JP2000331905A - 荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法 - Google Patents
荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法Info
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- JP2000331905A JP2000331905A JP13570199A JP13570199A JP2000331905A JP 2000331905 A JP2000331905 A JP 2000331905A JP 13570199 A JP13570199 A JP 13570199A JP 13570199 A JP13570199 A JP 13570199A JP 2000331905 A JP2000331905 A JP 2000331905A
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- mask
- silicon oxide
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】側壁付近に氷柱状のものが形成されず、垂直で
シャープな側壁を有する支柱を形成することができる荷
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を提供
する。 【解決手段】支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリ
コン活性層からなるＳＯＩ基板を用意する工程と、前記
支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位置に
開口パターンが設けられ、酸化シリコン層、レジスト層
が順次積層されてなるドライエッチング用マスクを形成
する工程と、前記マスクに設けられた開口パターンに合
わせて前記支持シリコン層をドライエッチングする工程
と、前記酸化シリコン層を除去する工程と、を備えた荷
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。
シャープな側壁を有する支柱を形成することができる荷
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を提供
する。 【解決手段】支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリ
コン活性層からなるＳＯＩ基板を用意する工程と、前記
支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位置に
開口パターンが設けられ、酸化シリコン層、レジスト層
が順次積層されてなるドライエッチング用マスクを形成
する工程と、前記マスクに設けられた開口パターンに合
わせて前記支持シリコン層をドライエッチングする工程
と、前記酸化シリコン層を除去する工程と、を備えた荷
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線縮小転
写露光装置に用いられる転写マスクの転写マスク用ブラ
ンクスの製造方法に関する。
写露光装置に用いられる転写マスクの転写マスク用ブラ
ンクスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
【０００３】しかし、従来の電子線露光方式は、一筆書
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。
【０００４】回路パターンを投影するためにはその回路
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図３（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン２４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図３（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図３（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン２４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図３（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。
【０００５】これらは、感応基板に転写すべきパターン
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。
【０００６】即ち、一回の電子線によって露光される領
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図３（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図３（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。
【０００７】この転写マスクの製造方法の一つとして次
に示す工程が挙げられる。まず、一般的な製造方法によ
り製作した支持シリコン基板４１、酸化シリコン層４
２、シリコン活性層４３からなるＳＯＩ（Silicon on I
nsulater）基板を用意する（図４ａ）。基板裏面に酸化
シリコン又は厚膜レジストからなるドライエッチング用
マスク４６を形成する（図４ｂ）。
に示す工程が挙げられる。まず、一般的な製造方法によ
り製作した支持シリコン基板４１、酸化シリコン層４
２、シリコン活性層４３からなるＳＯＩ（Silicon on I
nsulater）基板を用意する（図４ａ）。基板裏面に酸化
シリコン又は厚膜レジストからなるドライエッチング用
マスク４６を形成する（図４ｂ）。
【０００８】次に、支持シリコン基板４１をドライエッ
チング用マスク４６に形成された開口パターン４５に合
わせてドライエッチングする（図４ｃ）。支持シリコン
基板４１のエッチングはストッパー層としての役割を果
たす酸化シリコン層４２まで行われ、酸化シリコン層４
２及びシリコン活性層４３がシリコン製の外周枠４１ｂ
とシリコン製の支柱４１ａ（幅は約数百μｍ）により支
持され、外周枠４１ｂと支柱１１ａ間及び支柱４１ａ間
に開口を有する構造体が形成される。
チング用マスク４６に形成された開口パターン４５に合
わせてドライエッチングする（図４ｃ）。支持シリコン
基板４１のエッチングはストッパー層としての役割を果
たす酸化シリコン層４２まで行われ、酸化シリコン層４
２及びシリコン活性層４３がシリコン製の外周枠４１ｂ
とシリコン製の支柱４１ａ（幅は約数百μｍ）により支
持され、外周枠４１ｂと支柱１１ａ間及び支柱４１ａ間
に開口を有する構造体が形成される。
【０００９】次に、開口において露出した酸化シリコン
層４２をＨＦ＋ＮＨ3Ｆ混合溶液により除去するとシリ
コン活性層４３がシリコンメンブレン４３ａとなり、転
写マスク用ブランクスが完成する（図４ｄ）。ドライエ
ッチングは、ＳＯＩ基板の支持シリコン基板の厚さに相
当する深さ分行わなくてはならず、例えば、３インチＳ
ＯＩ基板の場合は、３００μｍ以上、８インチＳＯＩ基
板の場合は、７００μｍ以上のドライエッチングが必要
となる。
層４２をＨＦ＋ＮＨ3Ｆ混合溶液により除去するとシリ
コン活性層４３がシリコンメンブレン４３ａとなり、転
写マスク用ブランクスが完成する（図４ｄ）。ドライエ
ッチングは、ＳＯＩ基板の支持シリコン基板の厚さに相
当する深さ分行わなくてはならず、例えば、３インチＳ
ＯＩ基板の場合は、３００μｍ以上、８インチＳＯＩ基
板の場合は、７００μｍ以上のドライエッチングが必要
となる。
【００１０】そのため、エッチング用マスクとしてＳｉ
Ｏ2を用いた場合は、約１０μｍ以上の膜厚が必要であ
り、レジストを用いた場合は、５０〜６０μｍ以上の膜
厚が必要となり、厚膜となってしまう。このドライエッ
チングは、公知の側壁保護プラズマドライエッチング法
により行われる。
Ｏ2を用いた場合は、約１０μｍ以上の膜厚が必要であ
り、レジストを用いた場合は、５０〜６０μｍ以上の膜
厚が必要となり、厚膜となってしまう。このドライエッ
チングは、公知の側壁保護プラズマドライエッチング法
により行われる。
【００１１】側壁保護プラズマドライエッチング法は、
シリコンエッチング用ガスと側壁保護用ガスとの混合ガ
スを流し、側壁保護用ガスの重合物によりエッチング側
壁を保護し、側壁方向のエッチングを抑制しながら垂直
方向にエッチングしていく方法である。混合ガスとし
て、Ｃｌ2＋ＣＨＦ3、ＳＦ6＋Ｃ3Ｈ8、ＳＦ6＋ＣＣｌ4
等が挙げられ、ＣＨＦ3、Ｃ3Ｈ8、ＣＣｌ4は重合してエ
ッチング側壁に保護膜を形成するので、側壁方向のエッ
チングが抑えられ、シリコンはＣｌ2、ＳＦ6により垂直
方向にエッチングされる。
シリコンエッチング用ガスと側壁保護用ガスとの混合ガ
スを流し、側壁保護用ガスの重合物によりエッチング側
壁を保護し、側壁方向のエッチングを抑制しながら垂直
方向にエッチングしていく方法である。混合ガスとし
て、Ｃｌ2＋ＣＨＦ3、ＳＦ6＋Ｃ3Ｈ8、ＳＦ6＋ＣＣｌ4
等が挙げられ、ＣＨＦ3、Ｃ3Ｈ8、ＣＣｌ4は重合してエ
ッチング側壁に保護膜を形成するので、側壁方向のエッ
チングが抑えられ、シリコンはＣｌ2、ＳＦ6により垂直
方向にエッチングされる。
【００１２】
【発明が解決しようする課題】しかし、 酸化シリコン
からなるドライエッチング用マスクを用いた場合、その
酸化シリコン膜自体が有する応力によってＳＯＩ基板が
歪でしまったり、酸化シリコンの成膜途中で剥がれてし
まうという問題が生じる。また、レジストからなるドラ
イエッチング用マスクを用いた場合、エッチング選択比
が悪いため、それを解消するために数十μｍの厚膜のレ
ジストにより対応が可能であるが、レジスト自身が比較
的エッチングされやすいため、即ち、エッチングに対す
る耐久性が悪いため、図５に示すようにレジストの開口
部がドライエッチングの過程で徐々に後退し、支柱形成
のためのドライエッチングが完了するまでには側壁保護
膜の後ろまで後退してしまう。この状況下でドライエッ
チングを行うと、側壁保護膜及びそれに保護されている
シリコンがエッチングされてしまい、氷柱状のものが形
成され、この氷柱状のものは剥がれやすく、ゴミの原因
になるという問題がある。
からなるドライエッチング用マスクを用いた場合、その
酸化シリコン膜自体が有する応力によってＳＯＩ基板が
歪でしまったり、酸化シリコンの成膜途中で剥がれてし
まうという問題が生じる。また、レジストからなるドラ
イエッチング用マスクを用いた場合、エッチング選択比
が悪いため、それを解消するために数十μｍの厚膜のレ
ジストにより対応が可能であるが、レジスト自身が比較
的エッチングされやすいため、即ち、エッチングに対す
る耐久性が悪いため、図５に示すようにレジストの開口
部がドライエッチングの過程で徐々に後退し、支柱形成
のためのドライエッチングが完了するまでには側壁保護
膜の後ろまで後退してしまう。この状況下でドライエッ
チングを行うと、側壁保護膜及びそれに保護されている
シリコンがエッチングされてしまい、氷柱状のものが形
成され、この氷柱状のものは剥がれやすく、ゴミの原因
になるという問題がある。
【００１３】そこで、本発明はこのような従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、側壁付近に氷柱状のもの
が形成されず、垂直でシャープな側壁を有する支柱を形
成することができる荷電粒子線露光用転写マスクブラン
クスの製造方法を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたものであり、側壁付近に氷柱状のもの
が形成されず、垂直でシャープな側壁を有する支柱を形
成することができる荷電粒子線露光用転写マスクブラン
クスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は第一に「支持シ
リコン基板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなる
ＳＯＩ基板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上
に、支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設け
られ、酸化シリコン層、レジスト層が順次積層されてな
るドライエッチング用マスクを形成する工程と、前記マ
スクに設けられた開口パターンに合わせて前記支持シリ
コン層をドライエッチングする工程と、前記酸化シリコ
ン層を除去する工程と、を備えた荷電粒子線露光用転写
マスクブランクスの製造方法（請求項１）」を提供す
る。
リコン基板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなる
ＳＯＩ基板を用意する工程と、前記支持シリコン基板上
に、支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設け
られ、酸化シリコン層、レジスト層が順次積層されてな
るドライエッチング用マスクを形成する工程と、前記マ
スクに設けられた開口パターンに合わせて前記支持シリ
コン層をドライエッチングする工程と、前記酸化シリコ
ン層を除去する工程と、を備えた荷電粒子線露光用転写
マスクブランクスの製造方法（請求項１）」を提供す
る。
【００１５】ドライエッチング用マスクは、基板側から
酸化シリコン層、レジスト層からなるので、ドライエッ
チングの過程でたとえレジストの後退があったとして
も、酸化シリコン層によってエッチングガスが遮蔽され
る。従って側壁保護膜及びそれに保護されているシリコ
ンがエッチングされず、側壁保護膜及びシリコンからな
る氷柱状のものも形成されず、ゴミの発生を抑制するこ
とができる。
酸化シリコン層、レジスト層からなるので、ドライエッ
チングの過程でたとえレジストの後退があったとして
も、酸化シリコン層によってエッチングガスが遮蔽され
る。従って側壁保護膜及びそれに保護されているシリコ
ンがエッチングされず、側壁保護膜及びシリコンからな
る氷柱状のものも形成されず、ゴミの発生を抑制するこ
とができる。
【００１６】また、酸化シリコン層は薄い薄膜（１〜２
μｍ）であるので、膜の応力により基板が歪むという問
題も生じない。
μｍ）であるので、膜の応力により基板が歪むという問
題も生じない。
【００１７】
【発明の実施形態】以下、本発明にかかる実施形態の荷
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明にかかる実施
形態の荷電粒子線露光用転写マスクの概略図である。
電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明にかかる実施
形態の荷電粒子線露光用転写マスクの概略図である。
【００１８】図１は、本発明にかかる実施形態の散乱ス
テンシル転写マスクブランクスの製作工程の一例を示す
図である。まず、一般的な製造方法により製作した支持
シリコン基板１１、酸化シリコン層１２、シリコン活性
層１３からなるＳＯＩ（Silicon on Insulater）基板を
用意する（図１ａ）。
テンシル転写マスクブランクスの製作工程の一例を示す
図である。まず、一般的な製造方法により製作した支持
シリコン基板１１、酸化シリコン層１２、シリコン活性
層１３からなるＳＯＩ（Silicon on Insulater）基板を
用意する（図１ａ）。
【００１９】基板裏面に膜厚１〜２μｍ程度の酸化シリ
コン層１４ａ、膜厚２０〜３０μｍ程度のレジスト層１
４ｂを順次積層し（図１ｂ）、そのレジスト層１４ｂの
一部（支柱形成位置に対応する位置）に電子線描画装置
を用いて窓（開口）パターン形状１５を形成し（図１
ｃ）、これをマスクとしてフッ酸とフッ化アンモニウム
の混合溶液で酸化シリコン層１４ａをウエットエッチン
グすることによりドライエッチング用マスク１６を形成
する（図１ｄ）。
コン層１４ａ、膜厚２０〜３０μｍ程度のレジスト層１
４ｂを順次積層し（図１ｂ）、そのレジスト層１４ｂの
一部（支柱形成位置に対応する位置）に電子線描画装置
を用いて窓（開口）パターン形状１５を形成し（図１
ｃ）、これをマスクとしてフッ酸とフッ化アンモニウム
の混合溶液で酸化シリコン層１４ａをウエットエッチン
グすることによりドライエッチング用マスク１６を形成
する（図１ｄ）。
【００２０】次に、支持シリコン基板１１をドライエッ
チング用マスク１６に形成された開口パターン１５に合
わせてエッチングする（図１ｅ）。支持シリコン基板１
１のエッチングは酸化シリコン層１２まで行われ、酸化
シリコン層１２及びシリコン活性層１３がシリコン製の
外周枠１１ｂとシリコン製の支柱１１ａにより支持さ
れ、外周枠１１ｂと支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に開
口を有する構造体が形成される。
チング用マスク１６に形成された開口パターン１５に合
わせてエッチングする（図１ｅ）。支持シリコン基板１
１のエッチングは酸化シリコン層１２まで行われ、酸化
シリコン層１２及びシリコン活性層１３がシリコン製の
外周枠１１ｂとシリコン製の支柱１１ａにより支持さ
れ、外周枠１１ｂと支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に開
口を有する構造体が形成される。
【００２１】次に、開口において露出した酸化シリコン
層１２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
１３がシリコンメンブレン１３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図１ｆ）。なお、メンブレンを
形成した後、メンブレンに感光基板に転写すべき開口パ
ターンを形成する、いわゆる「バックエッチ先行プロセ
ス」により説明したが、ＳＯＩ基板のシリコン活性層に
パターンを形成した後、支持シリコン基板、酸化シリコ
ン層を所定のパターンにエッチングして感光基板に転写
すべき開口パターンが形成されたメンブレンにする、い
わゆる「バックエッチ後行プロセス」によっても同様の
転写マスクが得られる。
層１２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
１３がシリコンメンブレン１３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図１ｆ）。なお、メンブレンを
形成した後、メンブレンに感光基板に転写すべき開口パ
ターンを形成する、いわゆる「バックエッチ先行プロセ
ス」により説明したが、ＳＯＩ基板のシリコン活性層に
パターンを形成した後、支持シリコン基板、酸化シリコ
ン層を所定のパターンにエッチングして感光基板に転写
すべき開口パターンが形成されたメンブレンにする、い
わゆる「バックエッチ後行プロセス」によっても同様の
転写マスクが得られる。
【００２２】さらに、転写マスク用ブランクスのメンブ
レン１３ａ上にレジストを塗布し、所定の微細パターン
を電子線描画装置などを用いて焼き付け、転写し（図２
ａ）、所定のパターンが転写されたレジストをマスク１
７としてメンブレン１３ａをエッチングし（図２ｂ）、
ステンシル転写マスクを完成させる（図２ｃ）。
レン１３ａ上にレジストを塗布し、所定の微細パターン
を電子線描画装置などを用いて焼き付け、転写し（図２
ａ）、所定のパターンが転写されたレジストをマスク１
７としてメンブレン１３ａをエッチングし（図２ｂ）、
ステンシル転写マスクを完成させる（図２ｃ）。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明にかかる転
写マスクブランクスの製造方法によれば、ＳＯＩ基板の
径が大きく、深いエッチングが必要な場合であっても、
側壁付近に氷柱状のものが形成されず、垂直でシャープ
な側壁を有する支柱を形成することができる。
写マスクブランクスの製造方法によれば、ＳＯＩ基板の
径が大きく、深いエッチングが必要な場合であっても、
側壁付近に氷柱状のものが形成されず、垂直でシャープ
な側壁を有する支柱を形成することができる。
【図１】本発明にかかる転写マスクブランクスの製造方
法の工程図である。
法の工程図である。
【図２】一般的な荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スのメンブレンにパターンを形成して荷電粒子線露光用
転写マスクを製作する工程を示す図である。
スのメンブレンにパターンを形成して荷電粒子線露光用
転写マスクを製作する工程を示す図である。
【図３】電子線縮小転写装置で用いられる転写マスクの
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
【図４】従来の荷電粒子線露光用転写マスクブランクス
の製作工程を示す図である。
の製作工程を示す図である。
【図５】従来のレジストからなるドライエッチング用マ
スクを用いて支柱形成のためのドライエッチングを行う
前の状態を示す図（ａ）とエッチングの途中の状態を示
す図（ｂ）である。
スクを用いて支柱形成のためのドライエッチングを行う
前の状態を示す図（ａ）とエッチングの途中の状態を示
す図（ｂ）である。
１１、４１・・・支持シリコン基板 １１ａ、４１ａ・・・支柱 １１ｂ、４１ｂ・・・外周枠 １２、１４ａ、４２・・・酸化シリコン層 １２ａ・・・酸化シリコン部 １３、４３・・・シリコン活性層 １３ａ、４３ａ・・・シリコンメンブレン １３ｂ、４３ｂ・・・開口パターンが形成されたシリコ
ンメンブレン １４ｂ・・・レジスト層 １５、４５・・・窓（開口）パターン １６・・・酸化シリコン、レジストが順次積層されてな
るドライエッチング用マスク ２１・・・散乱透過マスク ２２、３２・・・メンブレン ２３、３３・・・支柱 ２４・・・散乱体パターン ２７・・・感光基板 １、３１・・・散乱ステンシルマスク ３４・・・貫通孔パターン ４６・・・酸化シリコン又はレジストからなるドライエ
ッチング用マスク
ンメンブレン １４ｂ・・・レジスト層 １５、４５・・・窓（開口）パターン １６・・・酸化シリコン、レジストが順次積層されてな
るドライエッチング用マスク ２１・・・散乱透過マスク ２２、３２・・・メンブレン ２３、３３・・・支柱 ２４・・・散乱体パターン ２７・・・感光基板 １、３１・・・散乱ステンシルマスク ３４・・・貫通孔パターン ４６・・・酸化シリコン又はレジストからなるドライエ
ッチング用マスク
Claims (1)
- 【請求項１】支持シリコン基板、酸化シリコン層、シリ
コン活性層からなるＳＯＩ基板を用意する工程と、 前記支持シリコン基板上に、支柱形成位置に対応する位
置に開口パターンが設けられ、酸化シリコン層、レジス
ト層が順次積層されてなるドライエッチング用マスクを
形成する工程と、 前記マスクに設けられた開口パターンに合わせて前記支
持シリコン層をドライエッチングする工程と、 前記酸化シリコン層を除去する工程と、を備えた荷電粒
子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13570199A JP2000331905A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法 |
| US09/572,723 US6428937B1 (en) | 1999-05-17 | 2000-05-16 | Methods for fabricating reticle blanks for use in making charged-particle-beam microlithography reticles, and reticle blanks and reticles formed using such methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13570199A JP2000331905A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331905A true JP2000331905A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15157884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13570199A Pending JP2000331905A (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | 荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6428937B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000331905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100435974B1 (ko) * | 2000-09-04 | 2004-06-12 | 주식회사 아도반테스토 | 마스크 부재의 제조방법 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3706527B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2005-10-12 | Ｈｏｙａ株式会社 | 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法 |
| JP2002299229A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nikon Corp | 電子線露光用レチクルブランクの作製方法及びマスク |
| JP3674573B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2005-07-20 | ソニー株式会社 | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| JP2003173951A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Tokyo Electron Ltd | 電子ビーム描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用マスクブランクス |
| KR100522725B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2005-10-20 | 주식회사 디엠에스 | 대면적 마스크 및 이를 구비한 노광 시스템 |
| CN107416762B (zh) * | 2017-05-16 | 2020-03-24 | 广东工业大学 | 一种硅纳米孔结构及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221537B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-04-24 | Motorola, Inc. | Method of forming mask with angled struts of reduced height |
-
1999
- 1999-05-17 JP JP13570199A patent/JP2000331905A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-16 US US09/572,723 patent/US6428937B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100435974B1 (ko) * | 2000-09-04 | 2004-06-12 | 주식회사 아도반테스토 | 마스크 부재의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6428937B1 (en) | 2002-08-06 |
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