JP2004228128A - 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク、その製造方法及び電子線露光方法 - Google Patents
電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク、その製造方法及び電子線露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004228128A JP2004228128A JP2003010851A JP2003010851A JP2004228128A JP 2004228128 A JP2004228128 A JP 2004228128A JP 2003010851 A JP2003010851 A JP 2003010851A JP 2003010851 A JP2003010851 A JP 2003010851A JP 2004228128 A JP2004228128 A JP 2004228128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- electron beam
- membrane
- blank
- beam exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】レチクルの反りを小さくすることができ、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減する電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク等を提供する。
【解決手段】レチクル３１０上には、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが、複数のメンブレン部３１４に分割され、行列状に配置されている。該メンブレン部３１４の片面（裏面）には、該メンブレン部を支持するための格子状のストラット（支柱）６からなる支持基板部が形成されている。該ストラット６のメンブレン部に対して反対側の端面には、反り補正材料膜（クロム膜）が成膜されており、レチクルの反りを低減している。
【選択図】図４
【解決手段】レチクル３１０上には、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが、複数のメンブレン部３１４に分割され、行列状に配置されている。該メンブレン部３１４の片面（裏面）には、該メンブレン部を支持するための格子状のストラット（支柱）６からなる支持基板部が形成されている。該ストラット６のメンブレン部に対して反対側の端面には、反り補正材料膜（クロム膜）が成膜されており、レチクルの反りを低減している。
【選択図】図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法等に関する。特には、レチクルの反りを小さくすることができ、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減することのできる電子線露光用レチクル等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、長年微細なパターンを形成する手段の主流であった光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されている。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線露光は、電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることができるため、０．１μｍあるいはそれ以下の微細なパターンを作製できる点に大きな特徴を有している。
【０００３】
しかし、従来からある電子線露光方式は一筆書き方式を採っているので、パターンが微細になればなるほど、より絞った電子線で描画せねばならない。このため、描画時間が長くなり、スループットに大きな影響を与えることになる。
【０００４】
そこで、レチクルを利用してウェハ上で数百μｍ角のパターンを一括して露光していく方式が提案されている。
図６は、従来のレチクルの一例を示す図である。図６（Ａ）は、レチクルの断面図であり、図６（Ｂ）は、レチクルの斜視図である。
【０００５】
図６（Ａ）に示すレチクルは、厚さ２μｍ程度のメンブレン状の電子線散乱部（シリコンメンブレン部）５１に電子線透過部の開口（図示されていない。）を設けたステンシルタイプのものである。このとき、一度に電子線で露光できる領域は、ウェハ上で２５０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）である。このため、レチクルは、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度のメンブレンを敷き詰めた構造となっており、これは格子状のストラット（支柱）を有するシリコンウェハ５２で支えられている。
【０００６】
以下に、上記のレチクルを作製する一般的な方法について説明する。
まず、シリコン（Ｓｉ）ウェハ５２にボロン（Ｂ）をドープした（１００）面シリコンウェハ５２の裏面から水酸化カリウム水溶液でウェットエッチングする。ウェットエッチングされる場所以外は、窒化シリコン等で保護されている。また、一例で１×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３程度のボロンを所望の厚さにドープさせ、このボロンによりウェットエッチングの速度を遅くする。これにより、容易にメンブレンを作製することができる。
【０００７】
次に、メンブレン上にレジストなどを塗布し、電子線描画装置などを使用して、メンブレン上にレジストパターンを露光し、そのパターンをシリコンメンブレンに転写し、ステンシルパターンを作製する。
【０００８】
しかし、上記の場合、ウェットエッチングが結晶面上で異方性を有するため、メンブレン間のストラット５２に一例で５４．７４°の角度がついてしまう。このため、１チップ分のレチクルが非常に大きくなってしまう問題があり、メンブレン間のストラット５２をなるべく細く且つ垂直にするために、シリコンストラットに対するエッチング法としてドライエッチングを採用する方法が提案されてきた。
【０００９】
そのうちの１つが、上記と同様にボロンドープのシリコンウェハを利用した方法である。以下、この方法の概要について、図７を参照しながら説明する。
【００１０】
図７は、従来の電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、図７（Ａ）に示すように、シリコンウェハ６１の表面（図中上方）にボロンをドープしてボロンドープ層６２を形成する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、シリコンウェハ６１の裏面（図中下方）から所定の厚さの数十μｍ手前までドライエッチングで掘り進めることで、垂直なストラットを形成する。
そして、図７（Ｃ）に示すように、所定の厚さのメンブレンでエッチングストップさせるために、最後のみウェットエッチングを使用する。エッチングされる場所以外には、酸化シリコン層６３を形成することにより保護されている。
最後に、この酸化シリコン層６３を除去する（図７（Ｃ））。
【００１１】
この方法をさらに簡素化させた方法が、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハを利用したものである。以下に、ＳＯＩウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の概要について、図８を参照しながら説明する。
【００１２】
図８は、ＳＯＩウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、ＳＯＩウェハを準備する。図８（Ａ）に示すように、ＳＯＩウェハは、シリコン支持基板（支持ウェハ）７１の上に酸化シリコン層７２が形成され、その上に薄膜シリコン層７３が形成されている。このため、中間の酸化シリコン層７２をドライエッチングのエッチングトップ層として使用することができ、シリコン支持基板７１の所定の部分をドライエッチングすることで、数百μｍ幅でレチクル面に対して垂直なストラットを持つレチクルブランクを作製することが可能である。
次に、図８（Ｂ）に示すように、シリコン支持基板７１の図中下面に、レジスト又は酸化シリコン層７４を形成する。
そして、図８（Ｃ）に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層７４をパターニングし、ストラット（図８（Ｄ）及び（Ｅ）の７１ａ〜７１ｃ）を形成する部分にのみレジスト又は酸化シリコン層７４のパターンを残して保護する（７４ａ〜７４ｃ）。
図８（Ｄ）に示すように、このパターン７４ａ〜７４ｃをマスクとして、且つ、酸化シリコン層７２をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板７１をドライエッチングし、ストラット７１ａ〜７１ｃを形成する。
最後に、酸化シリコン層７４ａ〜７４ｃをウェットエッチングにより除去する（図８（Ｅ））。
【００１３】
上記のいずれの方法においても、シリコンウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わなくてはならない。例えば、３インチウェハでは３００μｍ以上、８インチウェハでは７００μｍ以上の深さを垂直にエッチングすることが必要となる。
【００１４】
このエッチングの際には、側壁保護を利用したエッチングがよく用いられる。これにより、エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性のよいエッチングを行うことができる。
【００１５】
しかしながら、上述のＳＯＩウェハで作製された電子線（縮小）露光用レチクルは、通常の光露光に用いられるガラスレチクルに比べて反りが大きい。このため、電子線露光用レチクルを露光装置にチャックするときに、大きな歪みを生じてしまうという問題がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記の点に鑑み、本発明は、レチクルの反りを小さくすることができ、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減することのできる電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法等を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る電子線露光用レチクルは、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成され、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルであって、前記ストラットのメンブレン部の反対側の端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、電子線露光用レチクルの反りを非常に小さくすることができる。
【００１９】
本発明に係る電子線露光用レチクルブランクは、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルブランクであって、前記ストラットのメンブレン部の反対側の端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法は、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルブランクの製造方法であって、薄膜シリコン層、酸化シリコン層及びシリコン支持基板が順に積層されたＳＯＩウェハを準備する工程と、前記ＳＯＩウェハのシリコン支持基板面に金属又はセラミックからなる反り補正材料膜を成膜する工程と、前記反り補正材料膜上にレジスト膜を塗布する工程と、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記レジスト膜をパターニングにより除去し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記反り補正材料膜をエッチングにより除去する工程と、前記酸化シリコン層をエッチングストッパーとして、前記シリコン支持基板を同様にエッチングにより除去し、格子状のストラットを形成する工程と、前記格子状のストラットに囲まれた酸化シリコン層、及び、該ストラットの端面（最外層）のレジストパターンを除去して、反り補正材料膜、シリコン支持基板及び酸化シリコン層からなる格子状のストラットを形成し、レチクルブランクを完成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
上記のレチクルブランクの製造方法においては、前記レチクルブランクの完成時点において、前記レチクルブランクの反りがゼロとなるような残留応力を有するように、前記反り補正材料膜の膜厚を成膜時に予め調整していることとすることもできる。
【００２２】
また、上記のレチクルブランクの製造方法においては、前記レチクルブランクの完成後に、レチクルブランク全体の反りを測定する工程と、前記測定の結果、反りがある場合に、前記反り補正材料膜を適宜エッチングして反りを解消する工程と、をさらに加えることもできる。
この場合、レチクルブランクの完成後にも反りを調整することができるので、レチクルブランクの反りをより少なくすることができる。
【００２３】
本発明に係る電子線露光方法は、照明系により、電子線を転写すべきパターンが形成されたレチクルに電子線を導き、該レチクルを透過した電子線を投影光学系によって、感応性基板に導くことにより、前記レチクル上のパターンを感応性基板に転写する電子線露光方法であって、前記レチクルには、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成され、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備え、前記ストラットのメンブレン部の反対側の端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る電子線露光方法によれば、本発明に係る電子線露光用レチクルを用いることにより、レチクルを露光装置に搭載（チャック）する時に生じる歪みを低減することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すレチクルブランクの断面図であり、図２は、本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【００２６】
まず、図１（Ａ）に示すように、図の上から順に、薄膜シリコン層３、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層２及びシリコン支持基板１から構成されたＳＯＩウェハを準備する（Ｓ１）。
【００２７】
次に、図１（Ｂ）に示すように、シリコン支持基板１の図中下方に、反り補正材料膜を成膜する（Ｓ２）。本実施形態においては、図１（Ａ）に示すＳＯＩウェハが活性層（薄膜シリコン層３）を上にしたとき凸形状に反っているものとする。このため、クロム（Ｃｒ）膜４が圧縮応力を有するように成膜することにより、この反りを解消する方向に基板を補正する。
この成膜の際には、クロム膜４が後の工程（Ｓ５）において、エッチングにより一部除去され、圧縮応力が減ずることを考慮しつつ、レチクルブランクの完成時点（Ｓ７）においてレチクルブランクの反りがゼロとなるような残留応力を有するように、適当な厚さ（例えば、５００ｎｍ程度）に成膜しておくことが望ましい。
【００２８】
この次に、クロム膜４の図中下方にレジスト膜を塗布し（Ｓ３）、図１（Ｃ）に示すように、このレジスト膜をパターニングし、ストラットを形成する部分にのみレジスト膜のパターン（レジストパターン５）を残して除去する（Ｓ４）。このとき、レジスト膜は、図１の下方から見たときに格子状になるようにパターニングされる（図４のストラット６参照。）。
【００２９】
続いて、図１（Ｄ）に示すように、このレジストパターン５をマスクとして、クロムエッチング液でクロム膜４をエッチングにより除去する（Ｓ５）。これにより、クロム膜４も格子状に整形される。ここで、クロムのエッチング方法としてウェットエッチングを採用したが、ドライエッチングを用いてもよい。
同様に、図１（Ｅ）に示すように、このレジストパターン５をマスクとして、且つ、酸化シリコン層２をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板１をエッチングにより除去する（Ｓ６）。
このＳ５及びＳ６のエッチングの際には、マスク材となるレジスト膜５も、若干エッチングされることが予想される。これらのエッチングの工程で、例えば、レジスト膜５の一部が除去されたとしても、クロム膜４をしてマスク材の代わりに用いることができる。
【００３０】
最後に、図１（Ｆ）に示すように、格子内の酸化シリコン層２及びストラット６の図中下端のレジストパターン５をエッチングにより除去する（Ｓ７）。
【００３１】
本実施形態によれば、シリコン支持基板１の裏側（図１下方）に反り補正材料膜を成膜することで、反りのないレチクルブランクを作製することができる。
【００３２】
本実施形態においては、Ｓ１で準備したＳＯＩウェハ（図１（Ａ））が活性層を上にしたとき、凸形状に反っていたため、クロムが圧縮応力を有するように成膜して反りを補正した。ここで、クロムが圧縮応力を有するか、引っ張り応力を有するかは、クロムを成膜する際の成膜方法、成膜装置、成膜条件などにより制御することができる。したがって、Ｓ１でＳＯＩウェハが凹形状に反っている場合には、クロムが引っ張り応力を有するように成膜することで、反りを補正することができる。
このような反り補正材料としては、クロムのほかに、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等を挙げることができる。
【００３３】
次に、本発明の電子線露光用レチクルブランクの製造方法の別の実施形態について説明する。
図３は、本発明の別の実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
図３に示すレチクルブランクの製造方法においては、まず、ＳＯＩウェハを用意する（Ｓ１）。
次に、このＳＯＩウェハは、上記の実施形態と同様に図１（Ａ）上方に凸に反っているため、活性層（図１の薄膜シリコン層３）と反対側の面にクロム膜４を成膜して、この反りを矯正する（Ｓ２）。この成膜の際には、クロム膜４をやや厚め（完成時（Ｓ７）にレチクルブランクがやや凹形状に反る程度。）に成膜しておく。
続くＳ３〜Ｓ７までの工程は、上記の実施形態と同様であるので記載を省略する。本実施形態では、Ｓ７の工程の後に以下に示す工程が加わる。
レチクル基板の反りを測定する工程（Ｓ８）。Ｓ２でクロムをやや厚めに成膜してあるので、レチクルはクロム膜４の圧縮応力により凹形状に反っている。
Ｓ８の反り具合の測定結果に基づいて、クロムエッチング液でクロム膜４をエッチングすることで、反りがゼロになるように調整する工程（Ｓ９）。
本実施形態によれば、レチクルブランクの完成後にも反りを調整することができるので、レチクルブランクの反りをより少なくすることができる。
【００３４】
図４は、８インチＳＯＩウェハで作製された電子線露光用レチクルブランクを示す平面図である。
図４に示すレチクル３１０のＳＯＩウェハ３１３上には、一例で縦１３２ｍｍ×横５５ｍｍの大きさのストラットを有する構造加工部（メンブレン領域）３１４が２つ並んで形成されている。この各メンブレン領域３１４は、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度のメンブレンを敷き詰めた構造となっており、格子状のストラット（支柱）６によって支えられている。
【００３５】
次に、上記の製造方法で作製されたレチクルブランクから作成したレチクルを用いた電子線露光方法について説明する。
図５は、本発明の一実施形態に係る電子線露光方法の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【００３６】
光学系の最上流に配置された電子銃３０１から図の下方に向けて照射された電子線は、コンデンサレンズ３０２及び３０３によって収束され、プランキンク開口３０７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００３７】
コンデンサレンズ３０３の下に配置されている矩型開口（照射ビーム形成開口）３０４は、レチクル３１０にある１つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照射する照明ビームのみを通過させ、レンズ３０９によってレチクル３１０に結像される。
【００３８】
ブランキング偏向器３０５は、必要時に照明ビームを偏向させて、ブランキング開口３０７の非開口部に当てることにより、ビームがレチクル３１０に当たらないようにする。
【００３９】
ブランキング開口３０７の下には、照明ビーム偏向器３０８が配置されており、この偏向器３０８は、主に照明ビームを図のＸ軸方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチクル３１０のサブフィールドの照明を行う。偏向器３０８の下方に配置された照明レンズ３０９は、レチクル３１０上にビーム成形開口３０４を結像させる。
【００４０】
レチクル３１０は、光軸垂直面（Ｘ−Ｙ面）内に広がっており、多数のサブフィールドを有する（図４参照。）。レチクル３１０上には、全体として１つの半導体デバイスをなすパターン（チップパターン）が形成されている。レチクル３１０は、移動可能なレチクルステージ３１１上に保持される。レチクル３１０をレチクルステージ３１１上で光軸に垂直な方向（Ｘ、Ｙ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも、広い領域に広がるレチクル３１０上の各サブフィールドを照明することができる。
【００４１】
レチクルステージ３１１には、レーザー干渉計を用いた位置検出器３１２が敷設されており、レチクルステージ３１１の位置をリアルタイムで精確に把握することができる。
【００４２】
レチクルステージ３１１の下方には、投影レンズ３１５及び３１９を含む投影光学系が設けられており、レチクル３１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ３１５、３１９、偏向器３１６によってウェハ３２３上の所定の位置に結像される。ウェハ３２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル３１０上のパターンが縮小されてウェハ３２３上に転写される。
【００４３】
レチクル３１０とウェハ３２３の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同Ｃ．Ｏ．の位置には、コントラスト開口３１８が設けられている。コントラスト開口３１８は、レチクル３１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ３２３に到達しないように遮断する。
【００４４】
ウェハ３２３の上部には反射電子検出器３２２が配置されていて、ウェハ３２３の被露光面や、ステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、レチクル３１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ３２３上のマークを走査し、その際マークから反射される電子を検出することにより、レチクル３１０とウェハ３２３との相対的位置関係を知ることができる。
【００４５】
ウェハ３２３は、静電チャック（図には示されていない。）を介して、Ｘ、Ｙ方向に移動可能なウェハステージ３２４上に搭載されている。上記レチクルステージ３１１とウェハステージ３２４とを互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ３２４上にも、上述のレチクルステージ３１１と同様の位置検出器３２５が装備されている。
【００４６】
上記各レンズ３０２、３０３、３０９、３１５、３１９及び各偏向器３０５、３０８、３１６は、各々のコイル電源制御部３０２ａ、３０３ａ、３０９ａ、３１５ａ、３１９ａ及び３０５ａ、３０８ａ、３１６ａを介してコントローラ３３１により制御される。また、レチクルステージ３１１及びウェハステージ３２４も、ステージ制御部３１１ａ、３２４ａを介して、コントローラ３３１によって制御される。
【００４７】
ステージ位置検出器３１２、３１５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス３１２ａ、３２５ａを介して、コントローラ３３１に信号を送る。また、反射電子検出器３２２も、同様のインターフェイス３２２ａを介して、コントローラ３３１に信号を送る。
【００４８】
コントローラ３３１は、ステージ位置の制御誤差や投影ビームの位置誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器３１６で補正する。これにより、レチクル３１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ３２３上の目標位置に精確に転写される。そして、ウェハ３２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体がウェハに転写される。
【００４９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明に係る電子線露光用レチクル及び電子線露光用レチクルブランクよると、レチクルの反りを小さくでき、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減することができる。
また、本発明に係る電子線露光方法は、上記のレチクルを用いることにより、レチクルに大きな歪みを生じることなくレチクルを露光装置にチャックすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すレチクルブランクの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の別の実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】８インチウェハで作製された電子線露光用レチクルブランクを示す平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る電子線露光方法の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【図６】従来のレチクルの一例を示す図である。
（Ａ） レチクルの断面図である。
（Ｂ） レチクルの斜視図である。
【図７】従来の電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【図８】ＳＯＩウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【符号の説明】
１ シリコン支持基板
２ 酸化シリコン層
３ 薄膜シリコン層
４ クロム膜
５ レジストパターン
６ ストラット（支柱）
３０１ 電子銃
３０２、３０３ コンデンサレンズ
３０２ａ、３０３ａ 各々３０２、３０３のコイル電源制御部
３０４ 矩型開口（照射ビーム形成開口）
３０５ ブランキング偏向器
３０５ａ ３０５のコイル電源制御部
３０７ ブランキング開口
３０８ 照明ビーム偏向器
３０８ａ ３０８のコイル電源制御部
３０９ 照明レンズ
３０９ａ ３０９のコイル電源制御部
３１０ レチクル
３１１ レチクルステージ
３１１ａ ３１１のコイル電源制御部
３１２ 位置検出器
３１２ａ ３１２のコイル電源制御部
３１３ ＳＯＩウェハ
３１４ メンブレン部
３１５、３１９ 投影レンズ
３１５ａ、３１９ａ 各々３１５、３１９のコイル電源制御部
３１６ 位置調整偏向器
３１６ａ ３１６のコイル電源制御部
３１８ コントラスト開口
３２２ 反射電子検出器
３２２ａ ３２２のコイル電源制御部
３２３ ウェハ
３２４ ウェハステージ
３２４ａ ３２４のコイル電源制御部
３２５ 位置検出器
３２５ａ ３２５のコイル電源制御部
３３１ コントローラ
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法等に関する。特には、レチクルの反りを小さくすることができ、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減することのできる電子線露光用レチクル等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、長年微細なパターンを形成する手段の主流であった光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されている。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線露光は、電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることができるため、０．１μｍあるいはそれ以下の微細なパターンを作製できる点に大きな特徴を有している。
【０００３】
しかし、従来からある電子線露光方式は一筆書き方式を採っているので、パターンが微細になればなるほど、より絞った電子線で描画せねばならない。このため、描画時間が長くなり、スループットに大きな影響を与えることになる。
【０００４】
そこで、レチクルを利用してウェハ上で数百μｍ角のパターンを一括して露光していく方式が提案されている。
図６は、従来のレチクルの一例を示す図である。図６（Ａ）は、レチクルの断面図であり、図６（Ｂ）は、レチクルの斜視図である。
【０００５】
図６（Ａ）に示すレチクルは、厚さ２μｍ程度のメンブレン状の電子線散乱部（シリコンメンブレン部）５１に電子線透過部の開口（図示されていない。）を設けたステンシルタイプのものである。このとき、一度に電子線で露光できる領域は、ウェハ上で２５０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）である。このため、レチクルは、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度のメンブレンを敷き詰めた構造となっており、これは格子状のストラット（支柱）を有するシリコンウェハ５２で支えられている。
【０００６】
以下に、上記のレチクルを作製する一般的な方法について説明する。
まず、シリコン（Ｓｉ）ウェハ５２にボロン（Ｂ）をドープした（１００）面シリコンウェハ５２の裏面から水酸化カリウム水溶液でウェットエッチングする。ウェットエッチングされる場所以外は、窒化シリコン等で保護されている。また、一例で１×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３程度のボロンを所望の厚さにドープさせ、このボロンによりウェットエッチングの速度を遅くする。これにより、容易にメンブレンを作製することができる。
【０００７】
次に、メンブレン上にレジストなどを塗布し、電子線描画装置などを使用して、メンブレン上にレジストパターンを露光し、そのパターンをシリコンメンブレンに転写し、ステンシルパターンを作製する。
【０００８】
しかし、上記の場合、ウェットエッチングが結晶面上で異方性を有するため、メンブレン間のストラット５２に一例で５４．７４°の角度がついてしまう。このため、１チップ分のレチクルが非常に大きくなってしまう問題があり、メンブレン間のストラット５２をなるべく細く且つ垂直にするために、シリコンストラットに対するエッチング法としてドライエッチングを採用する方法が提案されてきた。
【０００９】
そのうちの１つが、上記と同様にボロンドープのシリコンウェハを利用した方法である。以下、この方法の概要について、図７を参照しながら説明する。
【００１０】
図７は、従来の電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、図７（Ａ）に示すように、シリコンウェハ６１の表面（図中上方）にボロンをドープしてボロンドープ層６２を形成する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、シリコンウェハ６１の裏面（図中下方）から所定の厚さの数十μｍ手前までドライエッチングで掘り進めることで、垂直なストラットを形成する。
そして、図７（Ｃ）に示すように、所定の厚さのメンブレンでエッチングストップさせるために、最後のみウェットエッチングを使用する。エッチングされる場所以外には、酸化シリコン層６３を形成することにより保護されている。
最後に、この酸化シリコン層６３を除去する（図７（Ｃ））。
【００１１】
この方法をさらに簡素化させた方法が、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェハを利用したものである。以下に、ＳＯＩウェハを用いたレチクルブランクの製造方法の概要について、図８を参照しながら説明する。
【００１２】
図８は、ＳＯＩウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
まず、ＳＯＩウェハを準備する。図８（Ａ）に示すように、ＳＯＩウェハは、シリコン支持基板（支持ウェハ）７１の上に酸化シリコン層７２が形成され、その上に薄膜シリコン層７３が形成されている。このため、中間の酸化シリコン層７２をドライエッチングのエッチングトップ層として使用することができ、シリコン支持基板７１の所定の部分をドライエッチングすることで、数百μｍ幅でレチクル面に対して垂直なストラットを持つレチクルブランクを作製することが可能である。
次に、図８（Ｂ）に示すように、シリコン支持基板７１の図中下面に、レジスト又は酸化シリコン層７４を形成する。
そして、図８（Ｃ）に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層７４をパターニングし、ストラット（図８（Ｄ）及び（Ｅ）の７１ａ〜７１ｃ）を形成する部分にのみレジスト又は酸化シリコン層７４のパターンを残して保護する（７４ａ〜７４ｃ）。
図８（Ｄ）に示すように、このパターン７４ａ〜７４ｃをマスクとして、且つ、酸化シリコン層７２をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板７１をドライエッチングし、ストラット７１ａ〜７１ｃを形成する。
最後に、酸化シリコン層７４ａ〜７４ｃをウェットエッチングにより除去する（図８（Ｅ））。
【００１３】
上記のいずれの方法においても、シリコンウェハの厚さに相当するような深さのエッチングを行わなくてはならない。例えば、３インチウェハでは３００μｍ以上、８インチウェハでは７００μｍ以上の深さを垂直にエッチングすることが必要となる。
【００１４】
このエッチングの際には、側壁保護を利用したエッチングがよく用いられる。これにより、エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるため、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性のよいエッチングを行うことができる。
【００１５】
しかしながら、上述のＳＯＩウェハで作製された電子線（縮小）露光用レチクルは、通常の光露光に用いられるガラスレチクルに比べて反りが大きい。このため、電子線露光用レチクルを露光装置にチャックするときに、大きな歪みを生じてしまうという問題がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記の点に鑑み、本発明は、レチクルの反りを小さくすることができ、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減することのできる電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法等を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る電子線露光用レチクルは、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成され、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルであって、前記ストラットのメンブレン部の反対側の端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、電子線露光用レチクルの反りを非常に小さくすることができる。
【００１９】
本発明に係る電子線露光用レチクルブランクは、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルブランクであって、前記ストラットのメンブレン部の反対側の端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法は、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルブランクの製造方法であって、薄膜シリコン層、酸化シリコン層及びシリコン支持基板が順に積層されたＳＯＩウェハを準備する工程と、前記ＳＯＩウェハのシリコン支持基板面に金属又はセラミックからなる反り補正材料膜を成膜する工程と、前記反り補正材料膜上にレジスト膜を塗布する工程と、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記レジスト膜をパターニングにより除去し、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記反り補正材料膜をエッチングにより除去する工程と、前記酸化シリコン層をエッチングストッパーとして、前記シリコン支持基板を同様にエッチングにより除去し、格子状のストラットを形成する工程と、前記格子状のストラットに囲まれた酸化シリコン層、及び、該ストラットの端面（最外層）のレジストパターンを除去して、反り補正材料膜、シリコン支持基板及び酸化シリコン層からなる格子状のストラットを形成し、レチクルブランクを完成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
上記のレチクルブランクの製造方法においては、前記レチクルブランクの完成時点において、前記レチクルブランクの反りがゼロとなるような残留応力を有するように、前記反り補正材料膜の膜厚を成膜時に予め調整していることとすることもできる。
【００２２】
また、上記のレチクルブランクの製造方法においては、前記レチクルブランクの完成後に、レチクルブランク全体の反りを測定する工程と、前記測定の結果、反りがある場合に、前記反り補正材料膜を適宜エッチングして反りを解消する工程と、をさらに加えることもできる。
この場合、レチクルブランクの完成後にも反りを調整することができるので、レチクルブランクの反りをより少なくすることができる。
【００２３】
本発明に係る電子線露光方法は、照明系により、電子線を転写すべきパターンが形成されたレチクルに電子線を導き、該レチクルを透過した電子線を投影光学系によって、感応性基板に導くことにより、前記レチクル上のパターンを感応性基板に転写する電子線露光方法であって、前記レチクルには、感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成され、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備え、前記ストラットのメンブレン部の反対側の端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る電子線露光方法によれば、本発明に係る電子線露光用レチクルを用いることにより、レチクルを露光装置に搭載（チャック）する時に生じる歪みを低減することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すレチクルブランクの断面図であり、図２は、本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【００２６】
まず、図１（Ａ）に示すように、図の上から順に、薄膜シリコン層３、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層２及びシリコン支持基板１から構成されたＳＯＩウェハを準備する（Ｓ１）。
【００２７】
次に、図１（Ｂ）に示すように、シリコン支持基板１の図中下方に、反り補正材料膜を成膜する（Ｓ２）。本実施形態においては、図１（Ａ）に示すＳＯＩウェハが活性層（薄膜シリコン層３）を上にしたとき凸形状に反っているものとする。このため、クロム（Ｃｒ）膜４が圧縮応力を有するように成膜することにより、この反りを解消する方向に基板を補正する。
この成膜の際には、クロム膜４が後の工程（Ｓ５）において、エッチングにより一部除去され、圧縮応力が減ずることを考慮しつつ、レチクルブランクの完成時点（Ｓ７）においてレチクルブランクの反りがゼロとなるような残留応力を有するように、適当な厚さ（例えば、５００ｎｍ程度）に成膜しておくことが望ましい。
【００２８】
この次に、クロム膜４の図中下方にレジスト膜を塗布し（Ｓ３）、図１（Ｃ）に示すように、このレジスト膜をパターニングし、ストラットを形成する部分にのみレジスト膜のパターン（レジストパターン５）を残して除去する（Ｓ４）。このとき、レジスト膜は、図１の下方から見たときに格子状になるようにパターニングされる（図４のストラット６参照。）。
【００２９】
続いて、図１（Ｄ）に示すように、このレジストパターン５をマスクとして、クロムエッチング液でクロム膜４をエッチングにより除去する（Ｓ５）。これにより、クロム膜４も格子状に整形される。ここで、クロムのエッチング方法としてウェットエッチングを採用したが、ドライエッチングを用いてもよい。
同様に、図１（Ｅ）に示すように、このレジストパターン５をマスクとして、且つ、酸化シリコン層２をエッチングストッパーとして、シリコン支持基板１をエッチングにより除去する（Ｓ６）。
このＳ５及びＳ６のエッチングの際には、マスク材となるレジスト膜５も、若干エッチングされることが予想される。これらのエッチングの工程で、例えば、レジスト膜５の一部が除去されたとしても、クロム膜４をしてマスク材の代わりに用いることができる。
【００３０】
最後に、図１（Ｆ）に示すように、格子内の酸化シリコン層２及びストラット６の図中下端のレジストパターン５をエッチングにより除去する（Ｓ７）。
【００３１】
本実施形態によれば、シリコン支持基板１の裏側（図１下方）に反り補正材料膜を成膜することで、反りのないレチクルブランクを作製することができる。
【００３２】
本実施形態においては、Ｓ１で準備したＳＯＩウェハ（図１（Ａ））が活性層を上にしたとき、凸形状に反っていたため、クロムが圧縮応力を有するように成膜して反りを補正した。ここで、クロムが圧縮応力を有するか、引っ張り応力を有するかは、クロムを成膜する際の成膜方法、成膜装置、成膜条件などにより制御することができる。したがって、Ｓ１でＳＯＩウェハが凹形状に反っている場合には、クロムが引っ張り応力を有するように成膜することで、反りを補正することができる。
このような反り補正材料としては、クロムのほかに、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等を挙げることができる。
【００３３】
次に、本発明の電子線露光用レチクルブランクの製造方法の別の実施形態について説明する。
図３は、本発明の別の実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
図３に示すレチクルブランクの製造方法においては、まず、ＳＯＩウェハを用意する（Ｓ１）。
次に、このＳＯＩウェハは、上記の実施形態と同様に図１（Ａ）上方に凸に反っているため、活性層（図１の薄膜シリコン層３）と反対側の面にクロム膜４を成膜して、この反りを矯正する（Ｓ２）。この成膜の際には、クロム膜４をやや厚め（完成時（Ｓ７）にレチクルブランクがやや凹形状に反る程度。）に成膜しておく。
続くＳ３〜Ｓ７までの工程は、上記の実施形態と同様であるので記載を省略する。本実施形態では、Ｓ７の工程の後に以下に示す工程が加わる。
レチクル基板の反りを測定する工程（Ｓ８）。Ｓ２でクロムをやや厚めに成膜してあるので、レチクルはクロム膜４の圧縮応力により凹形状に反っている。
Ｓ８の反り具合の測定結果に基づいて、クロムエッチング液でクロム膜４をエッチングすることで、反りがゼロになるように調整する工程（Ｓ９）。
本実施形態によれば、レチクルブランクの完成後にも反りを調整することができるので、レチクルブランクの反りをより少なくすることができる。
【００３４】
図４は、８インチＳＯＩウェハで作製された電子線露光用レチクルブランクを示す平面図である。
図４に示すレチクル３１０のＳＯＩウェハ３１３上には、一例で縦１３２ｍｍ×横５５ｍｍの大きさのストラットを有する構造加工部（メンブレン領域）３１４が２つ並んで形成されている。この各メンブレン領域３１４は、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度のメンブレンを敷き詰めた構造となっており、格子状のストラット（支柱）６によって支えられている。
【００３５】
次に、上記の製造方法で作製されたレチクルブランクから作成したレチクルを用いた電子線露光方法について説明する。
図５は、本発明の一実施形態に係る電子線露光方法の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【００３６】
光学系の最上流に配置された電子銃３０１から図の下方に向けて照射された電子線は、コンデンサレンズ３０２及び３０３によって収束され、プランキンク開口３０７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【００３７】
コンデンサレンズ３０３の下に配置されている矩型開口（照射ビーム形成開口）３０４は、レチクル３１０にある１つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照射する照明ビームのみを通過させ、レンズ３０９によってレチクル３１０に結像される。
【００３８】
ブランキング偏向器３０５は、必要時に照明ビームを偏向させて、ブランキング開口３０７の非開口部に当てることにより、ビームがレチクル３１０に当たらないようにする。
【００３９】
ブランキング開口３０７の下には、照明ビーム偏向器３０８が配置されており、この偏向器３０８は、主に照明ビームを図のＸ軸方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチクル３１０のサブフィールドの照明を行う。偏向器３０８の下方に配置された照明レンズ３０９は、レチクル３１０上にビーム成形開口３０４を結像させる。
【００４０】
レチクル３１０は、光軸垂直面（Ｘ−Ｙ面）内に広がっており、多数のサブフィールドを有する（図４参照。）。レチクル３１０上には、全体として１つの半導体デバイスをなすパターン（チップパターン）が形成されている。レチクル３１０は、移動可能なレチクルステージ３１１上に保持される。レチクル３１０をレチクルステージ３１１上で光軸に垂直な方向（Ｘ、Ｙ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも、広い領域に広がるレチクル３１０上の各サブフィールドを照明することができる。
【００４１】
レチクルステージ３１１には、レーザー干渉計を用いた位置検出器３１２が敷設されており、レチクルステージ３１１の位置をリアルタイムで精確に把握することができる。
【００４２】
レチクルステージ３１１の下方には、投影レンズ３１５及び３１９を含む投影光学系が設けられており、レチクル３１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ３１５、３１９、偏向器３１６によってウェハ３２３上の所定の位置に結像される。ウェハ３２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル３１０上のパターンが縮小されてウェハ３２３上に転写される。
【００４３】
レチクル３１０とウェハ３２３の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同Ｃ．Ｏ．の位置には、コントラスト開口３１８が設けられている。コントラスト開口３１８は、レチクル３１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ３２３に到達しないように遮断する。
【００４４】
ウェハ３２３の上部には反射電子検出器３２２が配置されていて、ウェハ３２３の被露光面や、ステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、レチクル３１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ３２３上のマークを走査し、その際マークから反射される電子を検出することにより、レチクル３１０とウェハ３２３との相対的位置関係を知ることができる。
【００４５】
ウェハ３２３は、静電チャック（図には示されていない。）を介して、Ｘ、Ｙ方向に移動可能なウェハステージ３２４上に搭載されている。上記レチクルステージ３１１とウェハステージ３２４とを互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ３２４上にも、上述のレチクルステージ３１１と同様の位置検出器３２５が装備されている。
【００４６】
上記各レンズ３０２、３０３、３０９、３１５、３１９及び各偏向器３０５、３０８、３１６は、各々のコイル電源制御部３０２ａ、３０３ａ、３０９ａ、３１５ａ、３１９ａ及び３０５ａ、３０８ａ、３１６ａを介してコントローラ３３１により制御される。また、レチクルステージ３１１及びウェハステージ３２４も、ステージ制御部３１１ａ、３２４ａを介して、コントローラ３３１によって制御される。
【００４７】
ステージ位置検出器３１２、３１５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス３１２ａ、３２５ａを介して、コントローラ３３１に信号を送る。また、反射電子検出器３２２も、同様のインターフェイス３２２ａを介して、コントローラ３３１に信号を送る。
【００４８】
コントローラ３３１は、ステージ位置の制御誤差や投影ビームの位置誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器３１６で補正する。これにより、レチクル３１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ３２３上の目標位置に精確に転写される。そして、ウェハ３２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体がウェハに転写される。
【００４９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明に係る電子線露光用レチクル及び電子線露光用レチクルブランクよると、レチクルの反りを小さくでき、露光装置搭載時のレチクルの歪みを低減することができる。
また、本発明に係る電子線露光方法は、上記のレチクルを用いることにより、レチクルに大きな歪みを生じることなくレチクルを露光装置にチャックすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すレチクルブランクの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の別の実施形態に係る電子線露光用レチクルブランクの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】８インチウェハで作製された電子線露光用レチクルブランクを示す平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る電子線露光方法の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【図６】従来のレチクルの一例を示す図である。
（Ａ） レチクルの断面図である。
（Ｂ） レチクルの斜視図である。
【図７】従来の電子線露光用レチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【図８】ＳＯＩウェハを用いた従来のレチクルブランクの製造方法の一例を示すレチクルブランクの断面図である。
【符号の説明】
１ シリコン支持基板
２ 酸化シリコン層
３ 薄膜シリコン層
４ クロム膜
５ レジストパターン
６ ストラット（支柱）
３０１ 電子銃
３０２、３０３ コンデンサレンズ
３０２ａ、３０３ａ 各々３０２、３０３のコイル電源制御部
３０４ 矩型開口（照射ビーム形成開口）
３０５ ブランキング偏向器
３０５ａ ３０５のコイル電源制御部
３０７ ブランキング開口
３０８ 照明ビーム偏向器
３０８ａ ３０８のコイル電源制御部
３０９ 照明レンズ
３０９ａ ３０９のコイル電源制御部
３１０ レチクル
３１１ レチクルステージ
３１１ａ ３１１のコイル電源制御部
３１２ 位置検出器
３１２ａ ３１２のコイル電源制御部
３１３ ＳＯＩウェハ
３１４ メンブレン部
３１５、３１９ 投影レンズ
３１５ａ、３１９ａ 各々３１５、３１９のコイル電源制御部
３１６ 位置調整偏向器
３１６ａ ３１６のコイル電源制御部
３１８ コントラスト開口
３２２ 反射電子検出器
３２２ａ ３２２のコイル電源制御部
３２３ ウェハ
３２４ ウェハステージ
３２４ａ ３２４のコイル電源制御部
３２５ 位置検出器
３２５ａ ３２５のコイル電源制御部
３３１ コントローラ
Claims (6)
- 感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成されている、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、
を備える電子線露光用レチクルであって、
前記メンブレン部から遠い側の前記ストラットの端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする電子線露光用レチクル。 - 感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、
を備える電子線露光用レチクルブランクであって、
前記メンブレン部から遠い側の前記ストラットの端面に、反り補正材料膜が成膜されていることを特徴とする電子線露光用レチクルブランク。 - 感応基板上に転写すべきデバイスパターンが分割されて形成される、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備える電子線露光用レチクルブランクの製造方法であって、薄膜シリコン層、酸化シリコン層及びシリコン支持基板が順に積層されたＳＯＩウェハを準備する工程と、
前記ＳＯＩウェハのシリコン支持基板の表面（酸化シリコン層の反対側の面）に金属又はセラミックからなる反り補正材料膜を成膜する工程と、
前記反り補正材料膜上にレジスト膜を塗布する工程と、
ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記レジスト膜をパターニングにより除去し、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、ストラットを形成する格子状の部分のみを残して、前記反り補正材料膜をエッチングにより除去する工程と、
前記酸化シリコン層をエッチングストッパーとして、前記シリコン支持基板を同様にエッチングにより除去し、格子状のストラットを形成する工程と、
前記格子状のストラットに囲まれた酸化シリコン層、及び、該ストラットの端面（最外層）のレジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする電子線露光用レチクルブランクの製造方法。 - 前記レチクルブランクの完成時点において、前記レチクルブランクの反りがゼロとなるような残留応力を有するように、前記反り補正材料膜の膜厚を成膜時に予め調整することを特徴とする請求項３記載のレチクルブランクの製造方法。
- 前記レチクルブランクの完成後に、
レチクルブランク全体の反りを測定する工程と、
前記測定の結果、反りがある場合に、前記反り補正材料膜を適当な量エッチングして反りを解消する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項３記載のレチクルブランクの製造方法。 - 感応基板上に転写すべきパターンをレチクル上に形成し、
該レチクルを電子線で照明し、
該レチクルを透過した電子線を前記感応基板上に投影・結像させ、
これにより、前記レチクル上のパターンを前記感応基板に転写する電子線露光方法であって、
前記レチクルは、前記パターンが分割されて形成されている、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面（裏面）に接続された該メンブレン部を支持する格子状のストラット（支柱）からなる支持基板部と、を備え、
前記メンブレン部から遠い側の前記ストラットの端面に、前記レチクルの反りを補正する材料膜を成膜して前記レチクルの反りをなくすことを特徴とする電子線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003010851A JP2004228128A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク、その製造方法及び電子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003010851A JP2004228128A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク、その製造方法及び電子線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004228128A true JP2004228128A (ja) | 2004-08-12 |
Family
ID=32899939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003010851A Pending JP2004228128A (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク、その製造方法及び電子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004228128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109983405A (zh) * | 2016-11-11 | 2019-07-05 | Asml荷兰有限公司 | 确定量测系统的优化操作参数设定 |
-
2003
- 2003-01-20 JP JP2003010851A patent/JP2004228128A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109983405A (zh) * | 2016-11-11 | 2019-07-05 | Asml荷兰有限公司 | 确定量测系统的优化操作参数设定 |
| CN109983405B (zh) * | 2016-11-11 | 2021-10-26 | Asml荷兰有限公司 | 确定量测系统的优化操作参数设定 |
| US11320750B2 (en) | 2016-11-11 | 2022-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Determining an optimal operational parameter setting of a metrology system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7060996B2 (en) | Mask, method of producing mask, and method of producing semiconductor device | |
| KR101966622B1 (ko) | 나노 임프린트 리소그래피용 템플리트의 제조 및 보정 방법 | |
| US20060079091A1 (en) | Mask, method of producing the same, and method of producing semiconductor device | |
| US5876881A (en) | Manufacturing method for mask for charged-particle-beam transfer or mask for x-ray transfer | |
| JPS6349894B2 (ja) | ||
| TWI252375B (en) | Mask pattern correction method, semiconductor device manufacturing method, mask manufacturing method, and mask | |
| TWI286266B (en) | Mask, exposure method and manufacturing method for semiconductor apparatus | |
| TWI229241B (en) | Mask and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2004228128A (ja) | 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク、その製造方法及び電子線露光方法 | |
| TW200419647A (en) | Alignment method, alignment substrate, manufacturing method of alignment substrate, exposure method, exposure apparatus, and manufacturing method of mask | |
| JP4346063B2 (ja) | 転写マスクブランク、転写マスク並びにその転写マスクを用いた転写方法 | |
| JP2001007013A (ja) | 転写マスクブランクス及びその製造方法 | |
| JP3790872B2 (ja) | 荷電粒子線転写用マスク | |
| JP2005032816A (ja) | マスクの製造方法、マスク、露光方法および露光装置 | |
| JP2004158681A (ja) | マスク、露光装置および露光方法 | |
| JP2003142439A (ja) | ウェハの研磨方法及びマスク | |
| JP2005045137A (ja) | レチクルの作製方法、レチクル及び露光方法 | |
| JP3516667B2 (ja) | マスク、半導体装置の製造方法および露光装置 | |
| JP2003173963A (ja) | メンブレンマスク及びその製造方法 | |
| JPH10135104A (ja) | 荷電粒子線転写用マスクまたはｘ線転写用マスクの製造方法 | |
| JP2002075828A (ja) | 近接効果補正方法、電子線投影露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH11150049A (ja) | マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法 | |
| JP2005050851A (ja) | アライメントマーク、レチクル及び荷電粒子線露光装置 | |
| JP5533130B2 (ja) | 電子線一括露光用ステンシルマスク | |
| JP2004297002A (ja) | マスクおよびアライメント方法 |