JP2001007013A - 転写マスクブランクス及びその製造方法 - Google Patents
転写マスクブランクス及びその製造方法Info
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- JP2001007013A JP2001007013A JP17834099A JP17834099A JP2001007013A JP 2001007013 A JP2001007013 A JP 2001007013A JP 17834099 A JP17834099 A JP 17834099A JP 17834099 A JP17834099 A JP 17834099A JP 2001007013 A JP2001007013 A JP 2001007013A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】感光基板に転写すべきパターンを形成する領域
を均一なエッチングレートのドライエッチングにより支
柱をエッチングする転写マスクブランクス及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 メンブレンと、該メンブレンの外周を固
定してこれを支える外周枠と、前記メンブレンを支持
し、複数の小領域に分割する支柱とを備えた転写マスク
ブランクスであって、複数の小領域に分割されたメンブ
レンは、感光基板に転写すべきパターンを形成する部分
（小領域の集まり）と、その部分の外周に配置された非
パターン部分（ダミー部分）とからなることを特徴とす
る転写マスクブランクス。
を均一なエッチングレートのドライエッチングにより支
柱をエッチングする転写マスクブランクス及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 メンブレンと、該メンブレンの外周を固
定してこれを支える外周枠と、前記メンブレンを支持
し、複数の小領域に分割する支柱とを備えた転写マスク
ブランクスであって、複数の小領域に分割されたメンブ
レンは、感光基板に転写すべきパターンを形成する部分
（小領域の集まり）と、その部分の外周に配置された非
パターン部分（ダミー部分）とからなることを特徴とす
る転写マスクブランクス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線縮小転写
装置に用いられる荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スの製造方法に関する。
装置に用いられる荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
【０００３】しかし、従来の電子線露光方式は、一筆書
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。
【０００４】回路パターンを投影するためにはその回路
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図３（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン１４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図３（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図３（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン１４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図３（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。
【０００５】これらは、感応基板に転写すべきパターン
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。
【０００６】即ち、一回の電子線によって露光される領
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図３（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図３（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。
【０００７】この転写マスクの製造方法の一つとして次
に示す工程が挙げられる。まず、一般的な製造方法によ
り製作した支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリコ
ン活性層からなるＳＯＩ（Silicon on Insulater）基板
を用意する（図４ａ）。基板裏面に酸化シリコン層１４
を成膜し（図４ｂ）、その酸化シリコン層の一部（支柱
形成位置に対応する位置）を窓（開口）パターン形状１
５にエッチングすることによりドライエッチング用マス
ク１６を形成する（図４ｃ）。
に示す工程が挙げられる。まず、一般的な製造方法によ
り製作した支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリコ
ン活性層からなるＳＯＩ（Silicon on Insulater）基板
を用意する（図４ａ）。基板裏面に酸化シリコン層１４
を成膜し（図４ｂ）、その酸化シリコン層の一部（支柱
形成位置に対応する位置）を窓（開口）パターン形状１
５にエッチングすることによりドライエッチング用マス
ク１６を形成する（図４ｃ）。
【０００８】次に、支持シリコン基板４１をドライエッ
チング用マスク４６に形成された開口パターン４５に合
わせてドライエッチングする（図４ｄ）。支持シリコン
基板４１のエッチングはストッパー層としての役割を果
たす酸化シリコン層４２まで行われ、酸化シリコン層４
２及びシリコン活性層４３がシリコン製の外周枠４１ｂ
とシリコン製の支柱４１ａ（幅は約数百μｍ）により支
持され、外周枠４１ｂと支柱１１ａ間及び支柱４１ａ間
に開口を有する構造体が形成される。
チング用マスク４６に形成された開口パターン４５に合
わせてドライエッチングする（図４ｄ）。支持シリコン
基板４１のエッチングはストッパー層としての役割を果
たす酸化シリコン層４２まで行われ、酸化シリコン層４
２及びシリコン活性層４３がシリコン製の外周枠４１ｂ
とシリコン製の支柱４１ａ（幅は約数百μｍ）により支
持され、外周枠４１ｂと支柱１１ａ間及び支柱４１ａ間
に開口を有する構造体が形成される。
【０００９】次に、開口において露出した酸化シリコン
層４２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
４３がシリコンメンブレン４３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図４ｅ）。ドライエッチング
は、ＳＯＩ基板の支持シリコン基板の厚さに相当する深
さ分行わなくてはならず、例えば、３インチＳＯＩ基板
の場合は、３００μｍ以上、８インチＳＯＩ基板の場合
は、７００μｍ以上のドライエッチングが必要となる。
層４２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
４３がシリコンメンブレン４３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図４ｅ）。ドライエッチング
は、ＳＯＩ基板の支持シリコン基板の厚さに相当する深
さ分行わなくてはならず、例えば、３インチＳＯＩ基板
の場合は、３００μｍ以上、８インチＳＯＩ基板の場合
は、７００μｍ以上のドライエッチングが必要となる。
【００１０】このドライエッチングは、公知の側壁保護
プラズマドライエッチング法により行われる。側壁保護
プラズマドライエッチング法は、シリコンエッチング用
ガスと側壁保護用ガスとの混合ガスを流し、側壁保護用
ガスの重合物によりエッチング側壁を保護し、側壁方向
のエッチングを抑制しながら垂直方向にエッチングして
いく方法である。
プラズマドライエッチング法により行われる。側壁保護
プラズマドライエッチング法は、シリコンエッチング用
ガスと側壁保護用ガスとの混合ガスを流し、側壁保護用
ガスの重合物によりエッチング側壁を保護し、側壁方向
のエッチングを抑制しながら垂直方向にエッチングして
いく方法である。
【００１１】混合ガスとして、Ｃｌ2＋ＣＨＦ3、ＳＦ6
＋Ｃ3Ｈ8、ＳＦ6＋ＣＣｌ4等が挙げられ、ＣＨＦ3、Ｃ3
Ｈ8、ＣＣｌ4は重合してエッチング側壁に保護膜を形成
するので、側壁方向のエッチングが抑えられ、シリコン
はＣｌ2、ＳＦ6により垂直方向にエッチングされる。
＋Ｃ3Ｈ8、ＳＦ6＋ＣＣｌ4等が挙げられ、ＣＨＦ3、Ｃ3
Ｈ8、ＣＣｌ4は重合してエッチング側壁に保護膜を形成
するので、側壁方向のエッチングが抑えられ、シリコン
はＣｌ2、ＳＦ6により垂直方向にエッチングされる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】例えば、８インチのＳ
ＯＩ基板から、前述した製造方法を用いて図５に示すよ
うに小領域が９０列×１００行＝９０００個の転写マス
クブランクスを製作すると仮定する。但し、図５は簡略
化して表されているので、図中に示されている格子数と
は一致していない。
ＯＩ基板から、前述した製造方法を用いて図５に示すよ
うに小領域が９０列×１００行＝９０００個の転写マス
クブランクスを製作すると仮定する。但し、図５は簡略
化して表されているので、図中に示されている格子数と
は一致していない。
【００１３】そうすると、ドライエッチングすべき面積
は、ＳＯＩ基板の全面積の３０％以上になる（開口率３
０％以上）。開口率が３０％以上のエッチングは、一般
的な開口率が１０％以下のようなエッチングに比べて、
エッチングレートの均一性が極めて悪い。これは、エッ
チングによって生成させるエッチング生成ガスが大量に
発生するため、エッチングのために前述した混合ガスの
エッチング面への供給が阻止されることにくわえて、エ
ッチング面の周辺部は、２つのガスの入れ換えが比較的
スムーズに行えるが、周辺部から数ミリ中央側に入った
ところは、２つのガスの入れ換えがスムーズに行えない
ことにくわえてず、エッチングによって生成させるエッ
チング生成ガスが大量に発生するため、エッチングのた
めに前述した混合ガスのエッチング面への供給が阻止さ
れることに起因している。
は、ＳＯＩ基板の全面積の３０％以上になる（開口率３
０％以上）。開口率が３０％以上のエッチングは、一般
的な開口率が１０％以下のようなエッチングに比べて、
エッチングレートの均一性が極めて悪い。これは、エッ
チングによって生成させるエッチング生成ガスが大量に
発生するため、エッチングのために前述した混合ガスの
エッチング面への供給が阻止されることにくわえて、エ
ッチング面の周辺部は、２つのガスの入れ換えが比較的
スムーズに行えるが、周辺部から数ミリ中央側に入った
ところは、２つのガスの入れ換えがスムーズに行えない
ことにくわえてず、エッチングによって生成させるエッ
チング生成ガスが大量に発生するため、エッチングのた
めに前述した混合ガスのエッチング面への供給が阻止さ
れることに起因している。
【００１４】従って、例えば、エッチング面の中心部分
のエッチングレートに対して周辺部分のエッチングレー
トが５％程度速くなるようなエッチング装置（開口率が
１０％以下のエッチングを行うという前提の装置）を用
いて、開口率が３０％以上のエッチングを行うと、周辺
部分のエッチングレートは、中心部分のエッチングレー
トに比べて、２０％以上も速くなってしまう。
のエッチングレートに対して周辺部分のエッチングレー
トが５％程度速くなるようなエッチング装置（開口率が
１０％以下のエッチングを行うという前提の装置）を用
いて、開口率が３０％以上のエッチングを行うと、周辺
部分のエッチングレートは、中心部分のエッチングレー
トに比べて、２０％以上も速くなってしまう。
【００１５】このようにエッチング面の中心部分と周辺
部分とでエッチングレートが大きく異なると、エッチン
グレートの速い周辺部分では、サイドエッチングが非常
に大きくなり、メンブレンに向かって支柱が細くなり、
結果的に周辺部分の小領域の形状が変形してしまう。
（図６参照） この問題を解決するために、ガスを低圧化したり、排気
能力を大きくしてエッチングレートを下げて均一化して
きたが、この方法によると、エッチングマスクとの選択
比が急激に下がり、エッチングマスクの厚膜化が必要に
なってしまい、厚膜化により他の問題が生じてしまう。
部分とでエッチングレートが大きく異なると、エッチン
グレートの速い周辺部分では、サイドエッチングが非常
に大きくなり、メンブレンに向かって支柱が細くなり、
結果的に周辺部分の小領域の形状が変形してしまう。
（図６参照） この問題を解決するために、ガスを低圧化したり、排気
能力を大きくしてエッチングレートを下げて均一化して
きたが、この方法によると、エッチングマスクとの選択
比が急激に下がり、エッチングマスクの厚膜化が必要に
なってしまい、厚膜化により他の問題が生じてしまう。
【００１６】そこで、本発明は、従来のこのような問題
点に鑑みてなされたものであり、感光基板に転写すべき
パターンを形成する領域を均一なエッチングレートのド
ライエッチングにより支柱をエッチングする転写マスク
ブランクス及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
点に鑑みてなされたものであり、感光基板に転写すべき
パターンを形成する領域を均一なエッチングレートのド
ライエッチングにより支柱をエッチングする転写マスク
ブランクス及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一に「メン
ブレンと、該メンブレンの外周を固定してこれを支える
外周枠と、前記メンブレンを支持し、複数の小領域に分
割する支柱とを備えた転写マスクブランクスであって、
複数の小領域に分割されたメンブレンは、感光基板に転
写すべきパターンを形成する部分（小領域の集まり）
と、その部分の外周に配置された非パターン部分（ダミ
ー部分）とからなることを特徴とする転写マスクブラン
クス（請求項１）」を提供する。
ブレンと、該メンブレンの外周を固定してこれを支える
外周枠と、前記メンブレンを支持し、複数の小領域に分
割する支柱とを備えた転写マスクブランクスであって、
複数の小領域に分割されたメンブレンは、感光基板に転
写すべきパターンを形成する部分（小領域の集まり）
と、その部分の外周に配置された非パターン部分（ダミ
ー部分）とからなることを特徴とする転写マスクブラン
クス（請求項１）」を提供する。
【００１８】また、本発明は、第二に「支持シリコン基
板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなるＳＯＩ基
板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上に、支柱
形成位置に対応する位置に非パターン形成用開口パター
ンと、パターン形成用開口パターンが設けられたドライ
エッチング用マスクを形成する工程と、前記マスクに設
けられたパターン形成用開口パターンに合わせて、該開
口パターン相互間で略均一なエッチングレートにより前
記支持シリコン層をドライエッチングするとともに、非
パターン形成用開口に合わせて、前記エッチングレート
に比べて速いエッチングレートにより前記支持シリコン
層をドライエッチングする工程と、前記酸化シリコン層
を除去する工程と、を備えた転写マスクブランクスの製
造方法（請求項２）」を提供する。
板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなるＳＯＩ基
板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上に、支柱
形成位置に対応する位置に非パターン形成用開口パター
ンと、パターン形成用開口パターンが設けられたドライ
エッチング用マスクを形成する工程と、前記マスクに設
けられたパターン形成用開口パターンに合わせて、該開
口パターン相互間で略均一なエッチングレートにより前
記支持シリコン層をドライエッチングするとともに、非
パターン形成用開口に合わせて、前記エッチングレート
に比べて速いエッチングレートにより前記支持シリコン
層をドライエッチングする工程と、前記酸化シリコン層
を除去する工程と、を備えた転写マスクブランクスの製
造方法（請求項２）」を提供する。
【００１９】
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態の荷
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明にかかる実施
形態の荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの概略図
である。
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明にかかる実施
形態の荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの概略図
である。
【００２０】実施形態の荷電粒子線露光用転写マスクブ
ランクス１は、メンブレン２とそのメンブレンの外周を
固定してこれを支える外周枠３と、メンブレン２を支持
し、複数の領域に分割する支柱４とを備えた転写マスク
ブランクスであり、その複数の小領域に分割されたメン
ブレンは、感光基板に転写すべきパターンを形成する部
分（９０列×１００行＝９０００個）（小領域の集ま
り）５と、その部分の外周に配置された非パターン部分
（５列×５行に相当）（ダミー部分）６とからなる。
ランクス１は、メンブレン２とそのメンブレンの外周を
固定してこれを支える外周枠３と、メンブレン２を支持
し、複数の領域に分割する支柱４とを備えた転写マスク
ブランクスであり、その複数の小領域に分割されたメン
ブレンは、感光基板に転写すべきパターンを形成する部
分（９０列×１００行＝９０００個）（小領域の集ま
り）５と、その部分の外周に配置された非パターン部分
（５列×５行に相当）（ダミー部分）６とからなる。
【００２１】この非パターン部分６の大きさは、エッチ
ング条件、非パターン部分の大きさとの関係から任意に
決められる。非パターン部分６のエッチングレートは、
パターン部分５のエッチングレートに比べて速くサイド
エッチングが大きいので、メンブレンに向かって支柱４
が細くなっている。
ング条件、非パターン部分の大きさとの関係から任意に
決められる。非パターン部分６のエッチングレートは、
パターン部分５のエッチングレートに比べて速くサイド
エッチングが大きいので、メンブレンに向かって支柱４
が細くなっている。
【００２２】実施形態の転写マスクブランクスの製作工
程では、図４（ｃ）のドライエッチング用マスクに代え
て、実施形態で用いるドライエッチング用マスクが、パ
ターン形成用の開口と、非パターン形成用の開口との双
方を有しており、その開口パターンに合わせて、パター
ン形成部分のエッチングレート比が１〜１．０５になる
ように、ドライエッチング条件を設定し、エッチングレ
ート比が大きくなってしまう部分は、非パターン部分と
して予め予定されている部分に対応させるようにしてい
る点が異なるが、それ以外は従来技術で説明した製作工
程と基本的に同じである。
程では、図４（ｃ）のドライエッチング用マスクに代え
て、実施形態で用いるドライエッチング用マスクが、パ
ターン形成用の開口と、非パターン形成用の開口との双
方を有しており、その開口パターンに合わせて、パター
ン形成部分のエッチングレート比が１〜１．０５になる
ように、ドライエッチング条件を設定し、エッチングレ
ート比が大きくなってしまう部分は、非パターン部分と
して予め予定されている部分に対応させるようにしてい
る点が異なるが、それ以外は従来技術で説明した製作工
程と基本的に同じである。
【００２３】エッチングレート比が１．０５を越える
と、小領域の形状の均一性が損なわれ、パターンを形成
する領域としては適切ではないからである。実施形態に
かかる転写マスクブランクス製作後、メンブレン上にレ
ジストを塗布し、非パターン部分に所定の微細パターン
を電子線描画装置などを用いて焼き付け、転写し所定の
パターンが転写されたレジストをマスクとしてメンブレ
ンをエッチングし、ステンシル転写マスクを完成させ
る。
と、小領域の形状の均一性が損なわれ、パターンを形成
する領域としては適切ではないからである。実施形態に
かかる転写マスクブランクス製作後、メンブレン上にレ
ジストを塗布し、非パターン部分に所定の微細パターン
を電子線描画装置などを用いて焼き付け、転写し所定の
パターンが転写されたレジストをマスクとしてメンブレ
ンをエッチングし、ステンシル転写マスクを完成させ
る。
【００２４】なお、メンブレンを形成した後、メンブレ
ンに感光基板に転写すべき開口パターンを形成する、い
わゆる「バックエッチ先行プロセス」により説明した
が、ＳＯＩ基板のシリコン活性層にパターンを形成した
後、支持シリコン基板、酸化シリコン層を所定のパター
ンにエッチングして感光基板に転写すべき開口パターン
が形成されたメンブレンにする、いわゆる「バックエッ
チ後行プロセス」によっても同様の転写マスクが得られ
る。
ンに感光基板に転写すべき開口パターンを形成する、い
わゆる「バックエッチ先行プロセス」により説明した
が、ＳＯＩ基板のシリコン活性層にパターンを形成した
後、支持シリコン基板、酸化シリコン層を所定のパター
ンにエッチングして感光基板に転写すべき開口パターン
が形成されたメンブレンにする、いわゆる「バックエッ
チ後行プロセス」によっても同様の転写マスクが得られ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる転写
マスクブランクスによれば、均一なエッチングレートに
より形成された小領域の集まりのみをパターン形成部分
とし、エッチングレートが速くサイドエッチングがおこ
る部分については、非パターン部分（ダミー部分）とし
たので、均一な形状の小領域に感光基板に転写すべきパ
ターンを形成することができる。
マスクブランクスによれば、均一なエッチングレートに
より形成された小領域の集まりのみをパターン形成部分
とし、エッチングレートが速くサイドエッチングがおこ
る部分については、非パターン部分（ダミー部分）とし
たので、均一な形状の小領域に感光基板に転写すべきパ
ターンを形成することができる。
【００２６】また、本発明にかかる転写マスクブランク
スの製造方法によれば、エッチングレートが速くなって
しまう部分は、非パターン部分として予め予定されてい
る部分に対応させるようにしているので、感光基板に転
写すべきパターンを形成するために必要な領域は、エッ
チングレートの均一性を担保することができる。
スの製造方法によれば、エッチングレートが速くなって
しまう部分は、非パターン部分として予め予定されてい
る部分に対応させるようにしているので、感光基板に転
写すべきパターンを形成するために必要な領域は、エッ
チングレートの均一性を担保することができる。
【図１】本発明にかかる転写マスクブランクスの概略上
面図である。
面図である。
【図２】本発明にかかる転写マスクブランクスの製造方
法と従来の転写マスクブランクスの製造方法とにおける
エッチング面の位置に対するエッチングレート比を表し
た図である。
法と従来の転写マスクブランクスの製造方法とにおける
エッチング面の位置に対するエッチングレート比を表し
た図である。
【図３】電子線縮小転写装置で用いられる転写マスクの
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
【図４】従来の転写マスクブランクスの製作工程を示す
図である
図である
【図５】従来の転写マスクブランクスの概略上面図であ
る。
る。
【図６】従来の転写マスクブランクスの製造方法による
転写マスクブランクスの概略断面図である。
転写マスクブランクスの概略断面図である。
１・・・転写マスクブランクス ２、１２、２２、３２・・・メンブレン ３、１３・・・外周枠 ４、１４、２３、３３・・・支柱 ５、１５・・・パターン部分 ６・・・非パターン部分 ２１・・・散乱透過マスク ２４・・・散乱体パターン ２７・・・感光基板 ３１・・・散乱ステンシルマスク ３４・・・貫通孔パターン ４１・・・支持シリコン基板 ４２・・・酸化シリコン層 ４３・・・シリコン活性層 ４５・・・開口パターン ４６・・・ドライエッチング用マスク
Claims (2)
- 【請求項１】メンブレンと、該メンブレンの外周を固定
してこれを支える外周枠と、 前記メンブレンを支持し、複数の小領域に分割する支柱
とを備えた転写マスクブランクスであって、 複数の小領域に分割されたメンブレンは、感光基板に転
写すべきパターンを形成する部分（小領域の集まり）
と、その部分の外周に配置された非パターン部分（ダミ
ー部分）とからなることを特徴とする転写マスクブラン
クス。 - 【請求項２】支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリ
コン活性層からなるＳＯＩ基板を用意する工程と、 前記支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位
置に非パターン形成用開口パターンと、パターン形成用
開口パターンが設けられたドライエッチング用マスクを
形成する工程と、 前記マスクに設けられたパターン形成用開口パターンに
合わせて、該開口パターン相互間で略均一なエッチング
レートにより前記支持シリコン層をドライエッチングす
るとともに、非パターン形成用開口に合わせて、前記エ
ッチングレートに比べて速いエッチングレートにより前
記支持シリコン層をドライエッチングする工程と、 前記酸化シリコン層を除去する工程と、を備えた転写マ
スクブランクスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17834099A JP2001007013A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 転写マスクブランクス及びその製造方法 |
| US09/602,435 US6531249B1 (en) | 1999-06-24 | 2000-06-23 | Reticle blanks for charged-particle-beam microlithography and methods for making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17834099A JP2001007013A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 転写マスクブランクス及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001007013A true JP2001007013A (ja) | 2001-01-12 |
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ID=16046790
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP17834099A Pending JP2001007013A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 転写マスクブランクス及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001007013A (ja) |
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| WO2004068565A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Leepl Corp. | 荷電粒子露光用マスク |
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1999
- 1999-06-24 JP JP17834099A patent/JP2001007013A/ja active Pending
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2000
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