KR970024007A - 반도체장치의 콘택 형성방법 - Google Patents

반도체장치의 콘택 형성방법 Download PDF

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Abstract

패드 폴리를 이용하는 안정된, 반도체장치에서의 콘택 형성방법이 개시되어 있다.
본 발명에 의한 반도체장치의 콘택형성방법은, 게이트 폴리(31)가 형성된 반도체기판(30)상에 제 1 층간 절연막(32)을 증착하고, 상기 게이트 폴리(31) 사이의 상기 반도체기판(30)을 노출시키고, 전면에 패드 폴리층(34)을 증착한 후 상기 패드 폴리층(34)을 에치백하며, 포토리소그래피기술로 패드 폴리를 형성할 영역상에 포토레지스트 패턴(36)을 형성하고, 식각공정에 의하여 상기 포토레지스트 패턴(36) 하부에 패드 폴리(35)를 형성하는 단계 및 전면에 제 2 층간 절연막(37)을 증착하고 통상적인 에칭공정에 의해 콘택홀(38)을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
따라서, 폴리머 스페이서를 사용하지 않아 공정이 안정되며, 패드 폴리의 두께를 낮게 할 수 있으므로 디바이스의 수직방향으로의 스케일 다운의 얻을 수 있다.

Description

반도체장치의 콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2A도 내지 제 2D도는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체장치의 콘택 형성방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 복수의 게이트 폴리(31)가 형성된 반도체기판(30)상에 제 1 층간 절연막(32)을 증착하는 단계와; 상기 인접하는 게이트 폴리(31) 사이의 상기 반도체기판(30)이 노출되도록 상기 제 1 층간 절연막(32)의 소정 부분을 제거하는 단계와; 상기 노출된 반도체기판(30)과 상기 제 1 층간 절연막(32)상의 전면에 패드 폴리층(34)을 증착한 후 상기 패드 폴리층(34)을 에치백하는 단계와; 포토레지스트를 이용한 포토리소그래피기술로 패드 폴리를 형성 할 영역상에 포토레지스트 패턴(36)을 형성하는 단계와; 식각공정에 의하여 상기 포토레지스트 패턴(36) 하부에 패드 폴리(35)를 형성하는 단계; 및 반도체기판의 전면에 제 2 층간 절연막(37)을 증착하고 통상적인 에칭공정에 의해 콘택홀(39)을 형성하는 단계;를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 층간 절연막(32)으로 질화실리콘(SiN)을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 콘택 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 패드 폴리층(34)를 에치백하는 단계에서 잔존하는 패드 폴리층의 두께를 500Å 이하가 되게 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 콘택 형성방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 패드 폴리(35)를 형성하기 위한 식각공정은 실리콘(Si) 및 질화실리콘(SiN)에 대한 선택비가 10 : 1 이상에서 실시하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치의 콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100735607B1 (ko) * 2001-03-26 2007-07-04 삼성전자주식회사 패드폴리 형성방법

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