JPS622542A - 単結晶基板 - Google Patents
単結晶基板Info
- Publication number
- JPS622542A JPS622542A JP60140382A JP14038285A JPS622542A JP S622542 A JPS622542 A JP S622542A JP 60140382 A JP60140382 A JP 60140382A JP 14038285 A JP14038285 A JP 14038285A JP S622542 A JPS622542 A JP S622542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pattern
- oxide film
- groove pattern
- thermal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は８１等の単結晶の素材からなる基板に関する
ものである。
ものである。
結晶方位に依存するエツチングにより単結晶基板上に微
細加工を施す場合には、まずエツチングのマスクとなる
層を基板上に形成して、そのマスク層に基板の結晶方位
と合わせた所望のパタンを転写する必要がある。
細加工を施す場合には、まずエツチングのマスクとなる
層を基板上に形成して、そのマスク層に基板の結晶方位
と合わせた所望のパタンを転写する必要がある。
従来、パタンの転写を露光装置により行なう場合には、
基板の結晶方位と転写すべきパタンの方向とを合わせる
ために、例えば特開昭５９−１３９６２６号に示される
ように、基板の周縁の一部分に設けられた結晶方位を示
す直線部分すなわちオリエンテーションフラットを利用
していた。しかし、オリエンテーションフラットは機械
加工されたもので、所定の結晶方位に対する角度誤差が
あること、露光装置はこのオリエンテーションフラット
を機械的な位置決めに利用していること等から、基板上
のマスク層に転写されるパタンの方向と基板の結晶方位
との間には角度誤差が生ずる。その結果、基板の結晶方
位に依存するエツチングにより除去される部分はマスク
層に形成されたパタンより大きくなり、寸法精度が劣化
するという問題点がある。
基板の結晶方位と転写すべきパタンの方向とを合わせる
ために、例えば特開昭５９−１３９６２６号に示される
ように、基板の周縁の一部分に設けられた結晶方位を示
す直線部分すなわちオリエンテーションフラットを利用
していた。しかし、オリエンテーションフラットは機械
加工されたもので、所定の結晶方位に対する角度誤差が
あること、露光装置はこのオリエンテーションフラット
を機械的な位置決めに利用していること等から、基板上
のマスク層に転写されるパタンの方向と基板の結晶方位
との間には角度誤差が生ずる。その結果、基板の結晶方
位に依存するエツチングにより除去される部分はマスク
層に形成されたパタンより大きくなり、寸法精度が劣化
するという問題点がある。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、マスク層に転写すべきパタンの方向を結晶方位に正
しく合わせることができる単結晶基板を提供することを
目的とする。
で、マスク層に転写すべきパタンの方向を結晶方位に正
しく合わせることができる単結晶基板を提供することを
目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、少なく
とも片面に、その素材の結晶方位を示す段差パタンを少
なくとも１個形成する。
とも片面に、その素材の結晶方位を示す段差パタンを少
なくとも１個形成する。
第１図はこの発明に係るＳｉ単結晶基板を示す図である
。図において、１は面方位が（１０Ｇ）であるＳｉ単結
晶基板、７は基板１のオリエンテーションフラット、２
は基板１の表面に形成された溝パタンで、溝パタン２は
オリエンテーションフラット７の近傍に位置しており、
溝パタン２の長さはオリエンテーションフラット７の長
さとほぼ同じであり、また溝パタン２の幅は約ｌＯ−で
ある。
。図において、１は面方位が（１０Ｇ）であるＳｉ単結
晶基板、７は基板１のオリエンテーションフラット、２
は基板１の表面に形成された溝パタンで、溝パタン２は
オリエンテーションフラット７の近傍に位置しており、
溝パタン２の長さはオリエンテーションフラット７の長
さとほぼ同じであり、また溝パタン２の幅は約ｌＯ−で
ある。
つぎに、露光装置を用いて第１図に示したＳｉ単結晶基
板上に回路パタンを転写する方法について説明する。ま
ず、従来の方法でオリエンテーションフラット７により
粗位置決めを行なった後、露光装置が通常有している光
学的な位置検出手段により、溝パタン２の一定距離をお
いた２個所の位置を検出する。この位置検出により基板
１の回転装着誤差が正確に検出されるので、その回転装
着誤差に応じて基板１を回転することにより、基板１の
結晶方位とマスク層に転写すべきパタンの方向とを合わ
せた後、基板１上に回路パタンを転写する。
板上に回路パタンを転写する方法について説明する。ま
ず、従来の方法でオリエンテーションフラット７により
粗位置決めを行なった後、露光装置が通常有している光
学的な位置検出手段により、溝パタン２の一定距離をお
いた２個所の位置を検出する。この位置検出により基板
１の回転装着誤差が正確に検出されるので、その回転装
着誤差に応じて基板１を回転することにより、基板１の
結晶方位とマスク層に転写すべきパタンの方向とを合わ
せた後、基板１上に回路パタンを転写する。
ついで、基板１に溝パタン２を形成する方法を第２図に
より説明する。まず、基板１の表面に熱酸化［３を形成
する（第２図（ａ））、つぎに。
より説明する。まず、基板１の表面に熱酸化［３を形成
する（第２図（ａ））、つぎに。
熱酸化［３の上にホトレジスト４を塗布する（第２図（
ｂ））、ついで、露光装置を用いた露光および現像によ
り、ホトレジスト４に溝パタン５を形成する（第２図（
ｃ））、この溝パタン５の転写は露光装置を用いて従来
の方法で行なわれるため、第３図に示すように、溝パタ
ン５の長手方向と基板１の結晶方位＜ＯＩＴ＞方向とは
必ずしも一致せず、角度誤差θを生じている。つぎに、
ホトレジスト４をマスクとしてフッ化水素酸等で熱酸化
膜３をエツチングすることにより、熱酸化膜３に溝パタ
ン６を形成する（第２図（ｄ））、この場合、溝パタン
６の長手方向は溝パタン５の長手方向と同様となる。つ
いで、ホトレジスト４を除去した後、熱酸化膜３をマス
クとして、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物の水溶液あ
るいはヒドラジン等のアミン系水溶液を用いてエツチン
グを行なうことにより、基板１の表面に溝パタン２を形
成する（第２図（ｅ））。これらのエツチングでは、Ｓ
ｉの（Ｉｌｌ）面のエツチングレートが他の結晶面のエ
ツチングレートに比べて非常に小さいので。
ｂ））、ついで、露光装置を用いた露光および現像によ
り、ホトレジスト４に溝パタン５を形成する（第２図（
ｃ））、この溝パタン５の転写は露光装置を用いて従来
の方法で行なわれるため、第３図に示すように、溝パタ
ン５の長手方向と基板１の結晶方位＜ＯＩＴ＞方向とは
必ずしも一致せず、角度誤差θを生じている。つぎに、
ホトレジスト４をマスクとしてフッ化水素酸等で熱酸化
膜３をエツチングすることにより、熱酸化膜３に溝パタ
ン６を形成する（第２図（ｄ））、この場合、溝パタン
６の長手方向は溝パタン５の長手方向と同様となる。つ
いで、ホトレジスト４を除去した後、熱酸化膜３をマス
クとして、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物の水溶液あ
るいはヒドラジン等のアミン系水溶液を用いてエツチン
グを行なうことにより、基板１の表面に溝パタン２を形
成する（第２図（ｅ））。これらのエツチングでは、Ｓ
ｉの（Ｉｌｌ）面のエツチングレートが他の結晶面のエ
ツチングレートに比べて非常に小さいので。
基板１の（１００）面と（１１１）面との交線である＜
ＯＩＴ＞方向を一辺とする長方形のエツチングプロファ
イルが得られる。このエツチングプロファイルは、第３
図に示すように、溝パタン５，６に外接する形状となり
、溝パタン２の一辺は正確に＜ＯＩＴ＞方向を示してい
る。最後に、基板１の表面の熱酸化膜３を除去すること
により、第１図に示すＳｉ単結晶基板が得られる（第２
図（ｆ））。
ＯＩＴ＞方向を一辺とする長方形のエツチングプロファ
イルが得られる。このエツチングプロファイルは、第３
図に示すように、溝パタン５，６に外接する形状となり
、溝パタン２の一辺は正確に＜ＯＩＴ＞方向を示してい
る。最後に、基板１の表面の熱酸化膜３を除去すること
により、第１図に示すＳｉ単結晶基板が得られる（第２
図（ｆ））。
なお、上述実施例においては、基板１の片面にのみ溝パ
タン２を形成したが、基板１の両面に溝パタン２を形成
してもよい、また、上述実施例においては、基板１の表
面に１個の溝パタン２を形成したが、基板１の表面に複
数の溝パタン２を形成してもよい、さらに、上述実施例
においては。
タン２を形成したが、基板１の両面に溝パタン２を形成
してもよい、また、上述実施例においては、基板１の表
面に１個の溝パタン２を形成したが、基板１の表面に複
数の溝パタン２を形成してもよい、さらに、上述実施例
においては。
オリエンテーションフラット７の近傍に溝パタン２を形
成したが、基板１の他の周辺部あるいは中央部に溝パタ
ン２を形成してもよい、そして、溝パタン２は露光装置
に対する基板１の回転装着誤差を検出するためのもので
あるから、転写する回路パタンの障害にならない範囲で
細長い形状にすることが望ましい、また、上述実施例に
おいては、段差パタンとして溝パタン２を形成した場合
について説明したが、段差パタンとしてオリエンテーシ
ョンフラット７の縁部に斜面を形成してもよい。
成したが、基板１の他の周辺部あるいは中央部に溝パタ
ン２を形成してもよい、そして、溝パタン２は露光装置
に対する基板１の回転装着誤差を検出するためのもので
あるから、転写する回路パタンの障害にならない範囲で
細長い形状にすることが望ましい、また、上述実施例に
おいては、段差パタンとして溝パタン２を形成した場合
について説明したが、段差パタンとしてオリエンテーシ
ョンフラット７の縁部に斜面を形成してもよい。
さらに、上述実施例においては、Ｓｉ単結晶基板の場合
について説明したが、素材がＳＬ以外の単結晶基板にも
この発明を適用することができる。
について説明したが、素材がＳＬ以外の単結晶基板にも
この発明を適用することができる。
以上説明したように、この発明に係る単結晶基板におい
ては、マスク層に転写すべきパタンの方向と結晶方位と
を正しく合わせることができるので、結晶方位に依存す
るエツチングを用いた微細加工を施すときの寸法精度を
向上することができる。このように、この発明の効果は
顕著である。
ては、マスク層に転写すべきパタンの方向と結晶方位と
を正しく合わせることができるので、結晶方位に依存す
るエツチングを用いた微細加工を施すときの寸法精度を
向上することができる。このように、この発明の効果は
顕著である。
第１図はこの発明に係るＳｉ単結晶基板を示す図、第２
図、第３図は第１図に示したＳｉ単結晶基板の製造方法
の説明図である。
図、第３図は第１図に示したＳｉ単結晶基板の製造方法
の説明図である。
Claims (2)
- （１）少なくとも片面に、その素材の結晶方位を示す段
差パタンを少なくとも１個形成したことを特徴とする単
結晶基板。 - （２）上記段差パタンとして溝パタンを形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の単結晶基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140382A JPS622542A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 単結晶基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140382A JPS622542A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 単結晶基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622542A true JPS622542A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15267513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140382A Pending JPS622542A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 単結晶基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267193A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60140382A patent/JPS622542A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267193A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハ |
| JP4615664B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2011-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体ウェーハ |
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