JPH0262939B2 - - Google Patents
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- JPH0262939B2 JPH0262939B2 JP61168925A JP16892586A JPH0262939B2 JP H0262939 B2 JPH0262939 B2 JP H0262939B2 JP 61168925 A JP61168925 A JP 61168925A JP 16892586 A JP16892586 A JP 16892586A JP H0262939 B2 JPH0262939 B2 JP H0262939B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- oxide film
- hole
- sides
- silicon wafer
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、半導体プロセス用の標準マスクライ
ナーを用いて、例えばシリコンウエハの両面に精
密な位置合せを行う両面露光方法に関する。
ナーを用いて、例えばシリコンウエハの両面に精
密な位置合せを行う両面露光方法に関する。
＜従来の技術＞
半導体ウエハの両面に精密な位置合せの為の孔
を異方性エツチングにより加工する技術が知られ
ている。
を異方性エツチングにより加工する技術が知られ
ている。
＜発明が解決しようとする問題点＞
しかしながら、半導体ウエハの加工においては
孔を開けた後連続して様々な工程を必要とする。
孔を開けた後連続して様々な工程を必要とする。
本発明は位置合せ孔を開けた以後の工程におけ
る加工の容易化をはかつたウエハを提供すること
を目的とする。
る加工の容易化をはかつたウエハを提供すること
を目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞
上記問題点を解決するための本発明の構成は、
（100）の結晶面を有するウエハに熱酸化膜を
形成し、 前記ウエハの酸化膜を取除いてオリエンテーシ
ヨンフラツトの＜110＞方向に平行な辺を有する
少なくとも二つの方形の窓を形成し、 異方性エツチング法を用いて前記ウエハに方形
の孔を形成し、露光基準として位置合せを行う様
にしたウエハの両面露光法において、 前記ウエハの両面に熱酸化膜を形成し、 前記方形の孔の一方は前記酸化膜で覆つたまま
の状態としたことを特徴とするものである。
形成し、 前記ウエハの酸化膜を取除いてオリエンテーシ
ヨンフラツトの＜110＞方向に平行な辺を有する
少なくとも二つの方形の窓を形成し、 異方性エツチング法を用いて前記ウエハに方形
の孔を形成し、露光基準として位置合せを行う様
にしたウエハの両面露光法において、 前記ウエハの両面に熱酸化膜を形成し、 前記方形の孔の一方は前記酸化膜で覆つたまま
の状態としたことを特徴とするものである。
＜実施例＞
第１図、第２図は本発明を実施するために、例
えばシリコンウエハに目印のための孔を明ける工
程を示すもので、ａは平面図、ｂはａのＡ−Ａ断
面図である。第１図ａにおいて、はじめに（100）
シリコンウエハ１の両面に熱酸化膜（SiO2）２
を形成する。このSiO2の一部を取除き、一辺が
オリエンテーシヨンフラツト３の＜110＞方向に
平行な辺を有する正方形の窓を設ける。図ではシ
リコンウエハ１の外周近傍の２箇所に窓７が形成
されている。このシリコンウエハ１をアルカリ液
（KOH水溶液、ヒドラジンエチレンジアミンピロ
カテコール水溶液、NaOH水溶液など）に浸し
窓の部分をエツチングする。その結果、第２図
ａ，ｂに示すように窓の壁面に｛111｝面が現わ
れてピラミツド状の孔４を明けることが出来る。
この孔は結晶構造に沿つているため極めて正確に
形成することが出来る。そして、この発明では孔
の一方を酸化膜で塞いだままの状態にしておくこ
とが重要な点であり、このことにより次工程では
この酸化膜をパターニングして所望の加工を行う
ことができ、さらに孔が塞がつたままの状態なの
でウエハを真空チヤツクで固定する場合にもより
強固にチヤツキングすることができる。また孔が
開口した面では孔のエツジ部に例えばレジスト剤
等が盛上がつて不具合が生じることがあるが、こ
こでは一方の面が塞がつたままなので、少なくと
もこの面では加工時にエツジが存在することによ
る不具合が生じることがない。
えばシリコンウエハに目印のための孔を明ける工
程を示すもので、ａは平面図、ｂはａのＡ−Ａ断
面図である。第１図ａにおいて、はじめに（100）
シリコンウエハ１の両面に熱酸化膜（SiO2）２
を形成する。このSiO2の一部を取除き、一辺が
オリエンテーシヨンフラツト３の＜110＞方向に
平行な辺を有する正方形の窓を設ける。図ではシ
リコンウエハ１の外周近傍の２箇所に窓７が形成
されている。このシリコンウエハ１をアルカリ液
（KOH水溶液、ヒドラジンエチレンジアミンピロ
カテコール水溶液、NaOH水溶液など）に浸し
窓の部分をエツチングする。その結果、第２図
ａ，ｂに示すように窓の壁面に｛111｝面が現わ
れてピラミツド状の孔４を明けることが出来る。
この孔は結晶構造に沿つているため極めて正確に
形成することが出来る。そして、この発明では孔
の一方を酸化膜で塞いだままの状態にしておくこ
とが重要な点であり、このことにより次工程では
この酸化膜をパターニングして所望の加工を行う
ことができ、さらに孔が塞がつたままの状態なの
でウエハを真空チヤツクで固定する場合にもより
強固にチヤツキングすることができる。また孔が
開口した面では孔のエツジ部に例えばレジスト剤
等が盛上がつて不具合が生じることがあるが、こ
こでは一方の面が塞がつたままなので、少なくと
もこの面では加工時にエツジが存在することによ
る不具合が生じることがない。
第３図ａは前記シリコンウエハ１の＜110＞方
向に対して±45゜傾けたクロスラインパターンを
マーカとする回路パターンマスク６を示すもので
あり、第３図ｂは第３図ａのイ部の拡大平面図で
マーカ５を前記第２図で作成したシリコンウエハ
の裏面に重ねた状態を示す図である。図に示すよ
うにマーカ５の２辺が孔４の角に位置するように
位置合せをすれば回路パターンを両面とも常に同
じ位置に容易に配置することが出来る。なお、孔
を塞いでいる酸化膜は0.5〜1μｍ程度の透明膜な
ので位置合せの際に問題になることはない。
向に対して±45゜傾けたクロスラインパターンを
マーカとする回路パターンマスク６を示すもので
あり、第３図ｂは第３図ａのイ部の拡大平面図で
マーカ５を前記第２図で作成したシリコンウエハ
の裏面に重ねた状態を示す図である。図に示すよ
うにマーカ５の２辺が孔４の角に位置するように
位置合せをすれば回路パターンを両面とも常に同
じ位置に容易に配置することが出来る。なお、孔
を塞いでいる酸化膜は0.5〜1μｍ程度の透明膜な
ので位置合せの際に問題になることはない。
なお、本実施例においてはウエハをシリコンと
して説明したがシリコンに限るものではない。ま
た、本実施例においてはマーカの形状をクロスラ
インで示したが本実施例に限ることなく、例えば
孔のエツチングパターンと同形のパターンとして
もよく、マーカとしての機能が果せる形状であれ
ば別の形状でもよい。また、回路パターンに限ら
ずシリコンウエハ自身を裏面の回路パターンの所
望の位置に合わせて加工することも可能である。
して説明したがシリコンに限るものではない。ま
た、本実施例においてはマーカの形状をクロスラ
インで示したが本実施例に限ることなく、例えば
孔のエツチングパターンと同形のパターンとして
もよく、マーカとしての機能が果せる形状であれ
ば別の形状でもよい。また、回路パターンに限ら
ずシリコンウエハ自身を裏面の回路パターンの所
望の位置に合わせて加工することも可能である。
＜発明の効果＞
以上実施例とともに具体的に説明したように、
本発明によれば、孔の一方を酸化膜で塞いだまま
の状態にしているので次工程ではこの酸化膜をパ
ターニングして所望の加工を行うことができ、さ
らに孔が塞がつたままの状態なのでウエハを真空
チヤツクで固定する場合にもより強固にチヤツキ
ングすることができる。また孔が開口した面では
孔のエツジ部に例えばレジスト剤等が盛上がつて
不具合が生じることがあるが、ここでは一方の面
が塞がつたままなので、少なくともこの面では加
工時にエツジが存在することによる不具合が生じ
ることがない。
本発明によれば、孔の一方を酸化膜で塞いだまま
の状態にしているので次工程ではこの酸化膜をパ
ターニングして所望の加工を行うことができ、さ
らに孔が塞がつたままの状態なのでウエハを真空
チヤツクで固定する場合にもより強固にチヤツキ
ングすることができる。また孔が開口した面では
孔のエツジ部に例えばレジスト剤等が盛上がつて
不具合が生じることがあるが、ここでは一方の面
が塞がつたままなので、少なくともこの面では加
工時にエツジが存在することによる不具合が生じ
ることがない。
第１図ａ，ｂ、第２図ａ，ｂは本発明の実施に
あたりシリコンウエハに目印のための孔を明ける
工程を示す図、第３図ａはクロスラインパターン
をマーカとする回路パターンマスクを示す図、第
３図ｂはマーカをシリコンウエハに重ねた状態を
示す図である。 １……シリコンウエハ、４……孔、５……マー
カ、６……回路パターン、７……窓。
あたりシリコンウエハに目印のための孔を明ける
工程を示す図、第３図ａはクロスラインパターン
をマーカとする回路パターンマスクを示す図、第
３図ｂはマーカをシリコンウエハに重ねた状態を
示す図である。 １……シリコンウエハ、４……孔、５……マー
カ、６……回路パターン、７……窓。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （100）の結晶面を有するウエハに熱酸化膜
を形成し、 前記ウエハの酸化膜を取除いてオリエンテーシ
ヨンフラツトの＜110＞方向に平行な辺を有する
少なくとも二つの方形の窓を形成し、 異方性エツチング法を用いて前記ウエハに方形
の孔を形成し、露光基準として位置合せを行う様
にしたウエハの両面露光法において、 前記ウエハの両面に熱酸化膜を形成し、 前記方形の孔の一方は前記酸化膜で覆つたまま
の状態としたことを特徴とするウエハの両面露光
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168925A JPS6324617A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | ウエハの両面露光法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168925A JPS6324617A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | ウエハの両面露光法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324617A JPS6324617A (ja) | 1988-02-02 |
| JPH0262939B2 true JPH0262939B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15877089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61168925A Granted JPS6324617A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | ウエハの両面露光法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324617A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049040A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Japan Styrene Paper Co Ltd | ポリプロピレン系樹脂発泡粒子 |
| US7631579B2 (en) | 2002-08-12 | 2009-12-15 | Wagic, Inc. | Customizable light bulb changer |
| US8516925B2 (en) | 2009-09-17 | 2013-08-27 | Wagic, Inc. | Extendable multi-tool including interchangable light bulb changer and accessories |
| JP5609513B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-10-22 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52152172A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Working method of mask alignment mark holes |
| JPS53127266A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Fujitsu Ltd | Forming method of marker |
| JPS5459083A (en) * | 1977-10-19 | 1979-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Double-sided pattern forming method for semiconductor wafer |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP61168925A patent/JPS6324617A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52152172A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Working method of mask alignment mark holes |
| JPS53127266A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Fujitsu Ltd | Forming method of marker |
| JPS5459083A (en) * | 1977-10-19 | 1979-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Double-sided pattern forming method for semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324617A (ja) | 1988-02-02 |
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