JP2004158681A

JP2004158681A - マスク、露光装置および露光方法

Info

Publication number: JP2004158681A
Application number: JP2002323790A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Noudo; 晋一郎納土
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-11-07
Filing date: 2002-11-07
Publication date: 2004-06-03

Abstract

【課題】補強用梁部により強度を補強しつつ、２重露光よりパターンを転写することができるマスク、露光装置および露光方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを透過させてウェーハに転写するパターンをもつパターン形成部１２ａ，１２ｂと、パターン形成部１２ａ，１２ｂを区画し、パターン形成部１２ａ，１２ｂの強度を補強する補強用梁部１１とを有し、補強用梁部１１は、ウェーハを各チップ２２に分割するためのスクライブライン２１に対応して配置されている。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク、露光装置および露光方法に関し、特に荷電粒子ビームを用いた露光工程に使用するマスク、露光装置および露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フォトリソグラフィに代わる次世代露光技術の一つとして、低速電子線近接転写リソグラフィ（ＬＥＥＰＬ：ＬｏｗＥｎｅｒｇｙＥｌｅｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍＰｒｏｘｉｍｉｔｙＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）がある。ＬＥＥＰＬには、厚さ数１００ｎｍのメンブレンにデバイスパターンに相当する孔が形成されたステンシルマスクが用いられる。
【０００３】
マスクとウェーハとの間隔が約５０μｍ程度となるように、マスクをウェーハ直上に設置する。２ｋｅＶ程度の電子線でマスクのパターン部分を走査することにより、パターンをウェーハに転写する（非特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、上記のＬＥＥＰＬ用マスクには、メンブレンサイズを大きくすると自重によりメンブレンがたわみ、内部応力によってパターンが歪むという問題がある。この問題を解決する一つの方法として、小区画メンブレンを補強用梁部で支持する方法がある。このような構造によれば、メンブレンが小区画に分割され、剛性の高い補強用梁部で支持される。
【０００５】
【非特許文献１】
Ｔ．Ｕｔｕｍｉ，ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢ１７，２８９７（１９９９）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＬＥＥＰＬは、等倍近接露光を採用するため、補強用梁部が形成された箇所には露光できないことから、ウェーハにパターンを形成できないという問題がある。
【０００７】
一方、ステンシルマスクの場合、例えばドーナツ状のパターンを形成すると、パターンで囲まれた中央部を支持できなかったり、あるいは一方向に長いパターン等を形成したときにメンブレンがたわみ、パターンの位置精度が低くなったりする。従って、半導体ウェーハに転写するパターンを分割する必要がある。
【０００８】
以上のように、ステンシルマスクを用いたＬＥＥＰＬでは、本来的にパターンを最低でも２分割することは必須であり、２重露光を行う必要がある。これに加え、補強用梁部が形成された箇所には露光できないことを考慮すると、例えばパターンを４分割して４重露光を行う必要があり、以下の問題がある。
【０００９】
第１に、４重の相補露光になることから、マスク上のパターン形成領域が４倍になる。あるいは、別のマスクに相補パターンを形成する場合には、４枚のマスクが必要となる。第２に、４重の相補露光になることから、相補パターン間の合わせ精度が悪くなる。第３に、４重の相補分割のためのアルゴリズムが複雑になる。
以上の問題により、転写後の半導体チップの歩留りが低下するという問題がある。
【００１０】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、補強用梁部により強度を補強しつつ、２重露光よりパターンを転写することができるマスクを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記のマスクを備え、２重露光によりウェーハにパターンを転写することができる露光装置および露光方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクは、荷電粒子ビームを透過させてウェーハに転写するパターンをもつパターン形成部と、前記パターン形成部を区画し、前記パターン形成部の強度を補強する補強用梁部とを有し、前記補強用梁部は、前記ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されている。
【００１２】
前記パターン形成部は、前記ウェーハに転写するパターンが相補分割された相補分割パターンをもつ。
【００１３】
上記の本発明のマスクでは、パターン形成部を区画し、パターン形成部の強度を補強する補強用梁部は、ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されている。従って、補強用梁部の形成領域が、各チップの領域と重なることがない。また、パターン形成部は各チップに対応することとなり、パターン形成部に形成されたパターンがそのまま各チップに転写される。
【００１４】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の露光装置は、荷電粒子ビーム照射部と、ウェーハに近接配置され前記荷電粒子ビーム照射部から照射された荷電粒子ビームを選択的に透過させるマスクとを有する露光装置であって、前記マスクは、前記荷電粒子ビームを透過させて前記ウェーハに転写するパターンをもつパターン形成部と、前記パターン形成部を区画し、前記パターン形成部の強度を補強する補強用梁部とを有し、前記補強用梁部は、前記ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されている。
【００１５】
前記パターン形成部は、前記ウェーハに転写するパターンが相補分割された相補分割パターンをもつ。
【００１６】
上記の本発明の露光装置では、使用するマスクの補強用梁部は、ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されている。従って、補強用梁部の形成領域が、各チップの領域と重なることがない。また、パターン形成部は各チップに対応することとなり、パターン形成部に形成されたパターンがそのまま各チップに転写される。
【００１７】
さらに、上記の目的を達成するため、本発明の露光方法は、パターン形成部と、前記パターン形成部を区画し前記パターン形成部の強度を補強する補強用梁部とを有するマスクを介して、前記パターン形成部のパターンをウェーハに転写する露光方法であって、前記補強用梁部は前記ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置され、前記パターン形成部は前記ウェーハに転写するパターンが相補分割された相補分割パターンをもち、前記パターン形成部の第１の相補分割パターンをウェーハに露光する第１の露光工程と、前記第１の露光と異なる前記パターン形成部の第２の相補分割パターンをウェーハに露光する第２の露光工程とを有する。
【００１８】
上記の本発明の露光方法では、補強用梁部がウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されたマスクを用いて露光することにより、補強用梁部の形成領域が、各チップの領域と重なることがなく、２回の露光工程によりパターンがウェーハに転写される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のマスク、露光装置および露光方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
第１実施形態
図１は、本実施形態に係る電子線露光装置の一例を示す概略構成図である。図１に示す露光装置１は、荷電粒子ビーム照射部として、電子線２を生成する電子銃３の他、アパーチャ４、コンデンサレンズ５、一対の主偏向器６，７および一対の微調整用偏向器８，９を有する。
【００２１】
アパーチャ４は、電子線２を制限する。コンデンサレンズ５は、電子線２を平行なビームにする。コンデンサレンズ５により集光される電子線２の断面形状は通常、円形であるが、他の断面形状であってもよい。
【００２２】
主偏向器６，７および微調整用偏向器８，９は、例えば偏向コイルにより構成されており、主偏向器６，７は電子線２がステンシルマスク１０の表面に対して基本的に垂直に入射するように、電子線２を偏向させる。
【００２３】
微調整用偏向器８，９は、電子線２がステンシルマスク１０の表面に対して垂直に、または垂直方向からわずかに傾いて入射するように、電子線２を偏向させる。電子線２の入射角は、ステンシルマスク１０上のパターン位置等に応じて最適化するが、電子線２の入射角は最大でも１０ｍｒａｄ程度であり、電子線２はステンシルマスク１０にほぼ垂直に入射する。
【００２４】
電子線２ａ〜２ｃは、ステンシルマスク１０上を走査する電子線２が、ステンシルマスクＭ上の各位置にほぼ垂直に入射する様子を示し、電子線２ａ〜２ｃがステンシルマスクＭに同時に入射することを示すものではない。電子線２の走査はラスタ走査とベクトル走査のいずれも可能である。
【００２５】
ＬＥＥＰＬには低加速電子が用いられるため、パターン形成用薄膜に所定のパターンで孔１３が設けられたステンシルマスク１０が用いられる。図１において、ステンシルマスク１０の孔１３を透過した電子線２により、ウェーハ２０上のレジストＲが露光される。ＬＥＥＰＬは等倍露光であり、ステンシルマスク１０とウェーハ２０は近接して配置される。
【００２６】
図２（ａ）は、ウェーハ２０に形成するデバイスの設計パターンの一例であり、図２（ｂ）は上記の設計パターンのデバイスを作製するためのステンシルマスクの概略構成図である。
【００２７】
例えば、図２（ａ）に示すように、デバイス２２が４行３列に配置されている場合を想定する。通常、各デバイス２２間には、後にダイシングして半導体チップに分割するためのスクライブライン２１が設けられている。スクライブライン２１により各デバイス２２が区画されている。
【００２８】
図２（ａ）に示すデバイスの作製のためのステンシルマスク１０には、第１の露光領域１０−１と第２の露光領域１０−２とを設け、各露光領域１０−１，１０−２には、設計パターンを相補分割した相補分割パターンを形成しておく。
【００２９】
すなわち、第１の露光領域１０−１に、４行３列のパターン形成部１２ａを設け、各パターン形成部１２ａに第１の相補分割パターンを形成しておく。
また、第２の露光領域１０−２に、４行３列のパターン形成部１２ｂを設け、各パターン形成部１２ｂに第２の相補分割パターンを形成しておく。
【００３０】
例えば、設計パターンのデバイス２２のうち、１行１列目のデバイス２２−１１は、第１の露光領域１０−１の１行１列目のパターン形成部１２ａ−１１に形成された第１の相補分割パターンと、第２の露光領域１０−２の１行１列目のパターン形成部１２ｂ−１１に形成された第２の相補分割パターンとを露光することにより、パターンが形成される。
【００３１】
これにより、デバイス２２に形成されるパターンがどのような形状、例えばドーナツ状であろうとも、２つのパターン形成部１２ａ，１２ｂの相補分割パターンを露光することにより確実にパターンが形成される。
【００３２】
各パターン形成部１２ａ，１２ｂの強度を補強するため、各パターン形成部１２ａ，１２ｂを区画する補強用梁部１１が形成されている。本実施形態では、補強用梁部１１は設計パターンのスクライブライン２１に相当する位置に設けられている。
【００３３】
補強用梁部１１の領域は電子線が通過しないことから、パターンを形成することはできないが、デバイス２２を半導体チップとして分割するスクライブライン２１に相当する位置に補強用梁部１１を設けることにより、スペースが有効活用される。
【００３４】
パターン形成部１２ａ，１２ｂの一辺は、３００μｍ以上５ｍｍ以下とする。３００μｍ以上としたのは、通常チップ（デバイス２２）の一辺が３００μｍ以上であるからである。５ｍｍ以下としたのは、これ以下であるとパターン形成部１２ａ，１２ｂを構成するメンブレン（パターン形成用薄膜）が自重によりたわんでしまうからである。ＬＥＥＰＬは等倍露光であることから、このようなチップサイズのデバイスに本実施形態に係るステンシルマスクは適用可能となる。
【００３５】
補強用梁部１１の幅は、５０μｍ以上１ｍｍ以下とする。５０μｍ以上としたのは、これ以下であるとパターン形成部１２ａ，１２ｂを構成するパターン形成用薄膜の自重によるたわみを防止できないからである。１ｍｍ以下としたのは、補強用梁部１１の形成領域にはパターンを形成できないことから、パターンを形成できない領域が大きくなりすぎてしまい歩留りに影響があるからである。補強用梁部１１の幅はスクライブラインの幅に相当するため、このようなスクライブラインの幅をもつデバイスに本実施形態に係るステンシルマスクは適用可能となる。
【００３６】
上記のステンシルマスクを用いた露光方法について説明する。
まず、ステンシルマスク１０の第１の露光領域１０−１および第２の露光領域１０−２をウェーハ２０へ等倍露光する。この等倍露光は、図１に示す露光装置を用いて行う。このとき、電子線の走査範囲を第１および第２の露光領域１０−１，１０−２の全体に設定する。
これにより、レジストＲが形成されたウェーハ２０に、ステンシルマスク１０の第１の露光領域１０−１の各パターン形成部１２ａに形成された第１の相補分割パターンが転写される。また、第２の露光領域１０−２の各パターン形成部１２ｂに形成された第２の相補分割パターンが転写される。
【００３７】
次に、一つの露光領域１０−１，１０−２分だけウェーハ２０を移動させて、ステンシルマスク１０の第１の露光領域１０−１および第２の露光領域１０−２をウェーハ２０へ等倍露光する。このとき、電子線の走査範囲を第１および第２の露光領域１０−１，１０−２の全体に設定する。
これにより、レジストＲが形成されたウェーハ２０において、先の露光工程において第１あるいは第２の露光領域１０−１，１０−２が露光された位置に、第２あるいは第１の露光領域１０−２，１０−１の各パターン形成部１２ｂ，１２ａに形成された第２あるいは第１の相補分割パターンが転写される。
【００３８】
以上のように、ウェーハにパターン形成部１２ａの第１の相補分割パターンと、パターン形成部１２ｂの第２の相補分割パターンとを露光する２重露光により、デバイスパターンがウェーハに転写される。
【００３９】
次に、本実施形態に係るステンシルマスクの構成例および製造例について説明する。
図３は、ステンシルマスクの断面図であり、図４はステンシルマスクの斜視図である。
図に示すように、格子状の補強用梁部１１に支持されてパターン形成用薄膜１２が形成され、このパターン形成用薄膜１２に所定のパターンの孔１３が貫通形成されている。なお、図示の例では、補強用梁部１１とパターン形成用薄膜１２との間にエッチングストッパ膜１４が形成されている。
【００４０】
図に示す補強用梁部１１に囲まれたパターン形成用薄膜１２の領域が、図２に示したパターン形成部１２ａ，１２ｂとなる。パターン形成部１２ａ，１２ｂを構成するパターン形成用薄膜１２の厚さは、０．１μｍ以上２μｍ以下とする。０．１μｍ以上としたのは、これ以下であると電子線を遮蔽することができないからである。２μｍ以下としたのはこれ以上であると、パターン形成用薄膜１２に形成する孔のアスペクト比が大きくなりすぎてしまい、加工精度に問題があるからである。
【００４１】
次に、上記の本実施形態に係るステンシルマスクの製造方法について、図５〜図７を参照して説明する。ステンシルマスクを製造する方法として、様々な方法があるが、ここではＳＯＩ基板からステンシルマスクを製造する方法について説明する。
【００４２】
まず、図５（ａ）に示すように、シリコン基板１１ａ上に、酸化シリコンからなるエッチングストッパ膜１４を介してシリコン層からなるパターン形成用薄膜１２が形成されたＳＯＩ基板を用意する。ここで、加工精度および応力を考慮して、パターン形成用薄膜１２となるシリコン層の厚さが０．１μｍ以上２μｍ以下のＳＯＩ基板を用意する。パターン形成用薄膜１２に炭化シリコン（ＳｉＣ）やダイアモンド等の他の材料を採用する場合にも、概ね上記の膜厚の範囲で適用可能である。このＳＯＩ基板の表面には、予め両面アライナー用のアライメントマークを形成しておく。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板の裏面、すなわちシリコン基板１１ａ上に、レジストを塗布し、露光および現像を行うことにより、補強用梁部１５のパターンをもつレジスト１５を形成する。なお、ステンシルマスクの周囲に、支持枠を形成するようにレジスト１５を形成する。露光は、両面アライナーを用いて、表面のアライメントマークを検出して位置合わせをして行う。
【００４４】
次に、図６（ｃ）に示すように、ボッシュプロセスにより、エッチングストッパ膜１４に達するまでシリコン基板１１ａをエッチングして、補強用梁部１１を形成する。その後、レジスト１５を除去する。上述したように、パターン形成部を区画する補強用梁部１１はスクライグラインに相当するパターンで形成される。周囲の補強用梁部１１は支持枠を構成するように幅広に形成される。なお、ボッシュプロセスは、例えば、第４９回応用物理学関係連合講演会ｐ７３１、３０ｐ−ＹＲ−８「ドライエッチングによるＥＰＬマスクのスラット形成の検討」等に記載されている。
【００４５】
次に、図６（ｄ）に示すように、ＳＯＩ基板の表面、すなわちパターン形成用薄膜１２上にレジスト１６を塗布する。
【００４６】
次に、図７（ｅ）に示すように、表面にあるアライメントマークを検出し裏面に形成された補強用梁部１１と位置合わせをして、補強用梁部１１に区画されたパターン形成部に形成する相補分割パターンを電子線を用いて直接描画する。描画後現像することにより、レジスト１６に相補分割パターンの開口１６ａが形成される。
【００４７】
次に、図７（ｆ）に示すように、レジスト１６をエッチングマスクとして、エッチングストッパ膜１４に達するまでパターン形成用薄膜１２をエッチングすることにより、パターン形成用薄膜１２に相補分割パターンの孔１３を形成する。その後、レジスト１６を除去する。
【００４８】
以降の工程としては、補強用梁部１１から露出したエッチングストッパ膜１４をエッチングにより除去することにより、図３および図４に示すステンシルマスクが製造される。
【００４９】
本実施形態に係るステンシルマスクでは、デバイス２２間のスクライブライン２１の位置に補強用梁部１１を設けることにより、パターン形成部１２ａ，１２ｂを構成するパターン形成用薄膜１２の強度を補強しつつ、デバイス２２の領域へパターンが形成できないという弊害を防止することができる。
【００５０】
従って、本実施形態に係るステンシルマスクによれば、デバイス２２の領域へのパターンの転写を、最小の２回の露光により達成することができる。この結果、４重の相補露光に比してパターン形成部の増大を抑制できる。また、パターン形成部間の合わせ精度を４重の相補露光に比して向上させることができる。また、相補分割パターンの形成のためのアルゴリズムも簡易なものとなる。
【００５１】
上記のステンシルマスクを備えた露光装置および露光方法によれば、２重の相補露光によりウェーハ２０にパターンを転写することができることから、スループットを向上させることができ、また、パターンの精度を向上させることができる。
【００５２】
第２実施形態
本実施形態に係るステンシルマスクは、スクライブラインへのパターンの形成を考慮したものである。図８に、本実施形態に係るステンシルマスクの概略構成図を示す。
【００５３】
通常、スクライブラインには、膜厚モニターや合わせ精度評価マーク（アライメントマーク）等の各種評価用パターンを形成している。第１実施形態に係るステンシルマスクでは、このようなパターンをスクライブラインに形成できないことから、例えば、デバイス２２の領域に相当するパターン形成部１２ａ，１２ｂ内にこのような評価パターンを設ける必要がある。
【００５４】
これに対し、図８に示すように本実施形態に係るステンシルマスクでは、例えば、第１の露光領域１０−１の４行１列目のパターン形成部１２ａ−４１の一辺をデバイス間のスクライブラインの領域にまで拡大し、拡大された領域を評価用パターン形成部Ａｍａとする。評価用パターン形成部Ａｍａには、上述した各種評価用パターンが形成される。
【００５５】
評価用パターンは、通常１つの走査領域内に有れば足りる。従って、第１および第２の露光領域１０−１，１０−２を１回の電子線の走査範囲とする場合には、第１の露光領域１０−１あるいは第２の露光領域１０−２のいずれかのパターン形成部１２ａ，１２ｂを拡大して、評価用パターン形成部Ａｍａを設ければよい。
【００５６】
なお、図９に示すように、評価用パターンを相補分割することが必要な場合には、第１の露光領域１０−１の４行１列目のパターン形成部１２ａ−４１および第２の露光領域１０−２の４行１列目のパターン形成部１２ｂ−４１の一辺をデバイス間のスクライブラインの領域にまで拡大し、拡大した領域を評価用パターン形成部Ａｍａ，Ａｍｂとする。評価用パターン形成部Ａｍａ，Ａｍｂには、評価用パターンの相補分割パターンを形成しておく。これにより、各評価用パターン形成部Ａｍａ，Ａｍｂに形成された相補分割パターンを２重露光することにより、評価用パターンを形成することができる。
【００５７】
本実施形態に係るステンシルマスクによれば、第１実施形態に係るステンシルマスクの効果に加えて、さらにデバイス間のスクライブラインにパターン配置を行うことができ、デバイスの領域にこれらのパターンを形成するのに比して、実質的なデバイスの形成領域が小さくなることを防止することができる。
【００５８】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、ステンシルマスクの構成および製造方法の一例について説明したが、これに限られるものではない。また、本実施形態では、４行３列のデバイスをもつ設計パターンに対応するステンシルマスクの構成例について説明したがこれに限られるものではない。また、図８においてステンシルマスクの外形が矩形の例について説明したが、外形は円形であってもよい。
【００５９】
また、ＬＥＥＰＬ以外の電子ビームリソグラフィ用マスク、あるいはイオンビームリソグラフィ等の荷電粒子ビームリソグラフィ用マスクに適用することもできる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００６０】
【発明の効果】
本発明のマスクによれば、補強用梁部により強度を補強しつつ、補強用梁部の存在による半導体チップの領域へパターン形成ができないことを防止することができる。従って、２重露光よりパターンを転写することができる。
【００６１】
本発明の露光装置および露光方法によれば、２重露光によりパターンを転写することができることから、相補分割パターンの位置合わせ回数を少なくすることができ、パターン精度の向上およびスループットの増大に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係るステンシルマスクを備えた電子線露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】図２（ａ）は、ウェーハに形成するデバイスの設計パターンの一例を示す図であり、図２（ｂ）は当該設計パターンのデバイスを作製するためのステンシルマスクの概略構成図である。
【図３】第１および第２実施形態に係るステンシルマスクの断面図である。
【図４】第１および第２実施形態に係るステンシルマスクの斜視図である。
【図５】第１および第２実施形態に係るステンシルマスクの製造における工程断面図である。
【図６】第１および第２実施形態に係るステンシルマスクの製造における工程断面図である。
【図７】第１および第２実施形態に係るステンシルマスクの製造における工程断面図である。
【図８】第２実施形態に係るステンシルマスクの概略構成図である。
【図９】第２実施形態に係るステンシルマスクの他の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１…露光装置、２，２ａ，２ｂ，２ｃ…電子線、３…電子銃、４…アパーチャ、５…コンデンサレンズ、６，７…主偏向器、８，９…微調整用偏向器、１０…ステンシルマスク、１０−１…第１の露光領域、１０−２…第２の露光領域、１１…梁部材、１１ａ…シリコン基板、１２…パターン形成用薄膜、１２ａ，１２ｂ…パターン形成部、１３…孔、１４…エッチングストッパ膜、１５…レジスト、１６…レジスト、２０…ウェーハ、２１…スクライブライン、２２…デバイス、Ａｍａ，Ａｍｂ…評価用パターン形成部、Ｒ…レジスト。

Claims

荷電粒子ビームを透過させてウェーハに転写するパターンをもつパターン形成部と、
前記パターン形成部を区画し、前記パターン形成部の強度を補強する補強用梁部とを有し、
前記補強用梁部は、前記ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されているマスク。
前記パターン形成部は、前記ウェーハに転写するパターンが相補分割された相補分割パターンをもつ
請求項１記載のマスク。
荷電粒子ビーム照射部と、ウェーハに近接配置され前記荷電粒子ビーム照射部から照射された荷電粒子ビームを選択的に透過させるマスクとを有する露光装置であって、
前記マスクは、
前記荷電粒子ビームを透過させて前記ウェーハに転写するパターンをもつパターン形成部と、
前記パターン形成部を区画し、前記パターン形成部の強度を補強する補強用梁部とを有し、
前記補強用梁部は、前記ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置されている
露光装置。
前記パターン形成部は、前記ウェーハに転写するパターンが相補分割された相補分割パターンをもつ
請求項３記載の露光装置。
パターン形成部と、前記パターン形成部を区画し前記パターン形成部の強度を補強する補強用梁部とを有するマスクを介して、前記パターン形成部のパターンをウェーハに転写する露光方法であって、
前記補強用梁部は前記ウェーハを各チップに分割するためのスクライブラインに対応して配置され、前記パターン形成部は前記ウェーハに転写するパターンが相補分割された相補分割パターンをもち、
前記パターン形成部の第１の相補分割パターンをウェーハに露光する第１の露光工程と、
前記第１の露光と異なる前記パターン形成部の第２の相補分割パターンをウェーハに露光する第２の露光工程と
を有する露光方法。