KR970013155A - 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 - Google Patents
금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택식각 모니터링 방법에 관한 것으로, 반도체기판을 일정부분을 일정깊이 식각하고 이를 매립하는 매립 산화막층을 형성한 다음, 상기 매립 산화막층 상부에 적층 산확막층을 형성하고 마스크를 이용한 식각공정으로 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴의 창을 통하여 하부의 산화막 두께를 각각 측정하고 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 매립 산화막층이 형성된 부분과 형성되지 않은 부분을 식각함으로써 각각 제1콘택홀과 제2콘택홀을 형성한 다음, 상기 제1,2 콘택홀에 남아 있는 산화막 두께를 측정하여 콘택식각의 양 · 부를 판단함으로써 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 실시예에 따른 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법을 도시한 평면도
Claims (3)
- 반도체기판을 사진식각공정을 거쳐 식각하는 공정과, 매립 산화막층 형성을 위한 산화막을 증착하는 공정과 상기 반도체기판 표면 상부의 산화막을 제거하여 매립 산화막층을 형성하는 공정과, 상기 매립 산화막층 상부에 적층 산화막층을 형성하는 공정과 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 매립 산화막층이 형성된 부분과 다른 부분을 식각하여 제1,2콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 제1,2콘택홀에 남아있는 산화막 두께를 측정하여 콘택식각의 양 · 부를 판단하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택식각 모니터링 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립 산화막층은 TEOS 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택식각 모니터링 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립 산화막층은 과잉 실리콘산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택식각 모니터링 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026726A KR970013155A (ko) | 1995-08-26 | 1995-08-26 | 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026726A KR970013155A (ko) | 1995-08-26 | 1995-08-26 | 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013155A true KR970013155A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026726A KR970013155A (ko) | 1995-08-26 | 1995-08-26 | 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013155A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8697455B2 (en) | 2011-03-09 | 2014-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monitoring test element groups (TEGs) for etching process and methods of manufacturing a semiconductor device using the same |
-
1995
- 1995-08-26 KR KR1019950026726A patent/KR970013155A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8697455B2 (en) | 2011-03-09 | 2014-04-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Monitoring test element groups (TEGs) for etching process and methods of manufacturing a semiconductor device using the same |
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