KR970052506A - 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052506A KR970052506A KR1019950069545A KR19950069545A KR970052506A KR 970052506 A KR970052506 A KR 970052506A KR 1019950069545 A KR1019950069545 A KR 1019950069545A KR 19950069545 A KR19950069545 A KR 19950069545A KR 970052506 A KR970052506 A KR 970052506A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- contact hole
- insulating layer
- etching
- mask pattern
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 노광 한계보다 적은 미세한 직경을 갖는 콘택홀 형성할 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 별도의 추가 장비 없이 기존의 사진 식각 공정에 의하여 미세한 직경을 갖는 콘택홀을 형성하여 금속 배선을 형성하므로써, 고집적 소자에 대응할 수 있는 금속 배선을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (라)는 본 발명의 [실시예1]에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 회로를 이루는 전극부가 형성된 반도체 기판상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상부에 콘택홀 형성용 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 하부의 제1절연막을 일정 깊이로 식각하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 결과물 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 블랭킷 식각하여 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 스페이서를 마스크로 하여 잔존하는 제1절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 TEOS 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 반도체 회로를 이루는 전극부가 형성된 반도체 기판상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상부에 콘택홀 형성용 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴의 형태로 하부의 제1절연막을 일정 깊이로 식각하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 결과물 상부에 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘을 산화하여 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막을 블랭킷 식각하여 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 스페이서를 마스크로 하여 잔존하는 제1절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069545A KR970052506A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069545A KR970052506A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052506A true KR970052506A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66639916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069545A KR970052506A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052506A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069545A patent/KR970052506A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940010197A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970051945A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR970052506A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970051844A (ko) | 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법 | |
| KR970052384A (ko) | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970053546A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR960019488A (ko) | 반도체장치의 배선패턴 형성방법 | |
| KR930022473A (ko) | 다층배선 구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960005791A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960019533A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
| KR970030639A (ko) | 평탄화된 필드절연막을 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR970030661A (ko) | 반도체 소자의 다층 금속 배선 방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970023635A (ko) | 반도체장치의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970052385A (ko) | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960035800A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성방법 | |
| KR970053571A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR970023746A (ko) | 반도체장치의 콘택 형성방법 | |
| KR960036058A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960015751A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970018216A (ko) | 반도체 장치의 평탄화 방법 | |
| KR960005792A (ko) | 미세 콘택 형성 방법 | |
| KR970054004A (ko) | 반도체장치의 비트라인 형성방법 | |
| KR980005486A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |