JPH01152722A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01152722A JPH01152722A JP62312610A JP31261087A JPH01152722A JP H01152722 A JPH01152722 A JP H01152722A JP 62312610 A JP62312610 A JP 62312610A JP 31261087 A JP31261087 A JP 31261087A JP H01152722 A JPH01152722 A JP H01152722A
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- JP
- Japan
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- film
- resist
- alignment pattern
- insulating film
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にウェハーとマスクとの
重ね合わせに用いる目合わせパターンに関する。
重ね合わせに用いる目合わせパターンに関する。
一般に、目合わせパターンを形成する場合、半導体基板
又は、基板上に形成された絶縁膜上にエッチ７グやリフ
トオフ等によって、選択的に段差を作ることにより、目
合わせバク−７を形成する方法が用いられている。
又は、基板上に形成された絶縁膜上にエッチ７グやリフ
トオフ等によって、選択的に段差を作ることにより、目
合わせバク−７を形成する方法が用いられている。
また、特公昭６２−１８０２９では、半導体基板上に設
けられた絶縁膜内に目合わせパターンとして、金属膜を
埋め込むことを提案している。
けられた絶縁膜内に目合わせパターンとして、金属膜を
埋め込むことを提案している。
近年、半導体装置において、素子の高集積化、高性能化
が進み、重ね合わせを高精度に制御することが要求され
てきている。
が進み、重ね合わせを高精度に制御することが要求され
てきている。
しかし、選択的な段差の形成による目合わせパターンで
は、段差を宵しているため、目合わせパターン近傍のレ
ジスト膜厚が変化してしまう。このため目合わせパター
７及び、目合わせパターン近傍から反射してくる目合わ
せ用の信号強度か、レジスト内での光の干渉により変動
してしまう。
は、段差を宵しているため、目合わせパターン近傍のレ
ジスト膜厚が変化してしまう。このため目合わせパター
７及び、目合わせパターン近傍から反射してくる目合わ
せ用の信号強度か、レジスト内での光の干渉により変動
してしまう。
詳細な実験を行ったところ、反射信号強度は、△ｔμｍ
の周期で変化することが判明した。ここで、Δｔは下記
の式より求まる。
の周期で変化することが判明した。ここで、Δｔは下記
の式より求まる。
入二目合わせに使用する光の波長
ｎニレジストの屈折率
このように、段差型の目合わせパターンでは、この段差
により生じたレジスト膜厚変化により、レジスト内で光
の干渉が起こり、このため目合わせパターンからの反射
信号を十分に認識できなくなることによって、高精度な
重ね合わせが困難になるという欠点があった。
により生じたレジスト膜厚変化により、レジスト内で光
の干渉が起こり、このため目合わせパターンからの反射
信号を十分に認識できなくなることによって、高精度な
重ね合わせが困難になるという欠点があった。
そこで特公昭８２−１８０２９のような絶縁膜内に金属
膜を埋め込む方法が提案された。これにより、表面に凹
凸が生じないため、レジストをスピン伏在しても目合わ
せパターン近傍でのレジスト膜厚変化は生じず、このた
め干渉効果による反射信号強度の変動がなくなり、高精
度な重ね合わせができるようになった。しかし、第２図
のように、金嘱膜２３の膜厚が、絶縁膜２２の膜厚より
小さい場合は、金属膜２３をレジストをマスクとして、
選択的に被着させようとした場合、この後、レジストと
不用な金属膜を溶解除去した時、金属膜は目合わせパタ
ーンのみにしか使用されないために、大部分が別離され
、？り離液を必要以上に汚染させていた。
膜を埋め込む方法が提案された。これにより、表面に凹
凸が生じないため、レジストをスピン伏在しても目合わ
せパターン近傍でのレジスト膜厚変化は生じず、このた
め干渉効果による反射信号強度の変動がなくなり、高精
度な重ね合わせができるようになった。しかし、第２図
のように、金嘱膜２３の膜厚が、絶縁膜２２の膜厚より
小さい場合は、金属膜２３をレジストをマスクとして、
選択的に被着させようとした場合、この後、レジストと
不用な金属膜を溶解除去した時、金属膜は目合わせパタ
ーンのみにしか使用されないために、大部分が別離され
、？り離液を必要以上に汚染させていた。
そこで、本発明はこれらの間厘点を解決するもので、そ
の目的とする所は、高精度な重ね合わせを行なえる目合
わせパターンを提供し、かつ、目合わせパターンを形成
するために被着した金属膜を目合わせパターン以外でも
利用できるようにするものである。
の目的とする所は、高精度な重ね合わせを行なえる目合
わせパターンを提供し、かつ、目合わせパターンを形成
するために被着した金属膜を目合わせパターン以外でも
利用できるようにするものである。
本発明の半導体装置は、半導体装置の製造工程で、ウェ
ハーとマスクとの重ね合わせを行うための目合わせパタ
ーンとして、半導体基板上に形成された絶縁膜内に、膜
厚が前記絶縁膜より厚い金属膜を有することを特徴とす
る。
ハーとマスクとの重ね合わせを行うための目合わせパタ
ーンとして、半導体基板上に形成された絶縁膜内に、膜
厚が前記絶縁膜より厚い金属膜を有することを特徴とす
る。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の工程断面図
であり、目合わせパターン部について示しである。
であり、目合わせパターン部について示しである。
第１図（ａ）に示すように、まず基板１１上に絶縁膜１
２（例えば３ｉ０ｚ膜）を形成する。その後、レジスト
膜１３をスピン塗布し、目合わせパターン部に所定のレ
ジストパターンを形成する。次に同図（ｂ）のように、
前記レジストパターンをマスクとしてプラズマエツチン
グ装置（図示しない）を用いて、絶縁膜１２を深さＤだ
け異方性エツチングする。深さＤは、絶縁膜１２の膜厚
以上の大きさである。
２（例えば３ｉ０ｚ膜）を形成する。その後、レジスト
膜１３をスピン塗布し、目合わせパターン部に所定のレ
ジストパターンを形成する。次に同図（ｂ）のように、
前記レジストパターンをマスクとしてプラズマエツチン
グ装置（図示しない）を用いて、絶縁膜１２を深さＤだ
け異方性エツチングする。深さＤは、絶縁膜１２の膜厚
以上の大きさである。
その後、同図（Ｃ）に示すように、厚さＤの金属膜１４
を蒸着又はスパッタ等の方法によりその表面が絶縁膜１
２の表面とほぼ等しく平坦となるように被管する。
を蒸着又はスパッタ等の方法によりその表面が絶縁膜１
２の表面とほぼ等しく平坦となるように被管する。
次に、同図（ｄ）に示すように、レジスト膜１３を溶解
除去することにより、レジスト上の金属膜１４も取り除
く。
除去することにより、レジスト上の金属膜１４も取り除
く。
以上説明したように、本発明は、目合わせパターン部の
絶縁膜内に金属膜を埋め込むことにより、目合わせパタ
ーンの周辺表面に凹凸が生じないため、レジストをスピ
ンを布しても、目合わせパターン近傍でのレジスト膜厚
変化は生じない。
絶縁膜内に金属膜を埋め込むことにより、目合わせパタ
ーンの周辺表面に凹凸が生じないため、レジストをスピ
ンを布しても、目合わせパターン近傍でのレジスト膜厚
変化は生じない。
このため干渉効果による反射信号強度の変動がなくなり
、高精度な重ね合わせができるという利点がある。
、高精度な重ね合わせができるという利点がある。
さらに、例えばコンタクトホールのエツチング時に目合
わせパターン部のエツチングも同時に行い、この時マス
クとして使用したレジストの上から金属膜を被着すれば
、目合わせパターンを埋め込むために被管した金属膜が
、コンタクトホールも埋め、配線層を形成した時、コン
タクトホール部での配線層のつきまわりがよく、断線を
生じるおそれがなくなり、しかも平坦化できる。この例
のように、目合わせパターンのエツチングを、半導体基
板が露出す゛るまで行うことにより、目合わせパターン
形成用に被管した金属膜が、目合わせパターン以外にも
宵効に利用でき、レジストと不Ｍな金ＦＡ膜を１８解除
去した時、金属膜による利に液の汚染を低減できるもの
である。
わせパターン部のエツチングも同時に行い、この時マス
クとして使用したレジストの上から金属膜を被着すれば
、目合わせパターンを埋め込むために被管した金属膜が
、コンタクトホールも埋め、配線層を形成した時、コン
タクトホール部での配線層のつきまわりがよく、断線を
生じるおそれがなくなり、しかも平坦化できる。この例
のように、目合わせパターンのエツチングを、半導体基
板が露出す゛るまで行うことにより、目合わせパターン
形成用に被管した金属膜が、目合わせパターン以外にも
宵効に利用でき、レジストと不Ｍな金ＦＡ膜を１８解除
去した時、金属膜による利に液の汚染を低減できるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を工程順に
示す断面図である。第２図は従来の製法の一例を示す断
面図である。 １１．２１・・・半導体基板 １２．２２・・絶縁膜 １３・・・レジスト １４．２３・・・金属膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 ２−務、他１名第１図 第２図
示す断面図である。第２図は従来の製法の一例を示す断
面図である。 １１．２１・・・半導体基板 １２．２２・・絶縁膜 １３・・・レジスト １４．２３・・・金属膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 ２−務、他１名第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体装置の製造工程で、ウェハーとマスクとの重ね
合わせを行うための目合わせパターンとして、半導体基
板上に形成された絶縁膜内に、膜厚が前記絶縁膜より厚
い金属膜を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312610A JPH01152722A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62312610A JPH01152722A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152722A true JPH01152722A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=18031278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62312610A Pending JPH01152722A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152722A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007044632A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Asahi Sunac Corp | 水性二液ウレタン塗料の供給装置及び方法 |
| JP2015126110A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62312610A patent/JPH01152722A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007044632A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Asahi Sunac Corp | 水性二液ウレタン塗料の供給装置及び方法 |
| JP2015126110A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
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