JP2003158069A - 電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法 - Google Patents
電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反りが非常に小さく、レジスト応力によるブ
ランクの位置歪の発生を低減できる電子線露光用レチク
ル、電子線縮小露光用レチクルブランク及びその製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 シリコンメンブレンとそれを支持する支
柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光用
レチクルブランクを製造する方法であって、１ｍｍ〜５
ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備し、こ
の厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行う工程
と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成された
ＳＯＩウェハを準備する工程と、 ＳＯＩウェハの活性
層の表面と支柱を有する厚いシリコン支持基板とを張り
合わせる工程と、 上記支持ウェハを除去する工程と、
上記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備することを
特徴とする電子線露光用レチクルブランクの製造方法と
した。
ランクの位置歪の発生を低減できる電子線露光用レチク
ル、電子線縮小露光用レチクルブランク及びその製造方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 シリコンメンブレンとそれを支持する支
柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光用
レチクルブランクを製造する方法であって、１ｍｍ〜５
ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備し、こ
の厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行う工程
と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成された
ＳＯＩウェハを準備する工程と、 ＳＯＩウェハの活性
層の表面と支柱を有する厚いシリコン支持基板とを張り
合わせる工程と、 上記支持ウェハを除去する工程と、
上記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備することを
特徴とする電子線露光用レチクルブランクの製造方法と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反りが非常に小さ
く、レジスト応力によるブランクの位置歪の発生を低減
できる電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブ
ランク及びその製造方法に関する。
く、レジスト応力によるブランクの位置歪の発生を低減
できる電子線露光用レチクル、電子線露光用レチクルブ
ランク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、長年微細パターンを形成する手段の主流であった光
を用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒
子線（例えば、電子線やイオンビーム）あるいはＸ線を
利用する新しい露光方式が検討され、実用化されてい
る。このうち、電子線を利用してパターン形成する電子
線露光は、電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることが出
来るため、０．１μｍあるいはそれ以下の微細パターン
を作製できる点に大きな特徴を有している。
い、長年微細パターンを形成する手段の主流であった光
を用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒
子線（例えば、電子線やイオンビーム）あるいはＸ線を
利用する新しい露光方式が検討され、実用化されてい
る。このうち、電子線を利用してパターン形成する電子
線露光は、電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることが出
来るため、０．１μｍあるいはそれ以下の微細パターン
を作製できる点に大きな特徴を有している。
【０００３】しかし、従来からある電子線露光方式は、
一筆書きの方式であったため、微細パターンになればな
るほど絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
くなり、スループットに大きな影響を与えることにな
る。
一筆書きの方式であったため、微細パターンになればな
るほど絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
くなり、スループットに大きな影響を与えることにな
る。
【０００４】そこで提案されたのが、レチクルを利用し
てウェハ上で数百μｍ角を一括に露光していく方式であ
る。図６（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、図６
（ｂ）は、図６（ａ）に示すレチクルの斜視図である。
てウェハ上で数百μｍ角を一括に露光していく方式であ
る。図６（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、図６
（ｂ）は、図６（ａ）に示すレチクルの斜視図である。
【０００５】このレチクルとしては、例えば、厚さ２μ
ｍ程度のメンブレン状のシリコン１に電子線透過部の開
口（図示せず）を開けてパターンを形成したステンシル
マスクや、厚さ０．１μｍ程度のメンブレン状のシリコ
ン１に重金属等でパターン（図示せず）を形成したメン
ブレンマスクがある。このとき一回の電子線によって露
光できる領域はウェハ上で２５０μｍ角程度（レチクル
上で１ｍｍ角程度）である。そのため、半導体チップ全
体を焼くために１ｍｍ角程度のメンブレンを敷き詰めた
構造になっており、これは格子状の支柱２を有するシリ
コン支持基板で支えられている。このシリコン支持基板
の厚さは、例えば８インチレチクルで通常７２５μｍ程
度である。
ｍ程度のメンブレン状のシリコン１に電子線透過部の開
口（図示せず）を開けてパターンを形成したステンシル
マスクや、厚さ０．１μｍ程度のメンブレン状のシリコ
ン１に重金属等でパターン（図示せず）を形成したメン
ブレンマスクがある。このとき一回の電子線によって露
光できる領域はウェハ上で２５０μｍ角程度（レチクル
上で１ｍｍ角程度）である。そのため、半導体チップ全
体を焼くために１ｍｍ角程度のメンブレンを敷き詰めた
構造になっており、これは格子状の支柱２を有するシリ
コン支持基板で支えられている。このシリコン支持基板
の厚さは、例えば８インチレチクルで通常７２５μｍ程
度である。
【０００６】上記レチクルは一般的に次のような方法で
作製される。まず、ボロンをドープした（１００）面シ
リコンウェハの裏面から水酸化カリウム水溶液でウエッ
トエッチングする。ウエットエッチングされる場所以外
は窒化シリコン等で保護されている。また、所望する厚
さに１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度のボロンをド
ープさせることにより、そのドープしたボロンでウエッ
トエッチング速度を遅くできるので、容易にメンブレン
を作製することができる。
作製される。まず、ボロンをドープした（１００）面シ
リコンウェハの裏面から水酸化カリウム水溶液でウエッ
トエッチングする。ウエットエッチングされる場所以外
は窒化シリコン等で保護されている。また、所望する厚
さに１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度のボロンをド
ープさせることにより、そのドープしたボロンでウエッ
トエッチング速度を遅くできるので、容易にメンブレン
を作製することができる。
【０００７】次に、メンブレン上にレジストなどを塗布
し、電子線描画装置などを使用してメンブレン上にレジ
ストパターンを露光し、そのパターンをシリコンメンブ
レンに転写し、ステンシルパターン等を作製していた。
し、電子線描画装置などを使用してメンブレン上にレジ
ストパターンを露光し、そのパターンをシリコンメンブ
レンに転写し、ステンシルパターン等を作製していた。
【０００８】しかし、上記の方法の場合、ウエットエッ
チングが結晶面異方性であるので支柱２に５４．７４°
の角度がついてしまう。このため、１チップ分のレチク
ルが非常に大きくなってしまう問題があり、支柱２をな
るべく細くさらに垂直にするために、シリコン支柱のエ
ッチングにドライエッチングを使用する方法が提案され
てきた。
チングが結晶面異方性であるので支柱２に５４．７４°
の角度がついてしまう。このため、１チップ分のレチク
ルが非常に大きくなってしまう問題があり、支柱２をな
るべく細くさらに垂直にするために、シリコン支柱のエ
ッチングにドライエッチングを使用する方法が提案され
てきた。
【０００９】一つが、同じくボロンドープのシリコンウ
ェハを利用した方法である。この方法は図７（ａ）〜
（ｃ）に示されている。まず、図７（ａ）に示すよう
に、シリコンウェハ４の表面にボロンをドープしてボロ
ンドープ層３を形成する。
ェハを利用した方法である。この方法は図７（ａ）〜
（ｃ）に示されている。まず、図７（ａ）に示すよう
に、シリコンウェハ４の表面にボロンをドープしてボロ
ンドープ層３を形成する。
【００１０】この後、図７（ｂ）に示すように、シリコ
ンウェハ４の裏面から所定の厚さの数十μｍ手前までド
ライエッチングで掘り進めることで、垂直な支柱２を形
成する。このとき、エッチングされる場所以外は酸化珪
素層５で保護されている。次に、図７（ｃ）に示すよう
に、所定の厚さのメンブレンでエッチングストップさせ
るために最後のみウエットエッチングを使用する。次
に、酸化珪素層５を除去する。
ンウェハ４の裏面から所定の厚さの数十μｍ手前までド
ライエッチングで掘り進めることで、垂直な支柱２を形
成する。このとき、エッチングされる場所以外は酸化珪
素層５で保護されている。次に、図７（ｃ）に示すよう
に、所定の厚さのメンブレンでエッチングストップさせ
るために最後のみウエットエッチングを使用する。次
に、酸化珪素層５を除去する。
【００１１】この方法をさらに簡素化させたものがＳＯ
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェハを利用した方法であ
る。図８は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。ＳＯＩ
ウェハは、図８に示すようにシリコン支持基板（支持ウ
ェハ）８の上に酸化珪素層（ＢＯＸ層）７が形成され、
さらにその上に薄膜シリコン層（活性層）６が形成され
ている構造となっている。そのため、中間のＢＯＸ層７
をドライエッチングのエッチングストップ層として使用
することができ、支持ウェハ８の所定の一部分をドライ
エッチングすることで垂直で数百μｍ幅の支柱を持った
レチクルブランクを作製することが可能である。
Ｉ（Silicon On Insulator）ウェハを利用した方法であ
る。図８は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。ＳＯＩ
ウェハは、図８に示すようにシリコン支持基板（支持ウ
ェハ）８の上に酸化珪素層（ＢＯＸ層）７が形成され、
さらにその上に薄膜シリコン層（活性層）６が形成され
ている構造となっている。そのため、中間のＢＯＸ層７
をドライエッチングのエッチングストップ層として使用
することができ、支持ウェハ８の所定の一部分をドライ
エッチングすることで垂直で数百μｍ幅の支柱を持った
レチクルブランクを作製することが可能である。
【００１２】図９（ａ）〜（ｃ）は、ＳＯＩウェハを用
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。まず、図９（ａ）に示すように、活性層６、ＢＯＸ
層７及び支持ウェハ８から構成されたＳＯＩウェハを準
備する。
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。まず、図９（ａ）に示すように、活性層６、ＢＯＸ
層７及び支持ウェハ８から構成されたＳＯＩウェハを準
備する。
【００１３】次に、図９（ｂ）に示すように、支持ウェ
ハ８にレジスト又は酸化珪素層９を形成する。この後、
図９（ｃ）に示すように、このレジスト又は酸化珪素層
９をパターニングすることにより、支柱８ａ〜８ｃを形
成する部分にのみレジスト又は酸化珪素層のパターンを
残して保護する。次に、このパターンをマスクとし且つ
ＢＯＸ層７をエッチングストッパーとして支持ウェハ８
をドライエッチングする。次に、ＢＯＸ層７をウエット
エッチングにより除去する。この後、上記パターンを除
去する。これにより、垂直で数百μｍ幅の支柱８ａ〜８
ｃを持ったレチクルブランクが作製される。
ハ８にレジスト又は酸化珪素層９を形成する。この後、
図９（ｃ）に示すように、このレジスト又は酸化珪素層
９をパターニングすることにより、支柱８ａ〜８ｃを形
成する部分にのみレジスト又は酸化珪素層のパターンを
残して保護する。次に、このパターンをマスクとし且つ
ＢＯＸ層７をエッチングストッパーとして支持ウェハ８
をドライエッチングする。次に、ＢＯＸ層７をウエット
エッチングにより除去する。この後、上記パターンを除
去する。これにより、垂直で数百μｍ幅の支柱８ａ〜８
ｃを持ったレチクルブランクが作製される。
【００１４】上記のいずれの方法においても、支持ウェ
ハ（シリコンウェハ）の厚さに相当するような深さのエ
ッチングを行わなくてはならない。例えば、３インチウ
ェハ使用時では３００μｍ以上、８インチウェハ使用時
では７００μｍ以上の深さを垂直にエッチングすること
が必要となる。
ハ（シリコンウェハ）の厚さに相当するような深さのエ
ッチングを行わなくてはならない。例えば、３インチウ
ェハ使用時では３００μｍ以上、８インチウェハ使用時
では７００μｍ以上の深さを垂直にエッチングすること
が必要となる。
【００１５】この深さをエッチングするためには、側壁
保護を利用したエッチングがよく用いられる。これは、
エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるた
め、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成
するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性の
よいエッチングを行うことができる。
保護を利用したエッチングがよく用いられる。これは、
エッチングすべき溝の横方向のエッチングを抑えるた
め、レジスト表面のエッチング保護のポリマー等を形成
するガスをエッチングガスに添加することで、垂直性の
よいエッチングを行うことができる。
【００１６】８インチウェハを使用して電子線露光用レ
チクルブランクを製作した場合は図１０に示すような構
造になる。すなわち、ウェハ１０には１３２ｍｍ×５５
ｍｍの大きさの支柱を有する構造加工部（メンブレン領
域）１１が二つ並んで形成されている。
チクルブランクを製作した場合は図１０に示すような構
造になる。すなわち、ウェハ１０には１３２ｍｍ×５５
ｍｍの大きさの支柱を有する構造加工部（メンブレン領
域）１１が二つ並んで形成されている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のシリコン支持基板（支持ウェハ）を有するＳＯ
Ｉウェハで製作した電子線露光用レチクルブランクには
次のような問題点がある。
た従来のシリコン支持基板（支持ウェハ）を有するＳＯ
Ｉウェハで製作した電子線露光用レチクルブランクには
次のような問題点がある。
【００１８】第一に、支持ウェハ８は通常のガラスレチ
クルに比べて反りが非常に大きいため、支持ウェハから
なる支柱（格子状シリコン）８ａ〜８ｃを露光装置にチ
ャックする時に大きな歪を生じてしまう。
クルに比べて反りが非常に大きいため、支持ウェハから
なる支柱（格子状シリコン）８ａ〜８ｃを露光装置にチ
ャックする時に大きな歪を生じてしまう。
【００１９】第二に、活性層６にパターンを形成するた
めに、該活性層上にレジスト膜を塗布しなければならな
い。このとき、支持ウェハ８が薄い場合には、塗布した
レジストの応力によってブランク全体に位置歪が発生し
てしまう。
めに、該活性層上にレジスト膜を塗布しなければならな
い。このとき、支持ウェハ８が薄い場合には、塗布した
レジストの応力によってブランク全体に位置歪が発生し
てしまう。
【００２０】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、反りが非常に小さく、レジスト応力に
よるブランクの位置歪の発生を低減できる電子線露光用
レチクル、電子線縮小露光用レチクルブランク及びその
製造方法を提供することを目的とする。
れたものであり、反りが非常に小さく、レジスト応力に
よるブランクの位置歪の発生を低減できる電子線露光用
レチクル、電子線縮小露光用レチクルブランク及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、電子線露光用レチクルブランクの支持基板として数
ｍｍ（１ｍｍ〜５ｍｍ）の厚さの平坦性及び平面性に優
れた厚いシリコン支持基板を使用することとした。そし
て、この厚いシリコン支持基板に最初に支柱を形成し、
次にメンブレンを付加することとした。
め、電子線露光用レチクルブランクの支持基板として数
ｍｍ（１ｍｍ〜５ｍｍ）の厚さの平坦性及び平面性に優
れた厚いシリコン支持基板を使用することとした。そし
て、この厚いシリコン支持基板に最初に支柱を形成し、
次にメンブレンを付加することとした。
【００２２】本発明に係る電子線露光用レチクルブラン
クは、メンブレンとそれを支持する支柱を有する支持基
板からなる電子線露光用レチクルブランクであって、
上記支持基板は、１ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリコ
ンであることを特徴とする。
クは、メンブレンとそれを支持する支柱を有する支持基
板からなる電子線露光用レチクルブランクであって、
上記支持基板は、１ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリコ
ンであることを特徴とする。
【００２３】上記電子線露光用レチクルブランクによれ
ば、メンブレンを支持するシリコン支持基板の厚さは１
ｍｍ〜５ｍｍであるため、従来の支持ウェハ（例えば、
厚さ７２５μｍ程度）に比べて反りを非常に少なくする
ことができる。これにより、レチクルを露光装置にチャ
ックすることによる歪やレジスト応力による位置歪の発
生を抑制することができる。
ば、メンブレンを支持するシリコン支持基板の厚さは１
ｍｍ〜５ｍｍであるため、従来の支持ウェハ（例えば、
厚さ７２５μｍ程度）に比べて反りを非常に少なくする
ことができる。これにより、レチクルを露光装置にチャ
ックすることによる歪やレジスト応力による位置歪の発
生を抑制することができる。
【００２４】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
ブランクにおいて、上記メンブレンには応力調整を行う
ための不純物が導入されていることが好ましい。本発明
に係る電子線露光用レチクルは、電子線で露光する際に
用いるレチクルであって、 パターンが形成されたメン
ブレンと、 このメンブレンを支持する支柱を有し、１
ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリコン支持基板と、 を
具備することを特徴とする。
ブランクにおいて、上記メンブレンには応力調整を行う
ための不純物が導入されていることが好ましい。本発明
に係る電子線露光用レチクルは、電子線で露光する際に
用いるレチクルであって、 パターンが形成されたメン
ブレンと、 このメンブレンを支持する支柱を有し、１
ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリコン支持基板と、 を
具備することを特徴とする。
【００２５】上記電子線露光用レチクルによれば、メン
ブレンを支持するシリコン支持基板の厚さは１ｍｍ〜５
ｍｍであるため、従来の支持ウェハ（例えば、厚さ７２
５μｍ）に比べて反りを非常に少なくすることができ
る。これにより、レチクルを露光装置にチャックするこ
とによる歪やレジスト応力による位置歪の発生を抑制す
ることができる。
ブレンを支持するシリコン支持基板の厚さは１ｍｍ〜５
ｍｍであるため、従来の支持ウェハ（例えば、厚さ７２
５μｍ）に比べて反りを非常に少なくすることができ
る。これにより、レチクルを露光装置にチャックするこ
とによる歪やレジスト応力による位置歪の発生を抑制す
ることができる。
【００２６】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
において、上記メンブレンには応力調整を行うための不
純物が導入されていることが好ましい。本発明に係る電
子線露光用レチクルブランクの製造方法は、シリコンメ
ンブレンとそれを支持する支柱を有する厚いシリコン支
持基板からなる電子線露光用レチクルブランクを製造す
る方法であって、 １ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有する厚い
シリコン支持基板を準備し、この厚いシリコン支持基板
に支柱を設ける加工を行う工程と、 薄膜シリコン層を
有する張り付け基板を準備する工程と、 前記張り付け
基板の薄膜シリコン層の表面と支柱を有する厚いシリコ
ン支持基板とを張り合わせる工程と、 を具備すること
を特徴とする。
において、上記メンブレンには応力調整を行うための不
純物が導入されていることが好ましい。本発明に係る電
子線露光用レチクルブランクの製造方法は、シリコンメ
ンブレンとそれを支持する支柱を有する厚いシリコン支
持基板からなる電子線露光用レチクルブランクを製造す
る方法であって、 １ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有する厚い
シリコン支持基板を準備し、この厚いシリコン支持基板
に支柱を設ける加工を行う工程と、 薄膜シリコン層を
有する張り付け基板を準備する工程と、 前記張り付け
基板の薄膜シリコン層の表面と支柱を有する厚いシリコ
ン支持基板とを張り合わせる工程と、 を具備すること
を特徴とする。
【００２７】本発明に係る電子線露光用レチクルブラン
クの製造方法は、シリコンメンブレンとそれを支持する
支柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光
用レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ
〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備
し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行
う工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成
されたＳＯＩウェハを準備する工程と、 ＳＯＩウェハ
の活性層の表面と支柱を有する厚いシリコン支持基板と
を張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工
程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備する
ことを特徴とする。
クの製造方法は、シリコンメンブレンとそれを支持する
支柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光
用レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ
〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備
し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行
う工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成
されたＳＯＩウェハを準備する工程と、 ＳＯＩウェハ
の活性層の表面と支柱を有する厚いシリコン支持基板と
を張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工
程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備する
ことを特徴とする。
【００２８】本発明に係る電子線露光用レチクルブラン
クの製造方法は、シリコンメンブレンとそれを支持する
支柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光
用レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ
〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備
し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行
う工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成
されたＳＯＩウェハを準備し、このＳＯＩウェハの活性
層の表面に酸化膜を成膜する工程と、 ＳＯＩウェハの
酸化膜の表面と支柱を有する厚いシリコン支持基板とを
張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工程
と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、を具備すること
を特徴とする。
クの製造方法は、シリコンメンブレンとそれを支持する
支柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光
用レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ
〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備
し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行
う工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成
されたＳＯＩウェハを準備し、このＳＯＩウェハの活性
層の表面に酸化膜を成膜する工程と、 ＳＯＩウェハの
酸化膜の表面と支柱を有する厚いシリコン支持基板とを
張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工程
と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、を具備すること
を特徴とする。
【００２９】本発明に係る電子線露光用レチクルブラン
クの製造方法は、シリコンメンブレンとそれを支持する
支柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光
用レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ
〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備
し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行
う工程と、 支柱を有する厚いシリコン支持基板に酸化
膜を成膜する工程と、活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハ
から構成されたＳＯＩウェハを準備する工程と、 ＳＯ
Ｉウェハの活性層の表面と支柱を有する厚いシリコン支
持基板の酸化膜面とを張り合わせる工程と、 前記支持
ウェハを除去する工程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工
程と、 を具備することを特徴とする。
クの製造方法は、シリコンメンブレンとそれを支持する
支柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光
用レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ
〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を準備
し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行
う工程と、 支柱を有する厚いシリコン支持基板に酸化
膜を成膜する工程と、活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハ
から構成されたＳＯＩウェハを準備する工程と、 ＳＯ
Ｉウェハの活性層の表面と支柱を有する厚いシリコン支
持基板の酸化膜面とを張り合わせる工程と、 前記支持
ウェハを除去する工程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工
程と、 を具備することを特徴とする。
【００３０】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
ブランクの製造方法においては、前記ＢＯＸ層を除去す
る工程の後に、前記活性層に応力調整を行うための不純
物を導入する工程をさらに含むことも可能である。
ブランクの製造方法においては、前記ＢＯＸ層を除去す
る工程の後に、前記活性層に応力調整を行うための不純
物を導入する工程をさらに含むことも可能である。
【００３１】また、本発明に係る電子線露光用レチクル
ブランクの製造方法においては、ＳＯＩウェハを準備す
る工程と前記張り合わせる工程との間に、ＳＯＩウェハ
の活性層に応力調整を行うための不純物を導入する工程
をさらに含むことも可能である。
ブランクの製造方法においては、ＳＯＩウェハを準備す
る工程と前記張り合わせる工程との間に、ＳＯＩウェハ
の活性層に応力調整を行うための不純物を導入する工程
をさらに含むことも可能である。
【００３２】さらに、本発明に係る電子線露光用レチク
ルブランクの製造方法においては、前記支柱を設ける加
工は、異方性加工により行われることが好ましく、超音
波加工、放電加工又はレーザ加工により行われることが
特に好ましい。ドライエッチングによって数ｍｍ以上の
厚さのシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行う場
合、メンブレン側で支柱幅が非常に細くなってしまった
り、果ては支柱が無くなってしまうという問題が発生す
ることがある。これに対して、本発明のように異方性加
工方法を用いることにより、均一な支柱幅を有する垂直
なシリコン支柱を容易に加工することができる。
ルブランクの製造方法においては、前記支柱を設ける加
工は、異方性加工により行われることが好ましく、超音
波加工、放電加工又はレーザ加工により行われることが
特に好ましい。ドライエッチングによって数ｍｍ以上の
厚さのシリコン支持基板に支柱を設ける加工を行う場
合、メンブレン側で支柱幅が非常に細くなってしまった
り、果ては支柱が無くなってしまうという問題が発生す
ることがある。これに対して、本発明のように異方性加
工方法を用いることにより、均一な支柱幅を有する垂直
なシリコン支柱を容易に加工することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の実
施の形態による電子線露光用レチクルブランクを示す平
面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１
ｂ線に沿った断面図である。
施の形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の実
施の形態による電子線露光用レチクルブランクを示す平
面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１
ｂ線に沿った断面図である。
【００３４】図１（ａ）に示すように、厚いシリコン支
持基板１２は、大きさが８インチ、厚さが５ｍｍ、平坦
性５μｍ以下の平坦性及び平面性に優れた基板である。
この厚いシリコン支持基板１２には二つの支柱を有する
構造加工部１２ａ、１２ｂが形成されており、各々の支
柱を有する構造加工部はその平面が１３２ｍｍ×５５ｍ
ｍの大きさの長方形形状を有している。
持基板１２は、大きさが８インチ、厚さが５ｍｍ、平坦
性５μｍ以下の平坦性及び平面性に優れた基板である。
この厚いシリコン支持基板１２には二つの支柱を有する
構造加工部１２ａ、１２ｂが形成されており、各々の支
柱を有する構造加工部はその平面が１３２ｍｍ×５５ｍ
ｍの大きさの長方形形状を有している。
【００３５】この厚いシリコン支持基板１２の厚さは１
ｍｍ〜５ｍｍの厚さであれば、他の厚さのシリコン支持
基板を用いることも可能である。厚さ１ｍｍ〜５ｍｍの
数値は、レチクルブランクスの反り量、剛性、支柱形成
加工の容易性等から導き出された値である。具体的に
は、厚さの異なるシリコンウェハ（大きさ８インチ）を
何種類か用意し、このシリコンウェハに幅０．１７ｍｍ
のストラット（支柱）を形成し、厚さ２μｍのメンブレ
ン領域を有するレチクルブランクを形成した。これらの
レチクルブランクの反り量を光波干渉式座標測定機によ
り測定した。また、レチクルブランクにレジストを塗布
した後、レチクルブランクの位置歪みを測定した。その
結果、反り量、位置歪みはシリコン支持基板の厚さが１
ｍｍより厚いと、電子線露光に影響を及ぼさない程度
（例えば、反り量５μｍ以下、位置歪み１０ｎｍ以下）
まで低減されていることが分かった。また、支持基板の
厚さが５ｍｍより厚くなると、支柱を設ける加工を行う
ことが困難になり、均一な支柱幅を有する垂直なシリコ
ン支柱を形成できなくなることが分かった。したがっ
て、本発明のように１ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリ
コン支持基板とすれば、レチクルブランクの反りによる
問題やレジスト応力による位置歪みの問題は生じない。
さらに、厚いシリコン支持基板に均一な支柱幅を有する
垂直な支柱を設けることができる。
ｍｍ〜５ｍｍの厚さであれば、他の厚さのシリコン支持
基板を用いることも可能である。厚さ１ｍｍ〜５ｍｍの
数値は、レチクルブランクスの反り量、剛性、支柱形成
加工の容易性等から導き出された値である。具体的に
は、厚さの異なるシリコンウェハ（大きさ８インチ）を
何種類か用意し、このシリコンウェハに幅０．１７ｍｍ
のストラット（支柱）を形成し、厚さ２μｍのメンブレ
ン領域を有するレチクルブランクを形成した。これらの
レチクルブランクの反り量を光波干渉式座標測定機によ
り測定した。また、レチクルブランクにレジストを塗布
した後、レチクルブランクの位置歪みを測定した。その
結果、反り量、位置歪みはシリコン支持基板の厚さが１
ｍｍより厚いと、電子線露光に影響を及ぼさない程度
（例えば、反り量５μｍ以下、位置歪み１０ｎｍ以下）
まで低減されていることが分かった。また、支持基板の
厚さが５ｍｍより厚くなると、支柱を設ける加工を行う
ことが困難になり、均一な支柱幅を有する垂直なシリコ
ン支柱を形成できなくなることが分かった。したがっ
て、本発明のように１ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリ
コン支持基板とすれば、レチクルブランクの反りによる
問題やレジスト応力による位置歪みの問題は生じない。
さらに、厚いシリコン支持基板に均一な支柱幅を有する
垂直な支柱を設けることができる。
【００３６】図１（ｂ）に示すように、支柱を有する構
造に加工された厚いシリコン支持基板１２の上にはメン
ブレンとなる厚さ２μｍ程度の薄膜シリコン層（活性
層）１５が張り付けられている。この活性層１５には応
力を調整するための不純物が導入されている。つまり、
一回の電子線によって露光できる領域はウェハ上で２５
０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）であるた
め、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度のメン
ブレンを敷き詰めた構造になっており、これが格子状の
支柱を有する厚いシリコン支持基板１２で支えられてい
る。
造に加工された厚いシリコン支持基板１２の上にはメン
ブレンとなる厚さ２μｍ程度の薄膜シリコン層（活性
層）１５が張り付けられている。この活性層１５には応
力を調整するための不純物が導入されている。つまり、
一回の電子線によって露光できる領域はウェハ上で２５
０μｍ角程度（レチクル上で１ｍｍ角程度）であるた
め、半導体チップ全体を焼くために１ｍｍ角程度のメン
ブレンを敷き詰めた構造になっており、これが格子状の
支柱を有する厚いシリコン支持基板１２で支えられてい
る。
【００３７】図２〜図５は、図１に示す電子線縮小露光
用レチクルブランクを製作する方法を示す図である。図
２（ａ）は、厚いシリコン支持基板を示す平面図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿
った断面図である。まず、図２に示すように、大きさが
８インチ、厚さが５ｍｍ、平坦性５μｍ以下の厚いシリ
コン支持基板１２を準備する。
用レチクルブランクを製作する方法を示す図である。図
２（ａ）は、厚いシリコン支持基板を示す平面図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿
った断面図である。まず、図２に示すように、大きさが
８インチ、厚さが５ｍｍ、平坦性５μｍ以下の厚いシリ
コン支持基板１２を準備する。
【００３８】次いで、図３（ａ）に示すように、この厚
いシリコン支持基板１２を超音波加工により格子状の支
柱を有する構造に加工する。次いで、厚いシリコン支持
基板１２を洗浄する。次いで、図３（ｂ）に示すＳＯＩ
ウェハ１６（大きさ８インチ）を準備する。このＳＯＩ
ウェハ１６は、シリコン支持基板（支持ウェハ）１３
と、その支持ウェハ１３上に形成された酸化珪素層（Ｂ
ＯＸ層）１４と、そのＢＯＸ層１４上に形成された厚さ
２μｍ程度の薄膜シリコン層（活性層）１５と、から構
成されている。なお、本実施の形態では、張り付ける基
板としてＳＯＩウェハを用いているが、張り付け基板は
これに限定されるものではなく、薄膜シリコン層を有す
る基板であれば、他の張り付け基板を用いることも可能
である。
いシリコン支持基板１２を超音波加工により格子状の支
柱を有する構造に加工する。次いで、厚いシリコン支持
基板１２を洗浄する。次いで、図３（ｂ）に示すＳＯＩ
ウェハ１６（大きさ８インチ）を準備する。このＳＯＩ
ウェハ１６は、シリコン支持基板（支持ウェハ）１３
と、その支持ウェハ１３上に形成された酸化珪素層（Ｂ
ＯＸ層）１４と、そのＢＯＸ層１４上に形成された厚さ
２μｍ程度の薄膜シリコン層（活性層）１５と、から構
成されている。なお、本実施の形態では、張り付ける基
板としてＳＯＩウェハを用いているが、張り付け基板は
これに限定されるものではなく、薄膜シリコン層を有す
る基板であれば、他の張り付け基板を用いることも可能
である。
【００３９】次に、図４に示すように、このＳＯＩウェ
ハ１６の薄膜シリコン層１５表面と厚いシリコン支持基
板１２とを室温で張り合わせた後、この張り合わせた基
板を１１００℃で熱処理（ベーク）する。これにより、
ＳＯＩウェハ１６と厚いシリコン支持基板１２とを化学
的に結合させて直接接合させる。この張り合わせを行う
場合、予めＳＯＩウェハ１６の薄膜シリコン層１５表面
又は厚いシリコン支持基板１２に酸化膜層（厚さ１００
ｎｍ程度）を形成しておくことが好ましい。この張り合
わせ方法はＳＯＩウェハを作製する時の方法と同様であ
る。
ハ１６の薄膜シリコン層１５表面と厚いシリコン支持基
板１２とを室温で張り合わせた後、この張り合わせた基
板を１１００℃で熱処理（ベーク）する。これにより、
ＳＯＩウェハ１６と厚いシリコン支持基板１２とを化学
的に結合させて直接接合させる。この張り合わせを行う
場合、予めＳＯＩウェハ１６の薄膜シリコン層１５表面
又は厚いシリコン支持基板１２に酸化膜層（厚さ１００
ｎｍ程度）を形成しておくことが好ましい。この張り合
わせ方法はＳＯＩウェハを作製する時の方法と同様であ
る。
【００４０】この後、図５に示すように、張り合わせた
基板におけるＳＯＩウェハの支持ウェハ１３を、水酸化
カリウムを使ったウエットエッチングにより除去する。
次いで、ＳＯＩウェハのＢＯＸ層１４を、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合溶液を使ったウエットエッチング
により除去する。この際のエッチング液は、ＢＯＸ層１
４と活性層１５とで十分なエッチング選択比（十分なエ
ッチング速度の違い）を有するため、メンブレンとなる
活性層１５はまったくエッチングされることがない。張
り合わせの際に酸化膜層を形成した場合には、このとき
同時に厚いシリコン支持基板１２とメンブレンとなる活
性層１５の張り合わせ面の酸化膜層も除去される。
基板におけるＳＯＩウェハの支持ウェハ１３を、水酸化
カリウムを使ったウエットエッチングにより除去する。
次いで、ＳＯＩウェハのＢＯＸ層１４を、フッ酸とフッ
化アンモニウムの混合溶液を使ったウエットエッチング
により除去する。この際のエッチング液は、ＢＯＸ層１
４と活性層１５とで十分なエッチング選択比（十分なエ
ッチング速度の違い）を有するため、メンブレンとなる
活性層１５はまったくエッチングされることがない。張
り合わせの際に酸化膜層を形成した場合には、このとき
同時に厚いシリコン支持基板１２とメンブレンとなる活
性層１５の張り合わせ面の酸化膜層も除去される。
【００４１】次いで、メンブレン化された活性層１５の
応力調整を行うために、熱拡散装置を用いて熱拡散によ
り活性層１５に不純物であるリンをドープする。この際
のリン濃度は、１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度とす
る。このようにして図１に示す電子線露光用レチクルブ
ランクを製作する。
応力調整を行うために、熱拡散装置を用いて熱拡散によ
り活性層１５に不純物であるリンをドープする。この際
のリン濃度は、１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度とす
る。このようにして図１に示す電子線露光用レチクルブ
ランクを製作する。
【００４２】この電子線露光用レチクルブランクのメン
ブレン（活性層１５）に開口又は重金属等でパターン
（図示せず）を形成することにより、電子線露光用レチ
クルを製作することができる。パターンを形成する際は
電子線描画やフォトリソグラフィー技術を用いる。
ブレン（活性層１５）に開口又は重金属等でパターン
（図示せず）を形成することにより、電子線露光用レチ
クルを製作することができる。パターンを形成する際は
電子線描画やフォトリソグラフィー技術を用いる。
【００４３】上記実施の形態によれば、メンブレンを支
持する基板として例えば厚さが５ｍｍ程度の厚いシリコ
ン支持基板１２を用いているため、従来の支持ウェハ
（厚さ７２５μｍ程度）に比べて反りを非常に少なくす
ることができる。これにより、レチクルを露光装置にチ
ャックすることによる歪やレジスト応力による位置歪の
発生を抑制することができる。
持する基板として例えば厚さが５ｍｍ程度の厚いシリコ
ン支持基板１２を用いているため、従来の支持ウェハ
（厚さ７２５μｍ程度）に比べて反りを非常に少なくす
ることができる。これにより、レチクルを露光装置にチ
ャックすることによる歪やレジスト応力による位置歪の
発生を抑制することができる。
【００４４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記実施の形態で
は、厚さ５ｍｍの厚いシリコン支持基板を用いている
が、数ｍｍ（１ｍｍ〜５ｍｍ）の厚さであれば、他の厚
さの厚いシリコン支持基板を用いることも可能である。
シリコン支持基板の厚さを１ｍｍ以上にすることによ
り、従来の支持ウェハ（例えば、厚さ０．７ｍｍ程度）
に比べて反りを非常に少なくすることができる。また、
レチクルの剛性も増すため、レジスト塗布時の変形も低
減できる。
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記実施の形態で
は、厚さ５ｍｍの厚いシリコン支持基板を用いている
が、数ｍｍ（１ｍｍ〜５ｍｍ）の厚さであれば、他の厚
さの厚いシリコン支持基板を用いることも可能である。
シリコン支持基板の厚さを１ｍｍ以上にすることによ
り、従来の支持ウェハ（例えば、厚さ０．７ｍｍ程度）
に比べて反りを非常に少なくすることができる。また、
レチクルの剛性も増すため、レジスト塗布時の変形も低
減できる。
【００４５】また、上記実施の形態では、厚いシリコン
支持基板１２を支柱を有する構造に加工する際に超音波
加工を用いているが、これに限定されるものではなく、
他の加工方法（例えば、放電加工やレーザ加工）を用い
ることも可能である。このような異方性加工方法を用い
ることにより、均一な支柱幅を有する垂直なシリコン支
柱を容易に加工することができる。
支持基板１２を支柱を有する構造に加工する際に超音波
加工を用いているが、これに限定されるものではなく、
他の加工方法（例えば、放電加工やレーザ加工）を用い
ることも可能である。このような異方性加工方法を用い
ることにより、均一な支柱幅を有する垂直なシリコン支
柱を容易に加工することができる。
【００４６】また、上記実施の形態では、ＳＯＩウェハ
１６と厚いシリコン支持基板１２とを直接接合により張
り合わせているが、ＳＯＩウェハと厚いシリコン支持基
板とを陽極接合により張り合わせることも可能である。
１６と厚いシリコン支持基板１２とを直接接合により張
り合わせているが、ＳＯＩウェハと厚いシリコン支持基
板とを陽極接合により張り合わせることも可能である。
【００４７】また、上記実施の形態では、張り合わせた
基板におけるＳＯＩウェハの支持ウェハ１３及びＢＯＸ
層１４をウエットエッチングにより除去しているが、除
去方法はこれに限定されるものではなく、他の除去方法
を用いることも可能であり、例えば、支持ウェハ１３及
びＢＯＸ層１４を研削・研磨又はドライエッチングによ
り除去することも可能である。
基板におけるＳＯＩウェハの支持ウェハ１３及びＢＯＸ
層１４をウエットエッチングにより除去しているが、除
去方法はこれに限定されるものではなく、他の除去方法
を用いることも可能であり、例えば、支持ウェハ１３及
びＢＯＸ層１４を研削・研磨又はドライエッチングによ
り除去することも可能である。
【００４８】また、上記実施の形態では、熱拡散装置を
用いて熱拡散により活性層１５に不純物であるリンをド
ープしているが、活性層１５に不純物イオンをイオン注
入することにより不純物を導入することも可能である。
用いて熱拡散により活性層１５に不純物であるリンをド
ープしているが、活性層１５に不純物イオンをイオン注
入することにより不純物を導入することも可能である。
【００４９】また、上記実施の形態では、活性層１５に
リンをドープしているが、活性層の応力調整を行うこと
ができるものであれば、他の不純物（例えばボロン等）
を導入することも可能である。
リンをドープしているが、活性層の応力調整を行うこと
ができるものであれば、他の不純物（例えばボロン等）
を導入することも可能である。
【００５０】また、上記実施の形態では、ＳＯＩウェハ
１６と厚いシリコン支持基板１２を張り合わせた後に応
力調整のための不純物を導入しているが、張り合わせる
前に予めＳＯＩウェハに不純物を導入しておくことも可
能である。
１６と厚いシリコン支持基板１２を張り合わせた後に応
力調整のための不純物を導入しているが、張り合わせる
前に予めＳＯＩウェハに不純物を導入しておくことも可
能である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、メ
ンブレンを支持する支柱を有する基板として１ｍｍ〜５
ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を用いてい
る。したがって、反りが非常に小さく、レジスト応力に
よるブランクの位置歪の発生を低減できる電子線露光用
レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造
方法を提供することができる。
ンブレンを支持する支柱を有する基板として１ｍｍ〜５
ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を用いてい
る。したがって、反りが非常に小さく、レジスト応力に
よるブランクの位置歪の発生を低減できる電子線露光用
レチクル、電子線露光用レチクルブランク及びその製造
方法を提供することができる。
【図１】図１（ａ）は、本発明の実施の形態による電子
線露光用レチクルブランクを示す平面図であり、図１
（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面
図である。
線露光用レチクルブランクを示す平面図であり、図１
（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面
図である。
【図２】図２（ａ）は、厚いシリコン支持基板を示す平
面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−２
ｂ線に沿った断面図である。
面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−２
ｂ線に沿った断面図である。
【図３】図３（ａ）は、図２に示す厚いシリコン支持基
板を格子状の支柱を有する構造に加工した断面図であ
り、図３（ｂ）は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。
板を格子状の支柱を有する構造に加工した断面図であ
り、図３（ｂ）は、ＳＯＩウェハを示す断面図である。
【図４】図３（ａ）に示す支柱を有する構造の厚いシリ
コン支持基板に図３（ｂ）に示すＳＯＩウェハを張り合
わせた基板を示す断面図である。
コン支持基板に図３（ｂ）に示すＳＯＩウェハを張り合
わせた基板を示す断面図である。
【図５】図４に示すＳＯＩウェハの支持基板及びＢＯＸ
層（酸化珪素層）を除去した基板を示す断面図である。
層（酸化珪素層）を除去した基板を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）は、レチクルを示す断面図であり、
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すレチクルの斜視図であ
る。
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すレチクルの斜視図であ
る。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、従来の電子線露光
用レチクルブランクの作製方法を示す断面図である。
用レチクルブランクの作製方法を示す断面図である。
【図８】ＳＯＩウェハを示す断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は、ＳＯＩウェハを用
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。
いてレチクルブランクを作製する方法を示す断面図であ
る。
【図１０】８インチウェハを使ったレチクルを示す平面
図である。
図である。
１・・・メンブレン状のシリコン
２・・・支柱
３・・・ボロンドープ層
４・・・シリコンウェハ
５・・・酸化珪素層
６、１５・・・薄膜シリコン層（活性層）
７、１４・・・酸化珪素層（ＢＯＸ層）
８、１３・・・シリコン支持基板（支持ウェハ）
８ａ〜８ｃ・・・支柱
９・・・レジスト又は酸化珪素層
１０・・・８インチレチクルブランク
１１・・・支柱を有する構造加工部（メンブレン領域）
１２・・・厚いシリコン支持基板
１２ａ、１２ｂ・・・支柱を有する構造加工部
１６・・・ＳＯＩウェハ
Claims (12)
- 【請求項１】 メンブレンとそれを支持する支柱を有す
る支持基板からなる電子線露光用レチクルブランクであ
って、 上記支持基板は、１ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有するシリコ
ンであることを特徴とする電子線露光用レチクルブラン
ク。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電子線露光用レチクル
ブランクであって、 前記メンブレンには応力調整を行うための不純物が導入
されていることを特徴とする電子線露光用レチクルブラ
ンク。 - 【請求項３】 電子線で露光する際に用いるレチクルで
あって、 パターンが形成されたメンブレンと、 このメンブレンを支持する支柱を有し、１ｍｍ〜５ｍｍ
の厚さを有するシリコン支持基板と、 を具備することを特徴とする電子線露光用レチクル。 - 【請求項４】 請求項３に記載の電子線露光用レチクル
であって、 前記メンブレンには応力調整を行うための不純物が導入
されていることを特徴とする電子線露光用レチクル。 - 【請求項５】 シリコンメンブレンとそれを支持する支
柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光用
レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を
準備し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工
を行う工程と、 薄膜シリコン層を有する張り付け基板を準備する工程
と、 前記張り付け基板の薄膜シリコン層の表面と支柱を有す
る厚いシリコン支持基板とを張り合わせる工程と、 を具備することを特徴とする電子線露光用レチクルブラ
ンクの製造方法。 - 【請求項６】 シリコンメンブレンとそれを支持する支
柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光用
レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を
準備し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工
を行う工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成されたＳＯＩ
ウェハを準備する工程と、 ＳＯＩウェハの活性層の表面と支柱を有する厚いシリコ
ン支持基板とを張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備することを特徴とする電子線露光用レチクルブラ
ンクの製造方法。 - 【請求項７】 シリコンメンブレンとそれを支持する支
柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光用
レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を
準備し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工
を行う工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成されたＳＯＩ
ウェハを準備し、このＳＯＩウェハの活性層の表面に酸
化膜を成膜する工程と、 ＳＯＩウェハの酸化膜の表面と支柱を有する厚いシリコ
ン支持基板とを張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備することを特徴とする電子線露光用レチクルブラ
ンクの製造方法。 - 【請求項８】 シリコンメンブレンとそれを支持する支
柱を有する厚いシリコン支持基板からなる電子線露光用
レチクルブランクを製造する方法であって、 １ｍｍ〜５ｍｍの厚さを有する厚いシリコン支持基板を
準備し、この厚いシリコン支持基板に支柱を設ける加工
を行う工程と、 支柱を有する厚いシリコン支持基板に酸化膜を成膜する
工程と、 活性層、ＢＯＸ層及び支持ウェハから構成されたＳＯＩ
ウェハを準備する工程と、 ＳＯＩウェハの活性層の表面と支柱を有する厚いシリコ
ン支持基板の酸化膜面とを張り合わせる工程と、 前記支持ウェハを除去する工程と、 前記ＢＯＸ層を除去する工程と、 を具備することを特徴とする電子線露光用レチクルブラ
ンクの製造方法。 - 【請求項９】 請求項６乃至８のいずれかに記載の電子
線露光用レチクルブランクの製造方法であって、 前記ＢＯＸ層を除去する工程の後に、前記活性層に応力
調整を行うための不純物を導入する工程をさらに含むこ
とを特徴とする電子線露光用レチクルブランクの製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項６乃至８のいずれかに記載の電
子線露光用レチクルブランクの製造方法であって、 前記ＳＯＩウェハを準備する工程と前記張り合わせる工
程との間に、ＳＯＩウェハの活性層に応力調整を行うた
めの不純物を導入する工程をさらに含むことを特徴とす
る電子線露光用レチクルブランクの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項５乃至８のいずれかに記載の電
子線露光用レチクルブランクの製造方法であって、 前記支柱を設ける加工は、異方性加工により行われるこ
とを特徴とする電子線露光用レチクルブランクの製造方
法。 - 【請求項１２】 請求項５乃至８のいずれかに記載の電
子線露光用レチクルブランクの製造方法であって、 前記支柱を設ける加工は、超音波加工、放電加工又はレ
ーザ加工により行われることを特徴とする電子線露光用
レチクルブランクの製造方法。
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