KR970052444A - 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052444A KR970052444A KR1019950065716A KR19950065716A KR970052444A KR 970052444 A KR970052444 A KR 970052444A KR 1019950065716 A KR1019950065716 A KR 1019950065716A KR 19950065716 A KR19950065716 A KR 19950065716A KR 970052444 A KR970052444 A KR 970052444A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact hole
- forming
- semiconductor device
- hole formation
- formation method
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 박막의 식각 비율 차이를 이용하여 콘택홀을 형성하므로서 공정의 간단성, 이상적인 콘택홀 형성 및 파티클의 발생을 방지할 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막을 콘택용 마스크를 이용한 식각 공정에 의해 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀이 형성된 전체 구조 상부에 산화막, PSG막 및 BPSG막을 증착하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 포토 리소그라피 공정으로 패터닝 된 감광막 패턴이 마스크로 이용되어, 식각 공정에 의해 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065716A KR970052444A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065716A KR970052444A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052444A true KR970052444A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66624231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065716A KR970052444A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052444A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065716A patent/KR970052444A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970052444A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970030639A (ko) | 평탄화된 필드절연막을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR970024007A (ko) | 반도체장치의 콘택 형성방법 | |
| KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970023636A (ko) | 반도체장치의 미세배선 형성방법 | |
| KR960019517A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 제조방법 | |
| KR970052405A (ko) | 반도체장치의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970023635A (ko) | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 | |
| KR940016629A (ko) | 삼층감광막 패턴 형성방법 | |
| KR970018072A (ko) | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970023816A (ko) | 멀티 레이어 식각 방법 | |
| KR940010366A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
| KR970049007A (ko) | 2층 감광막 패턴 형성방법 | |
| KR960005957A (ko) | 다층배선 형성방법 | |
| KR970018103A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970053571A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR970018149A (ko) | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970052351A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
| KR950025927A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR970052415A (ko) | 이중 절연막을 사용하는 반도체 장치의 콘택 형성 방법 | |
| KR970052506A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970018049A (ko) | 보조 패턴 방법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR970016829A (ko) | 난반사막을 이용한 산화막 사진식각방법 | |
| KR940018930A (ko) | 반도체 소자의 평탄화 방법 | |
| KR940003034A (ko) | 반도체 캐패시터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |