KR930006837A - 금속접착층을 이용한 텅스텐 선택증착방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 금속접착층을 이용한 텅스텐 선택증착방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 또는 도전층 상부의 산화막에 형성된 깊이가 다른 콘택홀에 텅스텐을 완전히 매립하기 위하여 콘택홀에 예정된 두께의 금속접착층을 증착한 다음, 그 상부에 텅스텐을 선택증착방법으로 증착시켜 콘택홀을 매립하는 방법에 관한 것이다.

Description

금속접착층을 이용한 텅스텐 선택증착방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 의해 콘택홀에서 금속접층을 이용해서 텅스텐을 선택증착하는 방법을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 제조공정에 있어서, 실리콘 기판 또는 도전층 상부의 산화막에 형성된 깊이가 다른 콘택홀에 텅스텐을 환전히 매립하기 위하여, 실리콘 기판 상부에 제1산화막, 제1포토레지스트층, 제2산화막, 제2포토레지스트층을 각각 에정된 두께로 순차적으로 형성한 단계와, 상기 제1산화막에 실리콘 기판이 노출된 콘택홀을 형성하기 위하여 마스크패턴 공정으로 상기 제2포토레지스트층, 제2산화막, 포토레지스트층, 제1산화막을 에정된 부분 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트층을 완전히 제거하는 동시에 제1포토레지스트층의 일부를 제거하여 요홈을 형성하고 콘택홀의 제1산화막의 벽면과 제2산화막 벽면 및 상부에 금속접착층을 증착하는 단계와, 제2포토레지스트층을 식각용액에서 제거하고 상기 제2산화막과 그 상부의 금속접착층을 제거하는 단계와, 콘택홀의 금속접착층 상부면에 텅스텐을 선택층착방법으로 증착시켜 콘택홀을 매립하는 단계와, 매립된 텅스텐과 제1산화막 상부에 알루미늄 알로이를 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속접착층을 이용한 텅스텐 선택증착방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 접착층은 티탄늄을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속접착층을 이용한 텅스텐 선택 증착방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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