KR960035801A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 특히 식각률이 산화막과 현저한 차이가 있는 절연막을 사용하여 작은 크기의 콘택 홀을 형성할 수 있는 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 상부에 제1절연막을 증착한 후 사진시각 공정으로 제1절연막의 일정 부분을 식각하는 단계, 상기 제1절연막보다 식각률이 높은 제2절연막을 전체 구조 상부에 증착한 후 사진식각 공정에 의해 상기 제1절연막의 노출되는 끝단이 제2절연막의 노출 부위에 위치하도록 제2절연막을 식각하는 단계, 상기 제2절연막보다 식각률이 높은 제3절연막을 전체 구조 상부에 증착한 후 사진식각 공정으로 상기 제1절연막의 끝단과 제3절연막의 끝단이 일치하도록 제3절연막을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계 및 소정의 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어져서 현저한 식각률의 차이를 가지는 3가지의 절연막을 이용해서 비록 감광막의 노광에 의한 노출 부위가 크더라도 작은 폭의 콘택 홀을 형성할 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법의 제조 공정을 나타내는 단면도.

Claims (3)

  1. 실리콘 기판 상부에 제1절연막을 증착한 후 사진시각 공정으로 제1절연막의 일정 부분을 식각하는 단계, 상기 제1질연막보다 식각률이 높은 제2절연막을 전체 구조 상부에 증착한 후 사진식각 공정에 의해 상기 제1절연막의 노출되는 끝단이 제2절연막의 노출 부위에 위치하도록 제2절연막을 식각하는 단계, 상기 제2절연막보다 식각률이 높은 제3절연막을 전체 구조 상부에 증착한 후 사진식각 공정으로 상기 제1절연막의 끝단과 제3절연막의 끝단이 일치하도록 제3절연막을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계 및 소정의 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어진 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 배선을 형성하는 단계는 전체 구조 상부에 하부금속막을 증착하고 상기 콘택 홀에만 상기 하부금속막이 남도록 상기 제2, 3절연막 및 하부금속막을 제거한 후 상기 하부금속막 상부에 소정의 패턴으로 상부금속막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2, 3절연막 및 하부금속막의 제거는 화학기계적 연마법을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950004451A 1995-03-04 1995-03-04 반도체 소자의 제조방법 KR0148326B1 (ko)

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