JPH01276626A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置、特にアライメントマークの製造
に関するものである。

〔従来の技術〕

従来のスクライブ領域に形成された縮小投影型露光装置
（以下ステッパー）のゲート配線層のアライメントマー
クの構造は第３図の平面図と第４図の断面図に示したよ
うに簡単に、アライメントマーク２をスクライブ領域ｌ
の半導体基板４の上に形成したものであった。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、前述の従来の技術では、ゲート配線層のアライ
メントマーク２の下の半導体基板４が、ゲート配線層の
パターン形成時のエツチングにおいて掘られる。さらに
後工程の絶縁膜形成時に実施される前洗浄の弗化水素酸
水溶液によるエツチングによりアライントマーク下の前
記半導体基板４は、第４図の断面図のように大きく掘り
収られる。このような事が生じても、前記アライメント
マーク２の寸法が十分に太ければ、半導体基板４より剥
離することは生じないであろうが、アライメントマーク
の寸法はスラッパーによって決定しておりほぼ２．Ｏノ
ｚｍと細いために、時としてアライメントマークの一部
パターンは半導体基板４より剥離して、アライメントマ
ークが損傷を受は不完全な鞠となってアライメント不能
を生じさせ半導体装置の製造に大きな支障をきたすとい
う重大な問題を生じさせる。

また、半導体基板より剥離したゲート配線層のアライメ
ントマークのパターンが同一の半導体基板もしくは他の
半導体基板に１寸着して、ゲート配線層パターンや金属
配線層パターンの短絡を生じさせたり、半導体基板に１
寸着することにより、後工程の絶縁膜の形成時の突起物
として被覆性や絶縁性の悪化の原因となって半導体装置
としての機能低下を引きおこし、歩留り低下や、長期信
頼性の劣化を生じさせるという問題を生じさせる。

さらには、付着したアライメントマークのパターンによ
り、フォトリソグラフィー工程におけるフォトレジスト
の膜厚めバラツキを生じさせるという重大な問題が発生
する。付着したアライメントマークのパターンがある所
には凸が生じ凸の頂上はフォトレジストが薄くなり、金
属配線ならば配線パターンの断線を生じさせ、絶縁膜な
らば、ピンホールの発生が起る。また、凸の下の部分に
おいては、金属配線の隣接するパターンが短絡、接続が
発生し、絶縁膜ならば所定の穴（ホール）の形成が十分
にされずに穴径が小さくなるかつぶれで皆無となり半導
体装置としては電気に接続不良となる０以上述べたよう
に、半導体装置としての品質の低下や歩留りの劣化を生
じさせるという問題を生じさせるものである１以上のよ
うに従来の技術は多くの問題点を有しており、本発明は
、このような問題点を解決するものである。その目的と
する所は、剥離しないゲート配線層のアライメントマー
クを形成することであり、歩留り向上、長期信頼性の確
保そして、スムーズな半導体装置の製造を保障すること
である。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置は、スクライブ領域に形成するゲー
ト配線層のアライメントマークを、半導体基板の上に絶
縁膜をかいして配置形成することによって、前述の問題
点を解決する。

〔実　施　例〕

第１図は本発明の実施例のスクライブ領域のアライメン
トマークの平面図である。第２図は断面図である。

スクライブ領域１にゲート配線層で形成されたステプバ
ー用のアライメントマーク２の下に絶縁膜のパターン３
を形成した本発明の実施例のこの横道によれば、特に、
ゲート配線層のエツチングおよび後工程の弗化水素酸水
溶液によるエツチングにおいて半導体基板よりエツチン
グされにくい絶縁膜はアライメントマークの直下をエツ
チングされえぐられることはなくなり、アライメントマ
ークは１分にその所定の機能をする。また、剥離するこ
とがなくなり前述の問題の原因となることはなくなった
。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、スクライブ領域に形
成されたアライメントマークは半導体基板より剥離する
事なく保持される。このことにより、ステッパーのアラ
イメントか不能となったりアライメント精度の不良とな
る事がなくなるという効果が生じるものである。

また、剥離したアライメントマークの付着により生じて
いた、前述の問題点がなくなった事による半導体装置の
歩留りの向上、長期信頼性の向上や品質の向上等多くの
効果があげられるものである。

以上のように本発明の効果は、ゲート配線層のアライメ
ントマークを半導体基板上に絶縁膜をかいして配置する
ことにより、得られるものであ−）て、この絶縁膜のパ
ターンの形状は、実施例に限定されるものではなく、ア
ライメントマークの機能を損なわないものであればスク
ライブ領域の中で自由に設定できるものである。

また、本発明の効果はアライメントマークに対してのみ
有効というものでなく、スクライブ領域に形成されるゲ
ート配線層の他のパターン（アライメントずれを測定す
るパターン（たとえばバーニア類）や寸法を測定するパ
ターン、解像性能を検査するパターン、工程・パターン
等を識別するためのパターン等）に実施しても同様な効
果を得る事もできるものである。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の実施例のスクライブ領域のアライメン
トマークの平面図。 第２図は本発明の実施例のスクライブ領域のアライメン
トマークの断面図。 第３図は従来技術のスクライブ領域のアライメントマー
クの平面図。 第４図は従来技術のスクライブ領域のアライメントマー
クの断面図。 １・・・スクライブ領域 ２・・・アライメントマーク ３・・・本発明によるところのパターン４・・・半導体
基板 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（他１名）埠４　口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　スクライブ領域に形成されたゲート配線層のアライメ
   ントマークにおいて、前記アライメントマークを半導体
   基板の上に絶縁膜を介して配置した事を特徴とする半導
   体装置。