JP2005045137A - レチクルの作製方法、レチクル及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうことに起因する、設計時と作製後のレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することのできるレチクルの作製方法等を提供する。
【解決手段】 まず、SOIウェハ102を作製する(A)。次に、シリコン層101の図中下面にレジスト105を塗布し、このレジスト105にパターニングを行う(B)。そして、ICPドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層101のエッチングを行う(C)。次に、フッ酸を用いてストラット間凹部46内の酸化シリコン層103を除去する。その後、レジスト105を除去する(D)。その次に、ストラット間凹部46の側の面にEBレジスト107を、レジスト噴霧塗布装置により塗布する(E)。そして、マーク108を用いて位置合わせを行いながら、このEBレジスト107にEB直接描画機を用いてパターンを形成する(F)。その後、EBレジスト107のパターンをシリコンメンブレン41に転写してステンシルパターンを形成し、EBレジスト107を除去する(G)。
【選択図】 図1
【解決手段】 まず、SOIウェハ102を作製する(A)。次に、シリコン層101の図中下面にレジスト105を塗布し、このレジスト105にパターニングを行う(B)。そして、ICPドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層101のエッチングを行う(C)。次に、フッ酸を用いてストラット間凹部46内の酸化シリコン層103を除去する。その後、レジスト105を除去する(D)。その次に、ストラット間凹部46の側の面にEBレジスト107を、レジスト噴霧塗布装置により塗布する(E)。そして、マーク108を用いて位置合わせを行いながら、このEBレジスト107にEB直接描画機を用いてパターンを形成する(F)。その後、EBレジスト107のパターンをシリコンメンブレン41に転写してステンシルパターンを形成し、EBレジスト107を除去する(G)。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体リソグラフィに用いられるレチクルの作製方法等に関する。特には、レチクルパターンを高精度に形成することのできるレチクルの作製方法等に関する。
近年、半導体集積回路の微細化・高集積化に伴い、長年、微細なパターンを形成する手段の主流であった、光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やX線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されつつある。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線縮小投影露光方法(EPL、Electron Beam Projection Lithography)は、高いスループットを達成し得るものであり、メモリ増産にも対応できるため、特に注目されている。
電子線露光においては、所望のパターンを拡大したパターンをレチクルパターン(原版パターン)として、このレチクルパターンをウェハ上に電子線で縮小投影露光し、ウェハ上にデバイスパターンを形成する。電子線露光には、レチクルを用いた縮小転写方法や、大口径ビームの照射が可能なEB光学系が採用されている。これらの技術を用いることにより、露光作業のスループットを向上させることができる。また、レチクル上にパターンを複数の小領域(サブフィールド)に分割して形成し、サブフィールド毎に一括して露光する方式(分割転写方式)が提案されている。
このような方式の露光装置に用いられるレチクルの一種に、散乱ステンシル型レチクルがある。
図3は、散乱ステンシル型レチクルの一例を示す図である。図3(A)は、全体の平面図であり、図3(B)は、一部の斜視図であり、図3(C)は、一つの小メンブレン領域の平面図である。
図3に示すレチクル10には、デバイスパターンが分割して形成されている。図3(A)に示す多数の正方形41は、各々1つのサブフィールドに対応したデバイスパターンを含む小メンブレン領域である。この小メンブレン領域41は、シリコンメンブレンで、一例で厚さがおよそ2μmである。
図3は、散乱ステンシル型レチクルの一例を示す図である。図3(A)は、全体の平面図であり、図3(B)は、一部の斜視図であり、図3(C)は、一つの小メンブレン領域の平面図である。
図3に示すレチクル10には、デバイスパターンが分割して形成されている。図3(A)に示す多数の正方形41は、各々1つのサブフィールドに対応したデバイスパターンを含む小メンブレン領域である。この小メンブレン領域41は、シリコンメンブレンで、一例で厚さがおよそ2μmである。
図3(A)及び図3(B)に示す小メンブレン領域41の周囲の格子状の部分は、マイナーストラット45である。マイナーストラット45は、レチクル10の機械強度を保つための梁(一例で厚さ0.5〜1mm、幅0.1mm)である。また、マイナーストラット45は、熱伝導性を有し、電子線の照射によりシリコンメンブレンに生じた熱を逃がす役割を果たす。なお、小メンブレン領域41は、ストラット45に囲まれた凹状になっており、この凹状の部分46をストラット間凹部という。
図3(A)に示すように、図のX方向に多数の小メンブレン領域41が並んで、1つのグループ(エレクトリカルストライプ44)を形成している。そして、エレクトリカルストライプ44が、図のY方向に多数並んで1つのメカニカルストライプ49を形成している。エレクトリカルストライプ44の長さ(メカニカルストライプ49の幅)は、光学系の偏向によってカバー可能な視野の広さによって制限される。
メカニカルストライプ49は、図のX方向に複数(図3の例では2つ)並んでいる。隣り合うメカニカルストライプ49の間の部分は、メジャーストラット47である。メジャーストラット47は、マイナーストラット45よりもやや太い梁であって、レチクル10のたわみを低減する。メジャーストラット47とマイナーストラット45とは一体となっている。以下の説明では、マイナーストラット45、メジャーストラット47及び周辺部50をまとめて支持基板部という。
図3(C)に示すように、小メンブレン領域41は、中央のサブフィールド42と、その周囲を額縁状に囲むスカート43とからなる。
サブフィールド42は、一例で1辺が0.5〜5mm程度の正方形である。投影の際の縮小率を1/5とすると、ウェハ上に投影されるサブフィールド42の像は、1辺が0.1〜1mmの正方形となる。サブフィールド42には、ウェハ上に転写すべきパターンの個別要素図形の形状に対応したパターン開口(ステンシル)が形成される。なお、1ショットで露光できるサブフィールドの大きさは、一例でウェハ上で0.25mm角程度である。
スカート43は、パターンが形成されていない額縁状(一例で幅が0.05mm)の部分であり、照明ビームの縁が当たる。
サブフィールド42は、一例で1辺が0.5〜5mm程度の正方形である。投影の際の縮小率を1/5とすると、ウェハ上に投影されるサブフィールド42の像は、1辺が0.1〜1mmの正方形となる。サブフィールド42には、ウェハ上に転写すべきパターンの個別要素図形の形状に対応したパターン開口(ステンシル)が形成される。なお、1ショットで露光できるサブフィールドの大きさは、一例でウェハ上で0.25mm角程度である。
スカート43は、パターンが形成されていない額縁状(一例で幅が0.05mm)の部分であり、照明ビームの縁が当たる。
なお、1つのエレクトリカルストライプ44内において、隣り合うサブフィールドの間に、スカートやマイナーストラット等のような非パターン領域を設けない方式も検討されている。
上記のような散乱ステンシル型レチクル10に電子線を照射すると、電子線はサブフィールド42に形成されているパターン開口(ステンシル)を、散乱されずに通過するが、非パターン部(電子散乱体)では電子線は散乱される。電子線散乱体で散乱された電子は、露光装置(図2参照)内のコントラストアパーチャ(図2の開口18)でカットされ、ウェハ面上にはレチクルパターンの開口を透過した電子のみが届く。そして、ウェハ上に電子線を結像させて、パターンのコントラストを得る。
電子線露光装置内においては、レチクル10はマイナーストラット45が電子線の入射側(通常の場合、上方)に向けて設置される。ここで、もし、マイナーストラット45が電子線の出射側(通常の場合、下方)に向くように設置したとすると、メンブレンを散乱されながら透過した電子の一部が、マイナーストラット45に当たって熱が発生する。このため、レチクル10が熱膨張することによって、パターンの歪みを引き起こすおそれがある。このような問題を回避するために、露光装置内では、マイナーストラット45を電子線の入射側に向けてレチクル10を設置し、マイナーストラット45に当たらないように整形された電子線束をレチクル10の小メンブレン領域41に照射する。
次に、上記のようなレチクルの作製方法について説明する。
図4は、レチクルの作製プロセスを示す断面図である。
まず、図4(A)に示すように、シリコン(Si)支持基板301の一面(図中上面)に、貼り付け基板306を貼り付ける。この貼り付け基板306は、酸化シリコン(SiO2)層303とシリコン層301′とからなっており、酸化シリコン層303の側の面がシリコン基板301の一面に貼り付けられる。
図4は、レチクルの作製プロセスを示す断面図である。
まず、図4(A)に示すように、シリコン(Si)支持基板301の一面(図中上面)に、貼り付け基板306を貼り付ける。この貼り付け基板306は、酸化シリコン(SiO2)層303とシリコン層301′とからなっており、酸化シリコン層303の側の面がシリコン基板301の一面に貼り付けられる。
次に、貼り付け基板306の図中上面のシリコン層301′を所望の厚さに研削する。この次に、このシリコン層301′にリン(P)を適当量ドープして、基板全体の残留応力を調整する。これにより、酸化シリコン層303の上に、リンがドープされ、低応力(一例で約5MPa)となったシリコンメンブレン304が形成される。そして、図4(B)に示すような、シリコン層301、酸化シリコン層303及びシリコンメンブレン304からなるSOI( Silicon on Insulator )構造を有するSOIウェハ302が作製される。
次に、図4(C)に示すように、SOIウェハ302のシリコン層301の図中下面にレジスト305を塗布し、このレジスト305にフォトリソグラフィを施してパターニングを行う。
そして、パターニングされたレジスト305をマスクとし、酸化シリコン層303をエッチングストップ層として、ICP(Inductively Coupled Plasma、誘導結合プラズマ)ドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層301のエッチングを行う。これにより、図3を用いて説明したような、井桁状のストラット45、47及びストラット間凹部46が形成される(図4(D))。なお、図4にはストラット間凹部46を2個のみに簡略化して示してある。
そして、パターニングされたレジスト305をマスクとし、酸化シリコン層303をエッチングストップ層として、ICP(Inductively Coupled Plasma、誘導結合プラズマ)ドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層301のエッチングを行う。これにより、図3を用いて説明したような、井桁状のストラット45、47及びストラット間凹部46が形成される(図4(D))。なお、図4にはストラット間凹部46を2個のみに簡略化して示してある。
次に、図4(E)に示すように、フッ酸(HF)を用いてストラット間凹部46内の酸化シリコン層303を除去して、シリコンメンブレン41を完成させる。その後、レジスト305を除去する。この状態のもの(シリコンメンブレン41にパターニングがなされていないもの)をレチクルブランクスという。
その次に、図4(F)に示すように、このレチクルブランクス310の図中上面にEBレジスト307を、スピンコーティング法により塗布し、このEBレジスト307にEB直接描画機を用いてパターンを形成する。
そして、図4(G)に示すように、ドライエッチングにより、EBレジスト307のパターンをシリコンメンブレン41に転写してステンシルパターンを形成し、EBレジスト307を除去する。こうしてレチクル300が完成する。
そして、図4(G)に示すように、ドライエッチングにより、EBレジスト307のパターンをシリコンメンブレン41に転写してステンシルパターンを形成し、EBレジスト307を除去する。こうしてレチクル300が完成する。
片倉 則浩、外4名、「イーピーエル・レチクル・テクノロジー(EPL reticle technology)、「プロシーディングス・オブ・エスピーアイイー(Proceedings of SPIE)」、(米国)、国際光工学会(The International Society for Optical Engineering)、2002年3月、第4562巻、p.893
上述のように、電子線露光装置内においては、レチクルはマイナーストラットが電子線の入射側(上方)に向けて設置されるが、EB描画機によるレチクルのパターン作製は、マイナーストラットを下方に向け、メンブレン面が上に向いた状態で行われる。このように、レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうため、レチクルの自重及びチャックされる面が異なってしまい、歪み具合が異なるので、設計時と作製後とでレチクル上のパターンに歪みが生じてしまうという問題がある。
上記の点に鑑み、本発明は、レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうことに起因する、設計時と作製後のレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することのできるレチクルの作製方法等を提供することを目的とする。
上記の点に鑑み、本発明は、レチクルの作製時と使用時とで、上下の向きが逆になってしまうことに起因する、設計時と作製後のレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することのできるレチクルの作製方法等を提供することを目的とする。
本発明のレチクルの作製方法は、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部(ストラット間凹部)となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とする。
本発明の他のレチクルの作製方法は、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、 (a) シリコンメンブレン層、二酸化シリコン層及びシリコン層が順に積層されたSOIウェハを作製する工程と、 (b) 前記SOIウェハのシリコン層側の面にフォトレジストを塗布して、該レジスト上にストラットのパターンを形成する工程と、 (c) 前記レジストパターンをエッチングマスクとし、前記二酸化シリコン層をエッチングストップ層として、前記シリコン層をエッチングして、ストラットを作製する工程と、 (d) 前記ストラットに囲まれた凹部の前記二酸化シリコン層をエッチングにより除去して、前記ストラット間凹部にシリコンメンブレンを形成する工程と、 (e) 前記ストラット間凹部が形成されている側の面に、レジスト噴霧塗布装置を用いてEBレジストを塗布する工程と、 (f) 前記EBレジスト上に、EB直接描画機を用いてレチクルパターンを描画する工程と、 (g) 前記EBレジスト上のレチクルパターンをシリコンメンブレン上に転写して、ステンシルパターンを形成する工程と、を具備することを特徴とする。
本発明においては、レチクルパターン形成の際のレジストの塗布を、レジスト噴霧塗布装置を用いて行い、レチクルパターンの描画をストラット間凹部側のステンシル面に行うことで、レチクルパターン形成時と作製後の使用時とにおいてレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することを実現した。
本発明においては、レチクルパターン形成の際のレジストの塗布を、レジスト噴霧塗布装置を用いて行い、レチクルパターンの描画をストラット間凹部側のステンシル面に行うことで、レチクルパターン形成時と作製後の使用時とにおいてレチクル上のパターンに生じる歪みを低減することを実現した。
本発明のレチクルは、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、を備え、前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部(ストラット間凹部)となっている側の膜面側からパターン形成が行われていることを特徴とする。
本発明の露光方法は、感応基板上に転写すべきデバイスパターンを小領域(サブフィールド)に分割してレチクル上に形成し、該レチクルを前記サブフィールド毎にエネルギー線で照明し、該サブフィールドを通過したエネルギー線を前記感応基板上のしかるべき位置に投影結像させ、該感応基板上では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせることにより、前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、前記レチクルが、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部とを有しており、前記メンブレン部にパターンを形成する際に、前記ストラットに囲まれて凹部(ストラット間凹部)となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とする。
本発明によれば、レチクルパターンを形成するときのレチクルの設置姿勢が、露光装置内におけるレチクル使用時のレチクルの設置姿勢と合致している。この結果、レチクルの自重や、レチクルのチャックされる面の違いによるレチクルパターンの歪みを低減でき、パターンの位置精度の高いレチクルを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例に係るレチクルの作製方法を示す断面図である。
まず、図1(A)に示すような、シリコン層101、酸化シリコン層103及びシリコン層104からなるSOI( Silicon on Insulator )構造を有するSOIウェハ102を作製する。このSOIウェハ102のシリコン層104には、リン(P)が適当量ドープされており、基板全体の残留応力が低応力(一例で約5MPa)になるように調整されている。
まず、図1(A)に示すような、シリコン層101、酸化シリコン層103及びシリコン層104からなるSOI( Silicon on Insulator )構造を有するSOIウェハ102を作製する。このSOIウェハ102のシリコン層104には、リン(P)が適当量ドープされており、基板全体の残留応力が低応力(一例で約5MPa)になるように調整されている。
次に、図1(B)に示すように、SOIウェハ102のシリコン層101の図中下面にレジスト105を塗布し、このレジスト105にフォトリソグラフィを施してパターニングを行う。
そして、パターニングされたレジスト105をマスクとし、酸化シリコン層103をエッチングストップ層として、ICPドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層101のエッチングを行う。これにより、図3を用いて説明したような、井桁状のストラット45、47及びストラット間凹部46が形成される(図1(C))。なお、図1では、ストラット間凹部46を2個のみに簡略化して示してある。
そして、パターニングされたレジスト105をマスクとし、酸化シリコン層103をエッチングストップ層として、ICPドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層101のエッチングを行う。これにより、図3を用いて説明したような、井桁状のストラット45、47及びストラット間凹部46が形成される(図1(C))。なお、図1では、ストラット間凹部46を2個のみに簡略化して示してある。
次に、図1(D)に示すように、フッ酸を用いてストラット間凹部46内の酸化シリコン層103を除去して、シリコンメンブレン41を完成させる。その後、レジスト105を除去する。この状態のもの(シリコンメンブレン41にパターニングがなされていないもの)をレチクルブランクスという。そして、レチクルブランクス110の周辺部50の図中下面にマーク108を形成する(簡単のため、図中にはマークが1つだけ図示されている)。
その次に、図1(E)に示すように、このレチクルブランクス110のストラット間凹部46の側の面にEBレジスト107を、レジスト噴霧塗布装置(例えば、EV Group社製のAutomated Resist Processing SystemやOmnispray等)により塗布する。そして、マーク108を用いて位置合わせを行いながら、このEBレジスト107にEB直接描画機を用いてパターンを形成する(図1(F))。
その後、図1(G)に示すように、ドライエッチングにより、EBレジスト107のパターンをシリコンメンブレン41に転写してステンシルパターンを形成し、EBレジスト107を除去する。こうしてレチクル10が完成する。
その後、図1(G)に示すように、ドライエッチングにより、EBレジスト107のパターンをシリコンメンブレン41に転写してステンシルパターンを形成し、EBレジスト107を除去する。こうしてレチクル10が完成する。
なお、現状では、レチクルパターンをリソグラフィによって形成する際には、上述の実施例のように、EB直接描画機を用いるのが望ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、ストラット間凹部46内のシリコンメンブレンの表面に露光が可能な装置であればよく、光露光等を用いてもよい。但し、レジスト噴霧塗布装置で塗布するレジストについては、レチクルパターンをリソグラフィの方法に応じて、適切な種類を選択して使用する。
図2は、分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
光学系の最上流(図の上方)には、電子銃1が配置されている。この電子銃1は、図の下方に向けて電子線を照射する。電子銃1の下方には、2段のコンデンサレンズ2、3が備えられている。電子線は、これらのコンデンサレンズ2、3によって収束され、ブランキング開口7にクロスオーバーC.O.を結像する。
光学系の最上流(図の上方)には、電子銃1が配置されている。この電子銃1は、図の下方に向けて電子線を照射する。電子銃1の下方には、2段のコンデンサレンズ2、3が備えられている。電子線は、これらのコンデンサレンズ2、3によって収束され、ブランキング開口7にクロスオーバーC.O.を結像する。
コンデンサレンズ3の下方には、照明ビーム成形開口4が配置されている。この開口4の像は、レンズ9によって、レチクル10に結像される。
照明ビーム成形開口4の下方には、ブランキング偏向器5が配置されている。この偏向器5は、必要に応じて照明ビームを偏向させ、ブランキング開口7の非開口部に当てて、ビームがレチクル10に当たらないようにする。
ブランキング開口7の下方には、照明ビーム偏向器8が配置されている。この偏向器8は、照明ビームをX軸方向に順次走査して、光学系の視野内にあるレチクル10の各サブフィールドの照明を行う。
偏向器8の下方には、照明レンズ9が配置されている。照明レンズ9は、レチクル10上に照明ビームを結像させる。
偏向器8の下方には、照明レンズ9が配置されている。照明レンズ9は、レチクル10上に照明ビームを結像させる。
レチクル10は、光軸に垂直な平面(X−Y平面)に広がっており、多数のサブフィールドを有する(図3参照)。レチクル10上には、全体として1つの半導体チップをなすデバイスパターンが形成されている。なお、1つのチップをなすデバイスパターンを複数のレチクル上に分割、形成してもよい。
レチクル10は、移動可能なレチクルステージ11のチャック13に吸着・保持されている。このレチクルステージ11をX−Y方向に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広範囲に広がる、レチクル10上の各サブフィールドを照明することができる。このレチクルステージ11には、位置検出器(干渉計)12が付属しており、レチクルステージ11のXYZ方向の位置を正確に把握することができる。
レチクル10は、移動可能なレチクルステージ11のチャック13に吸着・保持されている。このレチクルステージ11をX−Y方向に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広範囲に広がる、レチクル10上の各サブフィールドを照明することができる。このレチクルステージ11には、位置検出器(干渉計)12が付属しており、レチクルステージ11のXYZ方向の位置を正確に把握することができる。
レチクル10の下方には、投影レンズ15、19及び偏向器16が設けられている。レチクル10の1つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ15、19及び偏向器16によって、ウェハ23上の所望の位置に結像される。
ウェハ23上には、適当なレジストが塗布されている。このレジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル10上のデバイスパターンが縮小、転写される。
レチクル10とウェハ23との間を縮小率比で内分する位置には、クロスオーバーC.O.が形成され、この位置に、コントラスト開口18が設けられている。この開口18は、レチクル10の非パターン部で散乱された電子線がウェハ23に到達しないように遮断する。
ウェハ23は、静電チャック(図示されていない。)を介して、X軸及びY軸方向に移動可能なウェハステージ24上に配置されている。上記のレチクルステージ11とウェハステージ24とを、互いに逆方向に同期移動させることにより、光学系の視野を越えて広がるデバイスパターンを順次露光、転写することができる。なお、ウェハステージ24にも、上記のレチクルステージ11と同様、位置検出器25が付属している。
ウェハ23の直上には、反射電子検出器22が配置されている。この反射電子検出器22は、ウェハ23の露光面やウェハステージ24上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、レチクル10上のマークパターンを通過したビームでウェハ23上のマークを走査し、マークによって反射される電子を検出することにより、レチクル10とウェハ23の相対的位置関係を知ることができる。
上記の各レンズ2、3、9、15、19及び各偏向器5、8、16は、それぞれに対応するコイル電源制御部2a、3a、9a、15a、19a及び5a、8a、16aを介して、コントローラ31により制御される。また、レチクルステージ11及びウェハステージ24も、それぞれに対応するステージ制御部11a、24aを介して、コントローラ31により制御される。
ステージ位置検出器12、25は、アンプやA/D変換器等を含むインターフェイス12a、25aを介して、コントローラ31に信号を送る。また、反射電子検出器22も同様に、インターフェイス22aを介して、コントローラ31に信号を送る。
コントローラ31は、ステージの位置合わせ誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器16で補正する。これにより、レチクル10上のサブフィールドの縮小像がウェハ23上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ23上で各サブフィールドの像がつなぎ合わされて、レチクル10上のデバイスパターン全体がウェハ上に転写される。
102:SOIウェハ
101、104:シリコン層
103:酸化シリコン層
105:レジスト
107:EBレジスト
108:マーク
110:レチクルブランクス
10:レチクル
1:電子銃
2、3:コンデンサレンズ
4:照明ビーム成形開口
5:ブランキング偏向器
7:ブランキング開口
8:照明ビーム偏向器
9:照明レンズ
11:レチクルステージ
12、25:位置検出器
15、19:投影レンズ
16:偏向器
18:コントラスト開口
22:反射電子検出器
23:ウェハ
24:ウェハステージ
2a、3a、5a、8a、9a、15a、16a、19a:コイル電源制御部
31:コントローラ
101、104:シリコン層
103:酸化シリコン層
105:レジスト
107:EBレジスト
108:マーク
110:レチクルブランクス
10:レチクル
1:電子銃
2、3:コンデンサレンズ
4:照明ビーム成形開口
5:ブランキング偏向器
7:ブランキング開口
8:照明ビーム偏向器
9:照明レンズ
11:レチクルステージ
12、25:位置検出器
15、19:投影レンズ
16:偏向器
18:コントラスト開口
22:反射電子検出器
23:ウェハ
24:ウェハステージ
2a、3a、5a、8a、9a、15a、16a、19a:コイル電源制御部
31:コントローラ
Claims (4)
- デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、
を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、
前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部(ストラット間凹部)となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とするレチクルの作製方法。 - デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、
を備える電子線露光用のレチクルの作製方法であって、
(a) シリコンメンブレン層、二酸化シリコン層及びシリコン層が順に積層されたSOIウェハを作製する工程と、
(b) 前記SOIウェハのシリコン層側の面にフォトレジストを塗布して、該レジスト上にストラットのパターンを形成する工程と、
(c) 前記レジストパターンをエッチングマスクとし、前記二酸化シリコン層をエッチングストップ層として、前記シリコン層をエッチングして、ストラットを作製する工程と、
(d) 前記ストラットに囲まれた凹部の前記二酸化シリコン層をエッチングにより除去して、前記ストラット間凹部にシリコンメンブレンを形成する工程と、
(e) 前記ストラット間凹部が形成されている側の面に、レジスト噴霧塗布装置を用いてEBレジストを塗布する工程と、
(f) 前記EBレジスト上に、EB直接描画機を用いてレチクルパターンを描画する工程と、
(g) 前記EBレジスト上のレチクルパターンをシリコンメンブレン上に転写して、ステンシルパターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とするレチクルの作製方法。 - デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、
を備え、
前記メンブレン部におけるパターン形成時に、前記ストラットに囲まれて凹部(ストラット間凹部)となっている側の膜面側からパターン形成が行われていることを特徴とするレチクル。 - 感応基板上に転写すべきデバイスパターンを小領域(サブフィールド)に分割してレチクル上に形成し、
該レチクルを前記サブフィールド毎にエネルギー線で照明し、
該サブフィールドを通過したエネルギー線を前記感応基板上のしかるべき位置に投影結像させ、
該感応基板上では、各サブフィールドのパターンの像を繋ぎ合わせることにより、前記デバイスパターン全体を転写する露光方法であって、
前記レチクルが、デバイスパターンが分割されて形成されており、行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部とを有しており、
前記メンブレン部にパターンを形成する際に、前記ストラットに囲まれて凹部(ストラット間凹部)となっている側の膜面にパターン描画などの露光を行うことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003279567A JP2005045137A (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | レチクルの作製方法、レチクル及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003279567A JP2005045137A (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | レチクルの作製方法、レチクル及び露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005045137A true JP2005045137A (ja) | 2005-02-17 |
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ID=34265638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003279567A Pending JP2005045137A (ja) | 2003-07-25 | 2003-07-25 | レチクルの作製方法、レチクル及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005045137A (ja) |
-
2003
- 2003-07-25 JP JP2003279567A patent/JP2005045137A/ja active Pending
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