形成される。露光
の際は、電子線走査系を用いて電子線51〜53を走査する
ことにより、さらに必要であれば、ステージ駆動系によ
りマスク２を保持したマスクステージと感応基板４を保
持した基板ステージを同期して走査することにより、所
望の領域を露光することができる。
【００３９】本発明にかかる電子線露光によれば、パタ
ーン歪みが殆どないレジストパターンを形成することが
可能であり、その結果、半導体のパターン製造を高い歩
留まりで行うことができる。なお、本発明は、荷電粒子
線の露光にも適用できる。以下、本発明を実施例により
さらに具体的に説明するが、本発明はこの例に限定され
るものではない。
【００４０】
【実施例】本実施例にかかるマスク２は、パターン状の
貫通孔により形成された感応基板に転写すべきパターン
をメンブレン上にそれぞれ備えた複数の小領域が前記パ
ターン状の貫通孔が存在しない境界領域により区分さ
れ、該境界領域に対応する部分に支柱が設けられた、図
９と同様の構造を有する電子線露光用ステンシルマスク
であるが、単一の貫通孔により形成されるパターンのう
ち少なくとも一つのパターンが分割されて、複数の前記
小領域に配置されている点が図９のマスクと異なる。
【００４１】マスク２には、感応基板４に描画するパタ
ーンの４倍の大きさの拡大パターンが形成されている。
メンブレンはシリコン製の格子状の支柱により保持さ
れ、１枚のマスクの同一平面上に複数のメンブレン小領
域が配列されている。メンブレンは厚さ2μｍのシリコ
ンであり、各メンブレン小領域にはパターン状に貫通孔
が設けられている。なお、パターン幅の最小値は0.4μ
ｍである。
【００４２】マスクパターンのうち、パターンの長さが
10μｍ以上の長方形等のパターンは、図１に示すように
複数に分割して貫通孔を形成した。このとき、分割した
パターンの長さがすべて10μｍ以下となるようにした。
また、正方形のパターンは図３に示すように3角形状と
８角形状に分割した。分割したパターンは、複数のメン
ブレン小領域のうちの二つの小領域に分けて配置した。
【００４３】マスクのメンブレンに貫通孔を形成する
と、メンブレンの内部応力により孔の形状が樽型に変形
するが、パターンの長さが全て10μｍ以下に抑えられて
いるため、変形量は0.1μｍ以下となった。図４は、本
実施例にかかるマスク２、マスクステージ、電子線照射
系１、電子線結像系３、感応基板４を保持する基板ステ
ージを備えた電子線露光装置であり、マスク２上の複数
の小領域に分割配置されたパターンを多重露光すること
により、分割前のパターンを基板ステージ上の感応基板
４に転写する機能を有する電子線露光装置の概略構成図
である。
【００４４】電子線照射系１は、電子銃と電子レンズに
より構成され、電子線51をマスク２の一部の領域（メン
ブレン小領域）に照射する。マスク２を透過した電子線
５２は電子線結像系３を透過して、感応基板４上に照射
される。この際に、二つのメンブレン小領域に分割配置
されたパターンは、二つのメンブレンパターンが重なる
ように二重露光することにより、分割前のパターンとし
て感応基板に縮小転写することができる。
【００４５】そして、マスク２上に描かれた回路パター
ンの四分の一縮小像が基板４上に形成される。基板４の
表面にはレジストが塗布してあり、電子線によりレジス
トが感光してレジストパターンが形成される。露光の際
は、電子線走査系を用いて電子線51〜53を走査すること
により、さらにステージ駆動系により、マスク２を保持
したマスクステージと感応基板４を保持した基板ステー
ジを同期して走査することにより、所望の領域を露光す
ることができる。
【００４６】本実施例にかかる電子線露光によれば、パ
ターン歪みが殆どないレジストパターンを形成すること
が可能であり、その結果、半導体のパターン製造を高い
歩留まりで行うことができる。一方、本発明にかかる分
割パターンを形成しないマスクを用いた従来の電子線露
光の場合には、レジストパターンに大きなパターン歪み
が多く発生して、その結果、半導体のパターン製造の歩
留まりは低くなる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子線露
光用マスクによれば、露光パターンの形状及び／または
位置の歪みを生じさせる原因となるメンブレン内部応力
による歪みを抑制することが可能である。本発明にかか
る電子線露光によれば、パターン歪みが殆どないレジス
トパターンを形成することが可能であり、その結果、半
導体のパターン製造を高い歩留まりで行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明にかかる（ａ）分割したマスクパタ
ーン、（ｂ）内部応力変形したマスクパターン、（ｃ）
多重露光して得た露光パターン、（ｄ）露光したいパタ
ーンの一例をそれぞれ示した概略図である。
【図２】は、本発明との比較に用いた（ａ）分割したマ
スクパターン、（ｂ）内部応力変形したマスクパター
ン、（ｃ）多重露光して得た歪みの大きい露光パター
ン、（ｄ）露光したいパターンの一例をそれぞれ示した
概略図である。
【図３】は、本発明にかかる（ａ）分割したマスクパタ
ーン、（ｂ）露光したいパターンの別例をそれぞれ示し
た概略図である。
【図４】は、本発明にかかる電子線露光装置（一例）の
概略構成図である。
【図５】は、従来の電子線露光装置（一例）の概略構成
図である。
【図６】は、従来の電子線露光装置（一例）のマスクの
拡大図である。
【図７】は、従来の（ａ）マスクパターン、（ｂ）内部
応力変形したマスクパターン、（ｃ）歪みの大きい露光
パターン、（ｄ）露光したいパターンの一例をそれぞれ
示した概略図である。
【図８】は、ステンシルマスクと、これを用いた転写原理の概略
を示す図である。
【図９】は、格子状の支柱Ｘを設けた散乱ステンシルマスクを示
す概略断面図（図9(a)）と部分斜視図（一部断面）図
（図9(b))である。
【符号の説明】
１．．．電子線照射系 ２．．．本発明にかかる散乱ステンシルマスク ３．．．電子線結像系 ３ａ、３ｂ．．．投影レンズ ４．．．感応基板 ６．．．従来のマスク １０．．．薄板 10a．．．貫通孔 10b．．．薄板10の非貫通孔部分 １１〜１７．．．メンブレン ２０．．．従来の散乱ステンシルマスク 20a．．．貫通孔 20b．．．メンブレン 20m．．．貫通孔20aのパターンをそれぞれ備えたメンブ
レン小領域20m 20n．．．各メンブレン小領域20mの境界領域（パターン
が存在しない領域） ２１〜３０．．．マスクパターン（貫通孔） ３１、３２．．．露光パターン ４１、４２．．．所望のパターン ５１〜５５．．．電子線 Ｘ．．．支柱 以上

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パターン状の貫通孔により感応基板に転
    写すべきパターンが形成されたメンブレンが支持部材に
    より支持されてなる電子線露光用ステンシルマスクにお
    いて、 単一の貫通孔により形成されるパターンのうち少なくと
    も一つのパターンが分割されて、複数の領域に配置され
    ていることを特徴とする電子線露光用ステンシルマス
    ク。
  2. 【請求項２】 パターン状の貫通孔により形成された感
    応基板に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ
    備えた多数の小領域が前記パターン状の貫通孔が存在し
    ない境界領域により区分され、該境界領域に対応する部
    分に支柱が設けられた電子線露光用ステンシルマスクに
    おいて、 単一の貫通孔により形成されるパターンのうち少なくと
    も一つのパターンが分割されて、複数の前記小領域に配
    置されていることを特徴とする電子線露光用ステンシル
    マスク。
  3. 【請求項３】 単一の貫通孔により形成される前記パタ
    ーンのうち、最も長いパターンが少なくとも分割されて
    いることを特徴とする請求項１または２に記載の電子線
    露光用ステンシルマスク。
  4. 【請求項４】 パターンの設計値からのずれ量がマスク
    上パターンの最小サイズの1/3以下となるように、前記
    パターンの分割及び配置がなされていることを特徴とす
    る請求項１〜３のいずれかに記載の電子線露光用ステン
    シルマスク。
  5. 【請求項５】 分割されたパターンの最大長が、分割前
    のパターンの最大長よりも小さくなるようにパターンが
    分割されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
    かに記載の電子線露光用ステンシルマスク。
  6. 【請求項６】 前記分割されたパターンに3角形のパタ
    ーンが含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
    かに記載の電子線露光用ステンシルマスク。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６に記載のマスク、マスクス
    テージ、電子線照射系、電子線結像系、基板ステージを
    備えた電子線露光装置であり、マスク上の複数の領域に
    分割配置されたパターンを多重露光することにより、分
    割前のパターンを基板ステージ上の感応基板に転写する
    機能を有する電子線露光装置。
  8. 【請求項８】 請求項１〜６に記載のマスクを用いて、
    マスク上の複数の領域に分割配置されたパターンを多重
    露光することにより、分割前のパターンを感応基板に転
    写することを特徴とする電子線露光方法。
JP25530998A 1998-09-09 1998-09-09 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法 Pending JP2000091191A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25530998A JP2000091191A (ja) 1998-09-09 1998-09-09 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25530998A JP2000091191A (ja) 1998-09-09 1998-09-09 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000091191A true JP2000091191A (ja) 2000-03-31

Family

ID=17276994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25530998A Pending JP2000091191A (ja) 1998-09-09 1998-09-09 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000091191A (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020030712A (ko) * 2000-10-17 2002-04-25 가네꼬 히사시 멤브레인구조체와 스텐실구조체를 가진 빔노광용 마스크및 그의 제조방법
JP2002260992A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Nec Corp 荷電粒子線露光用マスクの形成方法および荷電粒子線用マスクを形成するためのパターンデータの処理プログラム
KR20110021698A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 디2에스, 인코포레이티드 하전 입자 빔 리소그래피에 의해 곡선 캐릭터들을 사용하여 패턴을 형성하고 분할하기 위한 방법
US7985514B2 (en) 2009-10-21 2011-07-26 D2S, Inc. Method for fracturing a pattern for writing with a shaped charged particle beam writing system using dragged shots
US8431914B2 (en) 2009-08-26 2013-04-30 D2S, Inc. Method and system for manufacturing a surface using charged particle beam lithography with variable beam blur
US8669023B2 (en) 2008-09-01 2014-03-11 D2S, Inc. Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography
US8900778B2 (en) 2008-09-01 2014-12-02 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US8959463B2 (en) 2012-11-08 2015-02-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9038003B2 (en) 2012-04-18 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9043734B2 (en) 2008-09-01 2015-05-26 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9091946B2 (en) 2011-04-26 2015-07-28 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9274412B2 (en) 2008-09-01 2016-03-01 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9372391B2 (en) 2008-09-01 2016-06-21 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9400857B2 (en) 2011-09-19 2016-07-26 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020030712A (ko) * 2000-10-17 2002-04-25 가네꼬 히사시 멤브레인구조체와 스텐실구조체를 가진 빔노광용 마스크및 그의 제조방법
JP2002260992A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Nec Corp 荷電粒子線露光用マスクの形成方法および荷電粒子線用マスクを形成するためのパターンデータの処理プログラム
US9268214B2 (en) 2008-09-01 2016-02-23 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US10101648B2 (en) 2008-09-01 2018-10-16 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9625809B2 (en) 2008-09-01 2017-04-18 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9043734B2 (en) 2008-09-01 2015-05-26 D2S, Inc. Method and system for forming high accuracy patterns using charged particle beam lithography
US9715169B2 (en) 2008-09-01 2017-07-25 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9372391B2 (en) 2008-09-01 2016-06-21 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US8669023B2 (en) 2008-09-01 2014-03-11 D2S, Inc. Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using shaped beam lithography
US8900778B2 (en) 2008-09-01 2014-12-02 D2S, Inc. Method for forming circular patterns on a surface
US9274412B2 (en) 2008-09-01 2016-03-01 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US8501374B2 (en) 2009-08-26 2013-08-06 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US8283094B2 (en) 2009-08-26 2012-10-09 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using circular characters with charged particle beam lithography
US8039176B2 (en) 2009-08-26 2011-10-18 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography
US8343695B2 (en) 2009-08-26 2013-01-01 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography
KR20110021698A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 디2에스, 인코포레이티드 하전 입자 빔 리소그래피에 의해 곡선 캐릭터들을 사용하여 패턴을 형성하고 분할하기 위한 방법
TWI496182B (zh) * 2009-08-26 2015-08-11 D2S Inc 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
EP2302659A3 (en) * 2009-08-26 2011-05-25 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography
US8916315B2 (en) 2009-08-26 2014-12-23 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
KR101715807B1 (ko) 2009-08-26 2017-03-13 디2에스, 인코포레이티드 하전 입자 빔 리소그래피에 의해 곡선 캐릭터들을 사용하여 패턴을 형성하고 분할하기 위한 방법
US8431914B2 (en) 2009-08-26 2013-04-30 D2S, Inc. Method and system for manufacturing a surface using charged particle beam lithography with variable beam blur
US7985514B2 (en) 2009-10-21 2011-07-26 D2S, Inc. Method for fracturing a pattern for writing with a shaped charged particle beam writing system using dragged shots
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9091946B2 (en) 2011-04-26 2015-07-28 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9465297B2 (en) 2011-06-25 2016-10-11 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US9400857B2 (en) 2011-09-19 2016-07-26 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US10031413B2 (en) 2011-09-19 2018-07-24 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US9038003B2 (en) 2012-04-18 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for critical dimension uniformity using charged particle beam lithography
US9859100B2 (en) 2012-04-18 2018-01-02 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US10431422B2 (en) 2012-04-18 2019-10-01 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
US8959463B2 (en) 2012-11-08 2015-02-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000091191A (ja) 電子線露光用のマスクと露光装置及び電子線露光方法
TWI363373B (en) Writing method of mask substrate and charged particle beam writing apparatus
JPH11329945A (ja) 荷電粒子ビーム転写方法及び荷電粒子ビーム転写装置
KR100437430B1 (ko) 마스크구조체 및 그 제작방법
JPH02125609A (ja) 半導体製造装置
JPH10135103A (ja) 荷電粒子線転写用マスクまたはｘ線転写用マスクの製造方法
JPH1092708A (ja) 電子線の露光方法
JP4007231B2 (ja) マーク検出方法および露光方法
JP4801268B2 (ja) 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法および半導体装置の製造方法
JP2002222750A (ja) 電子ビーム転写用マスク
JP2004071767A (ja) マスク、露光方法および半導体装置の製造方法
US7139064B2 (en) Optical system for providing a hexapole illumination and method of forming a photoresist pattern on a substrate using the same
JP2001102285A (ja) 位置合わせマーク
JPS588129B2 (ja) 放射感応層をｘ線に露出する方法
US7938907B2 (en) Device for fabricating a mask by plasma etching a semiconductor substrate
JPH01191416A (ja) パターン形成方法
JP2005079450A (ja) マスクおよびその製造方法、並びに露光装置および露光方法
JP2003068616A (ja) マスク、半導体装置および露光装置
JP2001057331A (ja) 重ね合わせ電子露光用転写マスク及びその製造方法
JPH04302132A (ja) 走査形投影電子線描画装置および方法
JPH09246144A (ja) 半導体素子の製造方法と半導体素子用露光装置およびこれを用いて作製した半導体素子
US20030143496A1 (en) Device manufacturing method
JP2000292911A (ja) 電子線用転写マスク
JP2003347197A (ja) マスク検査方法、マスク作成方法およびマスク
JP2004158681A (ja) マスク、露光装置および露光方法